KR930008956A - 성막(成膜) 처리방법 및 그 장치 - Google Patents

성막(成膜) 처리방법 및 그 장치 Download PDF

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KR930008956A
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Abstract

진공처리실내의 소정온도까지 가열된 피처리제 유지부상에 유지되는 피처리체의 포면에 반응성가스를 노즐로부터 공급하고, 피처리체 표면에서 화학반응에 의해 소망하는 박막을 피처리체 표면에 형성하는 성막처리 방법에 있어서, 진공처리실내에 최초의 피처리체를 반입하기 전에 진공처리실내에 반응가스를 노즐로부터 공급하여 진공처리실내의 분위기를 피처리체의 박막처리 분위기와 미리 동등하게 되도록 하는 공정과, 진공처리실내에 피처리체를 반입하는 공정과, 진공처리실내에 상시 반응성가스를 노즐로부터 공급하여 피처리체 표면에 소망하는 박막을 형성하는 공정과, 성막처리가 끝난 피처리체를 진공처리실에서 반출하는 공정과, 로 이루어지는 성막처리 방법에 관한 것이다. 또, 진공처리실내에서 피처리체를 소정온도까지 가열한 상태에서 유지하는 피처리체 유지부와, 진공처리실내에 반응성가스를 공급하는 노즐과를 구비하는 성막처리장치에 있어서, 공급노즐을 피처리체 유지부와 대응하는 위치에 배열설치함과 동시에 공급노즐에 냉각수단을 붙여 설치하고, 피처리체 유지부와 노즐과의 사이에 반응성가스의 흐름을 차폐하는 가스흐름제어부와, 를 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치에 관한 것이다.

Description

성막(成膜) 처리방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 성막처리장치의 제1실시예의 개략단면도이다,
제2도는 본 발명의 성막처리방법의 각 공정을 나타낸 플로우차트이다,
제3도는 본 발명의 성막처리방법과 종래의 성막처리방법에 의한 웨이퍼처리 매수(枚數)와 시이트저항과의 관계를 나타낸 그래프이다,
제4도는 본 발명의 성막처리장치의 제2실시예의 개략단면도이다,
제5도는 제4도에 나타낸 반응성가스의 공급노즐의 확대단면도이다,
제6도는 제4도에 나타낸 반응성가스의 공급노즐의 사시·단면도이다,
제7도는 본 발명의 성막처리장치의 제3실시예의 개략적단면도이다,
제8도는 제7도에 나타낸 가스유통부의 사시·단면도이다,
제9도는 본 발명의 성막처리장치의 제4실시예의 개략단면도이다,
제10도는 제9도에 나타낸 성막처리장치의 가스류(流)제어부의 사시단면도이다,
제11도는 제10도에 나타낸 가스류제어부의 다른 실시예를 나타낸 종단면도이다.

Claims (8)

  1. 진공처리실내의 소정온도까지 가열된 피처리체 유지부상에 유지되는 처리체의 표면에 반응성가스를 노즐로부터 공급하고, 피처리체의 표면에서의 화학반응에 의해 소망하는 박막을 피처리체의 표면에 형성하는 성막처리방법에 있어서, 상기 진공처리실내에 최초의 피처리체를 반입하기 전에 상기 진공처리실내에 상기 반응성가스를 상기 노즐로부터 공급하여 상기 진공처리실내의 분위기를 피처리체의 박막처리 분위기와 미리 동등하게 되도록 하는 공정과, 상기 진공처리실내에 피처리체를 반입하는 공정과, 상기 진공처리실내에 상시 상기 반응성가스를 상기 노즐로부터 공급하여 피처리체 표면에 소망하는 박막을 형성하는 공정과, 성막처리가 끝난 피처리체로 상기 진공처리실에서 반출하는 공정과, 로 이루어지는 성막처리방법.
  2. 진공처리실내에서 피처리체를 소정온도까지 가열한 상태에서 유지하는 피처리체 유지부와, 진공처리실내에 반응성가스를 공급하는 노즐과를 구비하는 성막처리장치에 있어서, 상기 노즐을 상기 피처리체 유지부와 대응하는 위치에 배열설치함과 동시에, 이 노즐에 냉각수단을 붙여 설치하고 상기 피처리체 유지부와 노즐과의 사이에 반으성가스의 흐름을 차폐하는 가스흐름제어부와, 를 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 노즐을 전열성을 가진 고이형상기체(基體)로 구성하고, 상기 냉각수단을 상기 고리형 상기체내에 형성된 복수의 고리형상실과, 이 고리형상실내에 냉매를 공급하는 냉매공급원으로 구성한 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 가스흐름제어부의 적어도 상기 피처리체 유진와 대향하는 면에 열흡수를 위한 흑색을 입혀서 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 가스흐름제어부가 세워 설치하는 정류통체와, 이 정류통체의 반경방향으로 돌출한 돌출벽과, 이 정류통체내에 소정의 틈을 두고, 그 축선방향으로 이동가능하게 배열설치된 정류체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 가스흐름제어부에 반응성가스를 그 반응온도이하로 냉각하는 냉각수단을 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 피처리체가 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 냉각수단인 반응성가스로서 SiH4와 WF6을 사용하여 WSiX의 금속막을 피처리체에 형성하는 경우에는, 상기 가스 흐름제어부를 -5℃이하로 냉각하도록 한 것을 특징으로 하는 성막처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920019084A 1991-10-16 1992-10-16 성막처리방법 및 그 장치 KR100263202B1 (ko)

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