JP2647997B2 - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2647997B2 JP2647997B2 JP2161682A JP16168290A JP2647997B2 JP 2647997 B2 JP2647997 B2 JP 2647997B2 JP 2161682 A JP2161682 A JP 2161682A JP 16168290 A JP16168290 A JP 16168290A JP 2647997 B2 JP2647997 B2 JP 2647997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- pressure cvd
- atmospheric pressure
- supply unit
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程で用いられる常圧CVD
装置に関する。
装置に関する。
従来の常圧CVD装置は、試料を裏側から加熱し、試料
表面に２種類以上の反応ガスをそれぞれ分離された吐出
口より吐出させることにより、試料表面に薄膜を形成す
るように構成されていた。
表面に２種類以上の反応ガスをそれぞれ分離された吐出
口より吐出させることにより、試料表面に薄膜を形成す
るように構成されていた。
上述した従来の常圧CVD装置は、試料を加熱する際
に、反応ガス供給部が同時に加熱される為、反応ガス供
給部の内部を冷却水等で冷却している。しかし、反応ガ
ス供給部より吐出された反応ガスが試料表面に達する前
に加熱されてしまうため、試料表面上以外の気相中での
反応が起き、パーティクルが発生したり、膜表面に荒れ
が起き、歩留りが低下するという欠点がある。
に、反応ガス供給部が同時に加熱される為、反応ガス供
給部の内部を冷却水等で冷却している。しかし、反応ガ
ス供給部より吐出された反応ガスが試料表面に達する前
に加熱されてしまうため、試料表面上以外の気相中での
反応が起き、パーティクルが発生したり、膜表面に荒れ
が起き、歩留りが低下するという欠点がある。
本願発明では、冷却されている反応ガス供給部の吐出
口から加熱されている基板表面上に反応ガスを導入して
前記基板表面に成膜するCVD装置において、前記反応ガ
スの前記吐出口と前記基板表面との間に前記吐出口から
吐出された前記反応ガスを冷却するための冷却手段を設
けている。
口から加熱されている基板表面上に反応ガスを導入して
前記基板表面に成膜するCVD装置において、前記反応ガ
スの前記吐出口と前記基板表面との間に前記吐出口から
吐出された前記反応ガスを冷却するための冷却手段を設
けている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例の断面図及び平
面図であり、平面図は反応ガス供給部を除いた場合を示
している。
面図であり、平面図は反応ガス供給部を除いた場合を示
している。
第１図及び第２図において、ウェーハ１は試料台２に
装填され、加熱は試料台２の裏側のヒーター３により行
われる。尚、試料台２は試料台移動方向４に従い移動す
る構造になっている。成膜に寄与する反応ガスとして
は、反応ガス供給部５より、酸素ガス及び水素系ガス
（例えば、SiH4,PH3,B2H6或いはそれらの混合ガス）が
別々の吐出口5Aより吐出され、ウェーハ１の表面に到達
し成膜が行われる。本実施例では特に、反応ガス供給部
５のガスの吐出口5Aとウェーハ１の表面との間に、反応
ガス冷却管６が設けられている。
装填され、加熱は試料台２の裏側のヒーター３により行
われる。尚、試料台２は試料台移動方向４に従い移動す
る構造になっている。成膜に寄与する反応ガスとして
は、反応ガス供給部５より、酸素ガス及び水素系ガス
（例えば、SiH4,PH3,B2H6或いはそれらの混合ガス）が
別々の吐出口5Aより吐出され、ウェーハ１の表面に到達
し成膜が行われる。本実施例では特に、反応ガス供給部
５のガスの吐出口5Aとウェーハ１の表面との間に、反応
ガス冷却管６が設けられている。
この反応ガス冷却管６の冷媒流入口７を通して、冷媒
流出口８へ冷媒（例えば水或いはフロン，アンモニア等
の液化ガス）を流すことにより、吐出された反応ガス
は、ウェーハ１表面に到達するまでに、ウェーハ加熱時
の余熱による加熱が緩和されるため、気相中での反応は
抑制され、パーティクル等の発生は極めて少いものとな
る。
流出口８へ冷媒（例えば水或いはフロン，アンモニア等
の液化ガス）を流すことにより、吐出された反応ガス
は、ウェーハ１表面に到達するまでに、ウェーハ加熱時
の余熱による加熱が緩和されるため、気相中での反応は
抑制され、パーティクル等の発生は極めて少いものとな
る。
以上説明したように本発明は、反応ガスの吐出口と試
料表面との間に、反応ガスが試料加熱の余熱により加熱
されるのを緩和するための冷却手段を設けることによ
り、試料表面上以外の気相中での反応ガスの反応を抑え
ることができる。この結果、パーティクルの発生や膜の
表面荒れが抑えられるため歩留りは向上する。
料表面との間に、反応ガスが試料加熱の余熱により加熱
されるのを緩和するための冷却手段を設けることによ
り、試料表面上以外の気相中での反応ガスの反応を抑え
ることができる。この結果、パーティクルの発生や膜の
表面荒れが抑えられるため歩留りは向上する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例の断面図及び反応
ガス供給部を除いた平面図である。 １……ウェーハ、２……試料台、３……ヒーター、４…
…試料台移動方向、５……反応ガス供給部、5A……吐出
口、６……反応ガス冷却管、７……冷媒流入口、８……
冷媒流出口。
ガス供給部を除いた平面図である。 １……ウェーハ、２……試料台、３……ヒーター、４…
…試料台移動方向、５……反応ガス供給部、5A……吐出
口、６……反応ガス冷却管、７……冷媒流入口、８……
冷媒流出口。
Claims (1)
- 【請求項１】冷却されている反応ガス供給部の吐出口か
ら加熱されている基板表面上に反応ガスを導入して前記
基板表面に成膜するCVD装置において、前記反応ガスの
前記吐出口と前記基板表面との間に前記吐出口から吐出
された前記反応ガスを冷却するための冷却手段を設けた
ことを特徴とするCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161682A JP2647997B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161682A JP2647997B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453226A JPH0453226A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2647997B2 true JP2647997B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=15739845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161682A Expired - Lifetime JP2647997B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647997B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119919A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nec Corp | 化合物半導体の結晶成長装置 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161682A patent/JP2647997B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453226A (ja) | 1992-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080210273A1 (en) | Batch photoresist dry strip and ash system and process | |
| US4565157A (en) | Method and apparatus for deposition of tungsten silicides | |
| US5561087A (en) | Method of forming a uniform thin film by cooling wafers during CVD | |
| JP4399206B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
| US7304002B2 (en) | Method of oxidizing member to be treated | |
| TW392212B (en) | Low pressure silicon nitrides deposition method that can reduce particle production | |
| JP2647997B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| CN101107379B (zh) | 气体处理方法 | |
| JP2005039123A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP3098093B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2641593B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0714362Y2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2005054253A (ja) | 薄膜製造装置及び製造方法 | |
| JPH03151629A (ja) | 半導体薄膜製造装置及び半導体多層薄膜の製造方法 | |
| JPS6236825A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0922902A (ja) | フランジ装置及びこれを用いた横型プロセスチューブ装置 | |
| JPH05121337A (ja) | 固体表面と気体とを反応させる方法 | |
| JPH10199871A (ja) | Ｃｖｄ膜の成膜方法 | |
| JPS60200531A (ja) | 処理装置 | |
| JPS6273707A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH01166526A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH09199472A (ja) | 半導体処理液用冷却加熱装置 | |
| JPH0397221A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の作製方法 | |
| JP2000277518A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH06256958A (ja) | 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置 |