KR20190136311A - 유도결합 플라즈마 처리장치 - Google Patents

유도결합 플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190136311A
KR20190136311A KR1020180061858A KR20180061858A KR20190136311A KR 20190136311 A KR20190136311 A KR 20190136311A KR 1020180061858 A KR1020180061858 A KR 1020180061858A KR 20180061858 A KR20180061858 A KR 20180061858A KR 20190136311 A KR20190136311 A KR 20190136311A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space
dielectric window
window assembly
cover
process gas
Prior art date
Application number
KR1020180061858A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102071517B1 (ko
Inventor
최정수
신영식
홍성준
Original Assignee
인베니아 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인베니아 주식회사 filed Critical 인베니아 주식회사
Priority to KR1020180061858A priority Critical patent/KR102071517B1/ko
Publication of KR20190136311A publication Critical patent/KR20190136311A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102071517B1 publication Critical patent/KR102071517B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/32119—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 외부로부터 공급되는 고주파 전원에 따라 유도 전류를 생성하는 안테나, 안테나에 인접하게 배치되어 안테나의 유도 전류에 의해 생성된 유도 전계를 기판의 공정 공간으로 전달하는 유전체 창 조립체 및 유전체 창 조립체와 일정 간격을 두고 외부로부터 공급되는 공정 가스의 수용 공간을 형성하고 수용 공간으로 유입된 공정 가스를 공정 공간으로 분사시키며 공정 공간으로부터 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버 조립체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유도결합 플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING INDUCTIVELY COUPLED PLASMA}
본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 공간 내에서 공정 가스를 공급하고 플라즈마를 생성하여 기판을 공정 처리하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판 처리장치는 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼 및 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 글라스 기판 등을 공정 처리하는 공정 장비 중 하나이다. 기판 처리장치는 기판에 대해 식각, 증착 등과 같은 다양한 공정 처리를 수행한다.
여기서, 기판의 식각 공정은 기판상에 패턴 등을 형성하기 위한 공정 처리 공정이고, 기판의 증착 공정은 기판의 표면에 증착막을 형성하는 공정 처리 공정이다. 기판의 식각 공정은 습식 방식과 건식 방식으로 구분되며, 최근에는 식각 공정 속도를 위하여 주로 건식 방식이 많이 사용된다. 건식 방식의 기판 처리장치는 크게 용량 결합 플라즈마 처리장치(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 및 유도 결합 플라즈마 처리장치(ICP; Inductively Coupled Plasma)로 구분된다.
상세하게 용량 결합 플라즈마 처리장치는 상호 대향 배치된 전극 사이에서 형성되는 자기장에 의해 전자의 가속이 발생함에 따라 에너지를 얻어 공급된 공정 가스와의 이온화에 의해 생성된 플라즈마를 이용한다. 반면, 유도 결합 플라즈마 처리장치는 안테나에 흐르는 전류에서 형성된 자기장이 시간에 따라서 변화할 때 전자의 가속이 발생함에 따라 에너지를 얻어 공급된 공정 가스와의 이온화에 의해 생성된 플라즈마를 이용한다. 이러한 용량결합 플라즈마 처리장치와 유도결합 플라즈마 처리장치 중 유도결합 플라즈마 처리장치는 용량결합 플라즈마 처리장치 대비 기판의 공정 처리 속도가 빠른 장점이 있다.
한편, 용량결합 플라즈마 처리장치와 유도결합 플라즈마 처리장치는 각각 기판이 공정 처리되는 공정 공간의 전 영역에 공정 가스를 균일하게 분사하기 위한 샤워헤드가 배치된다.
그런데, 종래의 유도결합 플라즈마 처리장치의 샤워헤드는 유전체 창 및 유전체 창을 파티클로부터 보호하는 클린 킷(clean kit)의 하부에 배치되기 때문에 공정 공간을 점유율을 증가, 즉 전체적으로 장비가 증가하는 문제점이 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-0377096호; 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치
본 발명의 목적은 유전체 창과 유전체 창을 보호하는 보호수단을 구조를 개선하여 샤워헤드의 역할을 대체할 수 있는 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 유전체 창과 보호 수단으로 샤워헤드를 대체할 때 공정 공간의 전 영역으로 균일하게 공정 가스를 분사할 수 있는 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라 외부로부터 공급되는 고주파 전원에 따라 유도 전류를 생성하는 안테나와, 상기 안테나에 인접하게 배치되어 상기 안테나의 유도 전류에 의해 생성된 유도 전계를 기판의 공정 공간으로 전달하는 유전체 창 조립체와, 상기 유전체 창 조립체와 일정 간격을 두고 외부로부터 공급되는 공정 가스의 수용 공간을 형성하고 상기 수용 공간으로 유입된 공정 가스를 상기 공정 공간으로 분사시키며 상기 공정 공간으로부터 상기 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버 조립체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 의해 이루어진다.
여기서, 상기 유전체 창 조립체는 상기 수용 공간을 복수 개의 구획된 공간으로 분할할 수 있다.
상기 커버 조립체는 상기 유전체 창 조립체와의 사이에 복수 개의 상기 수용 공간을 형성하고, 각각의 상기 수용 공간에 유입된 공정 가스를 상기 공정 공간에 독립적으로 분사시킬 수 있다.
한편, 상기 유전체 창 조립체는 복수 개의 유전체 창과, 복수 개의 상기 유전체 창에 대응되어 복수 개의 상기 유전체 창을 지지하는 복수 개의 지지 영역이 형성된 프레임과, 각각의 상기 유전체 창의 판면에 결합되어 상기 유전체 창을 복수 개의 상기 수용 공간으로 구획하는 격벽을 포함할 수 있다.
상기 커버 조립체는 상기 유전체 창 조립체와 상기 공정 공간 사이에 배치되어 상기 공정 공간으로부터 상기 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버부와, 상기 커버부의 판면에 관통 형성되어 복수 개의 상기 수용 공간으로부터 상기 공정 공간으로 공정 가스를 분사시키는 가스 분사홀을 포함할 수 있다.
복수 개의 상기 수용 공간은 상기 격벽의 배치에 따라 상기 커버 조립체의 판면의 중앙 영역으로부터 상기 공정 공간으로 분사되는 공정 가스를 수용하는 중앙 수용 공간과, 상기 중앙 수용 공간을 둘러싸며 상기 커버 조립체의 판면의 테두리 영역으로부터 상기 공정 공간으로 분사되는 공정 가스를 수용하는 테두리 수용 공간을 포함할 수 있다.
상기 유도결합 플라즈마 처리장치는 상기 공정 공간을 형성하는 챔버를 더 포함하며, 상기 커버 조립체는 상기 커버부를 상기 챔버에 지지시키는 커버 지지부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유도결합 플라즈마 처리장치는 상기 유전체 창 및 상기 커버부에 배치되어 상기 수용 공간으로부터 외부로 공정 가스의 누출을 제한하는 실링부재를 더 포함할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 효과는 다음과 같다.
첫째, 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버 조립체 사이에 공정 가스의 수용 공간을 형성하여 수용 공간에 수용된 공정 가스를 공정 공간으로 분사할 수 있으므로, 장치의 크기를 축소시킬 수 있다.
둘째, 유전체 창 조립체와 커버 조립체 사이에 형성된 수용 공간의 별도의 복수 개의 수용 공간으로 구획하여 공정 공간으로 분사되는 공정 가스의 양을 조절할 수 있으므로, 공정 공간 내의 공정 가스의 균일도를 유지하여 기판의 공정 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 개략 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 유전체 창 조립체와 커버 조립체의 영역 확대 구성도,
도 3은 도 1에 도시된 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유전체 창 조립체와 커버 조립체의 영역 확대 구성도,
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 유전체 창 조립체의 사시도,
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 유전체 창 조립체의 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
설명하기에 앞서, 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 공정가스 유로의 위치는 다양하게 설계 변경 가능할 뿐만 아니라 유전체 창 조립체의 유전체 창 개수와 격벽 구조는 설계 변경에 따라 다양하게 실시 변경될 수 있음을 미리 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 개략 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치(1)는 안테나(30), 유전체 창 조립체(300) 및 커버 조립체(500)를 포함한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치(1)는 챔버(10), 제 1고주파 전원 공급부(50), 게이트(70), 배기 홀(90), 정전 척(110), DC 전원부(130), 베이스(150), 절연 플레이트(170), 냉각 플레이트(190), 하부 전극(210), 제 2고주파 전원 공급부(230), 가스 공급원(600) 및 실링부재(700)를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예의 챔버(10)는 챔버몸체(12), 공정 공간(14) 및 안테나실(16)을 포함한다. 챔버(10)는 기판(S)이 공정 처리되는 공정 공간(14)을 형성한다. 챔버몸체(12)는 기판(S)이 공정 처리되는 공정 공간(14)을 형성하고, 챔버몸체(12)는 기판(S)이 인입 및 인출되는 인입로 및 인출로와 연통된다. 또한, 챔버몸체(12)는 유전체 창 조립체(300)에 의해 공정 공간(14)과 구획된 안테나실(16)을 형성한다. 안테나실(16)은 유전체 창 조립체(300) 및 커버 조립체(500)에 의해 공정 공간(14)으로부터 별도로 구획되어 안테나(30)를 수용한다.
안테나(30)는 안테나실(16)에 수용된다. 안테나(30)는 챔버(10)의 외부에 배치된 제 1고주파 전원 공급부(50)와 전기적으로 연결된다. 안테나(30)는 일 실시 예로서, 제 1고주파 전원 공급부(50)로부터 고주파의 RF 전원을 공급 받아 유도 전류를 생성한다. 안테나(30)는 제 1고주파 전원 공급부(50)로부터 공급된 RF 전원에 따라 유도 전류를 생성하고 유전체 창 조립체(300)와 함께 공정 공간(14)에 유도 전계를 생성한다. 유전체 창 조립체(300)에 대해서는 후술할 때 상세하게 설명하기로 한다.
게이트(70)는 챔버몸체(12)의 일측에 배치된다. 본 발명의 일 실시 예로서 게이트(70)는 각각 형성된 인입로 및 인출로에 대응되어 챔버몸체(12)의 양측 벽에 배치되나, 이에 한정되지 않고 기판(S)의 인입로 및 인출로가 1개로 구성되면 게이트(70)는 챔버몸체(12)에 1개가 배치된다. 배기 홀(90)은 공정 공간(14)을 형성하는 챔버몸체(12)의 내부가 기판(S)의 공정 처리시 진공 분위기를 유지하도록 진공 펌프(미도시)와 연결되어 공정 공간(14)을 진공 펌핑 시킨다.
정전 척(110)은 공정 공간(14)으로 인입된 기판(S)을 척킹한다. 정전 척(110)은 DC 전원부(130)와 전기적으로 연결되어, DC 전원부(130)로부터 공급된 직류 전원에 따라 기판(S)을 선택적으로 척킹한다. 정전 척(110)은 DC 전원부(130)로부터 공급된 직류 전원에 따라 대전되고, 정전력을 생성하여 기판(S)을 척킹 한다. 정전 척(110)의 척킹력은 DC 전원부(130)로부터 공급된 직류 전원 값의 조절에 따라 조절된다.
베이스(150)는 공정 공간(14) 내부에 배치된다. 베이스(150)는 챔버몸체(12)에 지지된다. 베이스(150)는 공정 공간(14) 내에 배치되는 정전 척(110), 절연 플레이트(170), 냉각 플레이트(190) 및 하부 전극(210)을 지지한다. 베이스(150)는 챔버몸체(12)로 대체될 수 있고, 베이스(150)에는 순차적으로 절연 플레이트(170), 냉각 플레이트(190), 하부 전극(210) 및 정전 척(110)이 적층 되어 있다.
절연 플레이트(170)는 베이스(150)와 하부 전극(210) 사이에 배치되어 베이스(150)와 하부 전극(210) 사이를 절연한다. 냉각 플레이트(190)는 절연 플레이트(170)와 하부 전극(210) 사이에 배치되어 하부 전극(210)에서 발생된 열을 냉각한다. 냉각 플레이트(190)의 내부에는 하부 전극(210)에서 발생된 열을 냉각하기 위해서 냉매가 유동되는 미도시된 냉매유로가 형성되어 있다. 냉각 플레이트(190)는 설계 변경에 따라 하부 전극(210)에 통합되어 대체될 수 있다.
하부 전극(210)은 외부에 배치된 제 2고주파 전원 공급부(230)와 전기적으로 연결된다. 하부 전극(210)은 제 2고주파 전원 공급부(230)로부터 공급된 전원에 따라 전기장을 생성한다. 하부 전극(210)에서 생성된 전기장은 공정 공간(14)에서 안테나(30)에 의해 발생된 유도 전계와 함께 공정 공간 내부에 플라즈마를 생성한다.
다음으로 도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 유전체 창 조립체와 커버 조립체의 영역 확대 구성도, 도 3은 도 1에 도시된 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유전체 창 조립체와 커버 조립체의 영역 확대 구성도, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 유전체 창 조립체의 사시도, 그리고 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 유전체 창 조립체의 평면도이다.
유전체 창 조립체(300)는 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 안테나(30)에 인접하게 배치되어 안테나(30)의 유도 전류에 의해 생성된 유도 전계를 기판(S)의 공정 공간(14)으로 전달한다. 본 발명의 유전체 창 조립체(300)는 후술할 커버 조립체(500)와의 사이에 공정 가스(G)가 공급되는 수용 공간(380)을 형성한다. 유전체 창 조립체(300)는 수용 공간(380)을 복수 개의 구획된 공간으로 분할한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유전체 창 조립체(300)는 유전체 창(320), 프레임(340), 격벽(360) 및 수용 공간(380)을 포함한다. 유전체 창(320)은 복수 개로 마련된다. 도 4에 도시된 바와 같이 유전체 창(320)은 4개가 사용되나, 이러한 유전체 창(320)의 개수는 일 실시 예일 뿐 설계 변경에 따라 4개 미만 또는 4개를 초과할 수 있다. 유전체 창(320)은 안테나(30)와 인접하게 배치되어 안테나(30)에 생성된 유도 전계를 공정 공간(14)으로 통과시킨다.
프레임(340)은 복수 개의 유전체 창(320)에 대응되어 복수 개의 유전체 창(320)을 지지한다. 본 발명의 프레임(340)은 프레임몸체(342) 및 지지 영역(344)을 포함한다. 프레임몸체(342)는 사각 틀로 마련된다. 지지 영역(344)은 프레임몸체(342)에 의해 생성되어 유전체 창(320)을 지지한다. 지지 영역(344)은 4개의 유전체 창(320)에 대응되어 4개가 형성된다.
격벽(360)은 각각의 유전체 창(320)의 판면에 결합되어 유전체 창(320)을 복수 개의 수용 공간(380)으로 구획한다. 격벽(360)은 본 발명이 일 실시 예로서, 1개의 유전체 창(320)에 대해 십자형으로 마련되어 배치된다. 즉, 격벽(360)은 1개의 유전체 창(320)에 대해 4개의 수용 공간(380)을 형성한다. 그러나, 격벽(360)의 형상은 일 실시 예일 뿐 이에 한정되지 않고 X자 형과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
수용 공간(380)은 격벽(360)에 의해 복수 개로 구획 분할된다. 본 발명의 일 실시 예로서, 도 5에 도시된 바와 같이 수용 공간(380)은 격벽(360)의 배치에 따라 커버 조립체(500)의 판면의 중앙 영역으로부터 공정 공간(14)으로 분사되는 공정 가스(G)를 수용하는 중앙 수용 공간(382)과 중앙 수용 공간(382)을 둘러싸며 커버 조립체(500)의 판면의 테두리 영역으로부터 공정 공간(14)으로 분사되는 공정 가스(G)를 수용하는 테두리 수용 공간(384)을 포함한다.
중앙 수용 공간(382)과 테두리 수용 공간(384)은 커버 조립체(500)의 판면에 대해 각각 중앙 영역과 테두리 영역에 별도로 형성됨으로써, 공정 공간(14)의 중앙 영역과 테두리 영역에 개별적으로 공정 가스(G)를 공급할 수 있다. 즉, 중앙 수용 공간(382)과 테두리 수용 공간(384)에서 각각 분사되는 공정 가스(G)의 양에 따라 공정 공간(14)의 내부의 공정 가스(G)의 균일도가 유지될 수 있으므로, 기판(S)의 공정 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
커버 조립체(500)는 유전체 창 조립체(300)와 일정 간격을 두고 외부로부터 공급되는 공정 가스(G)의 수용 공간(380)을 형성하고 수용 공간(380)으로 유입된 공정 가스(G)를 공정 공간(14)으로 분사시킨다. 그리고, 커버 조립체(500)는 공정 공간(14)으로부터 유전체 창 조립체(300)로 유입되는 파티클을 차단한다. 즉, 커버 조립체(500)는 클린 킷(clean kit)의 역할로서, 유전체 창 조립체(300)로 유입되는 플라즈마 내의 파티클 등을 차단한다. 커버 조립체(500)는 상술한 유전체 창 조립체(300)와의 사이에 복수 개의 수용 공간(380)을 형성하고 각각의 수용 공간(380)에 유입된 공정 가스(G)를 공정 공간(14)에 독립적으로 분사시킨다.
본 발명의 커버 조립체(500)는 커버부(520), 가스 분사홀(540), 커버 지지부(560) 및 체결부재(580)를 포함한다. 커버부(520)는 유전체 창 조립체(300)와 공정 공간(14) 사이에 배치된다. 커버부(520)는 공정 공간(14)으로부터 유전체 창 조립체(300)로 유입되는 파티클을 차단한다. 가스 분사홀(540)은 커버부(520)의 판면에 관통 형성된다. 가스 분사홀(540)은 복수 개의 수용 공간(380)으로부터 공정 공간(14)으로 공정 가스(G)를 분사시키는 분사 유로를 형성한다. 커버 지지부(560)는 커버부(520)를 챔버몸체(12)에 지지 시킨다. 체결부재(580)는 커버부(520)와 커버 지지부(560)를 상호 체결한다.
가스 공급원(600)은 챔버(10)의 외부에 배치되어 유전체 창 조립체(300)와 커버 조립체(500)에 의해 형성된 수용 공간(380)으로 공정 가스(G)를 공급한다. 가스 공급원(600)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 유전체 창 조립체(300)를 통해 수용 공간(380)으로 공정 가스(G)를 공급하거나 챔버몸체(12)를 통해 수용 공간(380)으로 공정 가스(G)를 공급할 수 있다.
마지막으로 실링부재(700)는 유전체 창 조립체(300) 및 커버 조립체(500)에 배치되어 수용 공간(380)으로부터 외부로 공정 가스(G)의 노출을 제한한다. 실링부재(700)는 본 발명의 일 실시 예로서, 제 1실링부재(720) 및 제 2실링부재(740)를 포함한다. 제 1실링부재(720)는 챔버몸체(12)와 유전체 창 조립체(300) 사이에 배치되어 수용 공간(380)으로부터 외부로 공정 가스(G)가 누출되는 것을 차단하도록 챔버몸체(12)와 유전체 창(320) 사이를 실링한다. 제 2실링부재(740)는 챔버몸체(12)와 커버 조립체(500)와의 사이에 배치되어 수용 공간(380)으로부터 외부로 공정 가스(G)가 누출되는 것을 차단하도록 챔버몸체(12)와 커버 조립체(500) 사이를 실링한다. 상세하게 제 2실링부재(740)는 본 발명의 일 실시 예로서, 커버부(520)와 커버 지지부(560) 사이 및 챔버몸체(12)와 커버 지지부(560) 사이에 배치된다.
이에, 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버 조립체 사이에 공정 가스의 수용 공간을 형성하여 수용 공간에 수용된 공정 가스를 공정 공간으로 분사할 수 있으므로, 장치의 크기를 축소시킬 수 있다.
또한, 유전체 창 조립체와 커버 조립체 사이에 형성된 수용 공간의 별도의 복수 개의 수용 공간으로 구획하여 공정 공간으로 분사되는 공정 가스의 양을 조절할 수 있으므로, 공정 공간 내의 공정 가스의 균일도를 유지하여 기판의 공정 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 챔버 30: 안테나
300: 유전체 창 조립체 320: 유전체 창
340: 프레임 344: 지지 영역
360: 격벽 380: 수용 공간
382: 중앙 수용 공간 384: 테두리 수용 공간
500: 커버 조립체 520: 커버부
540: 가스 분사홀 560: 커버 지지부
580: 체결부재 700: 실링부재
720: 제 1실링부재 740: 제 2실링부재

Claims (8)

  1. 외부로부터 공급되는 고주파 전원에 따라 유도 전류를 생성하는 안테나와;
    상기 안테나에 인접하게 배치되어, 상기 안테나의 유도 전류에 의해 생성된 유도 전계를 기판의 공정 공간으로 전달하는 유전체 창 조립체와;
    상기 유전체 창 조립체와 일정 간격을 두고 외부로부터 공급되는 공정 가스의 수용 공간을 형성하고 상기 수용 공간으로 유입된 공정 가스를 상기 공정 공간으로 분사시키며, 상기 공정 공간으로부터 상기 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버 조립체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 유전체 창 조립체는 상기 수용 공간을 복수 개의 구획된 공간으로 분할하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 커버 조립체는 상기 유전체 창 조립체와의 사이에 복수 개의 상기 수용 공간을 형성하고, 각각의 상기 수용 공간에 유입된 공정 가스를 상기 공정 공간에 독립적으로 분사시키는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 유전체 창 조립체는,
    복수 개의 유전체 창과;
    복수 개의 상기 유전체 창에 대응되어, 복수 개의 상기 유전체 창을 지지하는 복수 개의 지지 영역이 형성된 프레임과;
    각각의 상기 유전체 창의 판면에 결합되어, 상기 유전체 창을 복수 개의 상기 수용 공간으로 구획하는 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 커버 조립체는,
    상기 유전체 창 조립체와 상기 공정 공간 사이에 배치되어, 상기 공정 공간으로부터 상기 유전체 창 조립체로 유입되는 파티클을 차단하는 커버부와;
    상기 커버부의 판면에 관통 형성되어, 복수 개의 상기 수용 공간으로부터 상기 공정 공간으로 공정 가스를 분사시키는 가스 분사홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    복수 개의 상기 수용 공간은,
    상기 격벽의 배치에 따라 상기 커버 조립체의 판면의 중앙 영역으로부터 상기 공정 공간으로 분사되는 공정 가스를 수용하는 중앙 수용 공간과;
    상기 중앙 수용 공간을 둘러싸며, 상기 커버 조립체의 판면의 테두리 영역으로부터 상기 공정 공간으로 분사되는 공정 가스를 수용하는 테두리 수용 공간을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 유도결합 플라즈마 처리장치는 상기 공정 공간을 형성하는 챔버를 더 포함하며,
    상기 커버 조립체는 상기 커버부를 상기 챔버에 지지시키는 커버 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 유도결합 플라즈마 처리장치는,
    상기 유전체 창 및 상기 커버부에 배치되어, 상기 수용 공간으로부터 외부로 공정 가스의 누출을 제한하는 실링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.
KR1020180061858A 2018-05-30 2018-05-30 유도결합 플라즈마 처리장치 KR102071517B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180061858A KR102071517B1 (ko) 2018-05-30 2018-05-30 유도결합 플라즈마 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180061858A KR102071517B1 (ko) 2018-05-30 2018-05-30 유도결합 플라즈마 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190136311A true KR20190136311A (ko) 2019-12-10
KR102071517B1 KR102071517B1 (ko) 2020-01-30

Family

ID=69002946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180061858A KR102071517B1 (ko) 2018-05-30 2018-05-30 유도결합 플라즈마 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102071517B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230076592A (ko) * 2021-11-24 2023-05-31 인베니아 주식회사 유도 결합 플라즈마 처리 장치, 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 사용되는 윈도우 캡 조립체 및 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 사용되는 프레임 캡 조립체

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377096B1 (ko) 2001-05-08 2003-03-26 (주)넥소 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치
KR20100107389A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 커버 고정구 및 커버 고정 장치
KR20110134284A (ko) * 2010-06-07 2011-12-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 그 유전체창 구조
KR20130139779A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 생성 장치, 안테나 구조체, 및 플라즈마 생성 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377096B1 (ko) 2001-05-08 2003-03-26 (주)넥소 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치
KR20100107389A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 커버 고정구 및 커버 고정 장치
KR20110134284A (ko) * 2010-06-07 2011-12-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 그 유전체창 구조
KR20130139779A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 생성 장치, 안테나 구조체, 및 플라즈마 생성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230076592A (ko) * 2021-11-24 2023-05-31 인베니아 주식회사 유도 결합 플라즈마 처리 장치, 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 사용되는 윈도우 캡 조립체 및 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 사용되는 프레임 캡 조립체

Also Published As

Publication number Publication date
KR102071517B1 (ko) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11101113B2 (en) Ion-ion plasma atomic layer etch process
JP6991306B2 (ja) 複数の埋込電極を有する基板支持体
JP6831644B2 (ja) プラズマ点源のアレイによってワークピースを処理するためのプラズマリアクタ
US10388528B2 (en) Non-ambipolar electric pressure plasma uniformity control
KR102714917B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101445226B1 (ko) 배기 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180019255A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9472379B2 (en) Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma
TW201621973A (zh) 電漿處理裝置
KR20190117247A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160004408A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102071517B1 (ko) 유도결합 플라즈마 처리장치
KR101073834B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR20080028848A (ko) 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20080028518A (ko) 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기
KR102250368B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102171460B1 (ko) 윈도우 히팅 시스템을 갖는 기판 처리 장치
KR100785404B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리장치와 방법
KR101173574B1 (ko) 기판처리방법
KR102195981B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리장치
CN214043598U (zh) 电感耦合等离子体处理装置
KR20100136857A (ko) 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기
KR102322247B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102299884B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210062299A (ko) 샤워 헤드 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant