KR100377096B1 - 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체제조 장치는 공정을 진행하기 위한 챔버와, 챔버 내부의 상측에 형성된 절연부재와, 제 1 내지 제 2 공간을 제공하는 샤워헤드 어셈블리를 구비한다. 이 샤워헤드 어셈블리는 절연부재의 하부에 위치한 제 1 샤워헤드와, 제 1 샤워헤드의 하부에 위치한 제 2 샤워헤드와, 제 2 샤워헤드의 하부에 위치한 제 3 샤워헤드로 이루어지며, 제 1 공간은 절연부재와 제 1 샤워헤드사이에 형성되며, 플라즈마 가스를 유입하여 플라즈마를 생성하는 것에 의해 이온화가스를 발생된다. 제 2 공간은 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 사이에 형성되며, 원료가스가 유입된다. 제 3 공간은 제 2 샤워헤드와 제 3 샤워헤드 사이에 형성되며, 이온화 가스와 원료가스를 받아서 혼합하여 혼합가스를 만들어지며, 제 3 샤워헤드로부터 혼합가스는 서셉터상에 놓여진 웨이퍼를 향하여 분사된다.

Description

개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR FABRICATING APPARATUS HAVING IMPROVED SHOWER HEAD}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 개선된 샤워헤드(shower head)를 구비한 반도체 제조장치에 관한 것이다.
최근 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼는 대구경화되는 추세에 있다. 이러한 웨이퍼의 대구경화에 의해 반도체 소자 제조시 필수적인 공정인 웨이퍼 박막 증착 공정에서는 웨이퍼상에 증착된 박막 균일도의 중요성이 한층 증대되고 있다.
최근에는 이를 해결하기 위하여 화학기상 증착법에 의한 박막의 증착 과정에서의 박막의 균일도 향상을 위해 다양한 연구가 진행되어 왔다. 그 중의 한가지 시도는 아펙스에 의하여 국내특허출원 제1997-33864호에 개시된 바와 같이, 샤워헤드 내부에서 플라즈마와 원료가스가 혼합되지 않은 상태, 즉 별개의 상태로 분사되므로써, 웨이퍼에 균일한 박막이 형성될 수 있는 플라즈마 발생부를 가지는 2단계의 샤워헤드장치가 제시되었다.
그러나, 상술한 샤워헤드장치에서는 다음과 같은 문제점을 안고 있다.
도 1을 참조하면, 기존 샤워헤드장치에는 반응가스인 플라즈마 발생가스의 도입관(24)이 버퍼부(27)의 상부 중앙에 설치되어 있다. 따라서, 플라즈마 발생가스는 버퍼부(27)의 중앙에서부터 가장자리로 전파된다. 일반적으로 가스가 전파되는 시작 부분은 밀도가 높고 멀어질수록 농도나 밀도가 낮아지게 되는 것이다. 결국, 짧은 시간이지만 지속적인 동작으로 나타나게 되어 버퍼부(27)의 가장자리는 중앙부분(발생가스 도입관 주변)보다 상대적으로 가스 농도나 밀도가 매우 낮게 나타나는 문제점이 있다.
또한, 그리고 기존의 박막 증착 장치에서는 챔버(21) 내측벽에 원치 않은 플라즈마의 데포지션이 발생되기 때문에 주기적으로 챔버(21) 내측벽을 클리닝(cleaning)해주어야 하고, 이러한 클리닝은 작업이 불편하기 때문에 많은 시간이 소요되며(장비다운 시간증가), 챔버의 수명을 단축시키는 또 하나의 원인이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 새로운 형태의 샤워헤드 어셈블리를 제공하는데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 반응가스와 소스가스를 균일하게 공급할 수 있는 새로운 형태의 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 챔버 내측벽에 원치 않은 박막 증착을 방지할 수 있는 새로운 형태의 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 박막증착장치를 보여주는 정단면도;
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 MOCVD 공정용 반도체 장치를 나타낸 종단면도;
도 3은 도 2에 도시된 MOCVD 공정용 반도체 장치의 부분 확대도;
도 4는 가스 공급부의 구성도;
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 변형예를 보여주는 MOCVD 공정용 반도체 장치의 종단면도;
도 6은 도 5에 표시된 부분의 확대도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
112 : 절연부재 114 : TCP 코일
118 : RF 생성기 120 : 샤워헤드 어셈블리
122 : 제 1 샤워헤드 124 : 제 2 샤워헤드
126 : 제 3 샤워헤드 130 : 플라즈마 생성공간
132 : 원료가스 주입공간 134 : 혼합 공간
140 : 서셉터 150 : 실드
160 : 배플(baffle)
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 본 발명의 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치는 공정을 진행하기 위한 챔버와; 상기 챔버 내부의 상측에 형성된 절연부재와; 상기 절연부재의 하부에 위치한 제 1 샤워헤드와;
상기 절연부재와 상기 제 1 샤워헤드사이에 형성되어 있되, 플라즈마가스를 유입하여 플라즈마를 생성하는 것에 의해 이온화 가스를 발생하는 제 1 공간과; 상기 제 1 샤워헤드의 하부에 위치한 제 2 샤워헤드와; 상기 제 1 샤워헤드와 상기 제 2 샤워헤드 사이에 형성되어 있되, 원료가스를 유입하는 제 2 공간과; 상기 제 2 샤워헤드의 하부에 위치한 제 3 샤워헤드와; 상기 제 2 샤워헤드와 상기 제 3 샤워헤드사이에 형성되어 있되, 상기 이온화 가스와 상기 원료가스를 받아서 혼합하여 혼합가스를 만드는 제 3 공간을 갖는다. 그리고 이 장치는 상기 절연부재의 상측에 위치한 플라즈마 발생효율을 높이기 위한 플라즈마 발생부를 더 포함할 수 있다. 이와 같은 본 발명에서 상기 플라즈마 발생부는 TCP 또는 ICP 안테나를 전극으로 사용하거나 CCP와 같이 평판을 전극으로 사용할 수 있다. 이와 같은 본 발명에서 상기 챔버의 내측벽을 둘러싸도록 설치되는 착탈 가능한 실드(shield)를 더 구비할 수 있다. 이 실드는 상온에서 400도씨까지 온도 조절이 가능하도록 히팅 코일이 내재될 수 있다. 이와 같은 본 발명에서 상기 서셉터의 외주면과 상기 실드 사이에 설치되어 박막 증착 영역의 급격한 압력 변화를 최소화하기 위한 배플을 더 포함할 수 있다. 이와 같은 본 발명에서 금속 원소를 함유하는 액상의 원료를 가스화하여 상기 제 2 공간으로 반송하는 가스 공급부를 더 포함하되, 상기 가스 공급부는 기화기로 유입되는 캐리어 가스 배관상에 히팅부가 설치될 수 있다. 이 히팅부는 내부에 세라믹 볼들이 채워진 히팅박스로 이루이진 볼 탱크 타입일 수 있다. 이와 같은 본 발명에서 상기 제 2 공간에 유입되는 상기 원료가스는 상기 제 2 공간의 가장자리를 통하여 주입될 수 있다. 이와 같은 본 발명에서 상기 제 2공간에 유입되는 상기 원료가스가 상기 제 1 샤워헤드를 관통하되 상기 제 2 공간의 상부에 위치한 제 1 샤워헤드의 중앙부에서 상기 제 2 공간의 가장자리로 주입될 수 있다.
예컨대, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 내지 도 6을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 MOCVD에 적용되는 반도체 장치를 나타낸 종단면도이다. 도 3은 도 2의 부분 확대도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, MOCVD 장치(100)는 유기 금속(MO: Metal Organic)의 소스 가스와 반응 가스를 임의의 온도 및 적정량으로 반도체 기판 또는 이를 응용한 기판 위에 금속 박막을 성장시키는 것으로, 박막 증착 공정을 진행하기 위한 공정 챔버(110)의 내부 상측에는 소정 크기를 갖는 원형의 절연부재(112)가 장착된다. 이 절연부재(112)의 상면에는 플라즈마 영역에서 플라즈마 생성을 보다 활성화시키기 위한 TCP(Transformer Coupled Plasma) 코일(또는 ICP 코일)(114)이 설치된다. 이 TCP 코일(114)은 바이어스 전압을 인가하는 RF(Radio Frequency)생성기(118)와 연결된다. 상기 절연부재(112)의 하부에는 웨이퍼(W) 상에 혼합가스를 방사하는 샤워헤드 어셈블리(120)가 설치된다. 이 샤워헤드 어셈블리(120)는 다수의 샤워헤드들에 의해 플라즈마 생성공간(130), 원료가스 주입공간(132), 혼합 공간(134)을 제공한다. 샤워헤드 어셈블리를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
제 1 샤워헤드(122)는 상기 절연부재(112)의 하부에 위치하며, 이 절연부재(112)와 제 1 샤워헤드(122) 사이에는 플라즈마 생성공간(130)이 형성된다. 이 플라즈마 생성공간(130)에서는 플라즈마 발생가스(반응가스)가 제 1 도입관(130a) - 제 1 도입구(130b)(제 1 도입로는 절연부재에 형성됨을 알 수 있다.)- 제 1 분사구(130c)(제1분사구들은 절연부재와 챔버 몸체에 의해 형성됨을 알 수 있다.)들을 통해 플라즈마 생성공간(130)의 가장자리로부터 중앙으로 흐르게 된다. 즉, 플라즈마 생성공간(130)에서는 제 1 분사구(130c)들에서 분사된 플라즈마 발생가스가 가장자리에서 중앙으로 합쳐지기 때문에, 소정의 가스량을 주입할 경우 전체적으로 균일한 분포를 나타나게 된다는 특징이 있다. 플라즈마 생성공간(130)에서 생성된 이온화 가스(중성의 반응성 가스인 프리 래디칼(free radical))는 연결관(136)을 통해 혼합 공간(134)으로 제공된다.
상기 제 1 샤워헤드(122)의 하부에는 제 2 샤워헤드(124)가 위치되며, 이 제 1 샤워헤드(122)와 제 2 샤워헤드(124) 사이에는 원료가스(소스가스) 주입공간(132)이 형성된다. 원료가스는 제 2 도입관(132a) - 제 2 도입구(132b;제 2 도입로는 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 그리고 챔버 몸체에 의해 형성됨을 알 수 있다)- 제 2 분사구(132c)들을 통해 원료가스 주입공간(132)의 가장자리에서 중앙으로 흐르게 된다. 앞서 설명한 바와 같이, 원료가스 주입공간(132)에서도 원료가스가 가장자리에서부터 흐르기 때문에 전체적으로 균일한 가스 분포를 나타나게 됨을 알 수 있다. 원료가스 주입공간(132)의 원료가스는 제 2 샤워헤드(124)에 형성된 복수의 관통공(124a)들을 통해 상기 혼합 공간(126)으로 제공된다. 상기 제 2 도입관(132a)은 원료 가스 공급부(180)와 연결되며, 이 가스 공급부(180)는 원료가스 소오스(184)와 증발기(182)(vaporizer)를 갖는다. 가스 공급부(180)의 증발기는 금속 원소를 함유한 액상의 소스 원료를 가스화하는 부분으로, 도 4를 참조하면, 상기 증발기(182)로는 원료가스 소오스(184)로부터 액상의 소스 원료가 유입되는 제 1 공급관(186)과, 캐리어 가스(carrier gas; 헬륨 또는 수소 가스)가 유입되는 제 2 공급관(188)이 연결되어 있다. 여기서, 상기 제 2 공급관(188)에는 캐리어 가스를 가열하기 위해 제 1 히팅부(189)가 설치된다. 이 제 1 히팅부(189)는 내부에 세라믹 볼들이 채워진 히팅 박스로 이루어진 볼 탱크 타입으로 이루어진다. 한편, 상기 증발기(182)로부터 나오는 원료 가스가 일정한 온도(금속 원료가 구리인 경우에는 60도를 유지)를 유지하면서 상기 원료가스 주입공간(132)으로 공급될 수 있도록, 제 2 도입관(132a)은 제 2 히팅부(183)에 의해 감싸여진다. 이 제 2 히팅부(183)는 원료가스의 응축을 방지하기 위한 것으로, 상기 제 2 도입관(132a)을 감싸는 블록 타입의 박스 타입으로 이루어진다. 예컨대, 상기 제 2 히팅부의 온도는 원료 가스에 따라 변경될 수 있음은 물론이다.
상기 가스 공급부는 외부공기에 의한 온도 손실을 최소화하기 위하여 케이스(181) 내부에 설치되며, 이 케이스(181) 내부에는 케이스 실내 온도를 유지시키기 위한 히터(187)가 구비된다.
본 가스 공급부(180)에서는 캐리어 가스가 일정 온도로 가열되어진 후 증발기(182)로 공급되기 때문에, 증발기(182)에서는 액상의 소스 원료를 보다 효율적으로 가스화 시킬 수 있는 것이다. 그 뿐만 아니라, 증발기에서 나온 소스 가스는 제 2 히팅부에 의해 일정한 온도를 유지하면서 원료가스 주입공간으로 공급되기 때문에, 반송 도중에 발생될 수 있는 가스 응축을 방지할 수 있다.
예컨대, 상기 공간으로의 가스 주입은 가장자리에 다수의 분사부를 대각 방향으로 추가 형성할 수 있다.
상기 제 2 샤워헤드(124)의 하부에는 복수의 제 3 분사구(126a)들을 갖는 제 3 샤워헤드(126)가 위치되며, 혼합 공간(134)은 이들 샤워헤드(124,126)들 사이에 형성된다. 이 혼합 공간(134)에는 상기 연결관(136)을 통해 제공되는 상기 플라즈마 생성 공간의 이온화 가스와 상기 제 2 샤워헤드(124)의 관통공(124a)들을 통해서 제공되는 상기 원료가스 주입공간(124)의 원료가스가 혼합되어진다.
상기 이온화 가스와 원료가스는 혼합 공간(134) 이전의 영역에서는 서로 혼합되지 않도록 서로 격리된 상태로 상기 혼합 공간으로 공급되며, 상기 혼합 공간에서 혼합된 가스는 제 3 샤워헤드(126)의 제 3 분사구(126a)들을 통해 서셉터(140)상에 놓여진 웨이퍼(w)상으로 플로워된다. 한편, 상기 샤워헤드 어셈블리(120)는 각각의 샤워헤드들이 분리형으로 이루어지기 때문에 조립이 매우 간편하다. 상기 서셉터(140)에 놓여진 웨이퍼는 진공 시스템에 의해 공정진행 동안 고정된다.
한편, 본 발명은 박막 증착 과정에서 공정 챔버(110)의 내측벽(110a)이 박막에 의해 오염되는 것을 방지하기 위한 실드(150)를 구비한다. 이 실드(150)는 공정 챔버의 내측벽(110a)을 둘러 싸도록 착탈 가능하게 설치된다. 이 실드(150)는 외부의 온도조절장치에 의해 상온에서 400도씨까지 온도 조절이 가능하도록 히팅 코일이 내재되어 있다. 예컨대, 공정 진행시 원료 가스의 응축을 방지하도록 상기 실드(150)는 60도씨로 가열되어짐이 바람직하다. 본 발명에서는 박막 증착 진행 완료 후 실드가 오염되면 새 실드로 교체하면 된다.
상기 공정 챔버(110) 하부에는 배기라인이 위치하고 있으며, 펌프(190)에 의해 배기되고 배기량은 트로틀 밸브(192)와 게이트 밸브(194)에 의해 조절된다.
한편, 상기 서셉터(140)와 상기 실드(150) 사이에는 박막 증착 영역(m)에서의 급격한 압력 변화를 조절하는 수단이 설치된다. 이 수단은 실드와 서셉터 사이에 설치되는 배플(baffle;160)로 이루어진다. 상기 배플(160)은 상기 서셉터(140)의 외주면에 접촉되며, 상기 실드(150)에 접촉된다. 상기 배플(160)에는 복수의 관통공(162)들이 형성되어 있다.
여기서 본 발명의 구조적인 특징은 샤워헤드 어셈블리가 플라즈마 생성 공간, 원료가스 공간, 혼합 공간을 제공한다는데 있다. 그리고 플라즈마 생성 공간으로 플라즈마 발생가스가 가장자리로부터 주입될 수 있는 구조를 갖는데 있다. 또 다른 구조적인 특징은 공정 챔버의 내측벽이 오염되는 것을 방지하기 위한 실드를 갖는데 있다. 그리고 박막 증착 영역에서의 급격한 압력 변화를 조절하기 위한 배플을 갖는데 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.
상기 플라즈마 발생가스(반응가스)가 플라즈마 생성공간(130)으로 도입되며, RF 생성기(118)에 의해 플라즈마가 생성된다. 또한, 원료가스가 증발기(182)를 통하여 원료가스 주입공간(132)으로 도입된다. 이때, 원료가스는 특성 유지가 가능한 온도를 플라즈마 생성공간(130)에 의해 보완적으로 유지된다. 플라즈마 생성영역(130)과 원료가스 영역(132)의 가스들은 혼합 공간(134)에서 웨이퍼에 적층되기 바로 직전에 믹서된 후 박막 증착 영역(m)상에 위치한 웨이퍼(w)로 분사된다. 따라서, 플라즈마에 의한 원료가스의 분해를 근본적으로 방지할 수 있다. 이 박막 증착 과정에서 상기 실드(150)에도 박막이 증착될 수 있으나, 상기 공정 챔버의 내측벽(110a)에는 상기 실드(150)에 의해서 박막 증착이 이루어지지 않는다. 한편, 상기 박막 증착 영역(m)에서의 미반응 가스는 배기 라인을 통해 배기된다. 여기서, 신속한 배기가 이루어지도록 충분한 용량의 배기 펌프(190)를 사용하여 최소한으로 발생된 파티클이 신속하게 제거되어 재적층되는 현상을 방지하게 된다.
도 5는 본 발명의 샤워헤드 어셈블리의 변형예를 보여주는 MOCVD 공정용 반도체 장치의 종단면도이다. 도 6은 도 5에 표시된 부분의 확대도이다.
도 5에 도시된 본 발명의 MOCVD 장치는 도 2에 도시된 실시예에 따른 MOCVD 장치와 동일한 구성과 기능을 갖는 공정 챔버(110), 절연부재(112), RF 생성기(118), 샤워헤드 어셈블리(120), 서셉터(140) 그리고 실드(150) 등을 갖으며, 이들에 대한 설명은 앞서 상세하게 설명하였기에 본 변형예에서는 생략하기로 한다. 다만, 본 변형예에서는 도 6에 보다 상세히 도시한 바와 같이, 원료가스 주입공간(132)으로 주입되는 원료가스가 제 1 샤워헤드(122')를 관통하되, 상기 제 1 샤워헤드(122')의 중앙부에서 상기 원료가스 주입공간(132)의 가장자리로 전파되게 하는 개선된 샤워헤드 어셈블리(120')를 제공한다는데 구조적인 특징을 갖는다.
이상에서, 본 발명에 따른 박막 증착 장치의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명에 의해 얻을 수 있는 기본적인 효과는 플라즈마 발생부와 원료가스 영역을 격리하는 방법을 사용하여 플라즈마에 의해 원료 가스의 분해를 방지할 수 있으며, 금속 유기 소오스(Metal Oxide Source ;MO Source)를 사용시 적층막 내에 발생되는 탄소, 수분 등과 같은 불필요한 파티클의 발생 및 혼입을 근본적으로 방지할 수 있다. 이의 결과로 저온의 고품질 금속 박막을 형성할 수 있어 신뢰도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 일차적인 제품의 수율 향상 뿐만 아니라 필드에서 발생되는 진행성 불량의 감소에 따른 클레임의 감소, 클레임의 감소에 따른 시간과 인건비의 절약이 가능하게 된다. 아울러 본 발명에서는 실드에 의해 공정 챔버의 내측벽에는 박막 증착이 이루어지지 않는다. 그리고 이 실드는 교체 가능한 분리형으로 설치되기 때문에 크리닝 작업시 대체품으로 장비 다운 시간의 최소화에 따른 장비의 효율적인 사용이 가능하게 된다. 공정적인 측면에서는 아주 균일하거나 극단적으로 균일한 MOCVD 박막을 형성할 수 있기 때문에 궁극적으로 소자의 특성 개선 및 신뢰도 증가 등이 본 발명의 효과로 나타나게 된다.

Claims (13)

  1. 공정을 진행하기 위한 챔버와;
    상기 챔버 내부의 상측에 형성된 절연부재와;
    상기 절연부재의 하부에 위치한 제 1 샤워헤드와;
    상기 절연부재와 상기 제 1 샤워헤드사이에 형성되어 있되, 플라즈마가스를 유입하여 플라즈마를 생성하는 것에 의해 이온화 가스를 발생하는 제 1 공간과;
    상기 제 1 샤워헤드의 하부에 위치한 제 2 샤워헤드와;
    상기 제 1 샤워헤드와 상기 제 2 샤워헤드 사이에 형성되어 있되, 원료가스를 유입하는 제 2 공간과;
    상기 제 2 샤워헤드의 하부에 위치한 제 3 샤워헤드와;
    상기 제 2 샤워헤드와 상기 제 3 샤워헤드사이에 형성되어 있되, 상기 이온화 가스와 상기 원료가스를 받아서 혼합하여 혼합가스를 만드는 제 3 공간과;
    상기 플라즈마 가스가 상기 제1공간의 가장자리로부터 중앙으로 분사될 수 있도록 상기 챔버와 상기 절연부재 사이에 형성되는 복수의 제1분사구들을 포함하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연부재의 상측에 위치한 플라즈마 발생효율을 높이기 위한 플라즈마 발생부를 더 포함하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 TCP 또는 ICP 안테나를 전극으로 사용하거나 CCP와 같이 평판을 전극으로 사용하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내측벽을 둘러싸도록 설치되는 착탈 가능한 실드(shield)를 더 구비하여,
    박막 증착 과정에서 박막이 챔버 내측벽으로 증착되어지는 것을 차단하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 실드는 상온에서 400도씨까지의 온도 조절이 가능하도록 히팅 코일이 내재되어 있는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 서셉터의 외주면과 상기 실드 사이에 설치되어 박막 증착 영역의 급격한 압력 변화를 최소화하기 위한 배플을 더 포함하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    금속 원소를 함유하는 액상의 원료를 가스화하여 상기 제 2 공간으로 반송하는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부를 외부와 격리시키기 위한 케이스를 더 포함하되,
    상기 케이스에는 실내 온도를 일정하게 유지시키기 위한 히터를 구비하고,
    상기 가스 공급부는 기화기로 유입되는 캐리어 가스를 예비 가열하기 위한 제 1 히팅부와, 상기 기화기를 통해 나오는 원료 가스가 일정한 온도를 유지하면서 상기 제 2 공간으로 공급될 수 있도록 원료가스의 도입배관상에 제 2 히팅부를 구비하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 히팅부는 내부에 세라믹 볼들이 채워진 캐리어 가스를 예열하는 볼 탱크 타입이고, 제 2 히팅부는 원료가스의 도입배관을 감싸는 블록 타입인 박스 타입인 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공간에 유입되는 상기 원료가스가 상기 제 2 공간의 가장자리를 통하여 주입되는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공간에 유입되는 상기 원료가스가 상기 제 1 샤워헤드를 관통하되 상기 제 2 공간의 상부에 위치한 제 1 샤워헤드의 중앙부에서 상기 제 2 공간의 가장자리로 전파되게 하는 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치.
  11. 반도체 제조장치에 사용되어 웨이퍼상에 혼합가스를 방사하는 샤워헤드 어셈블리에 있어서,
    플라즈마 가스가 유입되어 플라즈마를 생성하는 것에 의해 이온화 가스를 발생하는 제 1 공간을 제공하는 제1샤워헤드와;
    상기 제 1 샤워헤드의 하부에 위치되며, 상기 제1샤워헤드와 함께 원료가스가 유입되는 제 2 공간을 제공하는 제 2 샤워헤드와;
    상기 제 2 샤워헤드의 하부에 위치되며, 상기 제2샤워헤드와 함께 상기 이온화 가스와 상기 원료가스를 받아서 혼합된 가스를 상기 웨이퍼상에 방사하는 제 3 공간을 제공하는 제3샤워헤드와;
    상기 플라즈마 가스가 상기 제1공간의 가장자리로부터 분사되는 복수의 제1분사구들을 갖는 그리고 상기 제1샤워헤드의 상부에 위치되는 절연부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 샤워헤드 어셈블리.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 원료가스는 상기 제1샤워헤드의 가장자리를 통하여 상기 제 2 공간으로 유입되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드 어셈블리.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 공간에 유입되는 상기 원료가스는 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간사이에 위치한 제2샤워헤드를 통과하되, 상기 제2샤워헤드의 중앙부에서 상기 제 2 공간의 가장자리로 전파되게 하는 것을 특징으로 하는 샤워헤드 어셈블리.
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