KR100500246B1 - 가스공급장치 - Google Patents
가스공급장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100500246B1 KR100500246B1 KR10-2003-0022366A KR20030022366A KR100500246B1 KR 100500246 B1 KR100500246 B1 KR 100500246B1 KR 20030022366 A KR20030022366 A KR 20030022366A KR 100500246 B1 KR100500246 B1 KR 100500246B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- injection nozzle
- supply device
- adapter
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4558—Perforated rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
Abstract
본 발명은, 기판의 표면에 증착용 가스를 공급하기 위한 가스공급장치에 관한 것으로서, 그 내부를 따라 환상으로 형성된 가스공급로와, 상기 가스공급로에서 중심방향으로 형성된 복수의 가스분배로를 갖는 환상의 가스공급링과; 상기 각 가스분배로에 연통하는 가스분사노즐을 가지며, 상기 가스공급링의 내측에 탈착가능하게 결합되는 복수의 어댑터를 포함하며, 상기 복수의 어댑터는 상기 가스분사노즐의 분사형태를 달리하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 다양한 기판에 최적으로 균일하게 가스를 분사시킬 수 있다.
Description
본 발명은 가스공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 챔버 내에 위치한 기판의 표면에 증착용 가스를 공급하기 위한 구조를 개선한 가스공급장치에 관한 것이다.
가스공급장치는 반도체 제조공정의 챔버 내에 위치한 웨이퍼(wafer)와 같은 기판의 표면에 증착되는 가스를 공급하기 위한 장치이다.
일반적으로, 가스공급장치는 기판의 표면에 균일하게 가스가 분포되도록 가스를 공급하는 것이 중요하다.
이에, 이러한 가스공급장치에 관련된 선행기술이 미국특허 US6,143,078호의 CVD(chemical vapor deposition) 공정 챔버의 가스공급장치에 개시되어 있다. 이러한 종래의 기판에 얇은 막을 증착하기 위한 가스공급장치는 도 12에 도시된 바와 같이, 공정챔버 내의 가스공급링(410)에 마련된 복수의 포트와, 복수의 포트 중 일부에 배치되어 제1가스를 소정거리 분사시키기 위한 복수의 제1가스노즐(404)과, 복수의 포트 중 나머지에 배치되어 제2가스를 소정거리 분사시키기 위한 복수의 제2가스노즐(402)을 포함한다.
제1가스노즐(404) 및 제2가스노즐(402)은 각각 다른 각도로 가스공급링(410)에 고정되어 있다.
이에, 제1가스노즐(404) 및 제2가스노즐(402)을 통해 상이한 가스를 챔버내로 분사할 수 있게 된다.
그런데, 최근에는 다양한 용량의 웨이퍼와 같은 기판이 개발되고 있으며, 이에 따라 다양한 기판의 표면에 균일한 증착을 위해서는 다양한 가스분사위치 및 가스분사각도를 갖는 가스분사노즐이 필요하게 된다.
그러나, 이러한 종래의 가스공급장치는 가스공급링(410)에 장착된 제1가스노즐(404) 및 제2가스노즐(402)이 서로 상이하지만 고정된 각도를 이루고 있어, 다양한 기판에 대응하여 가스분사노즐의 분사위치나 분사각도를 다양하게 변화 시킬 수 없으므로 다양한 기판에 최적으로 균일한 분사를 할 수 없는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 다양한 기판에 최적으로 균일하게 가스를 분사할 수 있는 가스공급장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판의 표면에 증착용 가스를 공급하기 위한 가스공급장치에 있어서, 그 내부를 따라 환상으로 형성된 가스공급로와, 상기 가스공급로에서 중심방향으로 형성된 복수의 가스분배로를 갖는 환상의 가스공급링과; 상기 각 가스분배로에 연통하는 가스분사노즐을 가지며, 상기 가스공급링의 내측에 탈착가능하게 결합되는 복수의 어댑터를 포함하며, 상기 복수의 어댑터는 상기 가스분사노즐의 분사형태를 달리하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 가스분사노즐의 분사형태는 분사각도와 분사위치 중 적어도 어느 하나를 달리하는 것이 바람직하다.
상기 가스공급링의 상기 가스공급로 및 상기 복수의 가스분배로는 복수로 마련되며, 상기 어댑터는 상기 가스분사노즐과 연통되도록 상하방향으로 형성되며, 상기 가스분배로와 연통되는 가스연결로를 더 갖는 것이 바람직하다.
상기 가스분배로를 각각 선택적으로 차단할 수 있는 차단수단을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 차단수단은 각 가스분배로에 삽입되어 상기 가스분배로를 차단할 수 있는 복수의 차단부재를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 가스공급링에는 상기 각 어댑터를 수용하기 위한 복수의 어댑터수용부이 형성된 것이 바람직하다.
상기 어댑터수용부 내의 상기 각 가스분배로의 출구에는 상기 차단부재를 수용하기 위한 차단부수용부가 형성된 것이 바람직하다.
상기 가스분사노즐과 연통되도록 상기 각 어댑터에 착탈가능하게 결합된 복수의 보조분사노즐을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 어댑터에는 상기 가스분사노즐과 연통되어 상기 보조분사노즐을 지지하는 보조분사노즐지지부가 마련된 것이 바람직하다.
상기 보조분사노즐은 상기 가스분사노즐의 가스분사방향과 소정의 각도를 이루는 것이 바람직하다.
상기 가스분사노즐은 상기 가스연결로에서 중심방향으로 수평되게 관통되는 것이 바람직하다.
상기 가스분사노즐은 상기 가스연결로에서 중심방향으로 하향 경사지게 관통되는 것이 바람직하다.
상기 가스분사노즐은 상기 가스연결로에서 중심방향으로 상향 경사지게 관통되는 것이 바람직하다.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 하다.
이하에서는, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 가스공급장치가 마련된 챔버의 단면도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 챔버(1)는, 베이스(7)와, 베이스(7)의 상측에 마련된 환상의 가스공급장치(20)와, 가스공급장치(20)의 내측 중앙에 마련되어 웨이퍼(wafer)와 같은 기판(10)을 지지하는 기판지지대(11)와, 가스공급장치(20)의 상측에 마련된 세라믹판(3)과, 세라믹판(3)의 상측에 마련된 플라스마안테나(plasma antenna)(5)와, 외부에 위치한 기판(10)을 기판지지대(11)에 안착시킬 수 있도록 형성된 기판공급구(미도시)와, 가스공급장치(20)로부터 공급된 가스를 배출할 수 있게 마련된 가스배출부(15) 등을 포함한다.
플라스마안테나(5)는 세라믹판(3)의 상측에 코일형상으로 마련되어 교류전원이 공급되는 구리선(미도시)을 갖는다. 이러한 플라스마안테나(5)는 가스공급장치(20)로부터 챔버(1) 내로 공급되는 가스가 용이하게 기판에 증착되도록 플라스마상태로 만드는 역할을 한다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 가스공급장치(20)는 그 내부에 형성된 가스공급로(23) 및 가스분배로(25)를 갖는 환상의 가스공급링(21)과, 각 가스분배로(25)에 연통하는 가스분사노즐(31)을 가지며 가스공급링(21)의 내측에 착탈가능하게 결합되는 복수의 어댑터(30)를 포함한다.
가스공급링(21)은 그 내부를 따라 환상으로 형성된 가스공급로(23)와, 가스공급로(23)에서 중심방향으로 관통된 복수의 가스분배로(25)를 갖는다. 그리고, 가스공급링(21)은 이러한 가스공급로(23)가 형성될 수 있게 상하로 분리가능하게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 가스공급링(21)에는 각 어댑터(30)를 수용하기 위한 복수의 어댑터수용부(27)가 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 가스공급링(21)은 복수의 가스분배로(25)를 선택적으로 차단할 수 있는 차단수단을 더 마련되는 것이 바람직하다.
가스공급로(23)는 복수의 상이한 가스를 공급할 수 있게 복수로 형성되는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 가스공급로(23)가 제1가스 및 제2가스를 공급할 수 있게 제1가스공급로(23a) 및 제2가스공급로(23b)로 마련된다. 그리고, 각 가스공급로(23)는 외부에 형성된 도시되지 않은 각 가스공급부와 연결되어 가스를 공급받게 된다.
가스분배로(25)는 제1가스를 제1가스공급로(23a)로부터 챔버(1) 내부로 공급하기 위해 제1가스공급로(23a)와 연통된 복수의 제1가스분배로(25a)와, 제2가스를 제2가스공급로(23b)로부터 챔버(1) 내부로 공급하기 위해 제2가스공급로(23b)와 연통된 복수의 제2가스분배로(25b)를 갖는다. 그리고, 차단수단은 가스분배로(25)를 차단할 수 있도록 가스분배로(25)의 단부에 마련되는 것이 바람직하다.
각 어댑터수용부(27)는 하나의 제1가스분배로(25a) 및 하나의 제2가스분배로(25b)와 연통가능하게 어댑터(30)의 형상에 대응하여 가스공급링(21)의 내측에 함몰된다. 그리고, 어댑터수용부(27)에는 어댑터(30)의 스크루체결공(35)과 스크루(37)에 의해 체결되도록 스크루공(28)이 형성된다.
차단수단은 각 가스분배로(25)에 삽입되어 가스분배로(25)를 차단할 수 있는 복수의 차단부재(40)를 포함하는 것이 바람직하다. 그러나, 차단수단은 복수의 가스분배로(25)를 선택적으로 차단할 수 있는 밸브장치일 수도 있음은 물론이다.
차단부재(40)는 어댑터수용부(27) 내의 각 가스분배로(25)의 출구에 형성되며 차단부재(40)에 대응하여 함몰된 차단부재수용부(29)에 삽입되는 것이 바람직하다. 그리고, 차단부재(40)는 원통형상으로 마련되며, 그 중앙영역에 가스의 누출을 방지할 수 있는 오링(41)이 마련되는 것이 바람직하다. 그리고, 이러한 오링(41)은 복수개 마련될 수도 있음은 물론이다.
차단부재수용부(29)는 제1가스분배로(25a)의 출구에 마련된 제1차단부재수용부(29a)와, 제2가스분배로(25b)의 출구에 마련된 제2차단부재수용부(29b)를 포함하는 것이 바람직하다.
이에, 차단부재(40)는 어댑터수용부(27)의 내측면에 형성된 제1차단부재수용부(29a) 및 제2차단부재수용부(29b)중 하나를 선택적으로 차단할 수 있게 된다.
어댑터(30)는 가스공급링(21)에 형성된 복수의 어댑터수용부(27)에 착탈가능하게 복수개 마련된다. 그리고, 어댑터(30)의 가스분사노즐(31)은 분사형태를 달리할 수 있게 다양한 형태로 제작된다. 이러한 가스분사노즐(31)의 분사형태는 분사각도와 분사위치 중 적어도 어느 하나를 달리하는 것이 바람직하다. 또한, 어댑터(30)는 가스분사노즐(31)과 연통되도록 상하방향으로 형성되며, 제1 및 제2가스분배로(25a,25b)와 연통되는 가스연결로(33)를 더 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 어댑터(30)는 스크루(37)에 의해 어댑터수용부(27)의 스크루공(28)과 체결가능하게 한 쌍의 스크루체결공(35)을 갖는 것이 바람직하다. 이에, 어댑터(30)는 가스공급링(21)에 착탈가능하게 결합될 수 있다.
가스연결로(33)는 가스분배로(25)의 출구와 접하는 어댑터(30)에 상하방향으로 함몰되어, 제1가스분배로(25a) 및 제2가스분배로(25b)와 연통가능하게 마련될 뿐만 아니라 가스분사노즐(31)의 분사각도 및 분사위치를 다르게 형성할 수 있다.
이러한 다양한 가스분사노즐(31)이 형성된 어댑터(30)가 도 5a 내지 도 7b에 도시되어 있다.
도 5a 내지 도 5b에는, 가스분사노즐(31)이 가스연결로(33)에서 중심방향으로 수평되게 관통된 경우이다. 이러한 경우, 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 중앙영역에 형성될 수 있으며(도 5a 참조), 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 상부영역에 형성될 수 있으며(도 5a 참조), 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 하부영역에 형성될 수도 있음은 물론이다(도 5a 참조).
도 6a 및 도 6b에는, 가스분사노즐(31)이 가스연결로(33)에서 중심방향으로 하향 경사지게 관통된 경우이다. 이러한 경우, 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 하부영역에 형성할 수 있으며(도 6a 참조), 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 상부영역에 형성할 수도 있음은 물론이다(도 6b 참조).
도 7a 및 도 7b에는, 가스분사노즐(31)이 가스연결로(33)에서 중심방향으로 상향 경사지게 관통된 경우이다. 이러한 경우, 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 하부영역에 형성할 수 있으며(도 7a 참조), 가스분사노즐(31)이 어댑터(30)의 상부영역에 형성할 수도 있음은 물론이다(도 7b 참조).
이러한 구성에 의해, 본 발명의 제1실시예에 따른 가스공급장치의 결합 및 작동 과정을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 차단부재(40)를 이용하여 각 어댑터수용부(29)에 마련된 제1가스분배로(25a) 및 제2가스분배로(25b) 중 어느 하나를 차단한다. 그리고, 전술한 바와 같은 다양한 형태의 가스분사노즐(31)이 형성된 어댑터(30)를 선택적으로 각 어댑터수용부(27)에 결합하다. 이에, 기판지지대(11)에 위치한 기판(10)에 대해 분사각도 및 분사위치를 선택하여 가스를 분사할 수 있게 된다. 그리고, 기판(10)의 종류가 변경될 때에는, 다양한 형태의 어댑터(30)를 적용하여 실험해 봄으로써, 가장 최적의 분사형태를 갖는 어댑터(30)를 선택할 수 있게 된다.
이에, 본 발명의 제1실시예에 따른 가스공급장치(20)는 다양한 형태의 가스분사노즐(31)이 형성된 어댑터(30)를 선택적으로 용이하게 착탈시킬 수 있으며, 다양한 기판(10)에 최적으로 균일하게 가스를 분사시킬 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 가스공급장치의 사시도 및 부분 분해 사시도이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 제2실시예는 어댑터(30)의 가스분사노즐(31)이 분사되는 출구영역에 가스분사노즐(31)과 연통되도록 각 어댑터(30)에 착탈가능하게 결합된 복수의 보조분사노즐(50)이 더 마련된다는 것이 제1실시예의 차이점이다.
보조분사노즐(50)은 소정의 길이를 형성하고 있다. 그리고, 어댑터(51)에는 가스분사노즐(31)과 연통되어 보조분사노즐(50)을 지지하는 보조분사노즐지지부(51)가 더 마련되는 것이 바람직하다.
보조분사노즐지지부(51)는 어댑터(30)에 대해 다양한 각도로 마련될 수도 있음은 물론이다(도 10a 내지 도 10c 참조).
도 10a에는, 보조분사노즐(50)이 어댑터(30)로부터 수평방향으로 가스를 분사할 수 있도록 보조분사노즐지지부(51)가 형성된다. 도 10b에는, 보조분사노즐(50)이 어댑터(30)로부터 하향 경사지게 가스를 분사할 수 있도록 보조분사노즐지지부(51)가 형성된다. 도 10c에는, 보조분사노즐(50)이 어댑터(30)로부터 상향 경사지게 가스를 분사할 수 있도록 보조분사노즐지지부(51)가 형성된다.
그리고, 도 10a 내지 도 10c에서는 중앙영역에서 수평으로 가스가 분사되는 가스분사노즐(31)이 형성된 어댑터(30)에 보조분사노즐지지부(51)가 형성된 경우만을 도시하였는데, 이러한 보조분사노즐지지부(51)가 전술한 제1실시예의 다른 분사형태를 갖는 어댑터(30)에도 형성될 수 있음은 물론이다.
이러한 구성에 의해, 본 발명의 제2실시예에 따른 가스공급장치도 본 발명의 목적을 달성할 수 있음은 물론이고, 보조분사노즐(50)이 소정의 길이를 가지고 있으므로 더욱 정확하게 기판에 가스를 분사시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 가스공급장치의 사시도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 제3실시예는 가스공급링(21)에 하나의 가스공급로(23c)가 형성되며, 이러한 하나의 가스공급로(23c)에 연통된 복수의 가스분배로(25c)가 마련된다는 점이 전술한 실시예들과의 차이점이다.
이러한 경우에도, 제1실시예와 같이 다양한 형태의 어댑터(30)를 선택적으로 사용할 수 있으며, 제2실시예와 같이 보조분사노즐(50)을 사용할 수 있음은 물론이다. 이에, 본 발명의 제3실시예에 따른 가스공급장치도 역시 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판의 표면에 증착용 가스를 공급하기 위한 가스공급장치는, 그 내부를 따라 환상으로 형성된 가스공급로와 가스공급로에서 중심방향으로 형성된 복수의 가스분배로를 갖는 환상의 가스공급링과, 각 가스분배로에 연통하는 가스분사노즐을 가지며 가스공급링의 내측에 탈착가능하게 결합되는 복수의 어댑터를 포함하며, 복수의 어댑터가 가스분사노즐의 분사형태를 달리함으로써, 다양한 기판에 최적으로 균일하게 가스를 분사시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 착탈이 용이하며 다양한 분사형태를 갖는 가스분사노즐이 형성된 어댑터를 마련하여 다양한 기판에 최적으로 균일하게 가스를 분사시킬 수 있다.
그리고, 보조분사노즐은 더 마련함으로써, 더욱 정확하게 기판에 가스를 분사시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 가스공급장치가 마련된 챔버의 단면도,
도 2는 도 1의 가스공급장치의 부분 절취 사시도,
도 3은 도 2의 가스공급장치의 부분 분해 사시도,
도 4는 도 2의 가스공급장치의 단면도,
도 5a 내지 도 7b는 도 2의 가스공급장치에 장착되는 어댑터의 가스분사노즐의 형태를 달리한 단면도,
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 가스공급장치의 부분 사시도,
도 9는 도 8의 가스공급장치의 부분 분해 사시도,
도 10a 내지 도 10c는 도 8의 가스공급장치에 장착되는 어댑터의 보조분사노즐의 형태를 달리한 사시도,
도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 가스공급장치의 부분 절취 사시도,
도 12는 종래의 가스공급장치의 가스공급링의 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 챔버 3 : 세라믹판
5 : 플라스마안테나 7 : 베이스
10 : 기판 11 : 기판지지대
15 : 가스배출부 20 : 가스공급장치
21 : 가스공급링 23 : 가스공급로
25 : 가스분배로 27 : 어댑터수용부
28 : 스크루공 29 : 차단부재수용부
30 : 어댑터 31 : 가스분사노즐
33 : 가스연결로 35 : 스크루체결공
40 : 차단부재 41 : 오링
50 : 보조분사노즐 51 : 보조분사노즐지지부
Claims (14)
- 기판의 표면에 증착용 가스를 공급하기 위한 가스공급장치에 있어서,그 내부를 따라 환상으로 형성된 가스공급로와, 상기 가스공급로에서 중심방향으로 형성된 복수의 가스분배로를 갖는 환상의 가스공급링과;상기 각 가스분배로에 연통하는 가스분사노즐을 가지며, 상기 가스공급링의 내측에 탈착가능하게 결합되는 복수의 어댑터를 포함하며,상기 복수의 어댑터는 상기 가스분사노즐의 분사형태를 달리하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 가스분사노즐의 분사형태는 분사각도와 분사위치 중 어느 하나를 달리하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 가스분사노즐의 분사형태는 분사각도 및 분사위치를 달리하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 가스공급링의 상기 가스공급로는 복수로 마련되며,상기 어댑터는 상기 가스분사노즐과 연통되도록 상하방향으로 형성되며, 상기 가스분배로와 연통되는 가스연결로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제4항에 있어서,상기 가스분배로를 각각 선택적으로 차단할 수 있는 차단수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제5항에 있어서,상기 차단수단은 각 가스분배로에 삽입되어 상기 가스분배로를 차단할 수 있는 복수의 차단부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제6항에 있어서,상기 가스공급링에는 상기 각 어댑터를 수용하기 위한 복수의 어댑터수용부이 형성된 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제7항에 있어서,상기 어댑터수용부 내의 상기 각 가스분배로의 출구에는 상기 차단부재를 수용하기 위한 차단부재수용부가 형성된 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제8항에 있어서,상기 가스분사노즐과 연통되도록 상기 각 어댑터에 착탈가능하게 결합된 복수의 보조분사노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제9항에 있어서,상기 어댑터에는 상기 가스분사노즐과 연통되어 상기 보조분사노즐을 지지하는 보조분사노즐지지부가 마련된 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제10항에 있어서,상기 보조분사노즐은 상기 가스분사노즐의 가스분사방향과 소정의 각도를 이루는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제4항에 있어서,상기 가스분사노즐은 상기 가스연결로에서 중심방향으로 수평되게 관통되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제4항에 있어서,상기 가스분사노즐은 상기 가스연결로에서 중심방향으로 하향 경사지게 관통되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
- 제4항에 있어서,상기 가스분사노즐은 상기 가스연결로에서 중심방향으로 상향 경사지게 관통되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0022366A KR100500246B1 (ko) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | 가스공급장치 |
JP2003349921A JP4142545B2 (ja) | 2003-04-09 | 2003-10-08 | ガス供給装置 |
CNB200410001360XA CN1263092C (zh) | 2003-04-09 | 2004-01-07 | 供气装置 |
US10/801,852 US7303141B2 (en) | 2003-04-09 | 2004-03-17 | Gas supplying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0022366A KR100500246B1 (ko) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | 가스공급장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040088242A KR20040088242A (ko) | 2004-10-16 |
KR100500246B1 true KR100500246B1 (ko) | 2005-07-11 |
Family
ID=33308279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0022366A KR100500246B1 (ko) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | 가스공급장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7303141B2 (ko) |
JP (1) | JP4142545B2 (ko) |
KR (1) | KR100500246B1 (ko) |
CN (1) | CN1263092C (ko) |
Families Citing this family (325)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060059305A (ko) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 장비 |
US7722737B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for improved transient phase deposition |
ATE491220T1 (de) * | 2005-10-05 | 2010-12-15 | Pva Tepla Ag | Plasmaätzverfahren und ätzkammer |
US7794667B2 (en) * | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
US8043432B2 (en) * | 2007-02-12 | 2011-10-25 | Tokyo Electron Limited | Atomic layer deposition systems and methods |
CN101369515B (zh) * | 2007-08-16 | 2011-08-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室 |
CN101465276B (zh) * | 2007-12-19 | 2012-07-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备 |
US8721836B2 (en) * | 2008-04-22 | 2014-05-13 | Micron Technology, Inc. | Plasma processing with preionized and predissociated tuning gases and associated systems and methods |
US8291857B2 (en) | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9297072B2 (en) * | 2008-12-01 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20110097487A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including bonded plates |
KR101092122B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2011-12-12 | 주식회사 디엠에스 | 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템 |
US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
EP2646605A4 (en) * | 2010-11-30 | 2015-11-18 | Socpra Sciences Et Génie S E C | EPITAXIAL DEPOSITION APPARATUS, GAS INJECTORS AND CHEMICAL VAPOR MANAGEMENT SYSTEM ASSOCIATED WITH SAME |
US20120152900A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9574268B1 (en) | 2011-10-28 | 2017-02-21 | Asm America, Inc. | Pulsed valve manifold for atomic layer deposition |
US9249367B2 (en) * | 2012-07-06 | 2016-02-02 | Gas Technology Institute | Injector having interchangeable injector orifices |
US20140038421A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition Chamber and Injector |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9536710B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
KR102152858B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2020-09-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 방위각 및 방사상 분배 제어되는 다중-구역 가스 주입 조립체 |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
CN104752274B (zh) * | 2013-12-29 | 2017-12-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室以及半导体加工设备 |
US10683571B2 (en) * | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
CN106663606A (zh) * | 2014-06-20 | 2017-05-10 | 应用材料公司 | 用于将气体注入外延腔室的设备 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US10113232B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-10-30 | Lam Research Corporation | Azimuthal mixer |
KR20160021958A (ko) * | 2014-08-18 | 2016-02-29 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US9951421B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Inlet for effective mixing and purging |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
WO2016200568A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Applied Materials, Inc. | An injector for semiconductor epitaxy growth |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
JP7166759B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2022-11-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hdp-cvdチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10662527B2 (en) * | 2016-06-01 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Manifolds for uniform vapor deposition |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
WO2018022137A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Applied Materials, Inc. | Gas purge system and method for outgassing control |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR20180086669A (ko) * | 2017-01-23 | 2018-08-01 | 에드워드 코리아 주식회사 | 질소 산화물 감소 장치 및 가스 처리 장치 |
KR102646623B1 (ko) | 2017-01-23 | 2024-03-11 | 에드워드 코리아 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 및 가스 처리 장치 |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
CN107012447B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种扩散装置和沉积腔室 |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP1648531S (ko) * | 2019-01-28 | 2019-12-23 | ||
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11492701B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210048408A (ko) | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 증착 반응기 매니폴드 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202230438A (zh) * | 2020-10-05 | 2022-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 氣體供給環及基板處理裝置 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115178117B (zh) * | 2022-07-06 | 2024-01-16 | 中国计量大学 | 一种搭载于多媒体设备的适用场景气味混配装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69024719T2 (de) | 1989-08-14 | 1996-10-02 | Applied Materials Inc | Gasverteilungssystem und Verfahren zur Benutzung dieses Systems |
TW356554B (en) * | 1995-10-23 | 1999-04-21 | Watkins Johnson Co | Gas injection system for semiconductor processing |
US5772771A (en) | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
JP2000514136A (ja) * | 1996-06-28 | 2000-10-24 | ラム リサーチ コーポレイション | 高密度プラズマ化学蒸着装置および方法 |
US6012591A (en) | 1997-01-23 | 2000-01-11 | Brandenberg; Carl Brock | Apparatus for supporting modular and cooperating components |
US6197683B1 (en) * | 1997-09-29 | 2001-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact of semiconductor device using the same |
US6187133B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Gas manifold for uniform gas distribution and photochemistry |
US6143078A (en) | 1998-11-13 | 2000-11-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for a CVD processing chamber |
US6486081B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for a CVD processing chamber |
US6263829B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
US6415736B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
KR20010019989A (ko) | 1999-08-31 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 공정 챔버 내의 반응 가스 공급 장치 |
KR200205574Y1 (ko) | 2000-07-07 | 2000-12-01 | 엘지전자주식회사 | 무접점 충전식 리모트 콘트롤러 |
US6470946B2 (en) | 2001-02-06 | 2002-10-29 | Anadigics, Inc. | Wafer demount gas distribution tool |
US6818249B2 (en) * | 2003-03-03 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
-
2003
- 2003-04-09 KR KR10-2003-0022366A patent/KR100500246B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-10-08 JP JP2003349921A patent/JP4142545B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-07 CN CNB200410001360XA patent/CN1263092C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-17 US US10/801,852 patent/US7303141B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4142545B2 (ja) | 2008-09-03 |
CN1536612A (zh) | 2004-10-13 |
JP2004307990A (ja) | 2004-11-04 |
US20040217217A1 (en) | 2004-11-04 |
CN1263092C (zh) | 2006-07-05 |
KR20040088242A (ko) | 2004-10-16 |
US7303141B2 (en) | 2007-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100500246B1 (ko) | 가스공급장치 | |
TWI731078B (zh) | 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部 | |
US10825659B2 (en) | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector | |
KR102122113B1 (ko) | 튜닝가능한 가스 흐름 제어를 위한 가스 스플리터를 포함하는 가스 공급 전달 장치 | |
KR100862658B1 (ko) | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 | |
US6015591A (en) | Deposition method | |
KR100782369B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
KR100509231B1 (ko) | 박막증착용 반응용기 | |
KR100661198B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공 장치 및 방법 | |
KR20060059305A (ko) | 반도체 공정 장비 | |
KR20060107683A (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
KR20080013552A (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
KR20100071604A (ko) | 분사각도의 조절이 가능한 분사노즐을 가지는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치 | |
KR20070021637A (ko) | 샤워 헤드 및 샤워 헤드를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20110021624A (ko) | 원료 물질 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
KR20080000990A (ko) | 기판처리장치 | |
KR20010104572A (ko) | 화학기상 증착장치 | |
KR102494263B1 (ko) | 기판처리장치 | |
US20220181128A1 (en) | Apparatus for cleaning plasma chambers | |
JP2023512451A (ja) | 溝の輪郭を最適化するために複数のゾーンを有するガス分配プレート | |
KR20230080481A (ko) | 통합된 전환 (divert) 플로우 경로를 갖는 샤워헤드 | |
KR20220068294A (ko) | 가스 공급 구조물 및 이를 구비하는 플라즈마 증착장치 | |
KR20090062717A (ko) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20010078621A (ko) | 화학기상증착장치 | |
KR20170090639A (ko) | 박막증착장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |