TWI474393B - 供氣裝置及具該供氣裝置而用以蝕刻基板邊緣之設備 - Google Patents

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Description

供氣裝置及具該供氣裝置而用以蝕刻基板邊緣之設備
本發明係關於一種供氣裝置(gas supplying apparatus)以及一種具該供氣裝置而用以蝕刻基板邊緣之設備；更具體而言，係關於一種能夠預先阻止在一半導體元件製造過程中所使用之一有毒氣體發生洩漏之供氣裝置，以及一種具該供氣裝置而用以蝕刻基板邊緣之設備。
元件或電路圖案(circuit patterns)一般不形成於半導體基板之邊緣區域中，乃因邊緣區域係供傳送半導體基板之用。然而，於半導體元件及電路圖案之製造過程中，非必要之沉積層或微粒會堆積於半導體基板之邊緣區域上。若不從半導體基板之邊緣區域移除該等非必要之沉積層或微粒而繼續進行半導體元件及電路圖案之製程，將導致半導體基板發生變形，或者使製程良率(yield)降低。此外，該等非必要之沉積層或微粒將致使半導體基板難以對齊。
因此，應藉由一預定之後製程來移除該等非必要之沉積層或微粒。為此，習知於相關技術中，可利用化學藥品以一濕蝕刻程序(wet etching process)來移除基板邊緣區域上非必要之沉積層或微粒。然而，近來發展出可藉由局部產生電漿於基板之邊緣區域，來移除基板邊緣區域上非必要之沉積層或微粒。
於利用電漿蝕刻基板邊緣區域時所提供之一製程氣體係為一有毒氣體。該有毒氣體係用以沉積一半導體層、一導電層及一絕緣 層於一基板上，或者用以蝕刻該等沉積層以及用於一種用以蝕刻一基板邊緣區域之裝置。若該有毒氣體發生洩漏，不僅對環境甚至對操作人員將造成嚴重的危害。
該有毒氣體係經由管路傳送，且該等管路係藉由預定之連接部相連。因此，若該等管路之某些連接部產生缺損，該有毒氣體即會洩漏到外部。
本發明提供一種供氣裝置，其能夠藉由於連接管道之一連接部之一側提供一排氣部，以於有毒氣體洩漏時排放該有毒氣體，而防止該有毒氣體洩漏，並提供一種具該供氣裝置而用以蝕刻基板邊緣之設備。
根據本發明之一實施例，一種用以供應一氣體至具有一反應隔間(reaction compartment)之一腔室(chamber)之供氣裝置包含一噴氣單元(gas spraying unit)，用以噴灑出一氣體至該反應隔間；一儲氣單元(gas storage unit)，用以儲存該氣體；一第一延伸通道及一第二延伸通道，位於該噴氣單元與該儲氣單元之間；以及一防漏單元(leakage preventing unit)，設置於該第一延伸通道及該第二延伸通道之一連接區域，以防止該氣體洩漏。
該防漏單元可包含：一第一本體，包含連接至該第一延伸通道之一第一貫穿孔；一第二本體，密封至該第一本體並連接至該第二延伸通道，且包含一第二貫穿孔，該第二貫穿孔係用以與該第 一貫穿孔連通；以及一排氣單元(gas exhaust unit)，設置於該第一貫穿孔及該第二貫穿孔之外緣上。
該排氣單元可包含一排氣溝槽，該排氣溝槽以一環狀外型形成於該第一本體與該第二本體至少其中之一上。
該腔室可包含一上腔室部與一下腔室部，該上腔室部與該下腔室部可分離地相互耦合，該第一延伸通道可設置於該下腔室部之一壁面內，且該第二延伸通道可設置於該上腔室部之一壁面內。
該防漏單元可包含一排氣溝槽，該排氣溝槽設置於該上腔室部與該下腔室部至少其中之一之一耦合表面區域中。
該供氣裝置更可包含一排氣通道，用以與該排氣溝槽連通；以及一排氣泵(exhaust pump)，連接至該排氣通道。該排氣溝槽內之一壓力係低於該第一延伸通道及該第二延伸通道內之壓力。該供氣裝置更可包含至少一O形環(O-ring)，設置於該排氣溝槽之一內側區域以及一外側區域至少其中之一上。
根據本發明之另一實施例，一種用於蝕刻一基板邊緣之設備包含一腔室，該腔室包含一上腔室部及一下腔室部，該上腔室部與該下腔室部可分離地相互耦合以提供一反應隔間；一遮罩組件(mask part)，設置於該反應隔間中；一基板支撐部，設置於該遮罩組件之下方；以及一製程氣體供應單元，包含一第一延伸通道，一第二延伸通道以及一防漏單元，該第一延伸通道與該第二延伸通道之至少一部分係分別設置於該下腔室部之一壁面內及該上腔室部之一壁面內，該第一延伸通道與該第二延伸通道相互連通，且該防漏單元係設置於該第一延伸通道與該第二延伸通道間之一 連通區域中，該製程氣體供應單元係用以供應一製程氣體。
該防漏單元可包含一第一本體，具有一第一貫穿孔，設置於該下腔室部之一可分離表面(detachment surface)並連接至該第一延伸通道；一第二本體，具有一第二貫穿孔，設置於該上腔室部之一可分離表面並連接至該第二延伸通道；以及一排氣單元，設置於該第一貫穿孔及該第二貫穿孔之外緣上。該排氣單元可包含一排氣溝槽，以一環狀外型形成於該第一本體與該第二本體至少其中之一上。該排氣單元可包含一排氣通道，用以與該排氣溝槽連通；以及一排氣泵，連接至該排氣通道。
各該第一本體與該第二本體各被製成一平板外型，且於上腔室部及下腔室部之分離表面區各形成一凹槽(concave groove)以將第一本體與第二本體嵌置於各凹槽中。
該防漏單元可包含一排氣溝槽，形成於該上腔室部與該下腔室部至少其中之一之一分離表面區域上。該防漏單元更可包含一排氣通道，用以與該排氣溝槽連通，以及連接至排氣通道之一排氣泵。
該排氣溝槽內之壓力係低於該第一延伸通道及該第二延伸通道內之壓力。
本設備更可包含至少一O形環，設置於該排氣溝槽之一內側區域與一外側區域至少其中之一。該製程氣體供應單元還可包含一製程氣體儲存單元，該製程氣體儲存單元設置於該下腔室部之下方，用以供應一製程氣體至該第一延伸通道。
該製程氣體供應單元更可包含一噴射噴嘴單元(injection nozzle unit)，設置於該遮罩組件之一側向側壁區域；以及一噴射通道，用以將該噴射噴嘴單元與該延伸通道相連。
本設備更可包含一惰性氣體供應單元，該惰性氣體供應單元包括一儲存單元，用以儲存一惰性氣體；一延伸通道，延伸至該腔室之一壁面之一內側區域以及該壁面之一相鄰區域其中之一；一噴射通道，連接至該延伸通道並延伸至該遮罩組件之一內側區域；以及一噴灑噴嘴，連接至該噴射通道並設置於該遮罩組件之一下表面上。
本設備更可包含一電漿產生器，用以產生電漿於該遮罩組件與該基板支撐部之一側向區域中。
本設備更可包含一遮罩組件，該遮罩組件於該腔室中形成一分離隔間。
本設備更可包含一法拉第屏蔽(Faraday shield)，設置於該遮罩組件之一外緣上。
本設備更可包含一上部電極，設置於該遮罩組件之一邊緣區域上。
根據上述之實施例，用以提供至腔室之反應隔間中之一氣體所流經之一通道係位於該腔室之側壁內，以防止其受損，並可防止氣體洩露。
此外，根據上述之實施例，形成於各通道間之連接部之周緣之一排氣溝槽，延伸至該腔室內，藉以提供排氣部於有毒氣體洩露期間，向外排放該有毒氣體，以防止有毒氣體洩露。
再者，根據上述之實施例，一製程氣體經由該遮罩組件被噴灑 至該基板邊緣區域，且用以產生電漿之天線係位於該基板之側向上，以產生高密度電漿，藉此將電漿狀態之製程氣體匯集於該基板邊緣區域。
下文將參照附圖更詳細地說明本發明之具體實施例。本文所述之實施例旨在詳盡完整地將本發明所涵蓋之領域全面傳達給熟習此項技藝之人士。然而，其更有可能包含其他實施態樣，不應僅限於本文所述。於全文之中，相同之參考編號皆代表相同之元件。
第1圖係為第一實施例之一電漿蝕刻設備之剖視圖。
第2圖係為第一實施例之一電漿蝕刻腔室之一製程氣體供應單元之立體圖，第3圖係為第一實施例之一製程氣體供應單元之平面圖，第4圖係為第一實施例之一製程氣體供應單元之剖視圖。
第5圖係為第一實施例之一惰性氣體供應單元之立體圖，第6圖係為第一實施例之一惰性氣體供應單元之平面圖，第7圖係為第一實施例之一惰性氣體供應單元之剖視圖。
參見第1圖至第7圖，係為根據第一實施例之一基板邊緣蝕刻設備，包含一腔室100、一遮罩組件300，鄰設於一基板10之非蝕刻區域；一基板支撐部500用以接觸基板10之邊緣區域並支撐基板10；一製程氣體供應單元700，係穿置於腔室100之側壁並從腔室100之下部朝腔室100之上部延伸，並用以供應一製程氣體於腔室100之內部；一惰性氣體供應單元800，係穿置於腔室100之側壁並從腔室100之下部朝腔室100之上部延伸，並用以供應一惰性氣體至腔室100；以及一電漿產生器400，係用以於腔室 100內產生電漿。此外，如圖所示，基板邊緣蝕刻設備更包含一屏蔽組件200，係用以將腔室100之內部劃分成一反應隔間A與一分隔隔間D，以及一法拉第屏蔽600，設置於遮罩組件300與電漿產生器400之間。遮罩組件300可作為一氣體分佈板(gas distribution plate)。
如第1圖所示，製程氣體供應單元700所供應之製程氣體及惰性氣體供應單元800所供應之惰性氣體經由噴灑通過遮罩組件300至腔室100內之一反應隔間A內。
腔室100包含下腔室部110及上腔室部120，下腔室部110及上腔室部120分別包含加熱單元112及122。
首先，下腔室部110包含一近似六面體之下本體111，其內部係為中空，一下加熱單元112，設置於下本體111之至少一側壁上，以及一圓柱形貫穿孔113，設置於下本體111之一上壁中。亦即，下本體111被製成為一四角柱狀，具有上表面，下表面以及四面側壁。當然，下本體111之外型並非僅限於此，亦可形成一圓柱形或一多邊形外型。各該表面亦可被製造成一多邊形外型。用以支撐基板10之基板支撐部500係可於下本體111之內部中空空間進行升降。下本體111之一側更設置有一用以裝載/卸載基板10之閘閥(圖未示)以及一用以排出腔室100內雜質之排放單元(圖未示)。下腔室部110可經由該閘閥(圖未示)連接至用以執行另一製程之一腔室(圖未示)。
用以加熱腔室100之下加熱單元112設置於下本體111之側壁之至少一部分處。如第1圖所示，下加熱單元112係位於該側壁 內。下加熱單元112加熱下本體111並控制溫度，以預防下本體111內之溫度因外界影響而急遽變化。下加熱單元112係可為一電加熱器。下加熱單元112亦可位於下本體111之一外表面上。
加熱單元112位於下本體111內部，亦即，加熱單元112位於下本體111之側壁之內或是側向部位，以於裝載基板10之步驟時集中加熱基板10之邊緣區域。因此，可於蝕刻基板邊緣區域時提高反應性。
設置於下本體111之上壁中之貫穿孔113之直徑可大於基板10之直徑。基板支撐部500可穿過貫穿孔113升至下本體111之外部。
相同地，上腔室部120包含一近似六面體之上本體121，一上加熱單元122，設置於上本體121，以及一凹槽部123，設置於上本體121中。
上本體121之外型並非僅限於此，亦可被製造成相似於下腔室部110之下本體111之外型。上本體121可被製造成可覆蓋下本體111之貫穿孔區域之一外型。亦即，上本體121之下表面緊密貼附於下本體111之上表面。
設置於上本體121之凹槽部123連通下本體111之貫穿孔113。為此，如第1圖至第3圖所示，凹槽部123被製造成一包含一開口之形狀，該開口設置於上本體121之下壁中並朝一上壁凹陷。凹槽部123之直徑可大於貫穿孔113之直徑。於該實施例中，藉由提升基板支撐部500，可將基板10置放於上腔室部120之凹槽部123中。於凹槽部123內之一區域集中地產生電漿，以移除基 板邊緣區域之沉積層及微粒。
上加熱單元122設置於上本體121之凹槽部123之周圍區域之複數個部分之中。上加熱單元122可位於上本體121之上壁之複數個部分之中。如同設置於下本體111之下加熱單元112，上加熱單元122用以加熱基板10，以提高基板邊緣區域之電漿反應性。上加熱單元112及下加熱單元122之加熱溫度可約為80℃。而加熱溫度並非僅限於此，亦可在50℃至150℃之溫度範圍內實施加熱。當然，圖中用作上加熱單元122之電熱導線係均勻分佈於上本體121之上壁中。然而，該等電熱導線之分佈並非僅限於此，亦可集中於相對於基板邊緣之一區域上。此外，上加熱單元122可與下加熱單元112可分別由一獨立電源供應單元(圖未示)而供應電源。藉由此配置方式，可降低腔室100之下部區域與上部區域間之溫差。然而，該等加熱單元之配置並非僅限於此，上加熱單元122與下加熱單元112亦可透過一單一電源供應單元而供應電源。
儘管圖中未顯示，腔室100更可包含一開啟/閉合單元(圖未示)，用以達成上腔室部120之上本體121與下腔室部110之下本體111間之開啟及閉合。如上所述，腔室100劃分為上部區域與下部區域，且腔室100係可由該等區域相互耦接而成，由此可易於進行腔室100之維護。
製程氣體供應單元700經由下腔室部110及上腔室部120之內壁傳送一製程氣體，並將所傳送之氣體供應至反應隔間A，亦即腔室100內之基板邊緣區域。
製程氣體供應單元700包含一下延伸通道710、一上延伸通道720、一防漏單元730、一儲氣單元740、一噴射通道750，以及一噴射噴嘴單元760。此外，儘管圖未示出，製程氣體供應單元700更可包含一控制器，用以控制供應至腔室100內之一製程氣體之流率及壓力。
下延伸通道710被製成一圓管，且該圓管之一部分係被嵌置於下腔室部110之側壁區域中。相應地，下延伸通道710設置於下腔室部110之內側壁中。上延伸通道720亦被製成一圓管，且該圓管之一部分被嵌置於上腔室部120之壁面內。上延伸通道720係設置於上腔室部120之壁面內。當下腔室部110與上腔室部120耦接時，下延伸通道710與上延伸通道720及可相互連通。
然而，上述結構並非僅限於此，下延伸通道710與上延伸通道720可分別與下腔室部110與上腔室部120一體成形。亦即，可於下腔室部110與上腔室部120中分別形成通道(貫穿槽或貫穿孔)，用以作為下延伸通道710與上延伸通道720。
於上述實施例中，製程氣體儲存單元740設置於腔室100之下部區域中。製程氣體儲存單元740連接至下延伸通道710。製程氣體係藉由設置於腔室100之橫向內側之下延伸通道710傳送至腔室100之上部區域。
如上所述，腔室100被劃分成下腔室部110及上腔室部120。因此，製程氣體供應通道亦被劃分成一上部及一下部。於實施例中，一防漏單元730可分離地設置於下腔室部110與上腔室部120相互耦合之一區域，以連接該等劃分通道。
防漏單元730包含一下本體730a；一上本體730b，密封並耦接至下本體730a；一下貫穿孔731，設置於下本體730a中並連接至下延伸通道710；一上貫穿孔732，設置於上本體730b中並連接至上延伸通道720；以及一排氣單元，設置於下貫穿孔731與上貫穿孔732之外緣區域。
排氣單元(圖未示出)包含製程氣體排放槽734，排氣單元更包含一排氣通道736及一排氣泵737，其中排氣通道736係用以連通製程氣體排放槽734以及與排氣通道736連接之排氣泵737。防漏單元730更包含一第一O形環733及一第二O形環735，其中第一O形環733設置於製程氣體排放槽734與下貫穿孔731及上貫穿孔732間，第二O形環735則設置於製程氣體排放槽734之外緣區域。
如第2圖所示，下本體730a在下腔室部110之上部區域中被製造成一近似四邊形平板外型。此外，如第2圖所示，上本體730b在上腔室部120之下部區域中亦被製造成一近似四邊形平板外型。再者，用以安裝下本體730a與上本體730b之凹槽部分別設置於下腔室部110與上腔室部120中。同時，下本體730a與上本體730b可分別利用耦合部件耦合至下腔室部110與上腔室部120。
下貫穿孔731及上貫穿孔732設置於下本體730a與上本體730b之中央區域。下延伸通道710延伸於下貫穿孔731內，上延伸通道720則延伸於上貫穿孔732內。當然，下延伸通道710與上延伸通道720可連接至下貫穿孔731與上貫穿孔732。下貫穿孔731及上貫穿孔732經耦合後相互連通。亦即，當下腔室部110與上 腔室部120相互緊密耦合時，下貫穿孔731可與上貫穿孔732相互緊密耦合。藉由此種結構，經過下延伸通道710之一製程氣體可通過下貫穿孔731而供應至上貫穿孔732，且供應至上貫穿孔732之一製程氣體則被提供至上延伸通道720。
第一O形環733及直徑大於第一O形環733之第二O形環735設置於下本體730a與上本體730b間。第一O形環733主要係用以防止下貫穿孔731與上貫穿孔732間發生製程氣體洩漏。
參見第2圖至第4圖，第一O形環733係沿下貫穿孔731之外緣設置。此外，用以嵌置第一O形環733之一部分之凹槽部設置於下本體730a中。儘管圖未示，然而用以嵌置第一O形環733之一部分之凹槽部亦可設置於上本體730b中。當然，上述之凹槽部亦可不需設置。
參見第3圖，沿第一O形環733之外側形成一環形製程氣體排放槽734。如第4圖所示，製程氣體排放槽734於下本體730a上被製成一凹槽外型。製程氣體排放槽734可作為一用以儲存洩漏製程氣體之空間。
製程氣體排放槽734吸收洩露至第一O形環733外側之一製程氣體，以防止該製程氣體洩露至外部。為此，製程氣體排放槽734之壓力需低於其他區域(例如，下延伸通道710及上延伸通道720，或者下貫穿孔731及上貫穿孔732)內之壓力。為達上述目的，製程氣體排放槽734可藉由與排氣通道736連通，而連接至排氣泵737。因此，藉由排氣泵737之運作，可將洩漏至製程氣體排放槽734之製程氣體沿排氣通道736引導至一安全區域。藉此， 可防止製程氣體洩露至製程氣體排放槽734之外部。其次，亦可設置一可偵測微量洩漏之感測器，使排氣泵737僅於製程氣體洩漏時才運作。
參見第2圖，排氣通道736與製程氣體排放槽734之底面之一側或側向連通，沿下腔室部110之側向延伸，並連接至設置於下腔室部110之外側區域中之排氣泵737。
於上述之說明中，製程氣體排放槽734形成於下本體730a中。然而，製程氣體排放槽734亦可形成於上本體730b中，並非僅限於上述。因此，排氣通道736亦可形成於上腔室部120中。此外，製程氣體排放槽734可同時形成於下本體730a與上本體730b中。此外，於圖示中儘管只形成一單一製程氣體排放槽734，然而本發明並非僅限於此，亦可設置複數個環形製程氣體排放槽734。
此外，參見第2圖至第4圖，第二O形環735設置於製程氣體排放槽734之外側。第二O形環735用以將製程氣體排放槽734之區域密封，以防止製程氣體發生洩漏。
於實施例中，第一O形環733設置於下貫穿孔731與製程氣體排放槽734之間，且第二O形環735設置於製程氣體排放槽734之外側。然而，必要時更可設置複數個O形環。
於實施例中，提供複數個O形環733及735，且與排氣通道736連通之製程氣體排放槽734設置於用以連接下延伸通道710與上延伸通道720之防漏單元730中，以防止於防漏單元730內發生製程氣體洩漏。
此外，藉由防漏單元730與下延伸通道710相連之上延伸通道 720係連接至噴射通道750中，噴射通道750設置於腔室100之反應隔間A內。設置於腔室100之下部區域中之製程氣體儲存單元740所提供之製程氣體可經由下延伸通道710、防漏單元730、上延伸通道720、噴射通道750，以及設置於噴射通道750末端之噴射噴嘴單元760而噴灑至腔室100之反應隔間中。
如第1圖所示，噴射通道750延伸至遮罩組件300內，且噴射噴嘴單元760設置於遮罩組件300之側壁區域中。藉由此種結構，可將製程氣體提供至反應隔間之電漿產生區域(亦即，基板之邊緣區域)。當然，噴射噴嘴單元760之位置並非僅限於此，亦可位於不同位置。舉例而言，該噴射噴嘴單元可設置於遮罩組件300之外側區域，亦即上腔室部120之上壁面。
於上述實施例中，大部分製程氣體所流過之通道係位於該腔室內部，以防止因外界影響而損壞該等通道，藉此可防止製程氣體洩漏。
類似於上述之製程氣體供應單元700，惰性氣體供應單元800經由下腔室部110及上腔室部120之內壁傳送一惰性氣體，並經由遮罩組件300將惰性氣體供應至毗鄰於遮罩組件300之基板中央區域(亦即，基板之一非蝕刻區域)。
惰性氣體供應單元800包含一下延伸通道810，設置於下腔室部110之內壁中，一上延伸通道820，設置於上腔室部120之內壁中，一通道連接部830，用以連接下延伸通道810與上延伸通道820，一惰性氣體儲存單元840，連接至下延伸通道810，一噴射通道850，從上延伸通道820朝遮罩組件300之內部延伸，以及一噴射 噴嘴單元860，設置於噴射通道850之末端，以噴灑出一惰性氣體至腔室100之反應隔間A。於下文對惰性氣體供應單元800之說明中，與製程氣體供應單元700相同之部分將不再予以贅述。
參見第5圖至第7圖，通道連接部830包含一下連接本體830a；一上連接本體830b，密封並耦合至下連接本體830a；一下貫穿孔831，設置於下連接本體830a並連接至下延伸通道810；一上貫穿孔832，設置於上連接本體830b並連接至上延伸通道820；以及一O形環833，設置於下貫穿孔831及上貫穿孔832之外緣區域。此外，噴射噴嘴單元860係以一貫穿孔之外型設置於遮罩組件300之下表面。藉此，將惰性氣體噴灑至遮罩組件300之下表面區域，並可防止一製程氣體滲透至基板10之中央區域。
屏蔽組件200被製造成一環狀外型，由下腔室部110之上壁穿過上腔室部120之凹槽部123內側延伸至上腔室部120之上壁。屏蔽組件200設置於下腔室部110之貫穿孔113之邊緣之外圍區域，以將包含上腔室部120與下腔室部110之腔室100劃分成一分隔隔間D及反應隔間A。反應隔間A之空間用以放置基板10，並產生電漿，以及實施一基板邊緣區域蝕刻製程。用以產生電漿之電漿產生器400之一部分係位於分隔隔間D之內。分隔隔間D及反應隔間A可藉由屏蔽組件200相互隔離。舉例而言，分隔隔間D內可保持一大氣壓力，而反應隔間A內可維持一真空狀態。
反應隔間A包含屏蔽組件200之一內側區域，其被上腔室部120之上壁及屏蔽組件200所環繞；以及下腔室部110之內側空間。分隔隔間D則包含屏蔽組件200之外側空間，其被上腔室部120 之上壁及側壁、下腔室部110之上壁以及屏蔽組件200所環繞。屏蔽組件200可使用一種能夠傳送高頻能量之材料製成，以於屏蔽組件200內部產生電漿。舉例而言，屏蔽組件200可由一絕緣材料製成，例如由氧化鋁(Al2 O3 )製成。
於實施例中，基板10可利用基板支撐部500而提升至屏蔽組件200之內側區域，而於該區域，即屏蔽組件200與基板支撐部500間之一空間，產生電漿，以蝕刻基板10之邊緣區域。
屏蔽組件200包含一內部為中空之環形本體部210、一上延伸部220以及一下延伸部230，其中上延伸部220及下延伸部230分別設置於環形本體部210之上部及下部。上延伸部220係耦合至上腔室部120之上壁，下延伸部230則耦合至下腔室部110之上壁。環形本體部210被製造成具有類似於基板10之形狀之環狀外型。藉此，可使屏蔽組件200與基板10之間距保持一致。因此，可使電漿均勻分佈於基板邊緣區域中。此處，環形本體部210可被製造成一圓環形狀。
下延伸部230設置於環形本體部210之下部，並可延伸至環形本體部210之外側區域。上延伸部220設置於環形本體部210之上部，並延伸至環形本體部210之內側區域。然而，並非僅限於上述，下延伸部230亦可延伸至環形本體部210之內側區域且上延伸部220亦可延伸至環形本體部210之外側區域。延伸自環形本體部210下部之下延伸部230與延伸自環形本體部210上部之上延伸部220係分別緊貼至下腔室部110及上腔室部120，以使反應隔間與分隔隔間之壓力可保持互不相同。換言之，下延伸部230 與上延伸部220可作為用以密封反應隔間之密封部件。
此外，屏蔽組件200可藉由下延伸部230或上延伸部220固定至下腔室部110或上腔室部120。儘管圖中未顯示，然而更可於接觸屏蔽組件200之下腔室部110及上腔室部120設置例如O形環(O-ring)等密封部件，以密封反應隔間。參見第1圖，屏蔽組件200設置於下腔室部110及上腔室部120之表面上。然而，其配置並非僅限於此，而是亦可於接觸屏蔽組件200之下腔室部110及上腔室部120之表面區域中形成一預定凹槽。屏蔽組件200可插入該凹槽內，以進一步提高反應隔間之密封可靠性。此外，於上述說明中，屏蔽組件200係與上腔室部120及下腔室部110分開製造。然而，屏蔽組件200亦可與上腔室部120及下腔室部110一體成型。
上述遮罩組件300用以避免電漿產生在設置於基板支撐部500上之基板10之非蝕刻區域(亦即，基板10之中央區域)，以防止基板10之非蝕刻區域受到蝕刻。遮罩組件300遮擋基板10中除邊緣區域以外之一區域。遮罩組件300被製造成類似於基板10之一外型。於施例中，遮罩組件300被製造成一圓板外型。遮罩組件300可具有小於基板10之一尺寸。藉此，遮罩組件300可選擇性地暴露基板10之邊緣區域。自基板10之末端算起，由遮罩組件300所暴露之基板邊緣區域可約為0.1公釐至5公釐。
藉由此種結構，可使基板中未形成任何沉積層或半導體圖案之邊緣區域暴露出來。亦即，當暴露區域小於上述範圍時，基板邊緣區域之暴露區域過小。而當暴露區域寬於上述範圍時，則會暴 露出基板中央區域(即一非蝕刻區域)之沉積層或圖案。當然，遮罩組件300之尺寸並非僅限於此，而是亦可大於或等於基板10之尺寸。此外，可於遮罩組件300之內側區域噴入一惰性氣體，以防止處於電漿狀態之蝕刻氣體漫延至遮罩組件300內之基板中央區域。
遮罩組件300位於屏蔽組件200內之反應隔間中。如圖所示，遮罩組件300係設置於上腔室部120之凹槽部123之底部(亦即，上腔室部120之上壁之下表面)。遮罩組件300可使用一單獨組件製成，隨後藉由一耦合組件依附至凹槽部123之底部。當然，遮罩組件300並非僅限於此，而是亦可與上腔室部120製成一體。如圖所示，用以供應一製程氣體及一惰性氣體之一通道設置於遮罩組件300內，該製程氣體係噴入至遮罩組件300之側壁，該惰性氣體則噴入至遮罩組件300之下表面。
如圖所示，一上電極310可設置於遮罩組件300之末端。上電極310被施加接地電源。當然，上電極並非僅限於此，而是亦可設置於遮罩組件300內部。此外，遮罩組件300亦可作為上電極使用。為此，一絕緣層設置於遮罩組件300之一側。上電極310係引致一偏壓電源(bias power)之耦合，該偏壓電源被施加至基板支撐部500，以增加電漿密度並藉此提高基板邊緣區域之蝕刻速率。因上電極310係形成於遮罩組件300之側壁上，故用以噴入製程氣體之噴射噴嘴單元760可位於上電極310之下。
電漿產生器400包含一天線部410及一電源供應器部420。天線部410設置於由屏蔽組件200、上腔室部120及下腔室部110所環 繞之分隔隔間D中。天線部410包含至少一線圈，該線圈被設置纏繞N圈於屏蔽組件200。在圖式中，該線圈係纏繞屏蔽組件200二圈。同時，該線圈纏繞圈數並非僅限於此，亦可纏繞屏蔽組件200多於二圈。此外，線圈可垂直及/或水平地相互交疊、疊置或交叉。此外，當基板10與最靠近天線之間距介於約2公分至10公分範圍時，即可有效地產生電漿至基板10之邊緣部。然而，當該間距小於2公分時，電漿會產生到達基板之中央區域，進而產生不必要之蝕刻。反之，當該間距超過10公分時，則難以於基板邊緣附近產生高密度電漿。
電源供應器部420係為一用以供應射頻功率(RF power)之單元，並供應高頻波至天線部410。電源供應器部420可位於腔室100外部。電漿產生器400中僅天線部410需位於腔室100之分隔隔間中，而其他元件可位於腔室100外部。於該實施例中，天線部410係位於腔室100內，即位於毗鄰反應隔間A之分隔隔間D中，以於反應隔間中產生集中高密度之電漿。電漿可以一圓環外型產生於圓環形屏蔽組件200內之反應隔間中。此外，天線部410與腔室100一體成型，以精簡並縮小該裝置。電源供應器部420可提供100瓦至3仟瓦之功率。此外，電源之頻率可介於約2百萬赫茲至13.56百萬赫茲(MHz)範圍之間。
當施加電漿功率(高頻功率)至天線部410時，將於屏蔽組件200內之反應隔間中產生電漿。天線部410於屏蔽組件200內之一區域中產生高密度電漿。亦即高密度電漿係由天線部410產生於屏蔽組件200內之該區域中。因遮蔽組件300係設置於屏蔽組件 200內之該區域中，故電漿集中於遮罩組件300與屏蔽組件200間之一區域，即屏蔽組件200與上升之基板支撐部500間之區域。
於實施例中，天線部410被設置於由基板支撐部500升起之基板10之側向區域，且於天線部410之上及之下設置有接地電極。因此，高密度電漿可均勻分佈於基板邊緣區域上，且電漿可集中於基板邊緣區域，進而提高基板邊緣區域之蝕刻效率。
電漿產生器400並非僅限於上述，亦可為一電容式耦合電漿(capacitively coupled plasma)產生器、一混合型(hybrid type)電漿產生器、一電子回旋共振式(electron cyclotron resonance, ECR)電漿產生器或一表面波電漿(surface wave plasma, SWP)產生器等。
一預定連接孔(圖未示出)設置於上腔室部120，以連接電源供應器部420與天線部410。電源供應器部420延伸貫穿該連接孔，並可連接至位於上腔室部120之反應隔間內之天線部410。當然，亦可為一相反之情形。此外，電漿產生器400可更包含一匹配單元(圖未示出)，用以作為電源供應器部420與天線部410間之阻抗匹配。此外，於實施例中，加熱單元112及122係設置於腔室100之內側或側向。因此，可於天線部410之一側面區域提供一預定之冷卻組件，用以防止加熱單元112及122損壞天線部410。
法拉第屏蔽600位於屏蔽組件200之外表面上，用以使屏蔽組件200內所產生之電漿集中於基板邊緣區域。於實施例中，法拉第屏蔽600可設置於屏蔽組件200與天線部410間之一空間中。法拉第屏蔽600可利用法拉第效應而避免電漿集中至設置於天線 部410處之線圈，以使電漿可均勻地形成於腔室100內。此外，法拉第屏蔽600可防止蝕刻之副產物及聚合物局部積聚於屏蔽組件200內表面之線圈位置上，因此可減少因蝕刻而均勻地積聚於製程腔室整個內表面之副產物及聚合物。藉此，可延長電漿蝕刻裝置之壽命，並可防止在製程中腔室內之雜質不規則散亂地積聚而形成微粒。法拉第屏蔽600與裝置之一接地部形成接地，以將電漿產生時，於一天線線圈部與電漿間所產生之多餘電壓最小化，並使電漿均勻分佈於屏蔽組件200之整個表面上。
儘管圖未示出，然而一用以絕緣之絕緣組件可設置於法拉第屏蔽600與天線部410之間。法拉第屏蔽600可接觸屏蔽組件200之外表面，以與產生電漿之天線部之線圈保持一預定距離。
基板支撐部500設置於腔室100之反應隔間中，並支撐基板10。基板支撐部500用以將置入於下腔室部110內之基板10移動至設置有遮罩組件300及屏蔽組件200之上腔室部120之凹槽部123中，或者將被提升至凹槽部123之基板10向下移動至下腔室部110。
基板支撐部500包含一基板支撐夾盤520，用以支撐基板10；一驅動機540，用以上下移動基板支撐夾盤520；以及一偏壓電源供應器部550，用以供應偏壓電源給基板支撐夾盤520。此外，儘管圖未示出，然而基板支撐部500更包含一提升插銷。一供該提升插銷於其中上下運動之預定貫穿孔形成於基板支撐夾盤520中。
基板支撐夾盤520具有類似於基板10之一外型，且被製成一平板外型，並且小於基板10之尺寸。因此，置於基板支撐夾盤520 上之基板10之下邊緣區域可暴露於一電漿產生空間。用於加熱基板支撐夾盤520之一基板加熱單元530係設置於基板支撐夾盤520內。基板加熱單元530包含設置於基板支撐夾盤520內之加熱線531，以及用以供應加熱線531電源之一加熱線電源供應單元532。此外，基板加熱單元530之加熱線可集中設置於基板支撐夾盤520之邊緣區域。該等加熱線可對置於基板支撐夾盤520上之基板10之邊緣區域進行加熱，以提高基板邊緣區域之反應性。基板加熱單元530之加熱溫度可介於約150℃至550℃之範圍內。於實施例中，基板支撐夾盤520可利用基板加熱單元530加熱至約350℃之一溫度。
偏壓電源供應器部550可供應約10瓦至1000瓦之偏壓電源。該偏壓電源之頻率可介於約2百萬赫茲至13.56百萬赫茲之範圍內。偏壓電源供應器部550供應該偏壓電源至基板支撐夾盤520，藉以提供該偏壓電源給置於基板支撐夾盤520上之基板10。該偏壓電源可使電漿移動至暴露於基板支撐夾盤520與遮罩組件300外側之基板邊緣區域。
如圖所示，一下電極510可設置於基板支撐夾盤520之末端。下電極510連接至一接地電源。下電極510係用以引致施加於基板支撐部500之偏壓電源耦合並增加電漿密度，以便提高基板邊緣區域之蝕刻速率。
因該偏壓電源提供於基板支撐夾盤520，故將一絕緣層511設置於基板支撐夾盤520與下電極510間。參閱第1圖，絕緣層511係沿基板支撐夾盤520之側向之周緣設置。於此種情形中，基板 支撐部500之尺寸包含基板支撐夾盤520及絕緣層511。因此，當基板10置於基板支撐部500上時，自絕緣層511之一端突出約0.1公釐至5公釐。當然，倘若絕緣層511僅位於基板支撐夾盤520與下電極510間之一區域中，亦即，倘若絕緣層511不與基板10接觸，則基板可自基板支撐夾盤520之一端突出約0.1公釐至5公釐。
驅動機540包含一驅動軸部541，延伸至腔室100內並使基板支撐夾盤520上下運動，以及用以使驅動軸部541移動之一驅動部件542。
於上述實施例中，主要針對用於蝕刻基板邊緣區域之裝置加以說明。然而，根據上述實施例之供氣部並非僅限使用於該裝置，亦可應用於各種半導體製造裝置。此外，儘管於上述說明中，製程氣體及惰性氣體係經由遮擋基板中央區域之遮罩組件而提供，然而其並非僅限於此，而是亦可經一單獨之噴氣單元(例如一噴灑頭)注入。此外，儘管於以上說明中，供氣體流動之通道係位於腔室之橫向內側壁內，然而該通道並非僅限於此，亦可緊密設置於腔室之內表面。
以下將概述具上述結構之電漿蝕刻裝置之一蝕刻方法。
開啟設置於腔室100側向之閘閥(圖未示出)，並經由該閘閥將基板10裝載入腔室100內，即反應隔間A中。將所載入之基板10置於基板支撐部500上。可利用設置於基板支撐部及腔室100中之加熱單元112、122及531，將腔室100之內部加熱至一預定溫度，亦可於裝載基板10之同時進行加熱。詳言之，加熱基板10 之邊緣區域，用以增進基板10之邊緣區域之蝕刻反應性。
將基板10置於基板支撐部500上之後，關閉該閘閥，並將腔室100內反應隔間A之壓力控制至一預定壓力。
同時，基板支撐部500升高並移動至上腔室部120之凹槽部123內。將基板支撐部500鄰靠於凹槽部123中所設置之遮罩組件300。亦即，使基板支撐部500與遮罩組件300之間距保持至約0.1公釐至10公釐。藉由保持上述範圍，可防止電漿產生於基板支撐部500與遮罩組件300間之一區域中。此外，基板10、基板支撐部500及遮罩組件300被製造成一圓形外型，且依同一圓心對齊。藉由此種結構，基板10之邊緣區域即被彼此相鄰設置之基板支撐部500與遮罩組件300暴露在外。當遮罩組件300與基板10之間距較小時，便不會於遮罩組件300下方之一基板區域中產生電漿。
接著，藉由製程氣體供應單元700供應一製程氣體至反應隔間A，並藉由惰性氣體供應單元800供應一惰性氣體至基板10與遮罩組件300間之一區域(亦即，非蝕刻區域)。接著，電漿產生器400於一電漿產生區域(亦即，基板邊緣區域)產生電漿。
此時，製程氣體沿遮罩組件300之側壁周緣均勻地噴灑出，並藉由產生於遮罩組件300側壁周緣上之電漿得到活化。此時，對設置於遮罩組件300周緣之上電極310及設置於基板支撐部500周緣之下電極510施加一偏壓，以移除基板邊緣區域之沉積層及微粒。舉例而言，當一頻率為13.56百萬赫茲且功率為500瓦之偏壓電源提供至基板支撐部500時，暴露於電漿下之基板邊緣區域將被該偏壓電源所蝕刻。同時，藉由惰性氣體供應單元800提供 惰性氣體至遮罩組件300之中央區域，以防止處於電漿狀態之製程氣體漫延至基板之中央區域。
於基板邊緣區域完成之蝕刻後，停止產生電漿及噴入製程氣體，並將剩餘氣體排出腔室100。於排出剩餘氣體之過程中，可持續噴入惰性氣體以將腔室100內之製程氣體完全排出至外部。此外，亦將基板支撐部500降低至下腔室部110之一下壁區域。此時，可視需要提供一所需氣體，並可逐漸降低施加至天線部之高頻偏壓電源，以使製程電漿緩慢消失，直到剩餘氣體被排出或者基板支撐部500降低為止。藉此，可減少基板10之微粒積聚及缺陷產生。此後，開啟閘閥130，並將已完成製程之基板10卸載至腔室100之外。
當然，根據實施例之電漿蝕刻設備中，製程氣體供應單元之防漏單元可與該腔室製成一體，且可在與噴氣單元一體成形之遮罩組件內設置一導流板，以均勻地提供一惰性氣體。下文將參照一第二實施例來說明一電漿蝕刻設備。於下文說明中，與第一實施例相同之部分將不再予以贅述。此外，下文所述之部分技術亦可應用於第一實施例。
第8圖係為第二實施例之一電漿蝕刻設備剖視圖，第9圖係為根據第二實施例，一電漿蝕刻腔室之一製程氣體供應單元之立體圖，第10圖係為根據第二實施例之一洩漏排放單元之剖視圖。
參見第8圖至第10圖，電漿蝕刻設備包含一腔室100，腔室100包含相互耦合之一上腔室部120與一下腔室部110；一基板支撐部500，用以支撐一基板10之一非蝕刻區域；一遮罩組件300，設置 於上腔室部120中，用以遮擋基板10之非蝕刻區域，且遮罩組件300更包含一凹陷部320；一電漿產生器400，用以產生電漿於一暴露之基板區域；製程氣體供應單元700，延伸至上腔室部120及下腔室部110之內部，以供應一製程氣體至一電漿產生區域；一導流板900，設置於凹陷部320內；以及一惰性氣體供應單元800，延伸至上腔室部120與下腔室部110內部，以供應一惰性氣體至導流板900。
製程氣體供應單元700包含一下延伸通道710，設置於下腔室部110之壁面內；一上延伸通道720，用以連通下延伸通道710並設置於上腔室部120之壁面內；一噴射通道750，延伸至上腔室部120與遮罩組件300間之一空間；以及一防漏單元770，設置於下延伸通道710與上延伸通道720間之一連通區域。此時，製程氣體供應單元700更包含一儲氣單元740，用以供應一製程氣體至下延伸通道710。
如第8圖所示，下延伸通道710之一部分從下腔室部110之下部延伸至上部。亦即，下延伸通道710之末端暴露於下腔室部110之上表面。如第8圖所示，上延伸通道720之一部分從上腔室部120之下部延伸至上部。亦即，上延伸通道720末端暴露於上腔室部120之下表面。下腔室部110與上腔室部120相互緊貼。此時，下腔室部110之上表面與上腔室部120之下表面亦相互緊貼，以使下延伸通道710與上延伸通道720相互連通。
於實施例中，防漏單元770形成於下延伸通道710與上延伸通道720之一結合區域，以防止相互連通之下延伸通道710與上延 伸通道720間發生洩漏。
防漏單元770包含一排氣單元，排氣單元包含一製程氣體排放槽771，製程氣體排放槽771設置於下延伸通道710與上延伸通道720之連通區域之外側；一排氣通道772，與排放槽771連通；以及一排氣泵773，連接至排氣通道772。如第9圖及第10圖所示，製程氣體排放槽771包含一第一排放槽771a，形成於下腔室部110之上部區域中；以及一第二排放槽771b，形成於上腔室部120之下部區域中。第一排放槽771a係藉由移除下腔室部110之上部之一部分而形成。此外，第二排放槽771b係藉由移除上腔室部120之下部之一部分而形成。第一排放槽771a與第二排放槽771b被製造成一環狀外型。下延伸通道710與上延伸通道720位於該環形之中央區域。當然，下延伸通道710與上延伸通道720並非僅限於此，而是可省略其中之一。此外，亦可於下腔室部110與上腔室部120中形成複數個排放槽。
參閱第9圖及第10圖，一第一O形環774及一第二O形環775設置於製程氣體排放槽771之內側及外側。
上述惰性氣體供應單元800包含一惰性氣體儲存單元840；一下延伸通道810，設置於下腔室部110之壁面內；一上延伸通道820，設置於上腔室部120之壁面內；以及一噴射通道850，用以供應一惰性氣體至腔室100內。
遮罩組件300之凹陷部320被製造成從遮罩組件300底部朝內凹陷之一形狀。用於供應一惰性氣體之噴射通道850位於凹槽部320之上表面中。
導流板900位於噴射通道850之下，且使經由噴射通道850提供之惰性氣體噴至導流板900上以便廣泛分佈，藉此均勻地噴灑出惰性氣體。為此，導流板900位於凹槽部320之開口區域中。於實施例中，惰性氣體經由導流板900噴灑至基板10之中央部(即非蝕刻區域)，以防止邊緣區域之製程氣體漫延至基板中央區域。
儘管上文係參照附圖及較佳實施例來闡述本發明，然而本發明並非僅限於此，而是由隨附申請專利範圍加以界定。因此，應注意任何熟悉本技術者之人士均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況下，輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍
10‧‧‧基板
100‧‧‧腔室
110‧‧‧下腔室部
111‧‧‧下本體
112‧‧‧下加熱單元
113‧‧‧圓柱形貫穿孔
120‧‧‧上腔室部
121‧‧‧上本體
122‧‧‧上加熱單元
123‧‧‧凹槽部
200‧‧‧屏蔽組件
210‧‧‧環形本體部
220‧‧‧上延伸部
230‧‧‧下延伸部
300‧‧‧遮罩組件
310‧‧‧上電極
320‧‧‧凹陷部
400‧‧‧電漿產生器
410‧‧‧天線部
420‧‧‧電源供應器部
500‧‧‧基板支撐部
510‧‧‧下電極
511‧‧‧絕緣層
520‧‧‧基板支撐夾盤
530‧‧‧基板加熱單元
531‧‧‧加熱線
532‧‧‧加熱線電源供應單元
540‧‧‧驅動機
541‧‧‧驅動軸部
550‧‧‧偏壓電源供應器部
600‧‧‧法拉第屏蔽
700‧‧‧製程氣體供應單元
710‧‧‧下延伸通道
720‧‧‧上延伸通道
730‧‧‧防漏單元
730a‧‧‧下本體
730b‧‧‧上本體
731‧‧‧下貫穿孔
732‧‧‧上貫穿孔
733‧‧‧第一O形環
734‧‧‧製程氣體排放槽
735‧‧‧第二O形環
736‧‧‧排氣通道
737‧‧‧排氣泵
740‧‧‧儲氣單元
750‧‧‧噴射通道
760‧‧‧噴射噴嘴單元
770‧‧‧防漏單元
771‧‧‧製程氣體排放槽
771a‧‧‧第一排放槽
771b‧‧‧第二排放槽
772‧‧‧排氣通道
773‧‧‧排氣泵
774‧‧‧第一O形環
775‧‧‧第二O形環
800‧‧‧惰性氣體供應單元
810‧‧‧下延伸通道
820‧‧‧上延伸通道
830‧‧‧通道連接部
830a‧‧‧下連接本體
830b‧‧‧上連接本體
831‧‧‧下貫穿孔
832‧‧‧上貫穿孔
833‧‧‧O形環
840‧‧‧惰性氣體儲存單元
850‧‧‧噴射通道
860‧‧‧噴射噴嘴單元
900‧‧‧導流板
A‧‧‧反應隔間
D‧‧‧分隔隔間
配合以下之敘述及其附圖，可更詳盡地瞭解本發明之實施例。
第1圖係為第一實施例之一電漿蝕刻設備之剖視圖；第2圖係為第一實施例之一電漿蝕刻腔室之一製程氣體供應單元之立體圖；第3圖係為第一實施例之製程氣體供應單元之平面圖；第4圖係為第一實施例之製程氣體供應單元之剖視圖；第5圖係為第一實施例之一惰性氣體供應單元之立體圖；第6圖係為第一實施例之一惰性氣體供應單元之平面圖；第7圖係為第一實施例之一惰性氣體供應單元之剖視圖；第8圖係為第二實施例之一電漿蝕刻設備之剖視圖；第9圖係為第二實施例之一電漿蝕刻腔室之一製程氣體供應單元之立體圖；以及 第10圖係為第二實施例之一洩漏排放單元之剖視圖。
10‧‧‧基板
100‧‧‧腔室
110‧‧‧下腔室部
111‧‧‧下本體
112‧‧‧下加熱單元
113‧‧‧圓柱形貫穿孔
120‧‧‧上腔室部
121‧‧‧上本體
122‧‧‧上加熱單元
123‧‧‧凹槽部
200‧‧‧屏蔽組件
210‧‧‧環形本體部
220‧‧‧上延伸部
230‧‧‧下延伸部
300‧‧‧遮罩組件
310‧‧‧上電極
400‧‧‧電漿產生器
410‧‧‧天線部
420‧‧‧電源供應器部
500‧‧‧基板支撐部
510‧‧‧下電極
511‧‧‧絕緣層
520‧‧‧基板支撐夾盤
530‧‧‧基板加熱單元
531‧‧‧加熱線
532‧‧‧加熱線電源供應單元
540‧‧‧驅動機
541‧‧‧驅動軸部
550‧‧‧偏壓電源供應器部
600‧‧‧法拉第屏蔽
700‧‧‧製程氣體供應單元
710‧‧‧下延伸通道
720‧‧‧上延伸通道
730‧‧‧防漏單元
730a‧‧‧下本體
730b‧‧‧上本體
731‧‧‧下貫穿孔
732‧‧‧上貫穿孔
734‧‧‧製程氣體排放槽
736‧‧‧排氣通道
737‧‧‧排氣泵
740‧‧‧儲氣單元
750‧‧‧噴射通道
760‧‧‧噴射噴嘴單元
800‧‧‧惰性氣體供應單元
810‧‧‧下延伸通道
820‧‧‧上延伸通道
830‧‧‧通道連接部
840‧‧‧惰性氣體儲存單元
850‧‧‧噴射通道
860‧‧‧噴射噴嘴單元
A‧‧‧反應隔間
D‧‧‧分隔隔間

Claims (23)

  1. 一種供氣裝置，用以供應一氣體至具有一反應隔間(reaction compartment)之一腔室(chamber)，該裝置包含：一噴氣單元(gas spraying unit)，用以噴灑出一氣體至該反應隔間；一儲氣單元(gas storage unit)，用以儲存該氣體；一第一延伸通道及一第二延伸通道，位於該噴氣單元與該儲氣單元之間；以及一防漏單元(leakage preventing unit)，設置於該第一延伸通道及該第二延伸通道之一連接區域，以防止該氣體洩漏；其中，該防漏單元包含：一第一本體，包含連接至該第一延伸通道之一第一貫穿孔；一第二本體，密封並耦接至該第一本體，該第二本體包含一第二貫穿孔，該第二貫穿孔係連接至該第二延伸通道並與該第一貫穿孔連通；以及一排氣單元(gas exhaust unit)，設置於該第一貫穿孔及該第二貫穿孔之外緣上。
  2. 如請求項1所述之裝置，其中該排氣單元包含一排氣溝槽，該排氣溝槽以一環狀外型形成於該第一本體與該第二本體至少其中之一上。
  3. 如請求項1所述之裝置，其中該腔室包含一上腔室部與一下腔室部，該上腔室部與該下腔室部可分離地相互耦合，該第 一延伸通道設置於該下腔室部之一壁面內，且該第二延伸通道設置於該上腔室部之一壁面內。
  4. 如請求項3所述之裝置，其中該防漏單元包含一排氣溝槽，該排氣溝槽設置於該上腔室部與該下腔室部至少其中之一之一耦合表面區域中。
  5. 如請求項2或4所述之裝置，更包含：一排氣通道，用以與該排氣溝槽連通；以及一排氣泵(exhaust pump)，連接至該排氣通道。
  6. 如請求項2或4所述之裝置，其中該排氣溝槽內之一壓力係低於該第一延伸通道及該第二延伸通道內之壓力。
  7. 如請求項2或4所述之裝置，更包含至少一O形環(O-ring)，該至少一O形環設置於該排氣溝槽之一內側區域以及一外側區域至少其中之一。
  8. 一種用於蝕刻一基板邊緣之設備，該設備包含：一腔室，包含一上腔室部及一下腔室部、以及一反應隔間，該上腔室部與該下腔室部可分離地相互耦合；一遮罩組件(mask part)，設置於該反應隔間中；一基板支撐部，設置於該遮罩組件之下；以及一製程氣體供應單元，包含一第一延伸通道，一第二延伸通道以及一防漏單元，並供應一製程氣體至該反應隔間內，其中該第一延伸通道與該第二延伸通道之至少一部分係分別設置於該下腔室部之一壁面內及該上腔室部之一壁面內，其中該第一延伸通道與該第二延伸通道相互連通，且其 中該防漏單元係設置於該第一延伸通道與該第二延伸通道間之一連通區域中。
  9. 如請求項8所述之設備，其中該防漏單元包含：一第一本體，包含一第一貫穿孔，該第一貫穿孔設置於該下腔室部之一可分離表面(detachment surface)並連接至該第一延伸通道；一第二本體，包含一第二貫穿孔，該第二貫穿孔設置於該上腔室部之一可分離表面並連接至該第二延伸通道；以及一排氣單元，設置於該第一貫穿孔及該第二貫穿孔之外緣上。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該排氣單元包含一排氣溝槽，該排氣溝槽以一環狀外型形成於該第一本體與該第二本體至少其中之一上。
  11. 如請求項10所述之設備，其中該排氣單元更包含：一排氣通道，用以與該排氣溝槽連通；以及一排氣泵，連接至該排氣通道。
  12. 如請求項9所述之設備，其中各該第一本體與該第二本體製成一平板外型，且於上腔室部及下腔室部之分離表面區各形成凹槽(concave groove)以將第一本體與第二本體嵌置於凹槽中。
  13. 如請求項8所述之設備，其中該防漏單元包含一排氣溝槽，該排氣溝槽形成於該上腔室部與該下腔室部至少其中之一之一分離表面區域上。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該防漏單元更包含：一排氣通道，用以與該排氣溝槽連通；以及一排氣泵，連接至該排氣通道。
  15. 如請求項10或13所述之設備，其中該排氣溝槽內之壓力係低於該第一延伸通道及該第二延伸通道內之壓力。
  16. 如請求項10或13所述之設備，更包含至少一O形環(O-ring)，該至少一O形環設置於該排氣溝槽之一內側區域與一外側區域至少其中之一。
  17. 如請求項8所述之設備，其中該製程氣體供應單元更包含一製程氣體儲存單元，該製程氣體儲存單元設置於該下腔室部之下，用以供應一製程氣體至該第一延伸通道。
  18. 如請求項8所述之設備，其中該製程氣體供應單元更包含：一噴射噴嘴單元(injection nozzle unit)，設置於該遮罩組件之一側向側壁區域；以及一噴射通道，用以使該噴射噴嘴單元與該延伸通道相連。
  19. 如請求項8所述之設備，更包含一惰性氣體供應單元，包括：一儲存單元，用以儲存一惰性氣體；一延伸通道，延伸至該腔室之一壁面之一內側區域以及該壁面之一相鄰區域其中之一；一噴射通道，連接至該延伸通道並延伸至該遮罩組件之一內側區域；以及一噴灑噴嘴(spray nozzle)，連接至該噴射通道並設置於該遮罩組件之一下表面上。
  20. 如請求項8所述之設備，更包含一電漿產生器，用以產生電漿至該遮罩組件與該基板支撐部之一側向區域中。
  21. 如請求項8所述之設備，更包含一屏蔽組件(shield part)，該屏蔽組件於該腔室中形成一分離隔間。
  22. 如請求項21所述之設備，更包含一法拉第屏蔽(Faraday shield)，該法拉第屏蔽設置於該屏蔽組件之一外緣上。
  23. 如請求項8所述之設備，更包含一上部電極，該上部電極設置於該遮罩組件之一邊緣區域。
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