JPH06256958A - 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置 - Google Patents
低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置Info
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- JPH06256958A JPH06256958A JP6925693A JP6925693A JPH06256958A JP H06256958 A JPH06256958 A JP H06256958A JP 6925693 A JP6925693 A JP 6925693A JP 6925693 A JP6925693 A JP 6925693A JP H06256958 A JPH06256958 A JP H06256958A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板を高温に加熱することなく、また、プラ
ズマのダメージを受けることなく、基板の表面に薄膜を
形成できるようにすることを目的としている。 【構成】 真空チャンバー１内に支持した基板３の表面
に対して、低圧高温プラズマ発生装置５から解離状態の
反応ガス（ＮＨ3 ）を吹き付けると共に、基板収容部４
に臨ませたガス吹出し管１６から別の反応ガス（ＴｉＣ
ｌ4 ）を吹き付ける。基板３の表面でＣＶＤ反応を起さ
せて、薄膜（ＴｉＮ）を堆積させる。
ズマのダメージを受けることなく、基板の表面に薄膜を
形成できるようにすることを目的としている。 【構成】 真空チャンバー１内に支持した基板３の表面
に対して、低圧高温プラズマ発生装置５から解離状態の
反応ガス（ＮＨ3 ）を吹き付けると共に、基板収容部４
に臨ませたガス吹出し管１６から別の反応ガス（ＴｉＣ
ｌ4 ）を吹き付ける。基板３の表面でＣＶＤ反応を起さ
せて、薄膜（ＴｉＮ）を堆積させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板温度が低温でも
薄膜を形成できるようにした、低圧高温プラズマを利用
した薄膜の形成方法および装置に関する。
薄膜を形成できるようにした、低圧高温プラズマを利用
した薄膜の形成方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板の表面にＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition ）法によって薄膜を形成する方法に
は、熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法とが知られている。
apor Deposition ）法によって薄膜を形成する方法に
は、熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法とが知られている。
【０００３】熱ＣＶＤ法は、反応ガスとして、例えばＴ
ｉＣｌ4 とＮＨ3 をノズルなどを通して反応容器内に導
入する一方、反応容器内に支持した基板を加熱（５００
℃以上）し、基板表面において反応ガスの分解、ＴｉＮ
の生成と薄膜の堆積を起させる方法である（例えば、Jo
urnal of Electrochemical Society, Vol. 136, No.3,
March 1989, P. 882 〜883 ）。
ｉＣｌ4 とＮＨ3 をノズルなどを通して反応容器内に導
入する一方、反応容器内に支持した基板を加熱（５００
℃以上）し、基板表面において反応ガスの分解、ＴｉＮ
の生成と薄膜の堆積を起させる方法である（例えば、Jo
urnal of Electrochemical Society, Vol. 136, No.3,
March 1989, P. 882 〜883 ）。
【０００４】プラズマＣＶＤ法は、真空容器内に基板と
電極を対向させ、真空容器内に前記反応ガスを導入する
と共に、基板と電極に高周波電力などを印加することに
より、基板と電極の対向間隙にプラズマを形成し、この
プラズマによって反応ガスの分解、ＴｉＮの生成を起さ
せ、ＴｉＮを基板の表面に堆積させる方法である（例え
ば、Jounal of Electrochemical Society, Vol. 136, N
o. 1, January 1989,P. 276〜280 ）。
電極を対向させ、真空容器内に前記反応ガスを導入する
と共に、基板と電極に高周波電力などを印加することに
より、基板と電極の対向間隙にプラズマを形成し、この
プラズマによって反応ガスの分解、ＴｉＮの生成を起さ
せ、ＴｉＮを基板の表面に堆積させる方法である（例え
ば、Jounal of Electrochemical Society, Vol. 136, N
o. 1, January 1989,P. 276〜280 ）。
【０００５】これらのＣＶＤ法は、半導体素子の製造工
程において良く利用されるようになっている。半導体ウ
エハー上で形成されるコンタクトホールでの穴埋め特性
（コンタクトホールの上部内壁と底部での膜厚の差）が
スパッタ法に比べて良くできる（膜厚の差が小さくでき
る）からである。
程において良く利用されるようになっている。半導体ウ
エハー上で形成されるコンタクトホールでの穴埋め特性
（コンタクトホールの上部内壁と底部での膜厚の差）が
スパッタ法に比べて良くできる（膜厚の差が小さくでき
る）からである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のＣＶＤ法に
よって、薄膜を形成する場合、次のような問題点があっ
た。
よって、薄膜を形成する場合、次のような問題点があっ
た。
【０００７】即ち、熱ＣＶＤ法は、 1) 反応容器全体に反応ガスを満たすため、薄膜形成に
必要な量以上の反応ガスを供給しなければならず、ガス
の消費量が多くなる。 2) 基板を高温（５００℃以上）に加熱する必要があ
る。 3) 基板の表面以外でも、薄膜の堆積が起り易いため、
反応容器内壁が汚れ易く、頻繁にクリーニングを行なう
必要がある。 などの問題点があった。特に、基板を高温に加熱する
と、半導体ウエハー内に作成した種々の組織に悪影響が
あり、基板温度をいかに下げるかが大きな課題となって
いる。
必要な量以上の反応ガスを供給しなければならず、ガス
の消費量が多くなる。 2) 基板を高温（５００℃以上）に加熱する必要があ
る。 3) 基板の表面以外でも、薄膜の堆積が起り易いため、
反応容器内壁が汚れ易く、頻繁にクリーニングを行なう
必要がある。 などの問題点があった。特に、基板を高温に加熱する
と、半導体ウエハー内に作成した種々の組織に悪影響が
あり、基板温度をいかに下げるかが大きな課題となって
いる。
【０００８】一方、プラズマＣＶＤ法は、基板と電極の
間で生成したプラズマで反応ガスを分解させるので、基
板の温度は３００℃以下で良く、基板の高温加熱を避け
ることができたが、基板表面がプラズマに直接曝される
ので、プラズマ中のイオン又は電子によって基板の下地
が荒される問題点があった。
間で生成したプラズマで反応ガスを分解させるので、基
板の温度は３００℃以下で良く、基板の高温加熱を避け
ることができたが、基板表面がプラズマに直接曝される
ので、プラズマ中のイオン又は電子によって基板の下地
が荒される問題点があった。
【０００９】この発明は以上のような問題点に鑑みてな
されたもので、基板を高温に加熱することなく、また、
基板がプラズマのダメージを受けることなく、薄膜を形
成できる方法および装置を提供することを目的としたも
のである。
されたもので、基板を高温に加熱することなく、また、
基板がプラズマのダメージを受けることなく、薄膜を形
成できる方法および装置を提供することを目的としたも
のである。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】前記の目的を達成するこの
発明は、一方の反応ガスを熱プラズマで分解、解離させ
てから、真空チャンバー内の基板の表面に吹き付けると
共に、別の反応ガスを基板の表面に直接吹き付けて、基
板の表面でＣＶＤ反応を起させるようにしたものであ
る。
発明は、一方の反応ガスを熱プラズマで分解、解離させ
てから、真空チャンバー内の基板の表面に吹き付けると
共に、別の反応ガスを基板の表面に直接吹き付けて、基
板の表面でＣＶＤ反応を起させるようにしたものであ
る。
【００１１】即ちこの発明の低圧高温プラズマを利用し
た薄膜の形成方法は、ＣＶＤ法によって薄膜を基板表面
に形成する方法において、低圧高温プラズマ中で分解さ
せた反応ガスを基板の表面に吹き付けると共に、別の反
応ガスを基板の表面に直接吹き付け、基板の表面上で、
前記吹き付けた反応ガスのＣＶＤ反応によって薄膜を基
板表面に堆積させることを特徴としている。
た薄膜の形成方法は、ＣＶＤ法によって薄膜を基板表面
に形成する方法において、低圧高温プラズマ中で分解さ
せた反応ガスを基板の表面に吹き付けると共に、別の反
応ガスを基板の表面に直接吹き付け、基板の表面上で、
前記吹き付けた反応ガスのＣＶＤ反応によって薄膜を基
板表面に堆積させることを特徴としている。
【００１２】基板表面に形成される薄膜の基板内の分布
を良くする為には、低圧高温プラズマ中で分解させた反
応ガスを、基板の表面と対向する位置から吹き付けるよ
うにし、別の反応ガスを基板の周囲から吹き付けるよう
にするのが、望ましい。
を良くする為には、低圧高温プラズマ中で分解させた反
応ガスを、基板の表面と対向する位置から吹き付けるよ
うにし、別の反応ガスを基板の周囲から吹き付けるよう
にするのが、望ましい。
【００１３】一方この発明の低圧高温プラズマを利用し
た薄膜の形成装置は、ＣＶＤ法によって薄膜を基板表面
に形成する装置において、反応ガスの供給管に接続され
た、低圧高温プラズマ発生装置のガス吹出し口が、基板
を収容する真空チャンバーの一側に開口させてあると共
に、前記真空チャンバー内に、別の反応ガスの吹出し管
が基板収容部に臨ませて設置してあることを特徴として
いる。
た薄膜の形成装置は、ＣＶＤ法によって薄膜を基板表面
に形成する装置において、反応ガスの供給管に接続され
た、低圧高温プラズマ発生装置のガス吹出し口が、基板
を収容する真空チャンバーの一側に開口させてあると共
に、前記真空チャンバー内に、別の反応ガスの吹出し管
が基板収容部に臨ませて設置してあることを特徴として
いる。
【００１４】前記低圧高温プラズマ発生装置のガス吹出
し口は、真空チャンバー内に設けた基板収容部と対向さ
せ、また、別の反応ガスの吹出し管は、環状の管の内側
に沿って吹出し口を設けて構成するのが望ましい。
し口は、真空チャンバー内に設けた基板収容部と対向さ
せ、また、別の反応ガスの吹出し管は、環状の管の内側
に沿って吹出し口を設けて構成するのが望ましい。
【００１５】
【作用】この発明によれば、基板の表面において、プラ
ズマ中で分解させた反応ガスと、別の反応ガスのＣＶＤ
反応が起き、基板の表面に薄膜が堆積する。従って、基
板を高温に加熱する必要が無いと共に、基板がプラズマ
に曝されることによって受けるダメージも避けることが
できる。
ズマ中で分解させた反応ガスと、別の反応ガスのＣＶＤ
反応が起き、基板の表面に薄膜が堆積する。従って、基
板を高温に加熱する必要が無いと共に、基板がプラズマ
に曝されることによって受けるダメージも避けることが
できる。
【００１６】
【実施例】図１はこの発明を実施する薄膜形成装置であ
る。真空チャンバー１の内側下部に基板ホルダー２が設
置されて、基板ホルダー２の上面が基板３の収容部４と
してある。基板ホルダー２の上面と対向する、真空チャ
ンバー１の頂壁には、低圧高温プラズマ発生装置５が設
置されている。低圧高温プラズマ発生装置５は、石英製
の放電管内管６と放電管外管７で二重筒構造としたもの
で、放電管内管６の上端に、ガス供給管８が接続されて
いると共に、放電管内管６の下端にスリット９が設けら
れ、スリット９の開口部９ａをガス吹出し口として真空
チャンバー１内に開口させてある。
る。真空チャンバー１の内側下部に基板ホルダー２が設
置されて、基板ホルダー２の上面が基板３の収容部４と
してある。基板ホルダー２の上面と対向する、真空チャ
ンバー１の頂壁には、低圧高温プラズマ発生装置５が設
置されている。低圧高温プラズマ発生装置５は、石英製
の放電管内管６と放電管外管７で二重筒構造としたもの
で、放電管内管６の上端に、ガス供給管８が接続されて
いると共に、放電管内管６の下端にスリット９が設けら
れ、スリット９の開口部９ａをガス吹出し口として真空
チャンバー１内に開口させてある。
【００１７】前記放電管外管７は放電管内管６を冷却す
る為のもので、上部一側および下部一側に接続管１０
ａ、１０ｂが設けられており、矢示１１ａ、１１ｂのよ
うに、冷却水を流せるようになっている。
る為のもので、上部一側および下部一側に接続管１０
ａ、１０ｂが設けられており、矢示１１ａ、１１ｂのよ
うに、冷却水を流せるようになっている。
【００１８】また、放電管外管７の外側には、銅パイプ
で形成したコイル１２が遊嵌してあり、高周波電源（１
３．５６ＭＨｚ、５ｋｗ）１３と結合されて、高周波電
力をコイル１２の内側空間に導入できるようになってい
る。コイル１２を形成した銅パイプも冷却水を流して冷
却されるものである。
で形成したコイル１２が遊嵌してあり、高周波電源（１
３．５６ＭＨｚ、５ｋｗ）１３と結合されて、高周波電
力をコイル１２の内側空間に導入できるようになってい
る。コイル１２を形成した銅パイプも冷却水を流して冷
却されるものである。
【００１９】前記基板ホルダー２とスリット９の開口部
９ａの対向部の中間部には、真空チャンバー１の側壁を
貫通して設置した運動（直線又は回転）導入機１４を介
して、シャッター板１５が設置してあり、このシャッタ
ー板１５の上側には、環状のガス吹出し管１６が設置し
てある。
９ａの対向部の中間部には、真空チャンバー１の側壁を
貫通して設置した運動（直線又は回転）導入機１４を介
して、シャッター板１５が設置してあり、このシャッタ
ー板１５の上側には、環状のガス吹出し管１６が設置し
てある。
【００２０】ガス吹出し管１６は、真空チャンバー１の
側壁を貫通して設置したガス供給管１７の先端部に連設
されているもので、図２に示したように、内側壁下部の
位置に、複数のガス吹出し口１８が、ガス吹出し管１６
に沿って略一定の間隔で形成してある。
側壁を貫通して設置したガス供給管１７の先端部に連設
されているもので、図２に示したように、内側壁下部の
位置に、複数のガス吹出し口１８が、ガス吹出し管１６
に沿って略一定の間隔で形成してある。
【００２１】図中、１９は基板ホルダー２に設けた加熱
用のヒータで略示的に示したものである。また、２０、
２１は供給管８、１７に夫々設けられたバルブ、２２は
真空チャンバー１の排気導管２３に設けられたバルブで
ある。
用のヒータで略示的に示したものである。また、２０、
２１は供給管８、１７に夫々設けられたバルブ、２２は
真空チャンバー１の排気導管２３に設けられたバルブで
ある。
【００２２】上記実施例の薄膜形成装置を用いて基板３
の表面にＴｉＮ薄膜を形成した例について、次に説明す
る。
の表面にＴｉＮ薄膜を形成した例について、次に説明す
る。
【００２３】低圧高温プラズマ発生装置５に接続された
ガス供給管８には、ＮＨ3 ガスのボンベ（図示していな
い）を接続し、もう一方のガス供給管１７にはＴｉＣｌ
4 ガスのボンベ（図示していない）を接続する。
ガス供給管８には、ＮＨ3 ガスのボンベ（図示していな
い）を接続し、もう一方のガス供給管１７にはＴｉＣｌ
4 ガスのボンベ（図示していない）を接続する。
【００２４】初めに、バルブ２０、２１は閉とした状態
で、真空チャンバー１内および低圧高温プラズマ発生装
置５の放電管内管６内を、排気導管２３に接続された排
気ポンプ（図示していない）によって１０-4 Torr 程度
に排気し、次いでバルブ２２を絞ると共にバルブ２０、
２１を開けて、真空チャンバー１内を０．１〜１０ Tor
r 程度となるように調整する。
で、真空チャンバー１内および低圧高温プラズマ発生装
置５の放電管内管６内を、排気導管２３に接続された排
気ポンプ（図示していない）によって１０-4 Torr 程度
に排気し、次いでバルブ２２を絞ると共にバルブ２０、
２１を開けて、真空チャンバー１内を０．１〜１０ Tor
r 程度となるように調整する。
【００２５】この状態で、高周波電源１３をＯＮとし
て、高周波電力を投入すると、放電管内管６の内部にＮ
Ｈ3 のプラズマ２４が形成される。このプラズマによっ
てＮＨ3 ガスは分解され、解離状態の反応ガスが、真空
チャンバー１に開口させた、スリット９の開口部９ａを
通して、真空チャンバー内の基板３へ向って噴出する。
て、高周波電力を投入すると、放電管内管６の内部にＮ
Ｈ3 のプラズマ２４が形成される。このプラズマによっ
てＮＨ3 ガスは分解され、解離状態の反応ガスが、真空
チャンバー１に開口させた、スリット９の開口部９ａを
通して、真空チャンバー内の基板３へ向って噴出する。
【００２６】ここで、シャッター板１５を運動導入機１
４を介して操作して、基板３が開口部９ａに対して露出
するようにすると、基板３の表面には、解離状態のＮＨ
3 ガスが吹き付けられると共に、ガス吹出し管１６側か
らはＴｉＣｌ4 ガスが吹き付けられて、ＣＶＤ反応が起
り、ＴｉＮが基板表面において堆積し、薄膜が形成され
る。この時、基板ホルダー２に設けた加熱用ヒータ１９
によって基板３を薄膜の形成に適当な温度に加熱するよ
うにしても良い。
４を介して操作して、基板３が開口部９ａに対して露出
するようにすると、基板３の表面には、解離状態のＮＨ
3 ガスが吹き付けられると共に、ガス吹出し管１６側か
らはＴｉＣｌ4 ガスが吹き付けられて、ＣＶＤ反応が起
り、ＴｉＮが基板表面において堆積し、薄膜が形成され
る。この時、基板ホルダー２に設けた加熱用ヒータ１９
によって基板３を薄膜の形成に適当な温度に加熱するよ
うにしても良い。
【００２７】以上のようにして薄膜の形成を行なえば、
基板３は、ＣＶＤ反応の為の加熱を不要とできるので、
高温の加熱によって、基板３内に形成された組織が破壊
されるのを避けることができる。また、低圧高温プラズ
マ発生装置５内に形成したプラズマ２４はスリット９に
よって基板３から隔離することができるので、プラズマ
２４中のイオン又は電子によって基板３の表面が荒され
るのも防ぐことができる。
基板３は、ＣＶＤ反応の為の加熱を不要とできるので、
高温の加熱によって、基板３内に形成された組織が破壊
されるのを避けることができる。また、低圧高温プラズ
マ発生装置５内に形成したプラズマ２４はスリット９に
よって基板３から隔離することができるので、プラズマ
２４中のイオン又は電子によって基板３の表面が荒され
るのも防ぐことができる。
【００２８】ＴｉＮ薄膜を形成した実施例においては、
低圧高温プラズマ装置５にＮＨ3 ガスを供給したが、Ｎ
2 ガスやＮ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガスなど、他の窒素
を含んだ反応ガスとすることが可能である。同様に、ガ
ス吹出し管１６にはＴｉＣｌ4 ガスを供給したが、Ｔｉ
［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ］4、
Ｔｉ（ＯＣＨ3 ）4 ガスなど、他のチタンを含んだ反応
ガスとすることが可能である。また、窒素を含んだ反応
ガスをガス吹出し管１６を通して供給し、チタンを含ん
だ反応ガスを低圧高温プラズマ装置５を通して供給する
ようにしても良い。
低圧高温プラズマ装置５にＮＨ3 ガスを供給したが、Ｎ
2 ガスやＮ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガスなど、他の窒素
を含んだ反応ガスとすることが可能である。同様に、ガ
ス吹出し管１６にはＴｉＣｌ4 ガスを供給したが、Ｔｉ
［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ］4、
Ｔｉ（ＯＣＨ3 ）4 ガスなど、他のチタンを含んだ反応
ガスとすることが可能である。また、窒素を含んだ反応
ガスをガス吹出し管１６を通して供給し、チタンを含ん
だ反応ガスを低圧高温プラズマ装置５を通して供給する
ようにしても良い。
【００２９】ＴｉＮ薄膜以外の薄膜の形成も可能であ
り、供給する反応ガスの種々の組合せで、いろいろな種
類の薄膜の形成が可能である。
り、供給する反応ガスの種々の組合せで、いろいろな種
類の薄膜の形成が可能である。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、高温やプラズマによ
るダメージを与えることなく基板の表面に薄膜を形成で
きる効果がある。
るダメージを与えることなく基板の表面に薄膜を形成で
きる効果がある。
【００３１】従って半導体素子の製造にこの発明を利用
することによって、製造の歩留りを大幅に改善すること
が可能である。
することによって、製造の歩留りを大幅に改善すること
が可能である。
【図１】この発明の実施例の薄膜形成装置の構成図であ
る。
る。
【図２】同じく実施例のガス吹出し管の拡大斜視図であ
る。
る。
１ 真空チャンバー ２ 基板ホルダー ３ 基板 ４ 基板収容部 ５ 低圧高温プラズマ発生装置 ８ ガス供給管 ９ スリット ９ａ 開口部 １２ コイル １３ 高周波電源 １５ シャッター板 １６ ガス吹出し管 １８ ガス吹出し口 ２４ プラズマ
Claims (5)
- 【請求項１】 ＣＶＤ法によって薄膜を基板表面に形成
する方法において、低圧高温プラズマ中で分解させた反
応ガスを基板の表面に吹き付けると共に、別の反応ガス
を基板の表面に直接吹き付け、基板の表面上で、前記吹
き付けた反応ガスのＣＶＤ反応によって薄膜を基板表面
に堆積させることを特徴とする低圧高温プラズマを利用
した薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 低圧高温プラズマ中で分解させた反応ガ
スは、基板の表面と対向する位置から吹き付け、別の反
応ガスを基板の周囲から吹き付ける請求項１記載の低圧
高温プラズマを利用した薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 ＣＶＤ法によって薄膜を基板表面に形成
する装置において、反応ガスの供給管に接続された低圧
高温プラズマ発生装置のガス吹出し口が、基板を収容す
る真空チャンバーの一側に開口させてあると共に、前記
真空チャンバー内に、別の反応ガスの吹出し管が基板収
容部に臨ませて設置してあることを特徴とする低圧高温
プラズマを利用した薄膜の形成装置。 - 【請求項４】 低圧高温プラズマ発生装置のガス吹出し
口は、基板収容部と対向させた請求項３記載の低圧高温
プラズマを利用した薄膜の形成装置。 - 【請求項５】 別の反応ガスの吹出し管は、環状の管の
内側に沿って吹出し口を設けて構成した請求項３記載の
低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6925693A JPH06256958A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6925693A JPH06256958A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256958A true JPH06256958A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13397464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6925693A Pending JPH06256958A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 低圧高温プラズマを利用した薄膜の形成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256958A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177131A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2009016837A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Applied Materials Inc | Ｃｖｄチャンバのクリーニングのための誘導性結合リモートプラズマソース |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP6925693A patent/JPH06256958A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177131A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2009016837A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Applied Materials Inc | Ｃｖｄチャンバのクリーニングのための誘導性結合リモートプラズマソース |
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