JPH0714362Y2 - 薄膜形成装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は、二種以上のガスを熱で反応させて基板上に
薄膜を形成させる薄膜形成装置に関する。

（従来の技術） 従来、薄膜形成装置は、第２図に示すように、真空室31
を0.1〜10Torrに減圧し、そしてその真空室31に設置さ
れた分散板32の孔33から、導入管34に導入された二種以
上のガスを基板35に向けて噴出させ、ヒータ36でもって
加熱された基板35の熱で、噴出したガス37を化学反応さ
せて基板34上に薄膜を形成させるようにしている。そし
て前記ヒータ36の輻射熱でもって真空室31の外壁38が加
熱され、この加熱によって外壁38でガス37が反応して薄
膜を形成してしまう。これを防止するために外壁38に設
けたパイプ39に冷却水を導入して外壁38を冷却してい
る。

（本考案が解決しようとする問題点） しかしながら、外壁38の冷却のみではヒータ36の輻射熱
による分散板32の加熱を十分に押えることができず、こ
のため分散板32でガスが化学反応を起し、その反応によ
る生成物が孔33に付着してガスの噴出が円滑に行なわれ
なくなり、この結果膜厚分布が不均一になったり、膜の
成長速度が低下したりする等の問題があった。特に大型
装置の場合この問題が大きかった。

この考案は上記問題を解消することのできる薄膜形成装
置を提供することを目的とする。

（問題を解決するための手段） この考案は、上記の目的を達成するために、分散板に沿
って冷却水を通すパイプを設けたものである。

（本考案の作用） 冷却水はパイプを通って分散板に沿って流れるので、分
散板が直接冷却され、ガスが分散板で化学反応を起して
しまうということがない。

（本考案の効果） 分散板でガスが化学反応を起さないので、分散板の孔か
らガスが円滑に噴出し、これにより基板に形成される薄
膜の膜厚分布が一定になり、さらに膜の成長速度が低下
してしまうということがない。また分散板が直接冷却さ
れるので装置を大型化しても従来のような問題は起きな
い。

（本考案の実施例） 第１図において、１は真空室で、この真空室には分散板
２を設置している分散板ホルダー３と、基板４を保持す
る基板ホルダー５とが配置されている。前記分散板ホル
ダー３には冷却水を通すパイプ６が配管され、図示しな
いポンプによって冷却水を矢印方向にパイプ６に流して
分散板２を冷却するようになっている。またこの分散板
２には直径0.1〜2mmの孔2aが多数設けられていて、導入
管７から導入したガスをその孔2aから基板４に向けて噴
出させるようになっている。前記基板ホルダー５には基
板４を加熱してその基板４上でガスを反応させるための
ヒータ８が設けられている。９は冷却水を導入して外壁
10を冷却するパイプである。

いま導入管７から例えばSiH₄、H₂、HeおよびWF₆等のガ
スを導入して分散板２の孔2aから基板４に向けて噴出さ
せると、ヒータ８で加熱された基板４の熱で、下記に示
すように反応し、 2SiH₄＋WF₆→WSi₂＋6HF＋H₂ WSi₂の膜が基板４上に形成される。

この際、図示しないポンプによってパイプ６、９に冷却
水を流しておくので、分散板２および外壁10は冷却さ
れ、分散板２および外壁10で前記ガスは反応しない。

なを上記実施例では冷却水によって分散板２を冷却する
ようにしているが、これに限らず例えばフレオンガス等
で冷却するようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例の概略図、第２図は従来の薄膜形成装置
の概略図である。 １…真空室、２…分散板 ４…基板、６…パイプ ８…ヒータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 星野 清 東京都府中市四谷５−８―１ 日電アネル バ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−104659（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−69705（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−103262（ＪＰ，Ｕ)

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】減圧した真空室内に導入した二種以上のガ
   スを分散板の孔から、ヒータで加熱された基板に向けて
   噴出させ、前記基板の熱でもって噴出ガスを化学反応さ
   せて基板上に薄膜を形成させる薄膜形成装置において、
   前記分散板に沿って冷却水を通すパイプを設けたことを
   特徴とする薄膜形成装置。