KR102299884B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 공정 챔버 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상기 지지 유닛의 상면으로 가스를 분사하여 상기 지지 유닛을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 가스 공급부, 상부에서 바라볼 때, 상기 가스 공급부와 상기 지지 유닛의 중앙 영역을 연결하는 제 1 가스 공급 라인부 및 상기 가스 공급부와 상기 지지 유닛의 가장자리 영역을 연결하는 제 2 가스 공급 라인부를 갖는 가스 공급 라인부, 그리고 상기 가스 공급부 및 상기 가스 공급 라인부를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND PLASMA TREATING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 플라즈마를 이용한 처리 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 플라즈마를 이용한 공정 후에는, 지지 유닛 또는 기판 상에 폴리머(Polymer) 등의 부산물이 생성된다. 이로 인해, 기판 냉각 효과 또는 정전척이 약화될 수 있다. 이는 공정 경과에 따른 기능 저하로 인해, 공정 신뢰성을 떨어뜨리고 기판 수율이 저하된다.
본 발명은 공정 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 플라즈마 공정을 수행하는 공정 챔버를 세정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 공정 챔버 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상기 지지 유닛의 상면으로 가스를 분사하여 상기 지지 유닛을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 가스 공급부, 상부에서 바라볼 때, 상기 가스 공급부와 상기 지지 유닛의 중앙 영역을 연결하는 제 1 가스 공급 라인부 및 상기 가스 공급부와 상기 지지 유닛의 가장자리 영역을 연결하는 제 2 가스 공급 라인부를 갖는 가스 공급 라인부, 그리고 상기 가스 공급부 및 상기 가스 공급 라인부를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.
상기 세정 유닛은, 상기 가스 공급 라인부 상에 제공되어, 상기 제 1 가스 공급 라인부와 상기 제 2 가스 공급 라인부의 가스 공급량을 각각 제어하는 유량 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 제어기는 상기 공정 완료 후 상기 지지 유닛으로 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 공급부 및 상기 가스 공급 라인부를 제어할 수 있다.
상기 지지 유닛은, 상기 지지 유닛으로 열전달 매체를 공급하여 상기 지지 유닛의 온도를 조절하는 열전달 매체 공급부를 더 포함하고, 상기 가스 공급 라인부는 상기 열전달 매체 공급부와 연결될 수 있다.
상기 가스는 질소를 포함할 수 있다.
상기 가스 공급 라인부는 상기 지지 유닛을 통해 상기 지지 유닛의 상면으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 공정 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마 공정을 수행하는 공정 챔버를 세정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛을 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 세정 유닛이 중앙 영역을 집중적으로 세정하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 8은 도 2의 세정 유닛이 가장자리 영역을 집중적으로 세정하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 10 내지 도 12는 도 9의 세정 유닛이 지지 유닛을 세정하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 특징은 이에 한정되지 않으며 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 플라즈마 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 그리고 플라즈마 생성 유닛(400)을 가진다. 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공정 수행을 위한 공간을 가진다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(103)이 형성된다. 배기홀(103)은 펌프(122)가 장착된 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 배기홀(103)로 배기된다. 따라서, 공정 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부공간은 소정 압력으로 감압된다. 일 예로, 배기홀(103)은 후술하는 라이너 유닛(130)의 관통홀(158)과 직접 통하는 위치에 제공될 수 있다.
공정 챔버(100)의 측벽에는 개구(104)가 형성된다. 개구(104)는 공정 챔버(100) 내부로 기판이 출입하는 통로로 기능한다. 개구(104)는 도어 어셈블리(미도시됨)에 의해 개폐된다. 일 예에 의하면, 도어 어셈블리(미도시됨)는 외측 도어, 내측 도어, 그리고 연결판을 가진다. 외측 도어는 공정 챔버의 외벽에 제공된다. 내측 도어는 공정 챔버의 내벽에 제공된다. 외측 도어와 내측 도어는 연결판에 의해 서로 고정 결합된다. 연결판은 개구를 통해 공정 챔버의 내측에서 외측까지 연장되게 제공된다. 도어 구동기은 외측 도어를 상하 방향으로 이동시킨다. 도어 구동기는 유공압 실린더나 모터를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)의 내부 중 아래 영역에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 정전기력에 의해 기판(W)을 지지한다. 이와 달리 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
지지 유닛(200)은 지지판(210), 링 어셈블리(260), 그리고 세정 유닛(270)을 가진다. 지지판(210)에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(210)은 베이스(220)와 정전 척(240)을 가진다. 정전 척(240)은 정전기력에 의해 기판(W)을 그 상면에 지지한다. 정전 척(240)은 베이스(220) 상에 고정결합된다. 일 예에 의하면, 정전 척(240)은 세라믹 재질로 제공되고, 포커스 링(262)은 실리콘 재질로 제공되고, 절연 링(264)은 쿼츠 재질로 제공될 수 있다. 정전 척(240) 또는 베이스(220) 내에는 공정 진행 중 기판(W)을 공정 온도로 유지하도록 하는 가열 부재(282) 및 냉각 부재(284)가 제공될 수 있다. 가열 부재(282)는 열선으로 제공될 수 있다. 이 때, 가열 부재(282)는 열전달 매체 공급부(231)를 포함할 수 있다. 열전달 매체 공급부(231)는 열전달 매체 저장부(231a), 열전달 매체 공급라인(231b), 개폐 밸브(276), 그리고 순환 유로(282d)를 가진다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열 전달 매체는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 열전달 매체 공급 라인(231b)을 통해 기판(W) 저면으로 공급된다. 이 때, 열전달 매체 공급 라인(231b)은 순환 유로(282d)로 연결될 수 있다. 순환 유로(282d)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 순환 유로(282d)는 지지판 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 순환 유로(282d)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 순환 유로(282d)는 서로 연통될 수 있다. 순환 유로(282d)는 동일한 높이에 형성된다. 또한, 선택적으로, 냉각 부재(284)는 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(282)는 정전 척(240)에 제공되고, 냉각 부재(284)는 베이스(220)에 제공될 수 있다.
링 어셈블리(260)는 링 형상으로 제공된다. 링 어셈블리(260)는 지지판(210)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 일 예로, 링 어셈블리(260)는 정전 척(240)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 링 어셈블리(260)는 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하면, 링 어셈블리(260)는 포커스 링(262)과 절연 링(264)을 가진다. 포커스 링(262)은 정전 척(240)을 감싸도록 제공되며 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 절연 링(264)는 포커스 링(262)을 감싸도록 제공된다. 선택적으로 링 어셈블리(260)는 플라즈마에 의해 정전 척(240)의 측면이 손상되는 것을 방지하도록 포커스 링(262)의 둘레에 밀착되게 제공되는 에지 링(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 달리 링 어셈블리(260)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛(270)을 보여주는 도면이다. 세정 유닛(270)은 가스 공급부(272), 가스 공급 라인부(274), 유량 제어부(275), 개폐 밸브(276), 그리고 제어기(278)를 가진다. 세정 유닛(270)은 지지 유닛(200)의 상면으로 가스를 분사하여 지지 유닛(200)을 세정한다. 이 때, 가스는 질소(N2)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 이와 달리, 가스는 플라즈마 공정에 영향을 미치지 않는 다른 종류의 가스일 수 있다. 선택적으로, 세정 유닛(270)은 세정제를 공급할 수 있다. 가스 공급부(272)는 가스를 저장한다. 가스 공급 라인부(274)는 가스 공급부(272)와 지지 유닛(200)을 연결한다. 가스 공급 라인부(274)는 가스 공급부(272)로부터 가스를 지지 유닛(200)으로 공급한다. 가스 공급 라인부(274)는 복수 개로 제공될 수 있다. 복수 개의 가스 공급 라인부(274)는 지지 유닛(200)의 복수 개의 영역에 대응되도록 제공된다. 일 예로, 도 2와 같이, 가스 공급 라인부(274)는 제 1 가스 공급 라인부(274a) 및 제 2 가스 공급 라인부(274b)를 가질 수 있다. 제 1 가스 공급 라인부(274a)는 상부에서 바라볼 때, 지지 유닛(200)의 중앙 영역(200a)에 대응되게 제공된다. 제 2 가스 공급 라인부(274b)는 상부에서 바라볼 때, 지지 유닛(200)의 가장자리 영역(200b)에 대응되게 제공된다. 유량 제어부(275)는 제 1 가스 공급 라인부(274a) 및 제 2 가스 공급 라인부(274b)로의 가스 공급량을 각각 제어한다. 제어기(278)는 경우에 따라, 제 1 가스 공급 라인부(274a) 및 제 2 가스 공급 라인부(274b)의 가스 공급량을 제어한다. 이와 달리, 가스 공급 라인부(274)는 세 개 이상의 복수 개로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인부(274)는 지지 유닛(200)을 통해, 지지 유닛(200)의 상면으로 연결될 수 있다. 가스 공급 라인부(274)는 열전달 매체 공급부(231)와 연결되어 제공될 수 있다. 일 예로, 가스 공급 라인부(274)는 순환 유로(282d)에 연결될 수 있다. 이 때, 가스 공급 라인부(274)는 순환 유로(282d)의 중앙 영역으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 가스 공급부(272)는 포커스 링(262) 내부에서 제공되어, 포커스 링(262)과 정전 척(240) 사이로 연결되도록 절곡되는 구조일 수 있다. 제어기(278)는 가스 공급부(272), 가스 공급 라인부(274), 그리고 개폐 밸브(276)를 제어한다. 제어기(278)는 공정이 완료되면, 지지 유닛(200)으로 가스를 공급하도록 가스 공급부(272) 및 가스 공급 라인부(274)를 제어한다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 세정 유닛(270)이 중앙 영역(200a)을 집중적으로 세정하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 6 내지 도 8은 도 2의 세정 유닛(270)이 가장자리 영역(200b)을 집중적으로 세정하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여, 세정 유닛(270)이 지지 유닛(200)을 영역별로 세정하는 과정을 설명한다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서, 지지 유닛(200)의 온도가 높게 제공되는 경우 지지 유닛(200) 상에 폴리머가 부착되기 어렵다. 반면에, 지지 유닛(200)의 온도가 낮은 경우 상대적으로 폴리머가 쉽게 증착될 수 있다. 따라서, 공정의 종류 및 순서에 따라 지지 유닛(200)의 온도가 영역별로 다르게 제어되는 경우, 지지 유닛(200)의 영역별로 폴리머의 증착량이 다를 수 있다. 또한, 이와 달리, 공정 진행시 플라즈마의 밀도가 불균일한 경우, 지지 유닛(200)의 온도차가 발생하여 지지 유닛(200)의 영역별로 폴리머의 증착량이 다를 수 있다. 따라서, 제어기(278)는 지지 유닛(200) 상의 폴리머 증착 영역에 따라, 가스 공급 라인부(274) 및 유량 제어부(275)를 상이하게 제어할 수 있다. 지지 유닛(200)의 중앙 영역(200a) 상에 폴리머가 많이 증착된 경우, 제어기(278)는 제 1 가스 공급 라인부(274a)의 가스 공급량을 제 2 가스 공급 라인부(274b)의 가스 공급량보다 많게 공급한다. 반면에, 지지 유닛(200)의 가장자리 영역(200b) 상에 폴리머가 많이 증착된 경우, 제어기(278)는 제 2 가스 공급 라인부(274b)의 가스 공급량을 제 1 가스 공급 라인부(274a)의 가스 공급량보다 많게 공급한다. 따라서, 경우에 따라 효율적인 지지 유닛(200)의 세정이 가능하다. 따라서, 공정 시간 경과됨에 따라 지지 유닛(200)의 기능 저하를 방지할 수 있다. 일 예로, 기판 쿨링 효과 및 정전척의 능력이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 지지 유닛(200)의 영역은 다른 다양한 형태 및 개수로 나뉘어 제어될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정 유닛(270)을 보여주는 도면이다. 도 9의 세정 유닛(270)은, 도 2의 세정 유닛(270)과 달리, 단일의 가스 공급 라인부(274)를 갖고, 유량 제어부(275)를 포함하지 않을 수 있다.
도 10 내지 도 12는 도 9의 세정 유닛(270)이 지지 유닛(200)을 세정하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 이하, 도 10 내지 도 12를 참조하여 지지 유닛(200)을 세정하는 과정을 설명한다. 공정 챔버(100) 내에서 플라즈마를 이용하여 식각 공정이 완료되면, 지지 유닛(200) 상에는 공정 부산물로 인한 폴리머(Polymer)가 증착된다. 그 후, 제어기(278)는 개폐 밸브(276)를 열어 가스 공급 라인부(274)로 가스를 공급한다. 지지 유닛(200)의 저면으로부터 분사된 가스를 통해, 지지 유닛(200) 표면 상의 폴리머가 제거될 수 있다. 따라서, 공정 시간 경과됨에 따라 지지 유닛(200)의 기능 저하를 방지할 수 있다. 일 예로, 기판 쿨링 효과 및 정전척의 능력이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 지지 유닛(200) 세정 공정은 공정 진행 중에도 이루어질 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 유입 포트(330)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 그 통로를 개폐하거나, 그 통로를 흐르는 유체의 유량을 조절하는 밸브(322)가 설치될 수 있다.
플라즈마 생성 유닛(400)은 방전 공간에 머무르는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 방전 공간은 공정 챔버(100) 내에서 지지 유닛(200)의 상부 영역에 해당된다. 플라즈마 생성 유닛(400)은 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스를 가질 수 있다.
플라즈마 생성 유닛(400)은 상부 전극(420), 하부 전극(440), 그리고 고주파 전원(460)을 가진다. 상부 전극(420)과 하부 전극(440)은 서로 상하 방향으로 대향되게 제공된다. 상부 전극(420)은 샤워 헤드(422) 및 링 어셈블리(424)를 가진다. 샤워 헤드(422)는 정전 척(240)과 대향되게 위치되고, 정전 척(240)보다 큰 직경으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(422)에는 가스를 분사하는 홀들(422a)이 형성된다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)를 감싸도록 제공된다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)와 전기적으로 연결되도록 샤워 헤드(422)에 접촉되게 제공될 수 있다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)에 밀착되게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 샤워 헤드(422)는 실리콘으로 제공될 수 있다. 선택적으로 샤워 헤드(422)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 하부 전극(440)은 정전 척(240) 내에 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극(420)은 접지(429)되고, 하부 전극(440)에는 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 선택적으로 상부 전극(420)에 고주파 전원(460)이 연결되고 하부 전극(440)이 접지될 수 있다. 또한, 선택적으로 상부 전극(420) 및 하부 전극(440) 모두에 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 고주파 전원(460)은 상부 전극(420) 또는 하부 전극(440)에 연속적으로 전력을 인가하거나 펄스로 전력을 인가할 수 있다.
이상의 본 실시예에서는, 세정 유닛(270)은 지지 유닛(200)을 세정하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 세정 유닛(270)은 지지 유닛(200) 상에 기판이 놓여지고, 기판 상에 폴리머 등의 공정 부산물이 생긴 경우에도 이를 적용할 수 있다.
이상에서는, 상기 실시예에서는 플라스마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라스마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정 등에도 적용될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 플라즈마 생성 유닛이, 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스로 제공되는 구조로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 플라즈마 생성 유닛은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)으로 제공될 수 있다. 유도 결합형 플라즈마는 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 추가적으로 플라즈마 경계 제한 유닛을 포함할 수 있다. 플라즈마 경계 제한 유닛은, 일 예로, 링 형상으로 제공될 수 있으며, 방전 공간을 감싸도록 제공되어 플라즈마가 그 외측으로 빠져나가는 것을 억제할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 공정 챔버
200 : 지지 유닛
274 : 가스 공급 라인부
275 : 유량 제어부
278 : 제어기
300 : 가스 공급 유닛
400 : 플라즈마 발생 유닛

Claims (10)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판에 대해 공정을 처리하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 그리고
    상기 공정 챔버 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되,
    상기 지지 유닛은, 상기 지지 유닛의 상면으로 가스를 분사하여 상기 지지 유닛을 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 세정 유닛은,
    가스 공급부;
    상부에서 바라볼 때, 상기 가스 공급부와 상기 지지 유닛의 중앙 영역을 연결하는 제 1 가스 공급 라인부 및 상기 가스 공급부와 상기 지지 유닛의 가장자리 영역을 연결하는 제 2 가스 공급 라인부를 갖는 가스 공급 라인부; 그리고
    상기 가스 공급부 및 상기 가스 공급 라인부를 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 유닛은, 상기 가스 공급 라인부 상에 제공되어, 상기 제 1 가스 공급 라인부와 상기 제 2 가스 공급 라인부의 가스 공급량을 각각 제어하는 유량 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 공정 완료 후 상기 지지 유닛으로 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 공급부 및 상기 가스 공급 라인부를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가스는 질소를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인부는 상기 지지 유닛을 통해 상기 지지 유닛의 상면으로 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은 상기 지지 유닛으로 열전달 매체를 공급하여 상기 지지 유닛의 온도를 조절하는 열전달 매체 공급부를 더 포함하고,
    상기 가스 공급 라인부는 상기 열전달 매체 공급부와 연결되는 기판 처리 장치.
  7. 공정 챔버 내의 플라즈마를 이용하여 기판에 대해 공정을 처리하는 지지 유닛을 세정하는 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 지지 유닛의 상면으로 가스를 분사하여 상기 지지 유닛을 세정하되, 상기 지지 유닛의 중앙 영역 및 상기 지지 유닛의 가장자리 영역으로 상기 가스를 각각 공급하되;
    상기 중앙 영역 및 상기 가장자리 영역으로 상기 가스의 유량을 독립적으로 공급하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 지지 유닛의 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역에 증착되는 폴리머의 증착량에 따라 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역으로 공급되는 가스의 유량이 상이하게 공급되는 기판 처리 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 가스는 상기 공정 완료 후에 공급하여 상기 지지 유닛을 세정하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스는 질소를 포함하는 기판 처리 방법.
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