KR101577782B1 - 기판 처리장치 및 이의 세정방법 - Google Patents

기판 처리장치 및 이의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리장치로서, 내부에 공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버에 설치되고 상기 챔버 내부에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지대, 상기 챔버의 상측에 상기 기판 지지대와 대향 배치되고 상기 기판에 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부, 및 상기 챔버의 측면에 연결되고 상기 챔버 내부로 세정가스를 분사하는 세정가스 분사부를 포함하고, 증착물의 축적 정도가 심한 영역을 향해 세정가스를 분사하여 증착물을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리장치 및 이의 세정방법에 관한 것이다.

Description

기판 처리장치 및 이의 세정방법{Apparatus and Method for Processing Substrate}
본 발명은 기판 처리장치 및 이의 세정방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증착물의 축적 정도가 심한 영역을 향해 세정가스를 분사하여 증착물을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리장치 및 이의 세정방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시 장치, 발광 다이오드 또는 박막 태양 전지 등은 반도체 공정을 이용하여 제조한다. 반도체 공정은 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출시키는 포토 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각 공정 등을 포함한다. 이러한 반도체 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.
챔버는 내부에는 기판을 지지하는 기판 지지대와 공정 가스를 분사하는 공정가스 분사부가 대향 배치된다. 즉, 챔버 내부의 하측에 기판 지지대가 마련되어 기판을 지지하고, 반응 챔버 내부의 상측에 가스 분배부가 마련되어 공정가스를 기판 상에 분사한다. 이러한 챔버 내부에서 기판 상에 원하는 성분의 박막을 증착하는 경우 증착물이 기판뿐만 아니라 챔버 내부의 기판 지지대나 챔버의 내벽에 축적될 수 있다. 박막 형성이 반복됨에 따라 증착물이 점차 축적되어 기판 지지대나 챔버 내벽으로부터 박리되고 챔버 내부에서 부유할 수 있다. 이러한 증착물은 이물질로서 기판에 부착되고, 불순물 오염을 유발하여 기판 상에 결함(Defect)을 발생시킬 수 있다. 이에 주기적으로 또는 증착물의 축적이 심한 경우 챔버 내부를 세정하는 과정이 요구되었다.
종래에는 샤워헤드에 세정가스를 공급하고 샤워헤드에서 플라즈마를 형성하여 세정가스를 활성화시킨 후 챔버 내부의 공정영역으로 유입시켜 증착물을 세정하였다. 또는 세정가스를 챔버 내부로 공급하고 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 세정가스를 활성화시켰다. 이에, 활성화된 세정가스가 챔버 내부에 부착된 물질과 반응하여 증착물을 가스화시키고 챔버 외부로 배출하여 챔버를 세정하였다.
그러나, 세정가스가 샤워헤드를 통하여 챔버 하단부 방향으로 공급되는 경우 챔버 내부의 영역마다 증착물의 축적되는 정도에 차이가 있기 때문에, 증착물이 균일하게 제거되지 않는 문제가 있다. 예를 들어, 기판을 지지하는 기판 지지대에는 기판 상에 증착이 효과적으로 수행되도록 기판을 가열하는 가열기가 구비될 수 있다. 따라서, 가열기에 의해 가열기 주변의 온도가 상승하면 기판뿐만 아니라 기판 지지대나 기판 지지대 주변의 챔버 내벽에 증착이 활발하게 진행되기 때문에 챔버 내 다른 부분보다 증착물의 축적되는 양이 증가할 수 있다. 이에, 세정가스를 샤워헤드 측에서 챔버 내로 소량 공급하면 챔버 내 증착이 다량 진행된 부분의 증착물이 효과적으로 제거되지 않고, 세정가스를 다량 공급하면 증착물의 축적된 정도가 덜한 부분들에 손상이 발생할 수 있다.
한국공개특허공보 제2008-0062112호
본 발명은 챔버 내부를 효과적으로 세정할 수 있는 기판 처리장치 및 이의 세정방법을 제공한다.
본 발명은 설비의 수명을 향상시킬 수 있는 기판 처리장치 및 이의 세정방법을 제공한다.
본 발명은 작업의 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리장치 및 이의 세정방법을 제공한다.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리장치로서, 내부에 공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버에 설치되고 상기 챔버 내부에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지대, 상기 챔버의 상측에 상기 기판 지지대와 대향 배치되고 상기 기판에 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부, 및 상기 챔버의 측면에 연결되고 상기 챔버 내부로 세정가스를 분사하는 세정가스 분사부를 포함한다.
상기 챔버 내부의 공간은, 상기 챔버의 상부면과 상기 공정가스 분사부의 하부면 사이에 형성되는 제1 영역, 상기 공정가스 분사부의 하부면과 상기 기판 지지대의 하부면 사이에 형성되는 제2 영역, 및 상기 기판 지지대의 하부면과 상기 챔버의 하부면 사이에 형성되는 제3 영역을 포함하고, 상기 세정가스 분사부는 상기 제2 영역에 연결되어 세정가스를 분사한다.
상기 기판 지지대는 상기 챔버 내부에서 상하로 이동가능하고, 상기 세정가스 분사부는 상기 기판 지지대의 최대 하강위치보다 상측에 연결된다.
상기 제2 영역은 기판의 공정이 수행되는 공정영역을 포함하고, 상기 세정가스 분사부는 상기 공정영역으로 세정가스를 분사한다.
상기 세정가스 분사부는, 상기 챔버 외측에 배치되고 통과하는 세정가스를 플라즈마화시키는 플라즈마 발생기와, 상기 플라즈마 발생기와 연결되고, 상기 챔버의 측벽을 따라 형성되며, 상기 측벽을 관통하여 상기 챔버 내부로 세정가스를 분사하는 복수의 분사구를 포함한다.
상기 세정가스 분사부는, 상기 분사구에 연결되고 상기 복수의 분사구에 세정가스를 공급하는 분사기와, 상기 플라즈마 발생기와 상기 분사기에 연결되어, 세정가스의 이동경로를 형성하는 세정가스 공급라인을 포함한다.
상기 세정가스 공급라인은, 상기 분사기와 연결되어 상기 분사구로 세정가스를 공급하는 제1 세정가스 공급관과, 상기 플라즈마 발생기와 상기 챔버의 상측에 연결되고 상기 공정가스 분사부에 세정가스를 공급하는 제2 세정가스 공급관을 포함하고, 상기 제1 세정가스 공급관에 세정가스의 유량을 제어하는 제1 제어밸브가 구비되고, 상기 제2 세정가스 공급관에 세정가스의 유량을 제어하는 제2 제어밸브가 구비된다.
상기 분사기는, 상기 챔버 외측에 배치되고 내부에 세정가스 이동경로가 형성되는 몸체와, 일단이 상기 몸체에 연결되고 타단이 상기 복수의 분사구에 각기 연결되는 연결관을 포함한다.
상기 분사기는 상기 챔버 측벽에 매설되고 내부에 세정가스 이동경로가 형성되는 몸체를 포함하고, 상기 몸체의 내측벽에 상기 분사구가 관통 형성된다.
상기 복수의 분사구는 상기 기판 지지대의 중심부 또는 상기 챔버의 내벽을 향하여 배치된다.
상기 분사구에 세정가스의 분사방향을 조절하는 방향조절판이 구비된다.
상기 공정가스 분사부는 내부에 플라즈마를 생성시키는 복수의 플라즈마 영역을 구비한다.
본 발명은 기판 처리장치의 챔버를 세정하는 방법으로서, 상기 챔버 외부의 플라즈마원을 이용하여 세정가스를 활성화시키는 과정, 상기 활성화된 세정가스를 측방향에서 상기 챔버의 공정영역으로 주입시키는 과정, 및 상기 활성화된 세정가스로 상기 챔버 내부를 세정하는 과정을 포함한다.
상기 공정영역은 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는 기판 지지대의 하부면에서 상기 챔버의 상측에서 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부의 하부면까지의 영역을 포함하며, 상기 활성화된 세정가스는 상기 챔버 측벽을 따라서 복수의 위치에서 상기 기판 지지대를 향하는 방향으로 주입된다.
상기 공정영역으로 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정은, 상기 챔버의 상측에서 기판에 공정가스를 공급하는 공정가스 분사부로 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정을 포함한다.
상기 챔버의 상측에서 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정은, 측방향에서 상기 챔버 내부로 상기 활성화된 세정가스를 분사하기 전, 분사하는 중 및 분사한 후 중 적어도 어느 한 시기에 상기 챔버의 상측에서 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정을 포함한다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 챔버의 측면에서 챔버 내부로 세정가스를 공급할 수 있다. 따라서, 챔버 내부에서 증착물이 다량으로 축적된 부분 예를 들어, 기판 증착 공정이 활발히 수행되는 영역을 향하여 세정가스를 분사할 수 있다. 그리고, 챔버 내부의 증착물이 소량으로 축적된 부분에는 다량으로 축적된 부분으로 분사된 후 확산되는 세정가스가 공급될 수 있다. 이에, 증착물이 다량 축적된 부분에는 다량의 세정가스가 분사되고, 증착물이 소량 축적된 부분에는 소량으로 공급되어, 챔버 내 증착물이 소량으로 축적된 부분의 손상을 방지하면서 증착물이 다량으로 축적된 부분을 효과적으로 세정할 수 있다.
따라서, 소량의 세정가스를 공급하여 챔버 내부를 효과적으로 세정할 수 있다. 또한, 설비의 손상을 방지할 수 있어 설비의 수명이 향상되고, 유지보수가 용이해질 수 있다. 그리고, 세정작업이 효과적으로 수행되기 때문에, 기판 상에 결함이 발생하는 것을 방지하여 기판에 대한 공정효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리장치를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정가스 분사부의 작동을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분사구 및 분사기를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 세정가스 분사부의 작동을 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 분사구 및 분사기를 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 분사구 및 분사기를 나타내는 평면도.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 공정방법 및 기판 처리장치의 세정방법을 나타내는 플로우 차트.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 세정가스 분사부의 작동을 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 챔버의 내부를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리장치는 기판(10)을 처리하는 기판 처리장치로서, 내부에 공간을 형성하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)에 설치되고 상기 챔버(100) 내부에서 상기 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(210), 상기 챔버(100)의 상측에 상기 기판 지지대(210)와 대향 배치되고 상기 기판(10)에 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부(300), 및 상기 챔버(100)의 측면에 연결되고 상기 챔버(100) 내부로 세정가스를 분사하는 세정가스 분사부(400)를 포함한다.
챔버(100)는 내부가 비어있는 통 형상으로 제작되고, 내부에는 소정의 내부 공간이 형성된다. 챔버(100)의 형상은 기판(10)에 대응하여 사각통, 원통 등 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 또한, 챔버(10)의 일측에는 기판(10)이 출입하는 출입구(미도시)가 형성되며, 챔버 내부의 압력을 조절하는 압력 조절기(미도시), 및 챔버(100) 내부를 배기하거나 챔버(100) 내부를 진공상태로 형성할 수 있는 배기관(110)이 구비될 수 있다. 배기관(110)에는 배기 펌프(미도시)가 연결된다. 이때, 배기 장치는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프가 사용될 수 있으며, 이에 따라 챔버(100) 내부를 소정의 감압 분위기, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 소정의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성될 수 있다.
챔버(100) 내부의 공간은, 챔버(100)의 상부면과 공정가스 분사부(300)의 하부면 사이에 형성되는 제1 영역(A), 공정가스 분사부(300)의 하부면과 기판 지지대(210)의 하부면 사이에 형성되는 제2 영역(B), 및 기판 지지대(210)의 하부면과 챔버(100)의 하부면 사이에 형성되는 제3 영역(C)을 포함할 수 있다. 이때, 세정가스 분사부(400)는 제2 영역(B)에 연결되어 세정가스를 분사할 수 있다. 즉, 세정가스 분사부(400)는 챔버(100) 내부에서 증착 등의 공정이 가장 활발하게 수행되는 제2 영역(B)에 세정가스를 직접 분사하여 세정가스를 증착물의 축적 정도가 심한 영역으로 집중적으로 공급할 수 있다. 따라서, 증착물이 많이 축적된 부분으로는 많은 양의 세정가스가 공급되고 증착물이 적게 축적된 부분으로는 적은 양의 세정가스가 공급되기 때문에, 세정가스에 의한 설비의 손상은 방지하면서 증착물은 효과적으로 제거할 수 있다.
기판 지지대(210)는 챔버(100)의 하측에 구비될 수 있다. 기판 지지대(210)는 상부에 기판(10)이 안착될 수 있고, 하부에 샤프트(220)가 연결될 수 있다. 기판 지지대(210)의 내부 또는 하부에는 기판 지지대(210) 상에 안착된 기판(10)을 가열하는 가열기(미도시)가 구비될 수 있다.
샤프트(220)는 일단이 기판 지지대(210)의 하부에 연결되고 타단이 챔버(100) 하부의 외측으로 돌출되어 바이어스 전원 공급부(230)와 연결될 수 있다. 또한, 샤프트(220)는 기판 지지대(210)를 챔버(100) 내부에서 상하로 이동시키거나 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 샤프트(220)는 챔버(100)의 도어를 통해 챔버(100) 내부로 들어오는 기판(10)을 기판 지지대(210)에 안착시키거나 기판(100)을 챔버 외부로 이동시키기 위해 기판 지지대(210)를 도어의 배치되는 높이로 이동시킬 수 있다. 그리고, 샤프트(220)는 진행되는 공정에 따라 공정가스 분사부(300)와 기판(10) 사이의 이격거리를 조절하기 위해 기판(10)이 안착되는 기판 지지대(210)를 상하로 이동시킬 수 있고, 회전하여 기판 지지대(210)를 회전시킬 수 있다.
이때, 세정가스 분사부(400)는 기판 지지대(210)의 최대 하강위치보다 상측에 연결될 수 있다. 즉, 후술될 세정가스 분사부(400)의 분사구(440)가 기판 지지대(210)의 최대 하강위치보다 높은 위치에 배치되어 세정가스를 분사할 수 있다. 기판 지지대(210)가 최대로 하강했을 때 도어를 통해 기판 지지대(210)에 기판(10)을 안착시키거나 챔버(100) 외부로 이동시킬 수 있다. 즉, 기판 지지대(210)가 최대로 하강했을 때 기판(10)에 대한 증착 등의 공정이 수행되지 않을 수 있다. 이에, 세정가스 분사부(400)를 기판 지지대(210)의 최대 하강위치보다 상측에 연결시켜 세정가스를 분사하게 할 수 있다.
공정가스 분사부(300)는 챔버(100)의 상부와 연결되고 내부에 공정가스가 이동하는 경로를 형성한다. 또한, 공정가스 분사분(300)는 적어도 일부가 챔버 내부에 위치할 수 있다. 공정가스 분사부(300)는 내부에 플라즈마를 생성시키는 복수의 플라즈마 영역을 구비할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에서는 공정가스 분사부(300)가 2개의 플라즈마 영역을 구비할 수 있다. 공정가스 분사부(300)는, 챔버(100) 내부에 구비되고 제1 플라즈마 영역(P1)를 생성하면 기판(10)에 제1 공정가스를 분사하는 샤워헤드(310)와, 샤워헤드(310)에 제1 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급라인(320), 샤워헤드(310)를 관통하여 챔버(100) 내부로 제2 공정가스를 공급하는 제2 공정가스 공급라인(340), 및 제2 공정가스 공급라인(340)에 구비되어 제2 플라즈마 영역(P2)을 생성하는 안테나(330)를 포함할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 다양한 구조로 형성되어 기판(10) 상에 공정가스를 공급할 수 있다.
한편, 박막 증착 가스는 예를 들어 실리콘 옥사이드를 증착하는 경우 실리콘 함유 가스와 산소 함유 가스를 이용할 수 있는데, 실리콘 함유 가스는 SiH4 등을 포함할 수 있고, 산소 함유 가스는 O2, H2O, O3 등을 포함할 수 있다. 이때, 실리콘 함유 가스와 산소 함유 가스는 서로 다른 공정가스 공급라인(320, 340)을 통해 공급된다. 예를 들어, 제 1 공정가스 공급라인(320)을 통해 실리콘 함유 가스가 공급되고, 제 2 공정가스 공급라인(3400)을 통해 산소 함유 가스가 공급될 수 있다.
또한, 박막 증착 가스와 더불어 H2, Ar 등의 불활성 가스가 공급될 수 있는데, 불활성 가스는 제 1 및 제 2 공정가스 공급라인(320, 340)을 통해 실리콘 함유 가스 및 산소 함유 가스와 동시에 공급될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 종류의 공정가스를 공급할 수 있다.
샤워헤드(310)는 챔버 상측에 구비되는 제1 몸체(311) 및 상기 제1 몸체(311)와 이격배치되는 제2 몸체(312)를 포함한다. 제1 몸체(311)는 플레이트 형상으로 형성되고 복수의 분사홀을 포함한다. 예를 들어, 챔버(100)가 원통형으로 형성되면 제1 몸체(311)는 원판모양으로 형성될 수 있다. 그러나, 제1 몸체(311)의 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 제1 몸체(311)는 기판 지지대(210) 상측에서, 챔버(100)의 폭방향으로 연장되도록 설치되며, 복수의 분사홀을 통해 제1 공정가스를 분사한다. 또한, 제1 몸체(311)는 제1 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급라인(320)과 플라즈마 발생을 위한 전원을 인가하는 RF전원 공급부(313)와 연결될 수 있다.
제2 몸체(312)는 플레이트 형상으로 형성되고 복수의 분사홀을 포함한다. 예를 들어, 챔버(100)가 원통형으로 형성되면 제2 몸체(312)는 원판모양으로 형성될 수 있다. 그러나, 제2 몸체(312)의 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 제2 몸체(312)는 챔버(100) 내에서 제1 몸체(311)와 기판 지지대(210) 사이에 배치되며, 제1 몸체(311)의 연장방향을 따라 설치되고 접지된다. 또한, 제2 몸체(312)에는 복수의 분사홀이 형성될 수 있다. 이에, 제1 공정가스 공급라인(320)으로부터 제1 몸체(311)로 공정가스가 공급되면, 제1 공정가스는 제1 몸체(311)의 분사홀을 통해 제1 몸체(311)와 제2 몸체(312)의 이격공간으로 공급된다. 이때, 제1 몸체(311)에 RF전원을 공급하고 제2 몸체(312)는 접지시키면, 상기 이격공간에 제1 플라즈마 영역(P1)이 형성되어 용량성 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma)가 발생된다. 그리고, 활성화된 제1 공정가스는 제2 몸체(312)에 형성된 분사홀을 통해 기판(10)으로 분사된다.
상부에 기판(10)이 안착된 기판 지지대(210)에는 샤프트(220) 통해 바이어스 전원이 인가되어 제2 몸체(312)와 기판(10) 사이의 플라즈마 중 양이온이 기판(10)의 표면에 입사 또는 충돌함으로써, 기판(10) 상에 박막을 형성하거나, 기판(10) 또는 기판(10) 상에 형성된 박막을 식각할 수 있다. 이때, 제1 몸체(311)와 챔버(100) 사이에 절연체(314)가 구비되어 제1 몸체(311)와 챔버(100)를 절연시킬 수 있다. 또한, 절연체(314)는 제1 몸체(311)와 제2 몸체(312) 사이에도 구비되어 제1 몸체(311)와 제2 몸체(312)를 절연시킬 수 있다.
제2 공정가스 공급라인(340)은 그 내부에서 플라즈마를 발생시킨다. 이를 위해 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식, 헬리콘(Helicon) 방식 및 리모트 플라즈마 방식 중 적어도 어느 하나를 이용할 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 헬리콘 방식을 예로 설명한다. 제2 공정가스 공급라인(340)은 내부공간을 가지는 파이프 형상으로 제작되며, 그 외주면에 안테나(330)가 권취된다. 또한, 제2 공정가스 공급라인(340) 주위에 자계 발생용 코일(미도시)이 구비될 수 있다. 제2 공정가스 공급라인(340)은 챔버(100)의 길이방향으로 연장형성되고, 제1 및 2 몸체(311,312)를 상하방향으로 관통하도록 장착되며, 복수개가 구비되어 상호 이격되도록 배치될 수 있다. 이에, 제2 공정가스 공급라인(340)으로 제2 공정가스를 공급하면 안테나(330)에 전원을 인가하면 제2 공정가스 공급라인(340)의 내부에 제2 플라즈마 영역(P2)이 형성될 수 있다. 즉, 안테나(330)에 의해 제2 공정가스 공급라인(340) 내부에서 제2 공정가스가 방전되어 플라즈마가 생성된다. 이러한 플라즈마는 안테나(330)의 위치나 공급되는 전원의 크기에 따라 챔버(100) 내부나 외부 또는 내외부에 걸쳐서 생성될 수 있다.
또한, 자계 생성용 코일에는 서로 반대 방향으로 전류를 흐르게 하여 제2 공정가스 공급라인(340) 근처 공간에 자계를 가두어둘 수 있다. 예를 들어, 제2 공정가스 공급라인(340)의 안쪽의 안테나(330)에는 기판(10)으로 향하는 자계가 발생하도록 전류를 흘리고, 바깥쪽의 안테나(330)에는 기판(10)과 반대방향으로 향하는 자계가 발생하도록 전류를 흘리게 되면, 자계를 제2 공정가스 공급라인(340)의 근처 공간에 가둘 수 있다. 따라서, 제2 공정가스 공급라인(340)과 기판(10) 사이의 거리가 짧아도 기판(10) 근처에는 자계가 비교적 작아지고, 그에 따라 비교적 고진공에서 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있고, 낮은 손상으로 기판(10)을 처리할 수 있다. 이러한 플라즈마 중 양이온은 기판 지지대(210)에 인가되는 바이어스 전원에 의해, 기판 지지대(210) 상부에 안착된 기판(10)의 표면에 입사 또는 충돌하여 기판(10) 상에 박막을 형성하거나, 기판(10) 또는 기판(10) 상에 형성된 박막을 식각할 수 있다.
또한, 제2 공정가스 공급라인(340)의 제2 공정가스가 분사되는 부분에 분배판(미도시)이 더 구비될 수 있다. 분배판은 플레이트 형상으로 형성되고 복수의 분사홀을 구비할 수 있다. 분배판은 샤워헤드(310)를 관통하는 제2 공정가스 공급라인(340)의 분사 단부와 소정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 분배판은 챔버 내에서 샤워헤드(310)보다 하측에 구비될 수 있다. 이에, 제2 공정가스가 기판(10) 상에 직접적으로 분사되지 않고 분배판에 의해 확산되면서 기판(10) 상에 고르게 분포될 수 있다. 상기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 공정가스 분사부(300)의 구조에 대하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 구조로 형성되어 기판(10) 상에 공정가스를 공급할 수 있다.
하기에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정가스 분사부(400)에 구조에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
도 2 또는 도 3을 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 세정가스 분사부(400)는, 상기 챔버(100) 외측에 배치되고 통과하는 세정가스를 활성화시키는 플라즈마 발생기(420)와, 상기 플라즈마 발생기(420)와 연결되고, 상기 챔버(100)의 측벽을 따라 형성되고, 상기 측벽을 관통하여 상기 챔버(100) 내부로 세정가스를 분사하는 복수의 분사구(440)를 포함한다. 또한, 세정가스 분사부(400)는, 상기 분사구(440)에 연결되고 상기 복수의 분사구(440)에 세정가스를 공급하는 분사기(430), 및 상기 플라즈마 발생기(420)와 상기 분사기(430) 또는 챔버(100)의 상부에 연결되어, 세정가스의 이동경로를 형성하는 세정가스 공급라인(410)을 포함할 수 있다. 이때, 세정가스는 불소계 가스 및 염소계 가스 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
챔버(100) 내부의 제2 영역(B)은 기판(10)에 대한 증착 등의 공정이 수행되는 공정영역을 포함하고, 세정가스 분사부(400)는 공정영역으로 세정가스를 분사할 수 있다. 즉, 공정영역에서 증착물이 다른 영역보다 더 많이 축적되기 때문에, 공정영역에 집중적으로 세정가스를 분사하여 증착물을 제거할 수 있다.
플라즈마 발생기(420)는, 챔버 외측에 구비되고, 내부에 세정가스가 유입되는 공간을 형성하는 반응관(421), 마이크로웨이브를 발생시키는 마이크로웨이브 발생유닛(423), 반응관(421)에 연결되고 상기 마이크로웨이브 발생유닛(423)과 연결되어 마이크로웨이브를 공급받아 반응관(421) 내에서 플라즈마를 생성하는 도파관(422)을 포함할 수 있다. 반응관(421)의 일단은 세정가스를 공급하는 주공급관에 연통되고 타단은 세정가스 공급라인(410)에 연통될 수 있다. 이에, 주공급관을 통해 반응관(431) 내부로 세정가스를 공급하고 마이크로웨이브 발생유닛(423)에서 마이크로웨이브를 발생시키면, 마이크로웨이브가 도파관(422)을 통해 이동하여 세정가스를 활성화시킬 수 있다. 이에, 세정가스가 챔버(100) 외부에서 활성화되어 공급되기 때문에, 챔버(100) 내부에서 별도의 장치를 통해 플라즈마를 발생시키지 않을 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
세정가스 공급라인(410)은, 상기 분사기(430)와 연결되어 상기 분사구(440)로 세정가스를 공급하는 제1 세정가스 공급관(411), 및 상기 플라즈마 발생기(420)와 상기 챔버(100)의 상측에 연결되고 상기 공정가스 분사부(300)에 세정가스를 공급하는 제2 세정가스 공급관(412)을 포함할 수 있고, 상기 제1 세정가스 공급관(411)에 세정가스의 유량을 제어하는 제1 제어밸브(413)가 구비되며, 상기 제2 세정가스 공급관(412)에 세정가스의 유량을 제어하는 제2 제어밸브(414)가 구비될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 제어밸브(413,414)를 제어하여 세정가스가 주입되는 부분을 선택할 수 있고, 세정가스의 분사량을 제어할 수 있다.
제2 세정가스 공급관(412)은 챔버(100)의 상측 또는 제1 공정가스 공급관(320)과 연통될 수 있다. 이에, 제2 세정가스 공급관(412)에 세정가스를 공급하면 세정가스과 샤워헤드(310)를 통과하여 챔버(100) 내부로 세정가스를 분포시킬 수 있다. 이에, 샤워헤드(310)에 축적된 증착물이 제2 세정가스 공급관(412)을 통해 공급되는 세정가스에 의해 제거될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 분사기(430)는, 상기 챔버(100) 외측에 배치되고 내부에 세정가스 이동경로가 형성되는 분사기 몸체(431)와, 일단이 상기 몸체에 연결되고 타단이 상기 복수의 분사구(440)에 각기 연결되는 연결관(432)을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 분사기 몸체(431)는 챔버(100) 외측에 챔버(100)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에서 챔버(100)가 원통형으로 형성되면, 분사기 몸체(431)가 원모양으로 형성되어 챔버(100) 둘레를 감쌀 수 있다. 분사기 몸체(431)는 내부에 세정가스가 이동하는 경로를 형성하고 제1 세정가스 공급관(411)과 연통되어 제1 세정가스 공급관(411)으로부터 세정가스를 공급받을 수 있다. 그러나, 분사기 몸체(431)의 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
연결관(432)은 분사기 몸체(431)와 분사구(440) 사이에 배치되고, 분사구(440)의 개수만큼 구비될 수 있다. 이에, 분사기 몸체(431) 내부를 이동하는 세정가스가 연결관(432)을 통해 분사구(440)로 이동하여 챔버(100) 내부로 분사될 수 있다.
분사구(440)는 챔버(100)의 측벽을 따라 복수개가 형성되고, 챔버(100)의 측벽을 관통하여 연결관(432)과 챔버(400) 내부를 연통시켜줄 수 있다. 분사구(440)는 챔버(100) 내 제2 영역(B)에서 특히 공정영역에서 형성될 수 있다. 이에, 공정영역에 집중적으로 세정가스를 분사하여 증착물을 제거할 수 있다.
또한, 복수의 분사구(440)는 기판 지지대(210)의 중심부 또는 챔버(100)의 내벽을 향하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(210)에 가열기가 구비되는 경우 증착공정을 수행할 때 가열기에 의해 기판 지지대(210) 주변에 증착물이 축적되는 양이 증가할 수 있다. 따라서, 이러한 증착물을 제거하기 위해 복수의 분사구(440)를 기판 지지대(210)를 향하게 배치하여 세정가스를 분사할 수 있다. 또한, 가열기 주변의 챔버(100) 내벽에도 다른 부분보다 증착물의 축적된 정도가 심할 수 있다. 이에, 분사구(440)가 마주보는 챔버(100) 내벽을 향하도록 배치시켜 세정가스를 분사할 수도 있다. 그러나, 분사구(440)가 배치되는 위치나 각도는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 분사구(440)에 세정가스의 분사방향을 조절하는 방향조절판이 더 구비될 수 있다. 방향조절판에 대해서는 하기의 다른 실시 예에서 상세하게 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 세정가스 분사부의 작동을 나타내는 단면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 분사구 및 분사기를 나타내는 평면도이고, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 분사구 및 분사기를 나타내는 평면도이다.
하기에서는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 분사기(450)의 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 4 또는 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 분사기(450)는 상기 챔버(100) 측벽에 매설되고 내부에 세정가스 이동경로가 형성되는 몸체(452)를 포함하고, 상기 몸체(452)의 내측벽에 상기 분사구(440)가 관통 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에서는 챔버(100)는 상부 몸체와 하부 몸체로 형성될 수 있다. 분사기(450)는 챔버(100)의 상부 몸체와 하부 몸체 사이에 구비되어 챔버(100) 측벽에 매설될 수 있다. 그리고, 챔버(100)와 분사기(450) 사이에는 챔버(100)와 분사기(450) 사이를 씰링하는 씰링부재(451)가 구비될 수 있다. 이에, 챔버(100) 내부가 밀폐될 수 있어 챔버(100) 내에서 다양한 공정이 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 분사기 몸체(452)는 챔버(100)의 형상을 따라 형성되어 챔버(100) 측벽에 매설될 수 있다. 예를 들어, 분사기 몸체(452)는 환형의 파이프 형상으로 형성되어 내부에 세정가스가 이동하는 경로를 형성하고 제1 세정가스 공급관(411)과 연결되어 제1 세정가스 공급관(411)으로부터 세정가스를 공급받을 수 있다. 즉, 분사기 몸체(452)의 챔버(100) 외부로 노출되는 부분은 제1 세정가스 공급관(411)에 연결되어 세정가스를 공급받고, 분사기 몸체(452)의 챔버(100) 내부공간과 접하는 부분에는 분사구(440)가 구비되어 세정가스를 분사할 수 있다.
분사구(440)는 분사기 몸체(452)의 내측벽에 관통하여 형성되어 분사기 몸체(452) 내부의 세정가스를 챔버(100)의 내부로 분사할 수 있다. 분사구(440)는 챔버(100) 내 제2 영역(B)에서 특히 공정영역에서 형성될 수 있다. 이에, 공정영역에 집중적으로 세정가스를 분사하여 증착물을 제거할 수 있다.
또한, 복수의 분사구(440)는 기판 지지대(210)의 중심부 또는 챔버(100)의 내벽을 향하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(210)에 가열기가 구비되는 경우 증착공정을 수행할 때 가열기에 의해 기판 지지대(210) 주변에 증착물의 축적이 증가할 수 있다. 따라서, 이러한 증착물을 제거하기 위해 복수의 분사구(440)를 기판 지지대(210)를 향하게 배치하여 세정가스를 분사할 수 있다. 또한, 가열기 주변의 챔버(100) 내벽에도 다른 부분보다 증착물의 축적된 정도가 심할 수 있기 때문에, 분사구(440)가 챔버(100) 내벽을 향하여 배치되어 세정가스를 분사할 수도 있다. 그러나, 분사구(440)의 배치되는 위치나 각도는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 분사구(440)에 세정가스의 분사방향을 조절하는 방향조절판(461)이 더 구비될 수 있다. 방향조절판(461)은 세정가스가 분사되는 경로에 배치되어 분사구(440)에서 분사되는 세정가스를 굴절시켜 분사되는 방향을 조절할 수 있다. 예를 들어, 방향조절판(461)은 기판 지지부재(210) 중심부를 향하여 분사되는 세정가스를 굴절시켜 챔버(100) 내벽을 향하게 할 수 있다. 또한, 방향조절판(461)이 복수의 분사구(440)에 모두 구비되는 경우 일측 방향조절판이 타측 방향조절판을 향하여 세정가스를 분사하게 할 수 있다. 즉, 방향조절판(461)에도 증착물이 증착될 수 있기 때문에, 방향조절판(461)의 증착물이 증착된 부분으로 세정가스를 분사하여 방향조절판(461)의 축적된 증착물을 제거하고 챔버(100) 내부로 세정가스가 균일하게 분포하도록 할 수 있다. 그러나, 방향조절판(461)의 구비되는 개수나 세정가스의 조절되는 분사방향은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 공정방법 및 챔버의 세정방법을 나타내는 플로우 차트이다.
하기에서 본 발명의 실시 예에 따른 챔버 세정방법을 설명하기로 한다. 본 발명의 실시 예에 따른 챔버 세정방법은 기판 처리장치의 챔버를 세정하는 방법으로서, 상기 챔버 외부의 플라즈마원을 이용하여 세정가스를 활성화시키는 과정(S210), 상기 활성화된 세정가스를 측방향에서 상기 챔버의 공정영역으로 주입시키는 과정(S220), 및 상기 활성화된 세정가스로 상기 챔버 내부를 세정하는 과정을 포함한다.
우선, 본 발명은 이해하기 위해 챔버세정 전에 이루어지는 공정에 대해 설명하기로 한다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 공정수행은 공정가스를 플라즈마화하는 과정(S110)과, 공정가스를 챔버에 공급하는 과정(S120), 및 기판 처리 공정이 수행되는 과정(S130)을 포함한다.
예를 들어, 반도체 소자는 복수의 공정에 의해 제조된다. 이러한 공정 가운데는 박막 증착이나 식각 등이 포함되고 이러한 공정을 반복함으로써 소정 패턴의 층을 형성하고, 복수 반복함으로써 복수의 층이 적층된 반도체 소자가 제조된다. 이를 위해 챔버(100) 내부에 진공 분위기를 형성하고 공정가스를 플라즈마화하여 챔버(100) 내부로 공급할 수 있다. 플라즈마에 의해 활성화된 공정가스는 챔버(100) 내부의 기판(10)에 증착되어 박막을 형성하여, 박막 증착이나 식각 등의 공정이 수행될 수 있다. 이에, 챔버(100) 내부의 공정영역 외부에서 플라즈마가 생성되어 공정영역 내부에서는 플라즈마를 생성하지 않을 수 있다. 이로부터, 공정 진행 중에 기판이 손상되는 것을 방지하거나 억제할 수 있다.
한편, 박막 증착 가스는 예를 들어 실리콘 옥사이드를 증착하는 경우 실리콘 함유 가스와 산소 함유 가스를 이용할 수 있는데, 실리콘 함유 가스는 SiH4 등을 포함할 수 있고, 산소 함유 가스는 O2, H2O, O3 등을 포함할 수 있다. 이때, 실리콘 함유 가스와 산소 함유 가스는 서로 다른 공정가스 공급라인(320, 340)을 통해 공급된다. 예를 들어, 제 1 공정가스 공급라인(320)을 통해 실리콘 함유 가스가 공급되고, 제 2 공정가스 공급라인(340)을 통해 산소 함유 가스가 공급될 수 있다.
그런데, 박막 증착 공정에 있어 기판 위에 원하는 성분의 박막을 증착하는 과정에서 챔버 내부에 생성된 생성물(Deposits)이 챔버(100)의 내벽에 축적될 수 있다. 박막 형성 공정이 반복됨에 따라 증착물이 점차 축적되어 챔버(100) 내벽으로부터 박리되고 챔버 내부에서 부유할 수 있다. 이러한 증착물은 이물질로서 기판(10)에 부착되고, 불순물 오염을 유발하여 기판 상에 결함(Defect)을 발생시킬 수 있다.
기판(10)을 지지하는 기판 지지대(210)에는 기판(10) 상에 증착이 효과적으로 수행되도록 기판(10)을 가열하는 가열기가 구비될 수 있다. 따라서, 가열기에 의해 가열기 주변의 온도가 상승하면 기판(10)뿐만 아니라 가열기나 가열기 주위의 챔버 내벽에서 증착이 활발하게 진행되기 때문에 챔버(10) 내 다른 부분보다 증착물의 축적되는 양이 증가할 수 있다. 이에, 세정가스를 소량 공급하면 챔버 내 증착이 활발히 진행된 부분의 증착물이 효과적으로 제거되지 않고, 세정가스를 다량 공급하면 증착물의 축적된 정도가 덜한 부분들에 손상이 발생할 수 있다.
따라서, 증착물을 제거하기 위해 하기와 같은 세정과정을 수행할 수 있다. 이때, 세정가스는 불소계 가스 및 염소계 가스 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 우선, 챔버(100) 외부의 플라즈마원을 이용하여 세정가스를 활성화시킨다. 예를 들어, 챔버(10) 외부에서 마이크로웨이브를 이용하여 세정가스를 활성화시킬 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 세정가스를 활성화시킬 수 있다.
활성화된 세정가스를 챔버(100)의 측벽에 형성되는 분사구(440)를 통해 측방향에서 상기 챔버(100)의 공정영역으로 직접 주입시킨다. 공정영역은 챔버(100) 내부에서 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(210)의 하부면에서 챔버(100)의 상측에서 기판(10)으로 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부(300)의 하부면까지의 영역이며, 활성화된 세정가스는 챔버(100) 측벽을 따라서 복수의 위치에서 상기 기판 지지대(210)를 향하는 방향으로 주입할 수 있다. 이에, 세정가스가 증착 공정 중 다른 부분들에 비해 증착물이 더 많이 증착된 부분을 향하여 분사될 수 있다.
즉, 증착물이 많이 축적된 부분과 적게 축적된 부분에 따라 세정가스의 공급량을 조절하여 챔버(100) 내부를 효과적으로 세정할 수 있다. 따라서, 설비의 손상을 방지할 수 있어 설비의 수명이 향상되고, 유지보수가 용이해질 수 있다. 그리고, 세정작업이 효과적으로 수행되기 때문에, 증착물로 인해 기판 상에 결함이 발생하는 것을 방지하여 기판에 대한 공정의 효율이 향상될 수 있다.
또한, 공정영역으로 활성화된 세정가스를 주입하는 과정은, 챔버(100)의 상측에서 공정가스 분사부(300)로 활성화된 세정가스를 주입하는 과정을 포함할 수 있다. 즉, 세정가스가 챔버(100)의 측면과 상측에서 공정영역을 향하여 주입될 수 있다. 상측에서 주입되는 세정가스는 공정가스 분사부(300)에 구비되는 샤워헤드(310)를 통해 공정영역으로 공급된다. 따라서, 상측에서 세정가스를 주입하면 샤워헤드(310) 내부에 축적된 증착물도 제거할 수 있다. 이에, 기판(10)에 대한 공정을 수행할 때 증착물에 의해 샤워헤드(310)가 막혀 공정가스가 기판(10) 상으로 분사되지 못하는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 챔버(10)의 상측에서 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정은, 측방향에서 상기 챔버(10) 내부로 상기 활성화된 세정가스를 분사하기 전, 분사하는 중 및 분사한 후 중 적어도 어느 한 시기에 상기 챔버(10)의 상측에서 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정을 포함할 수 있다. 챔버(10)의 상측과 측면에서 동시에 세정가스를 분사할 수 있지만, 샤워헤드(310) 내부와 공정영역에 축적된 증착물의 양이 다를 수 있다. 예를 들어, 샤웨헤드(310)에 더 많은 양의 증착물이 축적된 경우 측방향으로 세정가스를 분사하기 전에 챔버(100) 상측에서 세정가스를 먼저 분사할 수 있다. 그런 다음 측방향에서 공정영역으로 세정가스르 분사할 수 있다.
한편, 샤워헤드(310) 내부보다 공정영역에 증착물이 더 많이 축적된 경우 측방향에서 먼저 세정가스를 분사하고 일정시간 후 챔버의 상측으로 세정가스를 공급할 수 있다. 이에, 증착물의 축적이 심한 부분이 세정가스에 더 오랜 시간 노출되어 증착물 제거가 용이해질 수 있다. 상기와 같이 세정가스를 플라즈마화하고 활성종을 생성하여 챔버 내벽에 부착된 물질과 반응시키면 증착물은 가스화되고 챔버 외부로 배출하여 챔버를 세정한다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 챔버 220: 기판 지지대
300: 공정가스 분사부 400: 세정가스 분사부
410: 세정가스 공급라인 420: 플라즈마 발생기
430: 분사기 440: 분사구

Claims (16)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리장치로서,
    내부에 공간을 형성하는 챔버와;
    상기 챔버에 설치되고 상기 챔버 내부에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지대;
    상기 챔버의 상측에 상기 기판 지지대와 대향 배치되고 상기 기판에 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부; 및
    상기 챔버의 측면에 연결되고 상기 챔버 내부로 세정가스를 분사하는 세정가스 분사부를; 포함하고,
    상기 세정가스 분사부는, 상기 챔버의 측벽을 따라 형성되며, 상기 측벽을 관통하여 상기 챔버 내부로 세정가스를 분사하는 복수의 분사구, 및 상기 분사구에 연결되고 상기 복수의 분사구에 세정가스를 간접 공급하는 분사기를 포함하며,
    상기 분사기는 상기 챔버 측벽에 매설되고 내부에 세정가스 이동경로가 형성되는 몸체를 포함하고, 상기 몸체의 내측벽에 상기 분사구가 관통 형성되는 기판 처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버 내부의 공간은, 상기 챔버의 상부면과 상기 공정가스 분사부의 하부면 사이에 형성되는 제1 영역, 상기 공정가스 분사부의 하부면과 상기 기판 지지대의 하부면 사이에 형성되는 제2 영역, 및 상기 기판 지지대의 하부면과 상기 챔버의 하부면 사이에 형성되는 제3 영역을 포함하고,
    상기 세정가스 분사부는 상기 제2 영역에 연결되어 세정가스를 분사하는 기판 처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기판 지지대는 상기 챔버 내부에서 상하로 이동가능하고, 상기 세정가스 분사부는 상기 기판 지지대의 최대 하강위치보다 상측에 연결되는 기판 처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 영역은 기판의 공정이 수행되는 공정영역을 포함하고, 상기 세정가스 분사부는 상기 공정영역으로 세정가스를 분사하는 기판 처리장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정가스 분사부는, 상기 챔버 외측에 배치되고 통과하는 세정가스를 플라즈마화시키는 플라즈마 발생기를 포함하고,
    상기 복수의 분사구는 상기 플라즈마 발생기와 연결되는 기판 처리장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 세정가스 분사부는, 상기 플라즈마 발생기와 상기 분사기에 연결되어, 세정가스의 이동경로를 형성하는 세정가스 공급라인을 포함하는 기판 처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 세정가스 공급라인은, 상기 분사기와 연결되어 상기 분사구로 세정가스를 공급하는 제1 세정가스 공급관과, 상기 플라즈마 발생기와 상기 챔버의 상측에 연결되고 상기 공정가스 분사부에 세정가스를 공급하는 제2 세정가스 공급관을 포함하고,
    상기 제1 세정가스 공급관에 세정가스의 유량을 제어하는 제1 제어밸브가 구비되고, 상기 제2 세정가스 공급관에 세정가스의 유량을 제어하는 제2 제어밸브가 구비되는 기판 처리장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 분사구는 상기 기판 지지대의 중심부 또는 상기 챔버의 내벽을 향하여 배치되는 기판 처리장치.
  11. 청구항 5에 있어서,
    상기 분사구에 세정가스의 분사방향을 조절하는 방향조절판이 구비되는 기판 처리장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 공정가스 분사부는 내부에 플라즈마를 생성시키는 복수의 플라즈마 영역을 구비하는 기판 처리장치.
  13. 기판 처리장치의 챔버를 세정하는 방법으로서,
    상기 챔버 외부의 플라즈마원을 이용하여 세정가스를 활성화시키는 과정;
    상기 활성화된 세정가스를 측방향에서 상기 챔버의 공정영역으로 주입시키는 과정; 및
    상기 활성화된 세정가스로 상기 챔버 내부를 세정하는 과정을; 포함하고,
    상기 활성화된 세정가스를 측방향에서 상기 챔버의 공정영역으로 주입시키는 과정은, 상기 챔버의 측벽에 매설된 분사기에 세정가스를 공급하는 과정, 상기 챔버의 측벽을 따라 형성된 복수의 분사구에 세정가스를 간접적으로 공급하는 과정, 및 상기 분사구를 통해 상기 챔버의 공정영역으로 세정가스를 분사하는 과정을 포함하는 세정방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 공정영역은 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는 기판 지지대의 하부면에서 상기 챔버의 상측에서 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부의 하부면까지의 영역을 포함하며,
    상기 활성화된 세정가스는 상기 챔버 측벽을 따라서 복수의 위치에서 상기 기판 지지대를 향하는 방향으로 주입되는 세정방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 공정영역으로 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정은,
    상기 챔버의 상측에서 기판에 공정가스를 공급하는 공정가스 분사부로 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정을 포함하는 세정방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 챔버의 상측에서 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정은,
    측방향에서 상기 챔버 내부로 상기 활성화된 세정가스를 분사하기 전, 분사하는 중 및 분사한 후 중 적어도 어느 한 시기에 상기 챔버의 상측에서 상기 활성화된 세정가스를 주입하는 과정을 포함하는 세정방법.
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