JP2001291709A - Ｃｖｄプロセスチャンバ用ガス分配システム - Google Patents
Ｃｖｄプロセスチャンバ用ガス分配システムInfo
- Publication number
- JP2001291709A JP2001291709A JP2000357868A JP2000357868A JP2001291709A JP 2001291709 A JP2001291709 A JP 2001291709A JP 2000357868 A JP2000357868 A JP 2000357868A JP 2000357868 A JP2000357868 A JP 2000357868A JP 2001291709 A JP2001291709 A JP 2001291709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- substrate
- sccm
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 139
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 219
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 34
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 24
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 19
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 基板上に膜を堆積する装置及び基板上にＦＳ
Ｇ膜を堆積する方法の提供。 【解決手段】 基板上に膜を堆積する装置は、プロセス
チャンバと、チャンバ内に配置されている基板支持部材
と、第１のガス入口と、第２のガス入口と、プラズマ発
生器と、ガス排出部とを備え第１のガス入口は、チャン
バの内部表面から第１の距離で、第１のガスを提供し、
第２のガス入口が、チャンバの内部表面からの第１の距
離より近い第２の距離で、第２のガスを提供する。よっ
て、第２のガスはチャンバの内部表面の近くにより高い
分圧を生成して、内部表面上への第１のガスからの堆積
をかなり減少する。或いは、基板表面に対して、第１の
ガスが、第２のガスと異なる角度で導入される。
Ｇ膜を堆積する方法の提供。 【解決手段】 基板上に膜を堆積する装置は、プロセス
チャンバと、チャンバ内に配置されている基板支持部材
と、第１のガス入口と、第２のガス入口と、プラズマ発
生器と、ガス排出部とを備え第１のガス入口は、チャン
バの内部表面から第１の距離で、第１のガスを提供し、
第２のガス入口が、チャンバの内部表面からの第１の距
離より近い第２の距離で、第２のガスを提供する。よっ
て、第２のガスはチャンバの内部表面の近くにより高い
分圧を生成して、内部表面上への第１のガスからの堆積
をかなり減少する。或いは、基板表面に対して、第１の
ガスが、第２のガスと異なる角度で導入される。
Description
【０００１】（発明の分野）本発明は、一般に、半導体
基板を処理するための装置及び方法に関し、特に、基板
上に膜の高密度プラズマ化学気相堆積用方法及び装置に
関する。
基板を処理するための装置及び方法に関し、特に、基板
上に膜の高密度プラズマ化学気相堆積用方法及び装置に
関する。
【０００２】（関連技術の背景）半導体プロセスのため
に用いられる化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、反
応イオンエッチング等のようなプラズマツールは、典型
的に、プロセスチャンバへのプラズマ発生器の誘導結合
或いは容量結合のいずれかを用いて、プラズマを打ち出
し且つ維持する。容量結合プラズマと比べ、誘導結合プ
ラズマの1つの利点は、誘導結合プラズマが、基板上に
かなりより小さいなバイアス電圧で生成されて、基板に
損害を与える可能性が減小することである。さらに、誘
導結合プラズマは、より高いイオン密度を有し、それに
よって、より高い堆積速度及び平均自由行程を提供しな
がら、容量結合プラズマよりもかなり低い圧力で作動す
る。これらの利点は、プロセス中におけるインサイチュ
(in situ)スパッタリングや堆積を可能にする。
に用いられる化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、反
応イオンエッチング等のようなプラズマツールは、典型
的に、プロセスチャンバへのプラズマ発生器の誘導結合
或いは容量結合のいずれかを用いて、プラズマを打ち出
し且つ維持する。容量結合プラズマと比べ、誘導結合プ
ラズマの1つの利点は、誘導結合プラズマが、基板上に
かなりより小さいなバイアス電圧で生成されて、基板に
損害を与える可能性が減小することである。さらに、誘
導結合プラズマは、より高いイオン密度を有し、それに
よって、より高い堆積速度及び平均自由行程を提供しな
がら、容量結合プラズマよりもかなり低い圧力で作動す
る。これらの利点は、プロセス中におけるインサイチュ
(in situ)スパッタリングや堆積を可能にする。
【０００３】最近では、高密度プラズマ（HDP）ＣＶＤ
プロセスが、化学反応と物理的スパッタリングとの組み
合せを提供するために用いらていった。HDP-CVDプロセ
スは、基板表面の近くにある反応領域に高周波（RF）エ
ネルギーを印可することによって、反応ガスの分離を促
進し、それによって、高反応性イオン種のプラズマを生
成させる。放出されたイオン種の高い反応性は、化学反
応を起こすために必要なエネルギーを減少し、よって、
これらのプロセスの必要温度を低下させる。
プロセスが、化学反応と物理的スパッタリングとの組み
合せを提供するために用いらていった。HDP-CVDプロセ
スは、基板表面の近くにある反応領域に高周波（RF）エ
ネルギーを印可することによって、反応ガスの分離を促
進し、それによって、高反応性イオン種のプラズマを生
成させる。放出されたイオン種の高い反応性は、化学反
応を起こすために必要なエネルギーを減少し、よって、
これらのプロセスの必要温度を低下させる。
【０００４】大部分のHDP-CVDプロセスの目的は、均一
な厚さを有する膜を基板の表面にわたって堆積すると同
時に、基板上に形成されるライン及び他のフィーチャの
間に、よいギャップ充填を提供することである。堆積均
一性及びギャップ充填は、プラズマ発生ソースの構成、
ソース高周波発生パワー、バイアス高周波発生パワー、
プロセスガス流変化、及びノズル配置の対称性と、ノズ
ルの数と、処理中に基板の上方に設置されるノズルの高
さと基板堆積表面に対してノズルの横位置とを含むプロ
セスガスノズル設計に、非常に敏感である。それらの変
量が、プロセスがツール内に行われる際及びプロセスガ
スが変化する際に、変化する。
な厚さを有する膜を基板の表面にわたって堆積すると同
時に、基板上に形成されるライン及び他のフィーチャの
間に、よいギャップ充填を提供することである。堆積均
一性及びギャップ充填は、プラズマ発生ソースの構成、
ソース高周波発生パワー、バイアス高周波発生パワー、
プロセスガス流変化、及びノズル配置の対称性と、ノズ
ルの数と、処理中に基板の上方に設置されるノズルの高
さと基板堆積表面に対してノズルの横位置とを含むプロ
セスガスノズル設計に、非常に敏感である。それらの変
量が、プロセスがツール内に行われる際及びプロセスガ
スが変化する際に、変化する。
【０００５】図1は、種々の膜を基板上に堆積するため
に有用なHDP-CVDチャンバの断面図である。HDP-CVDチャ
ンバの１つの例は、サンタクララ（カリフォルニア）に
あるアプライド・マテリアルズ・インコーポレイデッド
から提供されるユルチマ HDP-ＣＶＤシステム（Ultima
HDP-ＣＶＤ system）である。一般に、HDP-CVDチャンバ
100は、チャンバエンクロージャ102、基板支持部材10
4、ガス入口106、ガス排出部108とデュアルコイルプラ
ズマ発生器110を備える。チャンバエンクロージャー102
は、典型的に、システムプラットホーム或いはモノリス
の上に取付けられ、上部リッド112は、チャンバエンク
ロージャー102の上側部分を囲む。典型的に酸化アルミ
ニウム(Al2O3)のようなセラミックで製造されたドーム1
14は、リッド112の上に配置される。デュアルコイルプ
ラズマ発生器110は、典型的に、第１及び第２のコイル1
16、118と、夫々第１及び第２のコイル116、118に電気
的に接続している第１及び第２のRF電源120、122とを備
える。高密度プラズマを提供するために、第１のコイル
116は、ドーム114の周りに配置され、第２のコイル118
は、ドーム114の上に配置される。ガス入口106は、典型
的に、基板支持部材体の上方の領域内に、チャンバの内
部円周に沿って配置される複数のガスノズル124を含
む。処理中に、基板に均一なプロセスガス分配を提供す
るために、ガスノズル124は、典型的に、チャンバの内
部表面から、基板支持部材体104上に置かれる基板の上
方のある距離までに、延伸する。ガス排出部108は、ガ
ス出口126とポンプ128とを備えて、チャンバを排気し、
処理中にチャンバ内の圧力を制御する。堆積プロセス中
に、プロセスガスがガス入口106を介して導入され、プ
ロセスガスのプラズマがチャンバ内に生成されて、基板
上に化学気相堆積を達成する。チャンバ内に均一なガス
分配を提供するために、プロセスガスが、同じ長さを持
つガスノズル124を介して、同じ流量で導入されるの
で、堆積は、一般に、ドーム114のようなチャンバの内
側表面を含む全てのプロセスガスにさらされている表面
に発生する。
に有用なHDP-CVDチャンバの断面図である。HDP-CVDチャ
ンバの１つの例は、サンタクララ（カリフォルニア）に
あるアプライド・マテリアルズ・インコーポレイデッド
から提供されるユルチマ HDP-ＣＶＤシステム（Ultima
HDP-ＣＶＤ system）である。一般に、HDP-CVDチャンバ
100は、チャンバエンクロージャ102、基板支持部材10
4、ガス入口106、ガス排出部108とデュアルコイルプラ
ズマ発生器110を備える。チャンバエンクロージャー102
は、典型的に、システムプラットホーム或いはモノリス
の上に取付けられ、上部リッド112は、チャンバエンク
ロージャー102の上側部分を囲む。典型的に酸化アルミ
ニウム(Al2O3)のようなセラミックで製造されたドーム1
14は、リッド112の上に配置される。デュアルコイルプ
ラズマ発生器110は、典型的に、第１及び第２のコイル1
16、118と、夫々第１及び第２のコイル116、118に電気
的に接続している第１及び第２のRF電源120、122とを備
える。高密度プラズマを提供するために、第１のコイル
116は、ドーム114の周りに配置され、第２のコイル118
は、ドーム114の上に配置される。ガス入口106は、典型
的に、基板支持部材体の上方の領域内に、チャンバの内
部円周に沿って配置される複数のガスノズル124を含
む。処理中に、基板に均一なプロセスガス分配を提供す
るために、ガスノズル124は、典型的に、チャンバの内
部表面から、基板支持部材体104上に置かれる基板の上
方のある距離までに、延伸する。ガス排出部108は、ガ
ス出口126とポンプ128とを備えて、チャンバを排気し、
処理中にチャンバ内の圧力を制御する。堆積プロセス中
に、プロセスガスがガス入口106を介して導入され、プ
ロセスガスのプラズマがチャンバ内に生成されて、基板
上に化学気相堆積を達成する。チャンバ内に均一なガス
分配を提供するために、プロセスガスが、同じ長さを持
つガスノズル124を介して、同じ流量で導入されるの
で、堆積は、一般に、ドーム114のようなチャンバの内
側表面を含む全てのプロセスガスにさらされている表面
に発生する。
【０００６】高密度プラズマ（HDP）は、集積回路の製
造に用いられる重要なプロセスになってきた。HDPプロ
セスは、基板上に薄膜を堆積してまたは膜をエッチング
して集積回路を形成するために、有利に用いられること
ができる。他の堆積及びエッチングプロセスと同様に、
一つ重要な考慮すべき問題は、処理環境に存在する汚染
物質のレベルである。HDPプロセスにおいて、高密度プ
ラズマが、一般に、プロセスチャンバ内により高い温度
を生成させるため、上記の問題が重要である。プロセス
チャンバにおける温度の上昇に伴い、望ましくない移動
イオン及び汚染物質がチャンバ構成部材から引き出され
る可能性が増加する。従って、HDPプロセス環境内の粒
子カウントは、不利に高くなる可能性がある。
造に用いられる重要なプロセスになってきた。HDPプロ
セスは、基板上に薄膜を堆積してまたは膜をエッチング
して集積回路を形成するために、有利に用いられること
ができる。他の堆積及びエッチングプロセスと同様に、
一つ重要な考慮すべき問題は、処理環境に存在する汚染
物質のレベルである。HDPプロセスにおいて、高密度プ
ラズマが、一般に、プロセスチャンバ内により高い温度
を生成させるため、上記の問題が重要である。プロセス
チャンバにおける温度の上昇に伴い、望ましくない移動
イオン及び汚染物質がチャンバ構成部材から引き出され
る可能性が増加する。従って、HDPプロセス環境内の粒
子カウントは、不利に高くなる可能性がある。
【０００７】チャンバ内の粒子汚染は、典型的にフッ素
化物である清浄ガスのプラズマを用いて、チャンバを定
期的に清浄することによって、制御される。チャンバか
ら排出できるような安定した生成物を形成し、それによ
ってプロセス環境を清浄するために、清浄ガスが、前駆
体ガス及び既にチャンバ構成部材上に形成された堆積材
料との結合力に基づいて、選択される。高密度プラズマ
リアクタにおいて、フッ素を含む大殆どの清浄ガス（即
ち、NF3、CF4及びC2F6）が、よく分離され、堆積材料と
容易に結合して、チャンバから排出できるような安定し
た生成物を形成することができる。
化物である清浄ガスのプラズマを用いて、チャンバを定
期的に清浄することによって、制御される。チャンバか
ら排出できるような安定した生成物を形成し、それによ
ってプロセス環境を清浄するために、清浄ガスが、前駆
体ガス及び既にチャンバ構成部材上に形成された堆積材
料との結合力に基づいて、選択される。高密度プラズマ
リアクタにおいて、フッ素を含む大殆どの清浄ガス（即
ち、NF3、CF4及びC2F6）が、よく分離され、堆積材料と
容易に結合して、チャンバから排出できるような安定し
た生成物を形成することができる。
【０００８】典型的には、堆積プロセスの前に、チャン
バの内部表面を清浄し、その後、シーズンニングコート
でコーティングして、これらの表面をプロセスガスから
保護する。シーズンニングコートは、典型的に、基板が
処理のためにチャンバ内に導入される前に、チャンバ内
の表面上に堆積材料を堆積することによって、形成され
る。このステップは、典型的に、膜を堆積して、堆積プ
ロセスレシピによるプロセス領域を形成する内部表面を
コーティングすることによって行われる。
バの内部表面を清浄し、その後、シーズンニングコート
でコーティングして、これらの表面をプロセスガスから
保護する。シーズンニングコートは、典型的に、基板が
処理のためにチャンバ内に導入される前に、チャンバ内
の表面上に堆積材料を堆積することによって、形成され
る。このステップは、典型的に、膜を堆積して、堆積プ
ロセスレシピによるプロセス領域を形成する内部表面を
コーティングすることによって行われる。
【０００９】1つのプロセス例として、シランガスは、
チャンバ内に導入され、下記の式に従って酸化されて、
二酸化ケイ素層を堆積する： SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2 （式１） 200mm基板の場合は、堆積プロセスが、典型的に、約450
0WまでのソースRFパワー及び約2500WまでのバイアスRF
パワーを用いて、行われる。堆積の前のシーズンニング
ステップは、約4500WまでのソースRFパワー及び約1600W
までのバイアスRFパワーを用いて、行われる。300mm基
板の場合は、堆積プロセスが、典型的に、約10125Wまで
のソースRFパワー及び約5625WまでのバイアスRFパワー
を用いて、行われる。堆積の前のシーズンニングステッ
プは、約10125WまでのソースRFパワー及び約3600Wまで
のバイアスRFパワーを用いて、行われる。
チャンバ内に導入され、下記の式に従って酸化されて、
二酸化ケイ素層を堆積する： SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2 （式１） 200mm基板の場合は、堆積プロセスが、典型的に、約450
0WまでのソースRFパワー及び約2500WまでのバイアスRF
パワーを用いて、行われる。堆積の前のシーズンニング
ステップは、約4500WまでのソースRFパワー及び約1600W
までのバイアスRFパワーを用いて、行われる。300mm基
板の場合は、堆積プロセスが、典型的に、約10125Wまで
のソースRFパワー及び約5625WまでのバイアスRFパワー
を用いて、行われる。堆積の前のシーズンニングステッ
プは、約10125WまでのソースRFパワー及び約3600Wまで
のバイアスRFパワーを用いて、行われる。
【００１０】ある数の基板を処理した後、シーズンニン
グコートが、その上に堆積されたあらゆる材料と共に、
チャンバの内部表面から除去或いは清浄される。さら
に、新鮮なシーズンニングコートをチャンバの内部上面
に塗布して、次ぎの基板バッチの処理に清潔且一貫した
環境を提供する。
グコートが、その上に堆積されたあらゆる材料と共に、
チャンバの内部表面から除去或いは清浄される。さら
に、新鮮なシーズンニングコートをチャンバの内部上面
に塗布して、次ぎの基板バッチの処理に清潔且一貫した
環境を提供する。
【００１１】HDP-CVDチャンバを用いる堆積による1つの
問題は、チャンバが、フルオロシリカガラス(FSG)のよ
うなフッ素系膜を堆積するために用いられる場合、プラ
ズマ中のフッ素が、シーズンニングコートを通して拡散
し、セラミック(Al2O3）ドームを衝撃することである。
セラミックドームに到達するフッ素原子は、セラミック
と反応して、ドームの表面上にAl2OxFyを形成する（式
中、xとyが整数である）。ドーム黒化及びプロセスドリ
フトは、ドーム上のAl2OxFy形成に起因することが、二
次イオン質量分光(SIMS)分析により確定された。ドーム
上のAl2OxFy形成は、ドーム材料の電気性質を変えて、
堆積均一性、堆積速度、フッ素濃度及びチャンバ内のス
パッタ均一性に関するプロセスドリフトを引き起こす。
プロセスドリフトにより、非均一な処理が、１つの基板
の表面にわたって発生し、且つ、１つの基板から他の基
板に発生する。
問題は、チャンバが、フルオロシリカガラス(FSG)のよ
うなフッ素系膜を堆積するために用いられる場合、プラ
ズマ中のフッ素が、シーズンニングコートを通して拡散
し、セラミック(Al2O3）ドームを衝撃することである。
セラミックドームに到達するフッ素原子は、セラミック
と反応して、ドームの表面上にAl2OxFyを形成する（式
中、xとyが整数である）。ドーム黒化及びプロセスドリ
フトは、ドーム上のAl2OxFy形成に起因することが、二
次イオン質量分光(SIMS)分析により確定された。ドーム
上のAl2OxFy形成は、ドーム材料の電気性質を変えて、
堆積均一性、堆積速度、フッ素濃度及びチャンバ内のス
パッタ均一性に関するプロセスドリフトを引き起こす。
プロセスドリフトにより、非均一な処理が、１つの基板
の表面にわたって発生し、且つ、１つの基板から他の基
板に発生する。
【００１２】プロセスドリフト問題を解決し、シーズン
ニングコートを通してフッ素原子の拡散を防ぐための試
みとして、各基板の処理の前に、厚いシーズンニングコ
ート(>1000Å）が堆積される。厚いシーズンニングコー
トによって、フッ素原子がシーズンニングコートを通し
てドームに到着するための必要な時間が長くなる。しか
し、プロセス時間が十分に長い場合、フッ素原子が依然
としてシーズンニングコートを通して拡散し、ドーム上
にAl2OxFyを形成して、プロセスドリフトをもたらすこ
とができる。さらに、厚いシーズンニングコートを堆積
及び除去するために、余分の時間が費やされる。フッ素
原子がシーズンニングコートを通して拡散しない、且つ
ドーム上にAl2OxFy を形成しないこと確保するために、
ある数の基板が処理された後に、シーズンニングコート
を除去しなければならなく、さらに、次ぎの基板バッチ
を処理する前に、新鮮なシーズンニングコートを堆積し
なければならない。厚いシーズンニングコートの堆積及
び除去に費やされる余分の時間は、システムのスループ
ットを低下させるため、もう１つの主要な不利点とな
る。
ニングコートを通してフッ素原子の拡散を防ぐための試
みとして、各基板の処理の前に、厚いシーズンニングコ
ート(>1000Å）が堆積される。厚いシーズンニングコー
トによって、フッ素原子がシーズンニングコートを通し
てドームに到着するための必要な時間が長くなる。しか
し、プロセス時間が十分に長い場合、フッ素原子が依然
としてシーズンニングコートを通して拡散し、ドーム上
にAl2OxFyを形成して、プロセスドリフトをもたらすこ
とができる。さらに、厚いシーズンニングコートを堆積
及び除去するために、余分の時間が費やされる。フッ素
原子がシーズンニングコートを通して拡散しない、且つ
ドーム上にAl2OxFy を形成しないこと確保するために、
ある数の基板が処理された後に、シーズンニングコート
を除去しなければならなく、さらに、次ぎの基板バッチ
を処理する前に、新鮮なシーズンニングコートを堆積し
なければならない。厚いシーズンニングコートの堆積及
び除去に費やされる余分の時間は、システムのスループ
ットを低下させるため、もう１つの主要な不利点とな
る。
【００１３】HDP-ＣＶＤチャンバを用いるドープシリコ
ンガラスの堆積に関連するもう１つの問題は、現有のガ
ス分配システムが、基板表面にわたって均一なドーパン
トの供給を提供しないため、基板表面にわたって材料性
質相違を有するドープシリコンガラスが堆積される結果
となることである。処理における均一性は、一般に、製
品品質を維持するために望まれる。
ンガラスの堆積に関連するもう１つの問題は、現有のガ
ス分配システムが、基板表面にわたって均一なドーパン
トの供給を提供しないため、基板表面にわたって材料性
質相違を有するドープシリコンガラスが堆積される結果
となることである。処理における均一性は、一般に、製
品品質を維持するために望まれる。
【００１４】従って、フッ素と他のガスによるドームの
汚染及びプロセスドリフトの結果として生じる問題を無
くし、基板上に膜を堆積する装置及び方法に対する要求
が存在している。上記の装置及び方法に対して、ドーム
の内部表面上のシーズンニングコートを形成する及び除
去するための必要な時間を減少することによって、増大
されたスループットを提供するのが、望ましいである。
さらに、上記の装置及び方法に対して、基板表面にわた
って均一なドーパント供給を提供して均一にドープシリ
コンガラス膜を実現することが、望ましいである。
汚染及びプロセスドリフトの結果として生じる問題を無
くし、基板上に膜を堆積する装置及び方法に対する要求
が存在している。上記の装置及び方法に対して、ドーム
の内部表面上のシーズンニングコートを形成する及び除
去するための必要な時間を減少することによって、増大
されたスループットを提供するのが、望ましいである。
さらに、上記の装置及び方法に対して、基板表面にわた
って均一なドーパント供給を提供して均一にドープシリ
コンガラス膜を実現することが、望ましいである。
【００１５】（発明の概要）本発明は、一般に、フッ素
と他のガスによるドームの汚染およびプロセス中に堆積
の均一性、堆積速度、チャンバ内のフッ素濃度及びスパ
ッタ均一性におけるプロセスドリフトの結果として生じ
る問題を減少して、基板上に膜を堆積する装置及び方法
を提供する。本発明の装置及び方法は、さらに、ドーム
の内部表面上のシーズンニングコートを形成する及び除
去するための必要な時間を減少することによって、増大
されたスループットを提供する。
と他のガスによるドームの汚染およびプロセス中に堆積
の均一性、堆積速度、チャンバ内のフッ素濃度及びスパ
ッタ均一性におけるプロセスドリフトの結果として生じ
る問題を減少して、基板上に膜を堆積する装置及び方法
を提供する。本発明の装置及び方法は、さらに、ドーム
の内部表面上のシーズンニングコートを形成する及び除
去するための必要な時間を減少することによって、増大
されたスループットを提供する。
【００１６】本発明の１つの態様は、基板上に膜を形成
するための装置を提供することであって、上記の装置
は、プロセスチャンバと、チャンバ内に配置されている
基板支持部材と、第１のガス入口と、第２のガス入口
と、プラズマ発生器と、ガス排出部とを備る。第１のガ
ス入口は、チャンバの内部表面から第１の距離で、第１
のガスを供給し、第２のガス入口は、チャンバの内部表
面から第１の距離より近い第２の距離で、第２のガスを
供給する。よって、第２のガスが、チャンバの内部表面
の近くにより高い分圧を形成して、内部表面上への第１
のガスからの堆積を有意に減少する。例として、フッ素
がドープされたシリカガラス(FSG）の堆積のために、第
２のガスが酸素を含み、第１のガスがSiH4、SiF4とアル
ゴンを含む。酸素によってより高い分圧が生成されるの
で、第１のガスからのフッ素は、堆積及びシーズンニン
グコートを通してセラミックドームのようなチャンバの
内部表面へ拡散するのが遅くなり、その結果、ドームの
フッ素汚染によるプロセスドリフトの問題が解消され
る。或いは、第１のガス入口が、基板表面に対して、第
２のガス入口と異なる角度で配置される。さらに、本発
明は、ドームの内部表面上にシーズンニングコートを形
成する及び除去するための必要な時間を減少することに
よって、増大されたスループットを提供する。
するための装置を提供することであって、上記の装置
は、プロセスチャンバと、チャンバ内に配置されている
基板支持部材と、第１のガス入口と、第２のガス入口
と、プラズマ発生器と、ガス排出部とを備る。第１のガ
ス入口は、チャンバの内部表面から第１の距離で、第１
のガスを供給し、第２のガス入口は、チャンバの内部表
面から第１の距離より近い第２の距離で、第２のガスを
供給する。よって、第２のガスが、チャンバの内部表面
の近くにより高い分圧を形成して、内部表面上への第１
のガスからの堆積を有意に減少する。例として、フッ素
がドープされたシリカガラス(FSG）の堆積のために、第
２のガスが酸素を含み、第１のガスがSiH4、SiF4とアル
ゴンを含む。酸素によってより高い分圧が生成されるの
で、第１のガスからのフッ素は、堆積及びシーズンニン
グコートを通してセラミックドームのようなチャンバの
内部表面へ拡散するのが遅くなり、その結果、ドームの
フッ素汚染によるプロセスドリフトの問題が解消され
る。或いは、第１のガス入口が、基板表面に対して、第
２のガス入口と異なる角度で配置される。さらに、本発
明は、ドームの内部表面上にシーズンニングコートを形
成する及び除去するための必要な時間を減少することに
よって、増大されたスループットを提供する。
【００１７】本発明のもう１つの態様は、基板上に膜を
堆積する方法を提供することであって、上記の方法は、
化学気相堆積チャンバを提供するステップと、第１及び
第２のガスをチャンバ内に導入するステップと、プロセ
スガスのプラズマを生成させるステップを備る。第１の
ガスが、第１のガス入口を介して、チャンバの内部表面
から第１の距離で導入され、第２のガスが、第２のガス
入口を介して、チャンバの内部表面から第１の距離より
近い第２の距離で導入される。よって、第２のガスが、
チャンバの内部表面の近くにより高い分圧を形成して、
内部表面上へ第１のガスからの堆積を減少する。或い
は、同様な目的を達成するために、第１のガスが、基板
表面に対して、第２のガスと異なる角度で導入される。
好ましくは、第１のガスが、基板の方へ傾く角度に向け
られ、第２のガスが、ドームの方へ傾く角度に向けられ
る。
堆積する方法を提供することであって、上記の方法は、
化学気相堆積チャンバを提供するステップと、第１及び
第２のガスをチャンバ内に導入するステップと、プロセ
スガスのプラズマを生成させるステップを備る。第１の
ガスが、第１のガス入口を介して、チャンバの内部表面
から第１の距離で導入され、第２のガスが、第２のガス
入口を介して、チャンバの内部表面から第１の距離より
近い第２の距離で導入される。よって、第２のガスが、
チャンバの内部表面の近くにより高い分圧を形成して、
内部表面上へ第１のガスからの堆積を減少する。或い
は、同様な目的を達成するために、第１のガスが、基板
表面に対して、第２のガスと異なる角度で導入される。
好ましくは、第１のガスが、基板の方へ傾く角度に向け
られ、第２のガスが、ドームの方へ傾く角度に向けられ
る。
【００１８】（好ましい実施例の詳細な説明）本発明の
特徴、利点および目的が上記のように達成され、詳細に
よく理解されることができるが、上記の概要のさらなる
詳細を、添付の図面に示される実施例を参照して、記載
する。
特徴、利点および目的が上記のように達成され、詳細に
よく理解されることができるが、上記の概要のさらなる
詳細を、添付の図面に示される実施例を参照して、記載
する。
【００１９】しかし、添付の図面には典型的な実施例の
みを示しているが、本発明の範囲がそれに限定せず、他
の同等の効果的な実施例も含む。
みを示しているが、本発明の範囲がそれに限定せず、他
の同等の効果的な実施例も含む。
【００２０】図2は、本発明のプロセスツール10の断面
図である。プロセスツールは、好ましく、高密度プラズ
マ化学気相堆積チャンバである。プロセスツール10は、
一般に、チャンバ本体12と、リッドアセンブリ14と、基
板処理を行うために減圧排気され得るエンクロージャー
を画成する基板支持部材16とを含む。チャンバ本体12
は、好ましく、内部環状プロセス領域20とその下端に向
かって同心排気通路22を画成するテーパ部とを画成する
側壁18を有するユニタリの、機械加工された構造であ
る。チャンバ本体12は、少なくとも基板入口ポート24と
サイドポート26とを含む複数のポートを画成し、上記の
基板入口ポート24は、スリットバルブ44によって選択的
に密封され、上記のサイドボート26を通して基板支持部
部材16に取付けられたカンチレバーが配置されている。
基板入口ポート24と支持部材ポート26は、好ましく、チ
ャンバ本体12の反対側を通して配置される。
図である。プロセスツールは、好ましく、高密度プラズ
マ化学気相堆積チャンバである。プロセスツール10は、
一般に、チャンバ本体12と、リッドアセンブリ14と、基
板処理を行うために減圧排気され得るエンクロージャー
を画成する基板支持部材16とを含む。チャンバ本体12
は、好ましく、内部環状プロセス領域20とその下端に向
かって同心排気通路22を画成するテーパ部とを画成する
側壁18を有するユニタリの、機械加工された構造であ
る。チャンバ本体12は、少なくとも基板入口ポート24と
サイドポート26とを含む複数のポートを画成し、上記の
基板入口ポート24は、スリットバルブ44によって選択的
に密封され、上記のサイドボート26を通して基板支持部
部材16に取付けられたカンチレバーが配置されている。
基板入口ポート24と支持部材ポート26は、好ましく、チ
ャンバ本体12の反対側を通して配置される。
【００２１】２つの付加サイドポート（図示せず）は、
基板支持体部材16の上側表面のレベルのあたりに、チャ
ンバ隔壁18の反対側に配置されて、チャンバ隔壁18中に
形成されているガスチャネル28に接続している。例えば
分離されたフッ素を含有するガスなどの清浄ガスは、遠
隔プラズマソース30からチャネル28内へ導入され、さら
にサイドポートを通してチャンバ内に導入される。チャ
ンバ内へのポートの開口位置は、重い蓄積が発生するリ
アクタ領域の方へガスを導くように、設けられる。
基板支持体部材16の上側表面のレベルのあたりに、チャ
ンバ隔壁18の反対側に配置されて、チャンバ隔壁18中に
形成されているガスチャネル28に接続している。例えば
分離されたフッ素を含有するガスなどの清浄ガスは、遠
隔プラズマソース30からチャネル28内へ導入され、さら
にサイドポートを通してチャンバ内に導入される。チャ
ンバ内へのポートの開口位置は、重い蓄積が発生するリ
アクタ領域の方へガスを導くように、設けられる。
【００２２】チャンバ壁18の上側表面には、リッドアセ
ンブリ14のベースプレート33を支持するほぼ平坦なラン
ディングエリアがを画成される。１つ以上のＯリング溝
が、壁18の上側表面に形成されて、チャンバ本体12とベ
ースプレート33との間に気密シールを形成する用１つ以
上のＯリングを受け入れる。
ンブリ14のベースプレート33を支持するほぼ平坦なラン
ディングエリアがを画成される。１つ以上のＯリング溝
が、壁18の上側表面に形成されて、チャンバ本体12とベ
ースプレート33との間に気密シールを形成する用１つ以
上のＯリングを受け入れる。
【００２３】チャンバリッドアセンブリ14は、一般に、
エネルギー伝送ドーム32と、エネルギー供給アセンブリ
62と、ベースプレート33に取付けられたヒンジの上に支
持されている温度制御アセンブリ64とを備える。ベース
プレート33は、内側環状チャネルを画成し、その中に、
ガス分配リングが配置されている。Ｏリング溝は、ガス
分配リングのトップに形成されて、ドーム32及びガス分
配リングのトップを密封するためのＯリングを受け入れ
る。リッドアセンブリ14は、プラズマプロセス領域の物
理的なエンクロージャーとプロセスを駆動するエネルギ
ーデリバリシステムとの両方を提供する。カバーは、好
ましくは、リッドアセンブリの全体にわたって提供され
て、種々の構成部品を収容する。
エネルギー伝送ドーム32と、エネルギー供給アセンブリ
62と、ベースプレート33に取付けられたヒンジの上に支
持されている温度制御アセンブリ64とを備える。ベース
プレート33は、内側環状チャネルを画成し、その中に、
ガス分配リングが配置されている。Ｏリング溝は、ガス
分配リングのトップに形成されて、ドーム32及びガス分
配リングのトップを密封するためのＯリングを受け入れ
る。リッドアセンブリ14は、プラズマプロセス領域の物
理的なエンクロージャーとプロセスを駆動するエネルギ
ーデリバリシステムとの両方を提供する。カバーは、好
ましくは、リッドアセンブリの全体にわたって提供され
て、種々の構成部品を収容する。
【００２４】ドーム32は、一般に、平坦なトップ68によ
って一端が閉止されている円筒形側壁66を備える。円筒
形側壁66は、一般に、基板支持部材16の上側表面に直交
し、平坦なトップ68は、一般に、支持部材16の上側表面
と平行する。側壁とトップとの間の接合部70は、ドーム
32に湾曲した内壁を提供するために、丸くなっている。
ドーム32は、RFエネルギーを伝送する誘電材料からな
り、好ましくは、酸化アルミニウム（Al2O3）のような
セラミックから形成される。
って一端が閉止されている円筒形側壁66を備える。円筒
形側壁66は、一般に、基板支持部材16の上側表面に直交
し、平坦なトップ68は、一般に、支持部材16の上側表面
と平行する。側壁とトップとの間の接合部70は、ドーム
32に湾曲した内壁を提供するために、丸くなっている。
ドーム32は、RFエネルギーを伝送する誘電材料からな
り、好ましくは、酸化アルミニウム（Al2O3）のような
セラミックから形成される。
【００２５】別々にパワーが供給される２つのRFコイ
ル、即ち、トップコイル72とサイドコイル74は、誘電体
ドーム32の外部に巻かれる。サイトコイル74は、好まし
く、グランドシールドによってカバーされて、コイル72
と74との間の電気クロストークを減少する。RFコイル72
と74は、2つの可変周波数RFソース76と78によって、動
力が供給される。
ル、即ち、トップコイル72とサイドコイル74は、誘電体
ドーム32の外部に巻かれる。サイトコイル74は、好まし
く、グランドシールドによってカバーされて、コイル72
と74との間の電気クロストークを減少する。RFコイル72
と74は、2つの可変周波数RFソース76と78によって、動
力が供給される。
【００２６】各パワーソースは、反射パワーを測定し、
且つ反射パワーを最小化するために、RF発生器中のデジ
タル的に制御されるシンセサイザを、典型的に、1.8MHz
で開始する掃引周波数に調整する制御回路を含む。プラ
ズマが点火するとき、プラズマが、コイルと平行する抵
抗器として動作するので、回路条件が変化する。この段
階では、再び最小の反射パワー点に到着するまでに、RF
発生器が周波数を掃引し続ける。パワーソース回路は、
巻線の各セットが、最小の反射パワー点に到着するとき
の周波数或いはその付近で共振するように、設計され
て、よって、巻線の電圧は、プラズマを持続するための
十分な電流を駆動するのに十分高いである。従って、た
とえプロセス中に回路の共振点が変化しても、周波数チ
ューニングは、システムが共振の近くにとどまることを
保証する。このように、周波数チューニングによって、
インピーダンス整合部品（例えばコンデンサー或いはイ
ンダクタ）の値を変えることによるインピーダンス整合
及び回路チューニングが必要となくなる。
且つ反射パワーを最小化するために、RF発生器中のデジ
タル的に制御されるシンセサイザを、典型的に、1.8MHz
で開始する掃引周波数に調整する制御回路を含む。プラ
ズマが点火するとき、プラズマが、コイルと平行する抵
抗器として動作するので、回路条件が変化する。この段
階では、再び最小の反射パワー点に到着するまでに、RF
発生器が周波数を掃引し続ける。パワーソース回路は、
巻線の各セットが、最小の反射パワー点に到着するとき
の周波数或いはその付近で共振するように、設計され
て、よって、巻線の電圧は、プラズマを持続するための
十分な電流を駆動するのに十分高いである。従って、た
とえプロセス中に回路の共振点が変化しても、周波数チ
ューニングは、システムが共振の近くにとどまることを
保証する。このように、周波数チューニングによって、
インピーダンス整合部品（例えばコンデンサー或いはイ
ンダクタ）の値を変えることによるインピーダンス整合
及び回路チューニングが必要となくなる。
【００２７】各パワーソースは、いかなるインピーダン
ス不整合、たとえプラズマインピーダンスにおける変化
によって発生し得る連続変化インピーダンス不整合にも
かかわらず、所望のパワーを負荷に供給することを確実
にする。正しいパワーを負荷に供給することを確保する
ために、各RF発生器は、供給されるパワーを所望のレベ
ルに維持するように、自ら反射パワーを放散し、出力パ
ワーを増大させる。RF整合ネットワークが、典型的に、
プラズマにパワーを転送するために用いられる。二重コ
イル配置は、処理されている基板に正しくチューニング
される場合、反応チャンバにおける半径方向イオン密度
プロファイルを制御し、基板表面にわたって均一なイオ
ン密度を生成することができる。基板表面にわたっる均
一なイオンが、ウェーハ上の均一な堆積とギャップ充填
性能に貢献し、且つ、非均一なプラズマ密度によるデバ
イス・ゲート・オキサイドのプラズマチャージングを軽
減するのを助ける。コイルの動作が重畳する場合、均一
なプラス多密度結果及び堆積特徴が大いに改善されるだ
ろう。
ス不整合、たとえプラズマインピーダンスにおける変化
によって発生し得る連続変化インピーダンス不整合にも
かかわらず、所望のパワーを負荷に供給することを確実
にする。正しいパワーを負荷に供給することを確保する
ために、各RF発生器は、供給されるパワーを所望のレベ
ルに維持するように、自ら反射パワーを放散し、出力パ
ワーを増大させる。RF整合ネットワークが、典型的に、
プラズマにパワーを転送するために用いられる。二重コ
イル配置は、処理されている基板に正しくチューニング
される場合、反応チャンバにおける半径方向イオン密度
プロファイルを制御し、基板表面にわたって均一なイオ
ン密度を生成することができる。基板表面にわたっる均
一なイオンが、ウェーハ上の均一な堆積とギャップ充填
性能に貢献し、且つ、非均一なプラズマ密度によるデバ
イス・ゲート・オキサイドのプラズマチャージングを軽
減するのを助ける。コイルの動作が重畳する場合、均一
なプラス多密度結果及び堆積特徴が大いに改善されるだ
ろう。
【００２８】ドーム32は、さらに、様々なプロセスサイ
クル（即ち、堆積サイクル及び清浄サイクル）中に、ド
ームの温度を調整するための温度制御アセンブリ64を含
む。温度制御アセンブリは、一般に、加熱プレート80と
冷却プレート82とを含み、両プレートが互いに近接して
配置され、好ましくは、両者の間にグラフォイル(grafo
il)のような熱伝導性材料の薄い層を有する。好ましく
は、約４milから約８milまでのグラフォイル層が両プレ
ートの間に配置される。AlNプレートのような熱伝導プ
レート86の下側表面に溝が設けられて、コイル72を収容
する。厚さが好ましく約１milから約４milである第２の
グラフォイル層が、熱伝導プレート86と加熱プレート80
との間に配置される。第3の熱伝導層が、コイル72とド
ーム32との間に配置される。第3の層は、好ましく、約
４milから約8milまでの厚さを有するクロメリクス(chro
merics)層である。熱伝導層は、ドーム32への及びドー
ム32からの伝熱を容易にする。清浄中にドームを加熱
し、処理中にドームを冷却するのが好ましい。
クル（即ち、堆積サイクル及び清浄サイクル）中に、ド
ームの温度を調整するための温度制御アセンブリ64を含
む。温度制御アセンブリは、一般に、加熱プレート80と
冷却プレート82とを含み、両プレートが互いに近接して
配置され、好ましくは、両者の間にグラフォイル(grafo
il)のような熱伝導性材料の薄い層を有する。好ましく
は、約４milから約８milまでのグラフォイル層が両プレ
ートの間に配置される。AlNプレートのような熱伝導プ
レート86の下側表面に溝が設けられて、コイル72を収容
する。厚さが好ましく約１milから約４milである第２の
グラフォイル層が、熱伝導プレート86と加熱プレート80
との間に配置される。第3の熱伝導層が、コイル72とド
ーム32との間に配置される。第3の層は、好ましく、約
４milから約8milまでの厚さを有するクロメリクス(chro
merics)層である。熱伝導層は、ドーム32への及びドー
ム32からの伝熱を容易にする。清浄中にドームを加熱
し、処理中にドームを冷却するのが好ましい。
【００２９】冷却プレート82は、その中に形成されてい
る１つ以上の流体通路を含み、それらの通路を通して、
水のような冷却流体が流れる。冷却プレート内の水チャ
ネルが、好ましく、チャンバ本体の中に形成されている
冷却チャンネルと直列に接続される。急速脱着フィッテ
ィングを有するプッシュロック（pushlock)型ゴムホー
スは、チャンバ本体およびリッド中にある冷却チャンネ
ルに水を供給する。戻りラインは、連動フロースイッチ
を有する視覚的流量計を有する。流量計は、工場で、約
60psiの圧力で約0.8gpmの流量に基準化される。温度セ
ンサーは、ドームに取付けられて、その温度を測定す
る。
る１つ以上の流体通路を含み、それらの通路を通して、
水のような冷却流体が流れる。冷却プレート内の水チャ
ネルが、好ましく、チャンバ本体の中に形成されている
冷却チャンネルと直列に接続される。急速脱着フィッテ
ィングを有するプッシュロック（pushlock)型ゴムホー
スは、チャンバ本体およびリッド中にある冷却チャンネ
ルに水を供給する。戻りラインは、連動フロースイッチ
を有する視覚的流量計を有する。流量計は、工場で、約
60psiの圧力で約0.8gpmの流量に基準化される。温度セ
ンサーは、ドームに取付けられて、その温度を測定す
る。
【００３０】加熱プレート80の中に、好ましくは、１つ
以上の抵抗性加熱素子が配置されて、清浄段階中に、ド
ームに熱を提供する。加熱プレートは、好ましく、キャ
ストアルミニウムから製造されるが、この分野で知られ
ている他の材料を用いてもよい。コントローラは、温度
制御アセンブリに接続されて、ドームの温度を制御す
る。
以上の抵抗性加熱素子が配置されて、清浄段階中に、ド
ームに熱を提供する。加熱プレートは、好ましく、キャ
ストアルミニウムから製造されるが、この分野で知られ
ている他の材料を用いてもよい。コントローラは、温度
制御アセンブリに接続されて、ドームの温度を制御す
る。
【００３１】直接伝導によって、加熱プレート80と冷却
プレート82が、ドーム温度を制御するために用いられ
る。約10°K以内のドーム温度の制御は、ウェーハとウ
ェーハの間の繰返性及び堆積付着を改善し、さらに、チ
ャンバ内のフレークまたは粒子カウントを減少すること
が発見された。ドーム温度は、一般に、処理要求に従っ
て、約100℃から約200℃までの範囲内に維持される。よ
り高いチャンバ清浄速度（エッチング速度）及び基板へ
のよりよい膜付着性が、より高いドーム温度で得られる
ことが示された。
プレート82が、ドーム温度を制御するために用いられ
る。約10°K以内のドーム温度の制御は、ウェーハとウ
ェーハの間の繰返性及び堆積付着を改善し、さらに、チ
ャンバ内のフレークまたは粒子カウントを減少すること
が発見された。ドーム温度は、一般に、処理要求に従っ
て、約100℃から約200℃までの範囲内に維持される。よ
り高いチャンバ清浄速度（エッチング速度）及び基板へ
のよりよい膜付着性が、より高いドーム温度で得られる
ことが示された。
【００３２】図3は、基板支持部材及び基板支持部材用
プロセスキットの部分断面図である。基板支持部材は、
好ましく、静電チャック230を含む。静電チャック230
は、好ましく高い熱質量及びよい熱伝導性を有する導電
性材料からなる一体ブロックとして製造された支持体23
2を備えって、その上側表面の上方に冷却されるウエー
ハからの熱吸収を容易にする。アルミニウム或いは陽極
処理されたアルミニウムは、約2.37watts/cm-℃の高い
熱伝導率を有し、且つ一般に半導体ウェーハとプロセス
適合性を持つため、支持体232用材料として、好まれ
る。支持体232は、他の金属（例えばステンレススチー
ルまたはニッケル）を含んでも良い。また、支持体232
は、付加の非導電性材料を含んでも良く、或いは、支持
体232全体が、非導電または半導性材料を含んでも良
い。代替の実施例では、支持体232が、セラミックのモ
ノリシックプレートを含む。この構成では、セラミック
プレートが、そこに埋め込まれる導電エレメントを組み
入れる。導電エレメントは、金属エレメント、グリーン
プリントメタライゼーション(green printed metalizat
ion)、メッシュスクリーン等を含んでも良い。なめらか
な層状誘電材料236は、プロセス中に基板或いはウェー
ハWを支持する支持体232の上側表面238を被覆する。好
ましくは約700Vである電圧は、ＤＣ電圧源（図示せず）
によって、基板支持アセンブリ230に印可されて、ウェ
ーハWを支持体232の上側表面の近くに保持する静電引力
を生成する。
プロセスキットの部分断面図である。基板支持部材は、
好ましく、静電チャック230を含む。静電チャック230
は、好ましく高い熱質量及びよい熱伝導性を有する導電
性材料からなる一体ブロックとして製造された支持体23
2を備えって、その上側表面の上方に冷却されるウエー
ハからの熱吸収を容易にする。アルミニウム或いは陽極
処理されたアルミニウムは、約2.37watts/cm-℃の高い
熱伝導率を有し、且つ一般に半導体ウェーハとプロセス
適合性を持つため、支持体232用材料として、好まれ
る。支持体232は、他の金属（例えばステンレススチー
ルまたはニッケル）を含んでも良い。また、支持体232
は、付加の非導電性材料を含んでも良く、或いは、支持
体232全体が、非導電または半導性材料を含んでも良
い。代替の実施例では、支持体232が、セラミックのモ
ノリシックプレートを含む。この構成では、セラミック
プレートが、そこに埋め込まれる導電エレメントを組み
入れる。導電エレメントは、金属エレメント、グリーン
プリントメタライゼーション(green printed metalizat
ion)、メッシュスクリーン等を含んでも良い。なめらか
な層状誘電材料236は、プロセス中に基板或いはウェー
ハWを支持する支持体232の上側表面238を被覆する。好
ましくは約700Vである電圧は、ＤＣ電圧源（図示せず）
によって、基板支持アセンブリ230に印可されて、ウェ
ーハWを支持体232の上側表面の近くに保持する静電引力
を生成する。
【００３３】基板支持体232はリフトピン孔240を含み、
これによって、リフトピンが支持体を通して延長し、基
板支持部材の上に基板を持ち上げて基板搬送を行うこと
ができる。環状取付フランジ234は、支持体232の外側表
面から外へ延長して、プロセスチャンバ内のプラズマが
静電チャックの一部と接触して腐食することを防止或い
は抑制するセラミックカラー246を支持する。セラミッ
クカバー248は、プロセス中にプラズマから支持体232の
側方表面を被覆して保護する外側ジャケットの役目を果
たす。セラミックカバー248もフランジ234の上にカラー
246を保持する。
これによって、リフトピンが支持体を通して延長し、基
板支持部材の上に基板を持ち上げて基板搬送を行うこと
ができる。環状取付フランジ234は、支持体232の外側表
面から外へ延長して、プロセスチャンバ内のプラズマが
静電チャックの一部と接触して腐食することを防止或い
は抑制するセラミックカラー246を支持する。セラミッ
クカバー248は、プロセス中にプラズマから支持体232の
側方表面を被覆して保護する外側ジャケットの役目を果
たす。セラミックカバー248もフランジ234の上にカラー
246を保持する。
【００３４】再び図２を参照すると、基板支持部材16
は、チャンバ壁18に形成されているサイドアクセスポー
ト26を通して部分的に延長し、フランジ46上のチャンバ
壁18に取付けられて、チャンバの中央にほぼ環状の基板
受け表面200を提供する。基板支持部材16も、プロセス
中に基板の温度を維持する温度制御システムを含む。温
度制御システムは、好ましく、基板支持部材内の流体チ
ャンネル49を備え、これらの流体チャンネルは、熱流体
ソース（図示せず）及びマイクロプロセッサーのよう
な、基板の温度を検知し、それに従って熱流体の温度を
変化させるコントローラ（図示せず）に接続される。或
いは、抵抗加熱のような他の加熱及び冷却方法を利用し
て、プロセス中の基板温度を制御してもよい。
は、チャンバ壁18に形成されているサイドアクセスポー
ト26を通して部分的に延長し、フランジ46上のチャンバ
壁18に取付けられて、チャンバの中央にほぼ環状の基板
受け表面200を提供する。基板支持部材16も、プロセス
中に基板の温度を維持する温度制御システムを含む。温
度制御システムは、好ましく、基板支持部材内の流体チ
ャンネル49を備え、これらの流体チャンネルは、熱流体
ソース（図示せず）及びマイクロプロセッサーのよう
な、基板の温度を検知し、それに従って熱流体の温度を
変化させるコントローラ（図示せず）に接続される。或
いは、抵抗加熱のような他の加熱及び冷却方法を利用し
て、プロセス中の基板温度を制御してもよい。
【００３５】支持部材16がチャンバ内に置かれるとき、
環状支持部材16の外壁50とチャンバの内壁52とは、支持
部材16全周のまわりにほぼ均一な環状流体通路22を画成
する。好ましくは、通路22及び排出ポート54が、支持部
材の基板受け表面とほぼ同心である。排出ポート54は、
支持部材16の基板受け部の下にほぼ中央に配置されて、
ガスを通路22を介してチャンバから均一に引き出す。こ
れは、基板表面の上にその全周をわたり、チャンバのベ
ースの中央にある排出ポート54を通してチャンバから下
へ且つ半径方向に外へのより均一なガス流を可能にす
る。通路22は、ポンピングボートに対する接近が異なる
基板位置のような既存のチャンバ内に欠けている圧力及
び滞留時間の均一性を維持することによって、膜層の均
一な堆積を促進する。
環状支持部材16の外壁50とチャンバの内壁52とは、支持
部材16全周のまわりにほぼ均一な環状流体通路22を画成
する。好ましくは、通路22及び排出ポート54が、支持部
材の基板受け表面とほぼ同心である。排出ポート54は、
支持部材16の基板受け部の下にほぼ中央に配置されて、
ガスを通路22を介してチャンバから均一に引き出す。こ
れは、基板表面の上にその全周をわたり、チャンバのベ
ースの中央にある排出ポート54を通してチャンバから下
へ且つ半径方向に外へのより均一なガス流を可能にす
る。通路22は、ポンピングボートに対する接近が異なる
基板位置のような既存のチャンバ内に欠けている圧力及
び滞留時間の均一性を維持することによって、膜層の均
一な堆積を促進する。
【００３６】ツインブレードスロットルアセンブリ56
と、ゲートバルブ58とターボ分子ポンプ60とを備えるポ
ンピングスタックは、チャンバ本体のテーパ状下側部分
に取付けられて、チャンバ内の圧力制御を提供する。ツ
インブレードスロットアセンブリ56及びゲートバルブ58
は、チャンバ本体12とターボ分子ポンプ60との間に取り
付けられて、ゲートバルブ58を介する隔離及び／又はツ
インブレードスロットアセンブリ56の設定により決定さ
れる約0から約10milliTorrまでの圧力での圧力制御を可
能にする。1600L/secのターボポンプは好ましいである
が、チャンバ内に所望の圧力を達成できるあらゆるポン
プを使用することができる。フォアライン(foreline) 5
7は、ターボポンプから上流及び下流位置で、排出ポー
ト54に接続されている。これは、バッキングポンプケイ
パビリティを提供する。フォアラインは、遠隔のメイン
フレームポンプ（典型的にあら引きポンプ(roughing pu
mp)）に接続されている。フォアラインのフランジ61を
取り付けるために、ポート59がポンピングスタックの中
に形成される。チャンバ清浄中に、清浄ガスは高速でチ
ャンバ内に流れ、よって、チャンバ内の圧力が増大す
る。従って、本発明の1つの態様では、ターボポンプが
ゲートバルブ58によってチャンバから隔離されて、清浄
プロセス中に、メインフレームポンプが用いられてチャ
ンバ内の圧力を維持する。
と、ゲートバルブ58とターボ分子ポンプ60とを備えるポ
ンピングスタックは、チャンバ本体のテーパ状下側部分
に取付けられて、チャンバ内の圧力制御を提供する。ツ
インブレードスロットアセンブリ56及びゲートバルブ58
は、チャンバ本体12とターボ分子ポンプ60との間に取り
付けられて、ゲートバルブ58を介する隔離及び／又はツ
インブレードスロットアセンブリ56の設定により決定さ
れる約0から約10milliTorrまでの圧力での圧力制御を可
能にする。1600L/secのターボポンプは好ましいである
が、チャンバ内に所望の圧力を達成できるあらゆるポン
プを使用することができる。フォアライン(foreline) 5
7は、ターボポンプから上流及び下流位置で、排出ポー
ト54に接続されている。これは、バッキングポンプケイ
パビリティを提供する。フォアラインは、遠隔のメイン
フレームポンプ（典型的にあら引きポンプ(roughing pu
mp)）に接続されている。フォアラインのフランジ61を
取り付けるために、ポート59がポンピングスタックの中
に形成される。チャンバ清浄中に、清浄ガスは高速でチ
ャンバ内に流れ、よって、チャンバ内の圧力が増大す
る。従って、本発明の1つの態様では、ターボポンプが
ゲートバルブ58によってチャンバから隔離されて、清浄
プロセス中に、メインフレームポンプが用いられてチャ
ンバ内の圧力を維持する。
【００３７】チャンバにおける基板の処理中に、真空ポ
ンプは、チャンバを約4から約6milliTorrまでの範囲に
ある圧力に減圧して、１種以上のプロセスガスの規制流
れが、ガス分配アセンブリを通して、チャンバ内に供給
される。直接にチャンバ圧力を測定して、その情報を、
ポンピング速度を調節するためにバルブを開閉するコン
トローラに供給することによって、チャンバ圧力が制御
される。ガスの流れ及び濃度は、プロセスレシピに提供
されるソフトウェアセットポイントを通して、マスフロ
ーコントローラによって、直接制御される。排出ポート
54を介して、チャンバからポンプで引き出されているガ
スの流量を測定することによって、入口ガス供給のマス
フローコントローラ（図示せず）が、チャンバ内の所望
圧力及びガス濃度を維持するために用いられることもで
きる。
ンプは、チャンバを約4から約6milliTorrまでの範囲に
ある圧力に減圧して、１種以上のプロセスガスの規制流
れが、ガス分配アセンブリを通して、チャンバ内に供給
される。直接にチャンバ圧力を測定して、その情報を、
ポンピング速度を調節するためにバルブを開閉するコン
トローラに供給することによって、チャンバ圧力が制御
される。ガスの流れ及び濃度は、プロセスレシピに提供
されるソフトウェアセットポイントを通して、マスフロ
ーコントローラによって、直接制御される。排出ポート
54を介して、チャンバからポンプで引き出されているガ
スの流量を測定することによって、入口ガス供給のマス
フローコントローラ（図示せず）が、チャンバ内の所望
圧力及びガス濃度を維持するために用いられることもで
きる。
【００３８】ガス分配アセンブリ300が、図4-8を参照し
て、以下のように記述される。図4は、本発明のチャン
バを貫通する断面図であり、ガス分配アセンブリ300を
示す。一般に、ガス分配システムは、ドームの下側部分
とチャンバ本体の上側表面との間に配置される環状ガス
分配リング310と、ドームのトップを通して配置され、
中央に位置するセンタガスフィード312とを含む。ガス
は、ドーム32の底部の近くに位置して周方向に取り付け
られたガスノズル302、304と、ドームのトッププレート
に置かれて中央に位置するガスノズル306との両方を通
して、チャンバ内に導入される。この構成の1つの利点
は、複数の異なるガスが、ノズル302、304、306を通し
て、チャンバ内の選択位置で、チャンバ内に導入される
ことができることである。それに加えて、もう一つのガ
ス（例えば酸素、或いは酸素とSiF4のようなガスの組み
合せ）が、ノズル306のまわりに配置されているガス通
路308を介して、ノズル306の側に沿って導入されて、チ
ャンバ内に導入される他のガスと混合させることができ
る。
て、以下のように記述される。図4は、本発明のチャン
バを貫通する断面図であり、ガス分配アセンブリ300を
示す。一般に、ガス分配システムは、ドームの下側部分
とチャンバ本体の上側表面との間に配置される環状ガス
分配リング310と、ドームのトップを通して配置され、
中央に位置するセンタガスフィード312とを含む。ガス
は、ドーム32の底部の近くに位置して周方向に取り付け
られたガスノズル302、304と、ドームのトッププレート
に置かれて中央に位置するガスノズル306との両方を通
して、チャンバ内に導入される。この構成の1つの利点
は、複数の異なるガスが、ノズル302、304、306を通し
て、チャンバ内の選択位置で、チャンバ内に導入される
ことができることである。それに加えて、もう一つのガ
ス（例えば酸素、或いは酸素とSiF4のようなガスの組み
合せ）が、ノズル306のまわりに配置されているガス通
路308を介して、ノズル306の側に沿って導入されて、チ
ャンバ内に導入される他のガスと混合させることができ
る。
【００３９】一般に、ガス分配リング310は、アルミニ
ウム或いは他の適当な材料314から製造される環状リン
グを備え、その中に、複数のポート311がノズルを受容
するために形成されて、且つ、１つ以上のガスチャネル
316、318と連通している。好ましくは、少なくとも2つ
の別々のチャネルがガスリングに形成されて、チャンバ
内に少なくとも2つの別々のガスを供給する。各ポート3
11は、リングに形成されたガス分配チャンネル（316又
は318）のいずれか1つに接続している。本発明の1つの
実施例では、交互するポートが１つのチャンネルに連結
され、他のポートが他のチャネルに連結される。この配
置は、例えば、SiH4とO2のような別々のガスを別々にチ
ャンバ内に導入することを可能にする。
ウム或いは他の適当な材料314から製造される環状リン
グを備え、その中に、複数のポート311がノズルを受容
するために形成されて、且つ、１つ以上のガスチャネル
316、318と連通している。好ましくは、少なくとも2つ
の別々のチャネルがガスリングに形成されて、チャンバ
内に少なくとも2つの別々のガスを供給する。各ポート3
11は、リングに形成されたガス分配チャンネル（316又
は318）のいずれか1つに接続している。本発明の1つの
実施例では、交互するポートが１つのチャンネルに連結
され、他のポートが他のチャネルに連結される。この配
置は、例えば、SiH4とO2のような別々のガスを別々にチ
ャンバ内に導入することを可能にする。
【００４０】図5は、ノズル302が配置されている1つの
ポート314に連結されている第１のガスチャンネル316を
示す断面図である。図に示されるように、ガスチャネル
316は、チャンバ本体壁の上側表面に形成されて、好ま
しくは、チャンバ壁全周のまわりの環状である。環状ガ
スリングは、リング内に縦に配置される第１セットのチ
ャネル320を有し、それらのチャンネルは、上記チャン
ネル内のガス分配のために設けられる各ポート314に連
結される。ガスリングがガスチャネルの上に位置する場
合、通路はチャネルと連通する。ガス分配リングは、チ
ャンネルから外の方へ配置された２つの別々に置かれる
０−リング322、324を介して、チャンバ壁の上面に密封
されて、チャンバ内部へのガス漏れを防ぐ。テフロン
（Teflon 商標名）又は他の類似した製品のようなポリ
テトラフルオロエチレン（PTFE）シール326は、チャネ
ルから内部の方への凹部328の中に配置されて、チャン
バ内へのガス漏れを防ぐ。
ポート314に連結されている第１のガスチャンネル316を
示す断面図である。図に示されるように、ガスチャネル
316は、チャンバ本体壁の上側表面に形成されて、好ま
しくは、チャンバ壁全周のまわりの環状である。環状ガ
スリングは、リング内に縦に配置される第１セットのチ
ャネル320を有し、それらのチャンネルは、上記チャン
ネル内のガス分配のために設けられる各ポート314に連
結される。ガスリングがガスチャネルの上に位置する場
合、通路はチャネルと連通する。ガス分配リングは、チ
ャンネルから外の方へ配置された２つの別々に置かれる
０−リング322、324を介して、チャンバ壁の上面に密封
されて、チャンバ内部へのガス漏れを防ぐ。テフロン
（Teflon 商標名）又は他の類似した製品のようなポリ
テトラフルオロエチレン（PTFE）シール326は、チャネ
ルから内部の方への凹部328の中に配置されて、チャン
バ内へのガス漏れを防ぐ。
【００４１】図4及び図5を参照すると、ポート314の中
に配置されるノズル302、304は、好ましく、ねじ切りさ
れて、ポートのネジ山とかみ合わせて、それらの間のシ
ールを提供する共に、速くて簡単な交換を提供する。制
限オリフィス330は、各ノズルの端部に位置して、チャ
ンバ内に所望のガス分配を提供するように選択されるこ
とができる。
に配置されるノズル302、304は、好ましく、ねじ切りさ
れて、ポートのネジ山とかみ合わせて、それらの間のシ
ールを提供する共に、速くて簡単な交換を提供する。制
限オリフィス330は、各ノズルの端部に位置して、チャ
ンバ内に所望のガス分配を提供するように選択されるこ
とができる。
【００４２】図6は、第２のガスチャネル318を示す断面
図である。第２のガスチャネル318は、環状ガス分配リ
ングの上側部分に形成され、同様に、ガス分配リング周
囲のまわりに、環状で配置される。水平に配置された通
路332は、第２のガスチャンネルを、ガスリングに形成
され且つその中に付加のガスノズルが配置されている１
つ以上のポートに連結させる。第２のガスチャネルの上
部包含表面が、ドーム32を支持するリッドの部分によっ
て形成され、ベースプレート33によってトップで密封さ
れる。ガスリング310は、ヒンジ式でチャンバ本体に取
り付けられたベースプレート33に、ボルトで締め付けら
れている。
図である。第２のガスチャネル318は、環状ガス分配リ
ングの上側部分に形成され、同様に、ガス分配リング周
囲のまわりに、環状で配置される。水平に配置された通
路332は、第２のガスチャンネルを、ガスリングに形成
され且つその中に付加のガスノズルが配置されている１
つ以上のポートに連結させる。第２のガスチャネルの上
部包含表面が、ドーム32を支持するリッドの部分によっ
て形成され、ベースプレート33によってトップで密封さ
れる。ガスリング310は、ヒンジ式でチャンバ本体に取
り付けられたベースプレート33に、ボルトで締め付けら
れている。
【００４３】本発明の１つの利点は、ガス分配リングが
容易に取り外され、さらに、ガスの分配パターンを調整
できるように、様々な角度でノズルの先端を受け入れ且
つ位置決定するために形成されているポートを有するリ
ングに取り換えられる。換言すれば、ある応用では、ガ
スノズルの幾つかをチャンバ内に上方へ或いは逆に下方
へ角度を付けるのが有利であろう。所望のプロセス結果
を提供するために所望の角度を選択できるように、ガス
分配リングに形成されるポートがミリングされることが
できる。さらに、少なくとも2つのガスを別々にチャン
バ内に供給できる少なくとも2つのガスチャネルを有す
ることによって、種々のガスの間に発生する反応に対す
るより大きい制御を可能にする。さらに、ガス分配アセ
ンブリ内のガスの反応が、ガスを別々にチャンバ内へ供
給することによって、防止されることができる。
容易に取り外され、さらに、ガスの分配パターンを調整
できるように、様々な角度でノズルの先端を受け入れ且
つ位置決定するために形成されているポートを有するリ
ングに取り換えられる。換言すれば、ある応用では、ガ
スノズルの幾つかをチャンバ内に上方へ或いは逆に下方
へ角度を付けるのが有利であろう。所望のプロセス結果
を提供するために所望の角度を選択できるように、ガス
分配リングに形成されるポートがミリングされることが
できる。さらに、少なくとも2つのガスを別々にチャン
バ内に供給できる少なくとも2つのガスチャネルを有す
ることによって、種々のガスの間に発生する反応に対す
るより大きい制御を可能にする。さらに、ガス分配アセ
ンブリ内のガスの反応が、ガスを別々にチャンバ内へ供
給することによって、防止されることができる。
【００４４】図7は、ドーム32を通して設置されるセン
タガスフィード312を示す断面図である。トップガスフ
ィード312は、好ましく、ドームのトップ上に配置され
るベース334とドームに形成された凹部内に配置される
テーパ状本体336とを有するテーパ状構造である。1つが
テーパ状本体336の下側表面にあり、１つが下端の方へ
向かうテーパ状本体338の側表面にある2つの別々のＯリ
ング336、338が、ガスフィード312とチャンバのドーム
との間に密封できるコンタクトを提供する。ポート340
は、トップガスフィードの本体の下側部分に形成され
て、チャンバ内にガスを供給するためのノズル306を受
容する。少なくとも1つのガス通路342が、ポートに接続
しているガスフィード310を通して配置されて、ガスを
ノズルの背部に送る。さらに、ノズル306がテーパ状に
なり、ポート340が、ノズル306の側に沿ってガスをチャ
ンバ内に送る第２のガス通路308を画成する。第２のガ
スチャネル304は、ガスを通路308に送るために、ガスフ
ィード312を通して、配置される。酸素のようなガス
を、SiH4のようなガスの側に沿って供給するができる。
タガスフィード312を示す断面図である。トップガスフ
ィード312は、好ましく、ドームのトップ上に配置され
るベース334とドームに形成された凹部内に配置される
テーパ状本体336とを有するテーパ状構造である。1つが
テーパ状本体336の下側表面にあり、１つが下端の方へ
向かうテーパ状本体338の側表面にある2つの別々のＯリ
ング336、338が、ガスフィード312とチャンバのドーム
との間に密封できるコンタクトを提供する。ポート340
は、トップガスフィードの本体の下側部分に形成され
て、チャンバ内にガスを供給するためのノズル306を受
容する。少なくとも1つのガス通路342が、ポートに接続
しているガスフィード310を通して配置されて、ガスを
ノズルの背部に送る。さらに、ノズル306がテーパ状に
なり、ポート340が、ノズル306の側に沿ってガスをチャ
ンバ内に送る第２のガス通路308を画成する。第２のガ
スチャネル304は、ガスを通路308に送るために、ガスフ
ィード312を通して、配置される。酸素のようなガス
を、SiH4のようなガスの側に沿って供給するができる。
【００４５】図8は、リッドアセンブリのベースプレー
ト33及びガス分配リング310を示す分解図である。チャ
ネル350は、ガス分配リング310を受けるために、ベース
プレート33の下側部分に形成される。ガスリング310
は、ベースプレート33Ｂに、ボルトで締め付けられる
か、または別な方法で取り付けられる。ベースプレート
は、チャンバ本体にヒンジ式で取り付けられる。
ト33及びガス分配リング310を示す分解図である。チャ
ネル350は、ガス分配リング310を受けるために、ベース
プレート33の下側部分に形成される。ガスリング310
は、ベースプレート33Ｂに、ボルトで締め付けられる
か、または別な方法で取り付けられる。ベースプレート
は、チャンバ本体にヒンジ式で取り付けられる。
【００４６】再び図4を参照すると、第１のガスソース3
52及び第１のガスコントローラ354は、ライン354を介し
て、チャンバ壁に形成された第１のガスチャンネル316
内への第１のガスの進入を制御する。同様に、第２のガ
スソース358及び第２のガスコントローラ360は、ライン
362を介して、第２の所望のガスを、ガス分配リングの
中に形成された第２のガスチャネル318内に供給する。
52及び第１のガスコントローラ354は、ライン354を介し
て、チャンバ壁に形成された第１のガスチャンネル316
内への第１のガスの進入を制御する。同様に、第２のガ
スソース358及び第２のガスコントローラ360は、ライン
362を介して、第２の所望のガスを、ガス分配リングの
中に形成された第２のガスチャネル318内に供給する。
【００４７】第3のガスソース364及び第3のガスコント
ローラ366は、ライン368を介して、第３のガスを、チャ
ンバのトップに配置された第3のノズル306に供給する。
第4のガスソース370及び第4のガスコントローラ372は、
ライン374を介して、第4のガスをガス通路308に供給す
る。第３のガスノズルと第４のガスノズル64を通して導
入されるガスは、両者がチャンバに進入した際に、チャ
ンバの上側部分で混合される。
ローラ366は、ライン368を介して、第３のガスを、チャ
ンバのトップに配置された第3のノズル306に供給する。
第4のガスソース370及び第4のガスコントローラ372は、
ライン374を介して、第4のガスをガス通路308に供給す
る。第３のガスノズルと第４のガスノズル64を通して導
入されるガスは、両者がチャンバに進入した際に、チャ
ンバの上側部分で混合される。
【００４８】本発明の好ましい実施例によれば、フルオ
ロシリカガラス(FSG)を堆積する場合、酸素がノズル302
を介してチャンバ内に導入されながら、SiH4、SiF4及び
アルゴンがノズル304を介して導入される。ノズル302が
ノズル304より短く、よって、ドームの内部表面に対し
てより近いので、ノズル302を通して導入されるガス
は、ドームの内部表面上により高い分圧を生成して、よ
り長いノズル304を通して導入されるガスがドーム内部
表面上に堆積することを防ぐ。FSGプロセスガスに適用
される際、ドームの内部表面での酸素のより高い分圧
が、内部表面上の堆積へのフッ素の取り込みを減少す
る。ドームの内部表面の近くにより高い分圧を提供する
ために必要なノズル302の長さは、ノズル304の長さ及び
ノズル302と304の各々から流れるプロセスガスの流量に
よって決定される。プロセスガスの流量について、好ま
しくは、第１のプロセスガスが約30sccmから約500sccm
までの間にあって、第２ガスが約40sccmから約500sccm
までの間にあり、最も好ましくは、ノズル302からのガ
スとノズル304からのガスとの比が約１：１であるよう
に、プロセスガスをチャンバ内に供給する。典型的に、
ノズル302と304からのガスの流量が同じである場合、ノ
ズル304の長さに対するノズル302の長さの比は、約0.24
から約0.85までの間にある。一般に、典型的な200mm基
板プロセスチャンバの場合、ノズル304の長さは約2.55
インチから約3.05インチの間にあり、ノズル302の長さ
は約1.75から約2.55インチの間にある。代案として、Si
F4が酸素と共に導入されて、約1:1の第１と第２のプロ
セスガス比を提供するのを援助することができる。
ロシリカガラス(FSG)を堆積する場合、酸素がノズル302
を介してチャンバ内に導入されながら、SiH4、SiF4及び
アルゴンがノズル304を介して導入される。ノズル302が
ノズル304より短く、よって、ドームの内部表面に対し
てより近いので、ノズル302を通して導入されるガス
は、ドームの内部表面上により高い分圧を生成して、よ
り長いノズル304を通して導入されるガスがドーム内部
表面上に堆積することを防ぐ。FSGプロセスガスに適用
される際、ドームの内部表面での酸素のより高い分圧
が、内部表面上の堆積へのフッ素の取り込みを減少す
る。ドームの内部表面の近くにより高い分圧を提供する
ために必要なノズル302の長さは、ノズル304の長さ及び
ノズル302と304の各々から流れるプロセスガスの流量に
よって決定される。プロセスガスの流量について、好ま
しくは、第１のプロセスガスが約30sccmから約500sccm
までの間にあって、第２ガスが約40sccmから約500sccm
までの間にあり、最も好ましくは、ノズル302からのガ
スとノズル304からのガスとの比が約１：１であるよう
に、プロセスガスをチャンバ内に供給する。典型的に、
ノズル302と304からのガスの流量が同じである場合、ノ
ズル304の長さに対するノズル302の長さの比は、約0.24
から約0.85までの間にある。一般に、典型的な200mm基
板プロセスチャンバの場合、ノズル304の長さは約2.55
インチから約3.05インチの間にあり、ノズル302の長さ
は約1.75から約2.55インチの間にある。代案として、Si
F4が酸素と共に導入されて、約1:1の第１と第２のプロ
セスガス比を提供するのを援助することができる。
【００４９】200mm基板の場合、ギャップ充填FSG層を生
成するためのガス流について、SiH4が15から150sccmま
で、SiF4が15から150sccmまで、O2が40から500sccmま
で、Arが0から200sccmまでの範囲にある。SiF4に対する
SiH4の体積による流量比は、好ましくは、約0.8:1から
約1.2:1までにあり、最も好ましくは、約1：1である。
結合されたSiH4とSiF4に対するO2の体積による流量比
は、好ましくは、約1.5:1から約2:1である。
成するためのガス流について、SiH4が15から150sccmま
で、SiF4が15から150sccmまで、O2が40から500sccmま
で、Arが0から200sccmまでの範囲にある。SiF4に対する
SiH4の体積による流量比は、好ましくは、約0.8:1から
約1.2:1までにあり、最も好ましくは、約1：1である。
結合されたSiH4とSiF4に対するO2の体積による流量比
は、好ましくは、約1.5:1から約2:1である。
【００５０】ノズル302の長さを決定する際に、もう１
つ考慮すべきことは、プロセス均一性を維持するため
に、ノズル302が、処理されている基板の表面に、十分
なガス流を提供しなければならないことである。従っ
て、ノズル304の先端から基板までの距離に関連するノ
ズル302の先端から基板までの距離は、ノズル302の長さ
の決定における１つの要素となる。典型的に、200mm基
板プロセスチャンバの場合、ノズル304の先端は、基板
支持部材上に配置されている基板から垂直に約1インチ
から約2.5インチの間（即ち、ノズル302、304の先端を
含む平面と基板表面を含む平面との間の距離）で配置さ
れる。同様の200mmチャンバには、ノズル302、304の先
端と基板の縁部との間の水平オフセット距離は、典型的
に、約0.5インチから約3インチまでの間にある。例え
ば、基板が、ノズル304及びノズル302の先端を含む平面
から約1.78インチの距離で配置されている200mm基板プ
ロセスチャンバにおいて、ノズル302の長さが約2.55イ
ンチであり、ノズル304の長さが約3.05インチであり、
基板縁部からのノズル302の水平オフセット距離が約1.4
5インチであり、基板縁部からのノズル304の水平オフセ
ット距離が約0.9インチである。もう１つの例として、
ノズル302の長さが約1.75インチであり、ノズル304の長
さが約2.55インチであり、基板縁部からのノズル302の
水平オフセット距離が約2.55インチであり、基板縁部か
らのノズル304の水平オフセット距離が約1.45インチで
ある。ノズル302及び304からのプロセスガスの流量は、
好ましくは、ほぼ同じであり、約150sccmから約280sccm
の間にある。
つ考慮すべきことは、プロセス均一性を維持するため
に、ノズル302が、処理されている基板の表面に、十分
なガス流を提供しなければならないことである。従っ
て、ノズル304の先端から基板までの距離に関連するノ
ズル302の先端から基板までの距離は、ノズル302の長さ
の決定における１つの要素となる。典型的に、200mm基
板プロセスチャンバの場合、ノズル304の先端は、基板
支持部材上に配置されている基板から垂直に約1インチ
から約2.5インチの間（即ち、ノズル302、304の先端を
含む平面と基板表面を含む平面との間の距離）で配置さ
れる。同様の200mmチャンバには、ノズル302、304の先
端と基板の縁部との間の水平オフセット距離は、典型的
に、約0.5インチから約3インチまでの間にある。例え
ば、基板が、ノズル304及びノズル302の先端を含む平面
から約1.78インチの距離で配置されている200mm基板プ
ロセスチャンバにおいて、ノズル302の長さが約2.55イ
ンチであり、ノズル304の長さが約3.05インチであり、
基板縁部からのノズル302の水平オフセット距離が約1.4
5インチであり、基板縁部からのノズル304の水平オフセ
ット距離が約0.9インチである。もう１つの例として、
ノズル302の長さが約1.75インチであり、ノズル304の長
さが約2.55インチであり、基板縁部からのノズル302の
水平オフセット距離が約2.55インチであり、基板縁部か
らのノズル304の水平オフセット距離が約1.45インチで
ある。ノズル302及び304からのプロセスガスの流量は、
好ましくは、ほぼ同じであり、約150sccmから約280sccm
の間にある。
【００５１】１つの例として、ドーム上へのフッ素の拡
散によって引起されるプロセスドリフトが有せず、実質
的に均一な堆積を結果としてもたらす以下のパラメータ
ーによりFSG堆積のために、基板が、上記のようなプロ
セスチャンバ内に処理される。ノズル302の長さが1.75
インチであり、ノズル304の長さは3.05インチである。
基板は、ノズル302と304の先端を含む平面の下、約1.78
インチのところで配置される。酸素が約163sccm（O2）
でノズル302を介してチャンバ内に導入されながら、SiH
4、SiF4及びアルゴンが、約45sccm(SiH4)、約45sccm(Si
F4)及び約73sccm(Ar)でノズル304を介して導入される。
第１のコイルに供給されるプラズマパワーは約1500Wで
あり、第２のコイルに供給されるプラズマパワーは約29
00Wである。堆積プロセス中に、基板の温度は約400℃に
維持されるが、ドームの温度は120℃に維持される。基
板支持部材が1800Wでバイアスされる。チャンバ圧力が8
mTに維持される。上記のパラメーターによって、堆積プ
ロセスは、3.4ほど低いk値を有する均一な且つ一貫した
FSG堆積を生成する。堆積されたFSG膜は、安定してい
て、全ての要求される膜特性を満たす。ハードウェア
（即ち、セラミックドーム）は、フッ素原子によって衝
撃されなく、厚さが約1000Åであるシーズニングコート
を完全に通過して拡散するフッ素原子がない。その結
果、拡散してドーム上にAl2OxFyを形成するフッ素がな
いので、プロセス中に、プロセスドリフトが発生しな
い。
散によって引起されるプロセスドリフトが有せず、実質
的に均一な堆積を結果としてもたらす以下のパラメータ
ーによりFSG堆積のために、基板が、上記のようなプロ
セスチャンバ内に処理される。ノズル302の長さが1.75
インチであり、ノズル304の長さは3.05インチである。
基板は、ノズル302と304の先端を含む平面の下、約1.78
インチのところで配置される。酸素が約163sccm（O2）
でノズル302を介してチャンバ内に導入されながら、SiH
4、SiF4及びアルゴンが、約45sccm(SiH4)、約45sccm(Si
F4)及び約73sccm(Ar)でノズル304を介して導入される。
第１のコイルに供給されるプラズマパワーは約1500Wで
あり、第２のコイルに供給されるプラズマパワーは約29
00Wである。堆積プロセス中に、基板の温度は約400℃に
維持されるが、ドームの温度は120℃に維持される。基
板支持部材が1800Wでバイアスされる。チャンバ圧力が8
mTに維持される。上記のパラメーターによって、堆積プ
ロセスは、3.4ほど低いk値を有する均一な且つ一貫した
FSG堆積を生成する。堆積されたFSG膜は、安定してい
て、全ての要求される膜特性を満たす。ハードウェア
（即ち、セラミックドーム）は、フッ素原子によって衝
撃されなく、厚さが約1000Åであるシーズニングコート
を完全に通過して拡散するフッ素原子がない。その結
果、拡散してドーム上にAl2OxFyを形成するフッ素がな
いので、プロセス中に、プロセスドリフトが発生しな
い。
【００５２】図9は、本発明のガス分配リング410の代替
実施例を示す斜視図である。マルチレベルガス分配リン
グ410は、ガスノズル402及び404の配置(configuration)
を除いて、構成上、ガス分配リング310とほぼ同様であ
る。図9にで示されるように、ガス分配リング410は、長
いノズル304と類似した第１のノズルセット404と、チャ
ンバドームの方へある角度で傾く第２のノズルセット40
2とを含む。隣接する傾斜ノズル402の間に３つのノズル
404が配置される交互配列に、ノズル402及び404が配置
される。第１のノズルセット404が、ガス分配リング410
内に形成された第１の環状チャネル（図示せず）に接続
されて、第２のノズルセット402が、ガス分配リング内
に形成された（図１０に示される）第２の環状チャネに
接続される。図9はノズル402と404の好ましい配列を示
しているが、所望のマルチレベルガス分配を提供するノ
ズルの他の配列も、本発明により予想される。
実施例を示す斜視図である。マルチレベルガス分配リン
グ410は、ガスノズル402及び404の配置(configuration)
を除いて、構成上、ガス分配リング310とほぼ同様であ
る。図9にで示されるように、ガス分配リング410は、長
いノズル304と類似した第１のノズルセット404と、チャ
ンバドームの方へある角度で傾く第２のノズルセット40
2とを含む。隣接する傾斜ノズル402の間に３つのノズル
404が配置される交互配列に、ノズル402及び404が配置
される。第１のノズルセット404が、ガス分配リング410
内に形成された第１の環状チャネル（図示せず）に接続
されて、第２のノズルセット402が、ガス分配リング内
に形成された（図１０に示される）第２の環状チャネに
接続される。図9はノズル402と404の好ましい配列を示
しているが、所望のマルチレベルガス分配を提供するノ
ズルの他の配列も、本発明により予想される。
【００５３】図10は、第２の環状ガスチャネル416及び
傾斜ノズル402を示しているガス分配リング410の部分断
面図である。ガス分配リング410を含む平面から測定さ
れる傾斜角度αは、好ましく、約１５度から約６０度ま
での間にあって、チャンバドームの方へ向ける。図10に
示されるように、角度αは約45度である。本発明のもう
１つの代替実施例では、第２のノズル402の傾斜から反
対方向に（即ち、基板の方へ）傾けられる第１のノズル
セット404が設けられる。第１のノズルセット404の傾斜
は、好ましく、ガス分配リング410を含む平面から約0度
から約−25度までの間にあって（即ち、この傾斜は、基
板の方へ向けて、約0度から約25度の間である）。
傾斜ノズル402を示しているガス分配リング410の部分断
面図である。ガス分配リング410を含む平面から測定さ
れる傾斜角度αは、好ましく、約１５度から約６０度ま
での間にあって、チャンバドームの方へ向ける。図10に
示されるように、角度αは約45度である。本発明のもう
１つの代替実施例では、第２のノズル402の傾斜から反
対方向に（即ち、基板の方へ）傾けられる第１のノズル
セット404が設けられる。第１のノズルセット404の傾斜
は、好ましく、ガス分配リング410を含む平面から約0度
から約−25度までの間にあって（即ち、この傾斜は、基
板の方へ向けて、約0度から約25度の間である）。
【００５４】マルチレベルガス分配リング410は、傾斜
ノズル402を介して導入されるプロセスガスがセンタ厚
拡散パターンを有するように、プロセスガスをプロセス
チャンバ内に導入する。この実施例によれば、フルオロ
シリカガラス（FSG）を堆積する場合、SiF4と酸素がノ
ズル404を通してチャンバ内に導入され、SiH4とアルゴ
ンがノズル402を通して導入される。センタ厚拡散パタ
ーンのため、酸化ケイ素ドーパント（例えばフッ素及び
燐）は、基板表面にわったてより均一に配布されて、そ
の結果、堆積の均一性が改善される。
ノズル402を介して導入されるプロセスガスがセンタ厚
拡散パターンを有するように、プロセスガスをプロセス
チャンバ内に導入する。この実施例によれば、フルオロ
シリカガラス（FSG）を堆積する場合、SiF4と酸素がノ
ズル404を通してチャンバ内に導入され、SiH4とアルゴ
ンがノズル402を通して導入される。センタ厚拡散パタ
ーンのため、酸化ケイ素ドーパント（例えばフッ素及び
燐）は、基板表面にわったてより均一に配布されて、そ
の結果、堆積の均一性が改善される。
【００５５】ノズル404を通して導入されるプロセスガ
スと比べて、傾斜ノズル402を通して導入されるプロセ
スガスの方が、セラミックドームの表面の近くにより高
い分圧を提供するため、セラミックドームへのフッ素攻
撃を防ぐ点で、マルチレベルガス分配リング410も、ガ
ス分配リング310と同じ目標を達成する。例えば、上記
のようにＦSGプロセスガスに適用される場合、ドーム内
部表面でのSiH4のより高い分圧が、内部表面上の堆積の
中へのフッ素の取り込みを減少し、その結果、フッ素種
によるドームの黒化を防ぎ、続いて、堆積の均一性、堆
積速度、プロセス中にチャンバ内のフッ素含有量及びス
パッタ均一性におけるにプロセスドリフトを防ぐ。マル
チレベルガス分配リング410のもう一つの利点は、セラ
ミックドームの内部表面とシーズニングガスを導入する
ためのノズルとの間の距離が減小されるので、シーズニ
ングコートがより速い速度で堆積されることである。
スと比べて、傾斜ノズル402を通して導入されるプロセ
スガスの方が、セラミックドームの表面の近くにより高
い分圧を提供するため、セラミックドームへのフッ素攻
撃を防ぐ点で、マルチレベルガス分配リング410も、ガ
ス分配リング310と同じ目標を達成する。例えば、上記
のようにＦSGプロセスガスに適用される場合、ドーム内
部表面でのSiH4のより高い分圧が、内部表面上の堆積の
中へのフッ素の取り込みを減少し、その結果、フッ素種
によるドームの黒化を防ぎ、続いて、堆積の均一性、堆
積速度、プロセス中にチャンバ内のフッ素含有量及びス
パッタ均一性におけるにプロセスドリフトを防ぐ。マル
チレベルガス分配リング410のもう一つの利点は、セラ
ミックドームの内部表面とシーズニングガスを導入する
ためのノズルとの間の距離が減小されるので、シーズニ
ングコートがより速い速度で堆積されることである。
【００５６】以上の記載が、本発明の好ましい実施例に
向けられているが、本発明の他の及び更なる実施例は、
本発明の基本範囲から逸脱することなく考案されること
ができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲により決め
られる。
向けられているが、本発明の他の及び更なる実施例は、
本発明の基本範囲から逸脱することなく考案されること
ができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲により決め
られる。
【図１】基板上に種々の膜を堆積するために有用なHDP-
CVDチャンバの断面図である。
CVDチャンバの断面図である。
【図2】本発明のプロセスツール10の断面図である。
【図3】基板支持部材及び基板支持部材用プロセスキッ
トの部分断面図である。
トの部分断面図である。
【図4】ガス分配アセンブリ300を示している本発明のチ
ャンバを貫通する断面図である。
ャンバを貫通する断面図である。
【図5】中にノズル302が配置されている1つのポート314
に接続している第１ガスチャネル316を示す断面図であ
る。
に接続している第１ガスチャネル316を示す断面図であ
る。
【図6】第２ガスチャネル318を示す断面図である。
【図7】ドーム32を通して設置されているセンタガスフ
ィード312を示す断面図である。
ィード312を示す断面図である。
【図8】リッドアセンブリのベースプレート33及びガス
分配リング310を示す分解図である。
分配リング310を示す分解図である。
【図9】本発明によるガス分配リング410の代案実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図10】第２の環状ガスチャネル416と傾斜ノズル402を
示しているマルチレベルガス分配リング410の部分断面
図である。
示しているマルチレベルガス分配リング410の部分断面
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 テツヤ イシカワ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ブラッサム ドライヴ 873 (72)発明者 パドマナブハン クリシュナラジュ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， ダイアモンド ス トリート 2734 (72)発明者 フェン ガオ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， マウンテン ヴュー， グラディス アヴ ェニュー 110ビー (72)発明者 アラン ダブリュー． コリンズ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， ヴァーモント ス トリート 735 (72)発明者 リリー エル． パン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， カブリロ ドライヴ 35694
Claims (20)
- 【請求項１】 堆積チャンバ内の基板上に膜を堆積する
方法であって、 基板を囲む複数の第１のノズルを介して、SiH4を含む第
１のプロセスガスをチャンバ内に噴射するステップと、 基板を囲む複数の第２のノズルを介して、酸素を含む第
２のプロセスガスを、チャンバ内に噴射するステップと
を備え、 上記の第１のプロセスガスと上記の第２のプロセスガス
とは、約1:1の体積による流量比で噴射される、方法。 - 【請求項２】 第１のプロセスガスがさらにSiF4を含
み、SiH4とSiF4とは、約0.8:1から約1.2:1までの体積に
よる流量比で噴射される、請求項1に記載の方法。 - 【請求項３】 第１のプロセスガスがさらにアルゴンを
含む、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 第２のプロセスガスがさらにSiF4を含
む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項５】 SiH4とSiF4との流量比が約1:1である、請
求項２に記載の方法。 - 【請求項６】SiH4の流れが約45sccmであり、SiF4の流れ
が約45sccmであり、アルゴンの流れが約73sccmであり、
酸素の流れが約163sccmである、請求項３に記載の方
法。 - 【請求項７】第１のノズルが第２のノズルより長い、請
求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 第２のプロセスガスを噴射する第２のノ
ズルと比べて、第１のノズルが、チャンバの内部表面の
より近くに第１のプロセスガスを噴射する、請求項１に
記載の方法。 - 【請求項９】 堆積チャンバ内の200mm基板の上に膜を堆
積する方法であって、 基板を囲む複数の第１の開口を介して、40から500sccm
までの酸素を含む第１のプロセスガスをチャンバ内に噴
射するステップと、 基板を囲む複数の第２の開口を介して、15から150sccm
までのSiF4および15から150sccmまでのSiH4を含む第２
のプロセスガスを、チャンバ内に噴射するステップとを
備える、方法。 - 【請求項１０】 第１のプロセスガスと上記の第２のプ
ロセスガスとは、約1:1の体積による流量比で噴射され
る、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 酸素が、SiH4及びSiF4に対して、約1.
5:1から約2:1までの体積による流量比で噴射される、請
求項９に記載の方法。 - 【請求項１２】 さらに、0から200sccmまでのアルゴン
をチャンバに噴射するステップを備える、請求項９に記
載の方法。 - 【請求項１３】 アルゴンが第２の開口を介して噴射さ
れる、請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 SiH4の流れが約45sccmであり、SiF4の
流れが約45sccmであり、アルゴンの流れが約73sccmであ
り、酸素の流れが約163sccmである、請求項１３に記載
の方法。 - 【請求項１５】 堆積チャンバ内の200mm基板の上に膜を
堆積する方法であって、 基板を囲む複数の第１の開口を介して、40から500sccm
までの酸素を含む第１のプロセスガスをチャンバ内に噴
射するステップと、 基板を囲む複数の第２の開口を介して、15から150sccm
までのSiF4、15から150sccmまでのSiH4及びアルゴンを
含む第２のプロセスガスを噴射するステップとを備え
る、方法。 - 【請求項１６】第１のプロセスガスと第２のプロセスガ
スとは、約1:1の体積による流量比で噴射される、請求
項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 SiH4とSiF4とは、約1:1の体積による流
量比で噴射される、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 SiH4の流れが約45sccmであり、SiF4の
流れが約45sccmであり、アルゴンの流れが約73sccmであ
り、酸素の流れが約163sccmである、請求項１８に記載
の方法。 - 【請求項１９】 第１の開口が第２の開口より短い、請
求項１５に記載の方法。 - 【請求項２０】 第２のノズルが噴射する第２のプロセ
スガスと比べて、第１のノズルが、チャンバの内部表面
のより近くに第１のプロセスガスを噴射する、請求項１
９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/449,203 US6486081B1 (en) | 1998-11-13 | 1999-11-24 | Gas distribution system for a CVD processing chamber |
| US09/449203 | 1999-11-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291709A true JP2001291709A (ja) | 2001-10-19 |
| JP4801250B2 JP4801250B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=23783302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000357868A Expired - Fee Related JP4801250B2 (ja) | 1999-11-24 | 2000-11-24 | 堆積チャンバ内の基板上に膜を堆積する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6486081B1 (ja) |
| EP (1) | EP1103632A1 (ja) |
| JP (1) | JP4801250B2 (ja) |
| KR (1) | KR100743792B1 (ja) |
| SG (1) | SG97977A1 (ja) |
| TW (1) | TW495805B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016526279A (ja) * | 2013-04-30 | 2016-09-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 空間的に分散されたガス流路を有する流量制御ライナー |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067440B1 (en) * | 2001-08-24 | 2006-06-27 | Novellus Systems, Inc. | Gap fill for high aspect ratio structures |
| JP3861036B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2006-12-20 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US20040231798A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-11-25 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US7055212B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Clean gas injector system for reactor chamber |
| US7122485B1 (en) | 2002-12-09 | 2006-10-17 | Novellus Systems, Inc. | Deposition profile modification through process chemistry |
| WO2004095502A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and method |
| KR100500246B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2005-07-11 | 삼성전자주식회사 | 가스공급장치 |
| ITMI20031196A1 (it) * | 2003-06-13 | 2004-12-14 | Lpe Spa | Sistema per crescere cristalli di carburo di silicio |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7163896B1 (en) | 2003-12-10 | 2007-01-16 | Novellus Systems, Inc. | Biased H2 etch process in deposition-etch-deposition gap fill |
| US7344996B1 (en) | 2005-06-22 | 2008-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Helium-based etch process in deposition-etch-deposition gap fill |
| US7476621B1 (en) | 2003-12-10 | 2009-01-13 | Novellus Systems, Inc. | Halogen-free noble gas assisted H2 plasma etch process in deposition-etch-deposition gap fill |
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7109114B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD seasoning process for high power HDP-CVD gapfil to improve particle performance |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US7217658B1 (en) | 2004-09-07 | 2007-05-15 | Novellus Systems, Inc. | Process modulation to prevent structure erosion during gap fill |
| US7387811B2 (en) | 2004-09-21 | 2008-06-17 | Superpower, Inc. | Method for manufacturing high temperature superconducting conductors using chemical vapor deposition (CVD) |
| US7176039B1 (en) | 2004-09-21 | 2007-02-13 | Novellus Systems, Inc. | Dynamic modification of gap fill process characteristics |
| KR100782369B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
| US7381451B1 (en) | 2004-11-17 | 2008-06-03 | Novellus Systems, Inc. | Strain engineering—HDP thin film with tensile stress for FEOL and other applications |
| US7722737B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for improved transient phase deposition |
| KR100782380B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
| US7211525B1 (en) | 2005-03-16 | 2007-05-01 | Novellus Systems, Inc. | Hydrogen treatment enhanced gap fill |
| JP4519037B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び塗布、現像装置 |
| US7482245B1 (en) | 2006-06-20 | 2009-01-27 | Novellus Systems, Inc. | Stress profile modulation in STI gap fill |
| CN100446195C (zh) * | 2006-08-23 | 2008-12-24 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 改善氟硅玻璃填隙性的方法 |
| US20090221149A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hammond Iv Edward P | Multiple port gas injection system utilized in a semiconductor processing system |
| US8133797B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Protective layer to enable damage free gap fill |
| US20100098882A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for chamber cleaning and process |
| DK2251454T3 (da) | 2009-05-13 | 2014-10-13 | Sio2 Medical Products Inc | Coating og inspektion af beholder |
| US9545360B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-01-17 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US7985188B2 (en) | 2009-05-13 | 2011-07-26 | Cv Holdings Llc | Vessel, coating, inspection and processing apparatus |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| DE212010000009U1 (de) * | 2009-09-10 | 2011-05-26 | LAM RESEARCH CORPORATION (Delaware Corporation), California | Auswechselbare obere Kammerteile einer Plasmaverarbeitungsvorrichtung |
| US9127360B2 (en) * | 2009-10-05 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial chamber with cross flow |
| KR101092122B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2011-12-12 | 주식회사 디엠에스 | 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템 |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| CN103930595A (zh) | 2011-11-11 | 2014-07-16 | Sio2医药产品公司 | 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备 |
| US9941100B2 (en) * | 2011-12-16 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle |
| US9412579B2 (en) * | 2012-04-26 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling substrate uniformity |
| US9249367B2 (en) * | 2012-07-06 | 2016-02-02 | Gas Technology Institute | Injector having interchangeable injector orifices |
| US20140038421A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition Chamber and Injector |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| EP2920567B1 (en) | 2012-11-16 | 2020-08-19 | SiO2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| WO2014085348A2 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| KR102211788B1 (ko) | 2013-03-11 | 2021-02-04 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 코팅된 패키징 |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| CN107424901B (zh) | 2013-03-12 | 2019-06-11 | 应用材料公司 | 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件 |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| EP3122917B1 (en) | 2014-03-28 | 2020-05-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| KR102215965B1 (ko) | 2014-04-11 | 2021-02-18 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10113232B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-10-30 | Lam Research Corporation | Azimuthal mixer |
| US9951421B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Inlet for effective mixing and purging |
| WO2016182648A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a processing system |
| KR102417930B1 (ko) | 2015-08-13 | 2022-07-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 증착 장치 및 이를 포함하는 증착 시스템 |
| KR20180048694A (ko) | 2015-08-18 | 2018-05-10 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기 |
| US10662529B2 (en) * | 2016-01-05 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Cooled gas feed block with baffle and nozzle for HDP-CVD |
| KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| WO2018022137A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Applied Materials, Inc. | Gas purge system and method for outgassing control |
| US11469079B2 (en) * | 2017-03-14 | 2022-10-11 | Lam Research Corporation | Ultrahigh selective nitride etch to form FinFET devices |
| KR102501660B1 (ko) * | 2017-09-13 | 2023-02-20 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 프로그램 |
| US11077410B2 (en) * | 2017-10-09 | 2021-08-03 | Applied Materials, Inc. | Gas injector with baffle |
| US10704141B2 (en) * | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
| US10751765B2 (en) * | 2018-08-13 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source cleaning nozzle for cleaning a gas distribution plate |
| JP7285152B2 (ja) * | 2019-07-08 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TW202230438A (zh) * | 2020-10-05 | 2022-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 氣體供給環及基板處理裝置 |
| CN112695301A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-23 | 湖南顶立科技有限公司 | 一种气流旋转均匀的气相沉积装置 |
| US20220208523A1 (en) * | 2020-12-31 | 2022-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece Processing Apparatus with Outer Gas Channel Insert |
| DE102022102768A1 (de) * | 2022-02-07 | 2023-08-10 | Stephan Wege | Symmetrischer Prozessreaktor |
| WO2024193763A1 (de) * | 2023-03-17 | 2024-09-26 | Stephan Wege | Prozessreaktor und vefahren für die herstellung von strukturen auf einem substrat |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10340900A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-22 | Applied Materials Inc | 低誘電率膜用高堆積率レシピ |
| JPH1167746A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-03-09 | Applied Materials Inc | Ｈｄｐ−ｃｖｄ装置内の粒子特性を改善するシーズニングプロセスにおける酸素対シランの比の制御 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0830273B2 (ja) | 1986-07-10 | 1996-03-27 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法及び装置 |
| US4949669A (en) | 1988-12-20 | 1990-08-21 | Texas Instruments Incorporated | Gas flow systems in CCVD reactors |
| JPH02222134A (ja) | 1989-02-23 | 1990-09-04 | Nobuo Mikoshiba | 薄膜形成装置 |
| US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
| US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| JP3122601B2 (ja) | 1995-06-15 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜方法及びその装置 |
| TW356554B (en) | 1995-10-23 | 1999-04-21 | Watkins Johnson Co | Gas injection system for semiconductor processing |
| US6070551A (en) | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| TW343356B (en) | 1996-05-13 | 1998-10-21 | Applied Materials Inc | Deposition chamber and method for depositing low dielectric films |
| AU3145197A (en) | 1996-06-28 | 1998-01-21 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition |
| US6184158B1 (en) | 1996-12-23 | 2001-02-06 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma CVD |
| JP3287392B2 (ja) | 1997-08-22 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-11-24 US US09/449,203 patent/US6486081B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-15 TW TW089124213A patent/TW495805B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-16 EP EP00125043A patent/EP1103632A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-21 SG SG200006751A patent/SG97977A1/en unknown
- 2000-11-24 JP JP2000357868A patent/JP4801250B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-24 KR KR1020000070291A patent/KR100743792B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10340900A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-22 | Applied Materials Inc | 低誘電率膜用高堆積率レシピ |
| JPH1167746A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-03-09 | Applied Materials Inc | Ｈｄｐ−ｃｖｄ装置内の粒子特性を改善するシーズニングプロセスにおける酸素対シランの比の制御 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016526279A (ja) * | 2013-04-30 | 2016-09-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 空間的に分散されたガス流路を有する流量制御ライナー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1103632A1 (en) | 2001-05-30 |
| TW495805B (en) | 2002-07-21 |
| SG97977A1 (en) | 2003-08-20 |
| US6486081B1 (en) | 2002-11-26 |
| JP4801250B2 (ja) | 2011-10-26 |
| KR20010051925A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100743792B1 (ko) | 2007-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4801250B2 (ja) | 堆積チャンバ内の基板上に膜を堆積する方法 | |
| JP4467191B2 (ja) | ガス分配システムを有するｃｖｄ処理チャンバ及びそれを用いた膜の堆積方法 | |
| US6083344A (en) | Multi-zone RF inductively coupled source configuration | |
| US6286451B1 (en) | Dome: shape and temperature controlled surfaces | |
| US6077357A (en) | Orientless wafer processing on an electrostatic chuck | |
| US6189483B1 (en) | Process kit | |
| US6109206A (en) | Remote plasma source for chamber cleaning | |
| EP0819780B1 (en) | Inductively coupled HDP-CVD reactor | |
| US5994662A (en) | Unique baffle to deflect remote plasma clean gases | |
| US6514870B2 (en) | In situ wafer heat for reduced backside contamination | |
| KR100611610B1 (ko) | Hdp－cvd시스템에서의입자성능을개선하기위한시즈닝프로세스에서의산소대실란비율조절 | |
| US7510624B2 (en) | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications | |
| US6553932B2 (en) | Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes | |
| JP2002198367A (ja) | Ｈｄｐ−ｃｖｄを使用してシリコンリッチ酸化物を堆積する制御された方法 | |
| KR101216360B1 (ko) | 유도성으로 결합된 플라즈마 반응기들의 열적 관리 | |
| US20010042513A1 (en) | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071102 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101124 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110323 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110530 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110805 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |