KR20160002191A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버, 지지 유닛, 가스 공급 유닛, 플라스마 소스, 제어 유닛 및 열 전달 가스 분사 유닛 등을 포함한다. 열 전달 가스 분사 유닛은 가열 부재를 가진다. 가열 부재는 열 전달 가스 분사 유닛에 의해 지지 유닛에 공급되는 열 전달 가스를 열전달 가스가 지지 유닛 내부로 공급되기 전에 일정 온도로 가열함으로써, 지지 유닛 및 기판의 갑작스러운 온도 변화를 방지한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라스마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다.
플라스마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 공정 진행 중의 지지 유닛의 온도변화를 나타낸 그래프이다. 도 1을 참고하면, 일반적으로, 기판 처리 공정 중에 기판의 온도를 제어하기 위하여 지지 유닛 내부에 가열 유닛이 제공된다. 또한, 기판으로의 열 전달을 위해 기판 지지 유닛으로부터 기판의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는데, 높은 온도의 기판 지지 유닛에 낮은 온도의 열 전달 가스가 주입되는 시점(1)에 온도 강하가 발생하며 이를 보상하기 위한 가열 유닛에 의한 온도 상승(2) 및 기판이 장치에 놓인 후 플라스마의 점화로 인해 갑작스러운 온도 상승(3)이 발생한다. 이러한 갑작스러운 온도의 상승은 공정에 영향을 미친다.
본 발명은 플라스마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판의 온도를 안정시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 공간이 형성된 챔버; 상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛과 상기 지지 유닛에 놓인 기판의 사이로 열 전달 가스를 분사시키는 열 전달 가스 분사 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상면에 기판이 놓이는 바디; 및 상기 바디를 가열하는 히터를 포함하고, 상기 열 전달 가스 분사 유닛은, 상기 지지 유닛에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면에 분사홀이 제공된 가스 분사 라인과; 상기 가스 분사 라인에 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인;과 상기 가스 공급 라인에 제공되어 열 전달 가스를 가열하는 가열 부재;를 포함한다.
상기 가열 부재는, 상기 열 전달 가스를 상기 지지 유닛의 기판이 놓이는 면의 공정 온도 이상으로 가열한다.
상기 지지 유닛의 기판이 놓이는 면의 온도를 측정하고, 측정된 온도 값에 따라 상기 히터의 온도를 조절하는 제어 유닛을 더 포함한다.
번 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 기판을 처리하는 방법은, 지지 유닛 및 이의 상면에 놓인 기판 사이의 공간으로 열 전달 가스를 공급하고, 상기 기판으로 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하되, 상기 열 전달 가스는 상기 지지 유닛의 외부에서 가열된 상태로 공급된다.
상기 열 전달 가스를 가열 시, 상기 열 전달 가스를 상기 지지 유닛의 기판이 놓이는 면의 공정 온도 이상으로 가열한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 플라스마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판의 온도를 안정시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 공정 진행 중의 지지 유닛의 온도변화를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 일부 및 열 전달 가스 분사 유닛을 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 가열하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400), 배기 유닛(500), 제어 유닛(600) 및 열 전달 가스 분사 유닛(700)을 포함한다.
챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
지지 유닛(200)은 챔버 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 정전 척 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.
정전 척은 바디 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디는 내부 유전판(220), 전극(223), 히터(225), 지지판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.
내부 유전판(220)은 정전 척의 상단부에 위치한다. 내부 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 내부 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 내부 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 내부 유전판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 내부 유전판(220) 내에는 전극(223)과 히터(225)가 매설된다.
전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 전극(223)에 인가된 전류에 의해 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 내부 유전판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 내부 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 내부 유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 내부 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.
지지판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스 분사 유닛(2310)과 연결된다.
포커스 링(240)은 정전 척의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 내부 유전판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열 전달 가스 저장부(231a)와 연결된 가스 공급 라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라스마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기된다.
배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
제어 유닛(600)은 지지 유닛(200)의 기판(W)이 놓이는 면의 온도를 측정하고, 측정된 온도 값에 따라 히터(225)의 온도를 조절한다. 예를 들어, 측정된 온도가 공정 온도에서 일정 범위를 벗어나도록 떨어지는 경우 제2 하부 전원(225a)이 히터(225)에 전원을 공급하도록 제어하고, 측정된 온도가 공정 온도에서 일정 범위를 벗어나도록 증가하는 경우 제2 하부 전원(225a)으로부터 히터(225)에 공급되는 전원을 차단한다. 따라서, 지지 유닛(200) 내부로 일정 온도 이하의 열 전달 가스가 공급되는 경우 지지 유닛(200)의 온도가 낮아지게 되고, 제어 유닛(600)은 지지 유닛(200)의 온도를 높이기 위해 히터(225)에 전원을 공급한다. 이는 기판(W)의 갑작스러운 온도 상승을 유발한다. 갑작스러운 온도 상승은 공정에 영향을 미칠 수 있다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 내부 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 내부 유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 내부 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.
도 3은 도 2의 지지 유닛(200)의 일부 및 열 전달 가스 분사 유닛(2310)을 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 열 전달 가스 분사 유닛(2310)은 열 전달 가스를 지지 유닛(200)의 내부로 공급한다. 열 전달 가스 분사 유닛(2310)은 열 전달 가스 저장부(231a), 가스 분사 라인, 가스 공급 라인(231b) 및 가열 부재(231c)을 포함한다.
가스 분사 라인은, 지지 유닛(200)에 형성되고, 지지 유닛(200)의 상면에 분사홀이 제공된다. 가스 분사 라인은, 상술한 제1 순환 유로(231) 및 제 2 공급 유로(233)를 포함한다.
제1 순환 유로(231)는 가스 공급 라인(231b)을 통해 열 전달 가스 저장부(231a)와 연결된다. 가스 공급 라인(231b)는 제1 순환 유로(231)에 열 전달 가스를 공급한다.
열 전달 가스 저장부(231a)는 지지 유닛(200)의 외부에 위치된다. 열 전달 가스 저장부(231a)에는 열 전달 가스가 저장된다. 열 전달 가스는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열 전달 가스는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 가스 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 정전 척간에 온도 교환을 돕는 매개체 역할을 한다.
가열 부재(231c)은 지지 유닛(200)의 외부의 가스 공급 라인(231) 상에 위치된다. 가열 부재(231c)은 열 전달 가스 저장부(231a)로부터 흘러 나온 열 전달 가스가 지지 유닛(200)의 내부로 공급되기 전에 열 전달 가스를 가열한다. 예를 들면, 가열 부재(231c)는 지지 유닛(200)의 기판(W)이 놓이는 면의 공정 온도 이상으로 열 전달 가스를 가열할 수 있다. 따라서, 지지 유닛(200) 내부로 공정 온도와 근접한 온도의 열 전달 가스를 공급하게 됨으로써, 상술한 히터(225)에 의한 가열 및 공정 시작시의 플라스마 점화에 의한 기판의 갑작스러운 온도 변화를 방지할 수 있다.
10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라스마 소스
500: 배기 유닛 600: 제어 유닛
2310: 열 전달 가스 분사 유닛 231c: 가열 부재

Claims (5)

  1. 내부에 공간이 형성된 챔버;
    상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 기판 지지 유닛과 상기 지지 유닛에 놓인 기판의 사이로 열 전달 가스를 분사시키는 열 전달 가스 분사 유닛을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    상면에 기판이 놓이는 바디; 및
    상기 바디를 가열하는 히터를 포함하고,
    상기 열 전달 가스 분사 유닛은,
    상기 지지 유닛에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면에 분사홀이 제공된 가스 분사 라인과;
    상기 가스 분사 라인에 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인;과
    상기 가스 공급 라인에 제공되어 열 전달 가스를 가열하는 가열 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 부재는,
    상기 열 전달 가스를 상기 지지 유닛의 기판이 놓이는 면의 공정 온도 이상으로 가열하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 유닛의 기판이 놓이는 면의 온도를 측정하고, 측정된 온도 값에 따라 상기 히터의 온도를 조절하는 제어 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    지지 유닛 및 이의 상면에 놓인 기판 사이의 공간으로 열 전달 가스를 공급하고, 상기 기판으로 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하되,
    상기 열 전달 가스는 상기 지지 유닛의 외부에서 가열된 상태로 공급되는 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 열 전달 가스를 가열 시, 상기 열 전달 가스를 상기 지지 유닛의 기판이 놓이는 면의 공정 온도 이상으로 가열하는 기판 처리 방법.
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