KR20210150978A - 샤워 플레이트, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

샤워 플레이트, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

샤워 플레이트의 예시는 복수의 관통 구멍을 갖는 플레이트형 전도체의 몸체부를 포함하며, 몸체부는 하부 표면의 적어도 일부분 상에 표면 처리부를 구비하고, 표면 처리부는 표면 처리를 받았고, 이에 의해 상이한 방사율을 갖는 둘 이상의 부위를 하부 표면 상에 존재시키고 플랜지는 몸체부를 둘러싼다.

Description

샤워플레이트, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {Shower plate, substrate treatment device, and substrate treatment method}
설명된 예시는 샤워 플레이트, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판을 처리하기 위한 반도체 공정은 공정 결과에서 기판의 개선된 평면내 균일성을 필요로 한다. 공정 결과에서 기판의 평면내 균일성을 개선하기 위해, 웨이퍼 온도의 평면내 분포가 제어될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 스테이지 또는 서셉터를 다수의 구역으로 분할해서 각각의 구역의 온도를 제어시킴으로써 웨이퍼 온도의 평면내 분포를 제어할 수 있다. 그러나, 복수의 스테이지 구역의 온도를 변화시키기 위한 구조는 매우 복잡해서 문제가 쉽게 발생하고 추가로 비용이 증가한다.
본원에 설명된 일부 실시예는 전술한 문제를 해결할 수 있다. 본원에 설명된 일부 실시예는, 기판 온도의 평면내 분포를 제어하기에 적합한 샤워 플레이트, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
일부 실시예에서, 샤워 플레이트는 복수의 관통 구멍을 갖는 플레이트형 전도체의 몸체부를 포함하며, 몸체부는 하부 표면의 적어도 일부 상에 표면 처리부를 구비하고, 표면 처리부는 표면 처리를 받았고, 이에 의해 상이한 방사율을 갖는 둘 이상의 부위를 하부 표면 상에 존재시키고, 플랜지는 몸체부를 둘러싼다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성 예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 샤워 플레이트와 서셉터의 단면도이다.
도 3은 샤워 플레이트의 하부도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 표면 처리부의 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 표면 처리부의 단면도이다.
도 6의 a는 표면 처리부의 실시예를 나타낸다.
도 6의 b는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6의 c는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6의 d는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6의 e는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6의 f는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6의 g는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 6의 h는 표면 처리부의 다른 실시예를 나타낸다.
도 7은 기판 처리 방법의 실시예를 나타낸다.
도 8은 기판 온도가 표면 처리에 의해 조절되는 것을 보여주는 그래프이다.
도 9는 기판 온도가 표면 처리에 의해 조절되는 것을 보여주는 다른 그래프이다.
도 10은 기판으로부터 샤워 플레이트로 인가되는 복사 열의 양을 나타낸다.
샤워 플레이트, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법이 도면을 참조하여 설명될 것이다. 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 부호로 표시되며, 이의 반복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성 예를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(10)는, 예를 들어 금속으로 형성되는 챔버(반응기 챔버)(12)를 포함한다. 챔버(12)에는, 샤워 플레이트(14)가 제공된다. 샤워 플레이트(14)는 RF 전력과 같은 전력이 공급된다. 샤워 플레이트(14)는 내부에 형성된 관통 구멍(14a)을 갖는다. 샤워 플레이트(14)는 단일 구성 요소로 구성되거나 복수의 구성 요소의 조합에 의해 구성된다. 일 실시예에서, 샤워 플레이트(14)의 재료는 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 실리콘이다. 다른 실시예에서, 샤워 플레이트(14)는 임의의 전도체일 수 있다.
챔버(12)에는, 샤워 플레이트(14)를 대면하는 서셉터(18)가 제공된다. 서셉터(18)는, 예를 들어 접지를 위해 챔버(12)와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 샤워 플레이트(14) 및 서셉터(18)는 평행 플레이트 구조를 제공한다.
샤워 플레이트(14)로, 가스 공급 파이프(22)가 절연 구성 요소(20)를 통해 연결된다. 가스 공급 파이프(22)는 샤워 플레이트(14)와 서셉터(18) 사이에 가스를 공급한다. 절연 구성 요소(20)는, 가스 공급 파이프(22)로부터 샤워 플레이트(14)를 전기적으로 격리시키기 위해 절연체로 형성된다.
챔버(12)의 측면 상에, 가스 배기부(24)가 제공된다. 가스 배기부(24)는, 기판 처리에 사용된 가스를 배기하도록 제공된다. 따라서, 진공 펌프는 가스 배기부(24)에 연결될 수 있다.
샤워 플레이트(14)와 챔버(12) 사이에는 배기 덕트(30)가 제공된다. 배기 덕트(30)는, 예를 들어 세라믹으로 형성된다. 배기 덕트(30)는 O 링(34)을 통해 챔버(12) 상에 장착된다. O 링(34)은 배기 덕트(30)의 중량에 의해 적절한 정도로 압축된다. 샤워 플레이트(14)는 O 링(32)을 통해 배기 덕트(30) 상에 장착된다. O 링(32)은 샤워 플레이트(14)의 중량에 의해 적절한 정도로 압축된다.
또한, 흐름 제어 링(FCR)(36)이 배기 덕트(30)로부터 고정된 간격으로 제공된다. FCR(36)은 O 링(38)을 통해 챔버(12) 상에 장착된다. O 링(38)은 FCR(36)의 중량에 의해 적절한 정도로 압축된다.
일 실시예에서, 배기 덕트(30)는, GND 전위를 갖는 챔버(12)로부터 전력이 공급되는 샤워 플레이트(14)를 전기적으로 격리시킨다. 이를 위해, 배기 덕트(30)는 절연체로 형성된다. 배기 덕트(30) 및 FCR(36)은, 샤워 플레이트(14)와 서셉터(18) 사이에서 가스 배기부(24)로 기판 처리 등에 사용된 가스 등을 전달한다. 따라서, 일 실시예에서, 배기 덕트(30) 및 FCR(36)은, 평면도로 서셉터(18)를 둘러싸도록 환형으로 형성되어, 가스를 가스 배기부(24)에 전달시킨다.
도 2는 샤워 플레이트(14) 및 서셉터(18)의 구성 예시를 나타내는 단면도이다. 샤워 플레이트(14)는 몸체부(14A) 및 플랜지(14B)를 포함한다. 몸체부(14A)는 복수의 관통 구멍(14a)을 갖는 플레이트형 전도체이다. 도 2의 실시예에서, 몸체부(14A)는 서셉터(18) 바로 위에 위치하고 X1의 폭을 갖는다. 몸체부(14A)의 하부 표면(14b) 중 적어도 일부에, 표면 처리를 거친 표면 처리부(40)가 제공된다. 표면 처리부(40)는, 도 2의 실시예에서, 하부 표면(14b)의 일부 상의 산화물 막이다. 이러한 산화물 막은, 예를 들어 아노드 산화에 의해 몸체부(14A)를 산화시킴으로써 형성될 수 있다. 산화물 막은, 예를 들어 Al2O3 또는 SiO2이다. 일 실시예에서, 표면 처리부(40)를 구성하는 산화물 막의 두께는 50 um 미만이다. 다른 실시예에서, 산화물 막의 두께는 1 um 이하이다. 표면 처리부(40)는 관통 구멍(14a)을 폐쇄하지 않고 몸체부(14A)의 하부 표면(14b) 중 적어도 일부 상에 제공된다.
하부 표면(14b)의 일부 상에 표면 처리부(40)가 존재한다. 따라서, 하부 표면(14b) 상에서, 표면 처리부(40)와 몸체부(14A) 모두가 노출된다. 즉, 상이한 방사율을 갖는 두 개의 부위가 하부 표면(14b) 상에 존재한다. 이 실시예에서, 표면 처리부(40)의 방사율은 몸체부(14A)의 방사율보다 높다. 방사율이 높을수록 열이 더 많이 흡수되고, 방사율이 낮을수록 열이 더 적게 흡수된다.
다른 실시예에서, 상이한 방사율을 갖는 셋 이상의 영역이 하부 표면(14b) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 상이한 두께를 갖는 둘 이상의 산화물 막이 표면 처리부로서 제공될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 산화물 막, 제1 산화물 막보다 더 두꺼운 제2 산화물 막, 및 몸체부(14A)는 하부 표면(14b) 상에 노출됨으로써, 상이한 방사율을 갖는 3개의 영역이 제공될 수 있게 한다.
플랜지(14B)는 몸체부(14A)를 둘러싼다. 일 실시예에서, 몸체부(14A)와 일체로 형성되는 플랜지(14B)는, 몸체부(14A)를 둘러싸는 링 형상의 전도체이다. 플랜지(14B)는 샤워 플레이트(14)를 고정하는 데 사용될 수 있다.
서셉터(18)는, 스테이지(18A); 스테이지(18A)를 지지하는 샤프트(18B); 및 스테이지(18A)를 가열하는 히터(19)를 포함한다. 스테이지(18A)는 하부 표면(14b)과 대면한다. 일 실시예에서, 샤프트(18B)는, 예를 들어 모터에 의해 도 2의 화살표 방향 모두로 이동될 수 있다. 히터(19)로서, 스테이지를 가열하기 위해 구성되는 임의의 히터가 채택될 수 있다. 히터(19)는 스테이지(18A)에 내장될 수 있거나, 스테이지(18A)의 하부 또는 측면 부분에 위치할 수 있다.
도 3은 샤워 플레이트(14)의 하부도이다. 일 실시예에서, 관통 구멍(14a)은 제1 관통 구멍(14a') 및 제2 관통 구멍(14a")을 포함한다. 제1 관통 구멍(14a') 및 제2 관통 구멍(14a")은 상이한 가스를 기판에 공급하도록 제공된다. 실시예에서, 표면 처리부(40)는 하부 표면(14b)의 중심에 형성된다.
도 4는, 다른 실시예에 따른 표면 처리부를 보여주는 단면도이다. 도 4는 표면 처리부로서 제공된 거친 표면(60)을 나타낸다. 거친 표면(60)은 표면 처리부의 주변부에 비해 증가된 표면 거칠기를 나타낸다. 이 실시예에서, 거친 표면(60)의 표면 거칠기는, 샤워 플레이트(14)의 원래 표면 거칠기보다 큰 표면 거칠기를 갖는다. 거친 표면(60)은, 예를 들어 블라스트 처리에 의해 형성될 수 있다. 하부 표면(14b)의 표면 거칠기가 클수록, 표면적이 커진다. 따라서, 표면 거칠기를 증가시키면 방사율이 향상될 수 있다.
다른 실시예에서, 상이한 정도의 표면 거칠기를 갖는 셋 이상의 영역이 하부 표면(14b) 상에 제공되고, 이에 의해 상이한 방사율을 갖는 셋 이상의 영역이 제공될 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에서 표면 처리부를 보여주는 단면도이다. 도 5는 표면 처리부로서 제공된 코팅(70)을 나타낸다. 코팅(70)의 재료는 몸체부(14) 의 재료와 상이하다. 코팅(70)은 관통 구멍(14a)을 폐쇄하지 않고 제공된다. 일 실시예에서, 코팅(70)의 재료는, 예를 들어 Y2O3 또는 YF3이다. 테플론은 또한 코팅(70)으로서 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅(70)의 방사율은 알루미늄을 포함한 몸체부(14A)의 방사율보다 높다. 다른 실시예에서, 코팅의 재료는 몸체부(14) 의 재료와 상이한 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 코팅은 열 분무 또는 CVD에 의해 형성될 수 있다. 코팅의 두께는 자유롭게 결정되며, 예를 들어 50 um 미만 또는 1 um 이하일 수 있다.
몸체부의 코팅과 상이한 재료의 코팅이 표면 처리부로서 제공되는 경우에, 상이한 두께를 갖는 둘 이상의 코팅이 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 코팅, 및 제1 코팅보다 두껍도록 제1 코팅과 상이한 영역에서 형성되는 제2 코팅이 제공될 수 있다. 이러한 경우에, 상이한 방사율을 갖는 세 부위는 하부 표면(14b) 상에 제공될 수 있다.
표면 처리부의 실시예로서, 산화물 막, 거친 표면, 및 코팅이 설명되었지만; 다른 실시예에서는, 다른 구현예의 표면 처리부가 제공될 수 있다.
도 6의 a 내지 도 6의 h는 표면 처리부의 배열 실시예를 나타내는 하부 표면도이다. 도 6의 a는 하부 표면(14b)의 중심에 표면 처리부(40)를 원형으로 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 도 6의 b는 하부 표면(14b) 상에 표면 처리부(40)를 링 형상으로 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 도 6의 c는 특정 섹터를 제외하고 하부 표면(14b)의 대부분에 표면 처리부(40)를 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 도 6의 d는 하부 표면(14b) 상에 표면 처리부(40)를 섹터 형상으로 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 도 6의 e는 하부 표면(14b)의 외부 에지를 따라 환형으로 표면 처리부(40)를 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 도 6의 f는 하부 표면(14b)의 외부 에지를 따라 간헐적으로 표면 처리부(40)를 간헐적으로 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 도 6의 g는 표면 처리부(40)로서 제1 부분(40a) 및 제2 부분(40b)을 제공하는 예시를 나타낸 도면이다. 제1 부분(40a) 및 제2 부분(40b) 둘 다 표면 처리를 거쳤지만, 이들의 방사율은 상이하다. 이 실시예에서, 제2 부분(40b)의 방사율은 제1 부분(40a)의 방사율보다 높다. 제1 부분(40a) 및 제2 부분(40b)의 방사율은 몸체부(14A)의 방사율보다 높다. 따라서, 도 6의 g의 실시예에서, 상이한 방사율을 갖는 세 개의 부위가 제공된다. 도 6의 h는 전체적으로 하부 표면(14b) 상에 표면 처리부(40)을 제공하는 실시예를 나타낸 도면이다. 표면 처리부(40)는 상이한 방사율을 갖는 제1 부분(40a) 및 제2 부분(40b)을 포함한다. 제2 부분(40b)의 방사율은 제1 부분(40a)의 방사율보다 높고, 제1 부분(40a)의 방사율은 몸체부(14A)의 방사율보다 높다. 도 6의 a 내지 도 6의 h는 단지 예시이며, 표면 처리부는 하부 표면(14b) 상의 어느 곳에나 형성될 수 있다.
도 7은 기판 처리 방법의 실시예를 나타낸다. 이러한 기판 처리 방법에서, 먼저 기판(50)이 스테이지(18A) 상에 배치된다. 기판(50)은 기판 처리 장치에서 처리되어야 한다. 샤워 플레이트(14)의 하부 표면(14b)은 스테이지 및 기판(50)과 대면한다. 기판(50)은, 예를 들어, 웨이퍼이다. 기판(50)은, 표면 처리부(40) 바로 아래에 위치하는 직접 하부 부분(50a); 및 몸체부(14A)의 표면 처리부(40) 이외의 부분 바로 아래에 위치하는 비직접 하부 부분(50b, 50c)을 포함한다.
다음으로, 예를 들어 스테이지(18A)가 히터(19)에 의해 400℃ 이상으로 가열되는 동안에, 플라즈마 처리가 기판(50)에 인가된다. 일 실시예에서, 플라즈마 처리는,, 관통 구멍(14a)을 통해 스테이지(18A) 상에 가스를 공급하면서, 샤워 플레이트(14)에 고주파 전력을 공급함으로써 기판(50)에 인가된다. 이 때, 표면 처리를 거친 표면 처리부(40)는, 하부 표면(14b)의 적어도 일부 상에 존재하므로, 상이한 방사율을 갖는 두 개의 더 많은 부위가 하부 표면(14b) 상에 존재한다. 이는 기판(50)의 냉각 정도가 기판(50)의 면적에 따라 달라지게 한다. 구체적으로, 기판(50)의 직접 하부 부분(50a)은 높은 방사율을 갖는 표면 처리부(40)와 대면하므로, 열이 쉽게 발산된다. 한편, 기판(50)의 비직접 하부 부분(50b, 50c)은 낮은 방사율을 갖는 몸체부(14A)와 대면하므로, 열이 발산되기 어렵다. 도 7에서, 실선을 갖는 화살표는 직접 하부 부분(50a)으로부터의 열 발산의 양이 크다는 것을 나타내고, 파선을 갖는 화살표는 비직접 하부 부분(50b, 50c)으로부터의 열 발산의 양이 작다는 것을 나타낸다. 따라서, 본 실시예에서, 샤워 플레이트(14)의 기여도가 고려되는 한, 열은 직접 하부 부분(50a)에서 쉽게 발산되고, 열은 비직접 하부 부분(50b, 50c)에서 발산되기 어렵다. 따라서, 표면 처리부를 제공하면 기판 온도 분포를 제어할 수 있다. 전술한 바와 같은 이러한 공정은, 예를 들어 고온 플라즈마 처리로서 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 스테이지(18A)와 샤워 플레이트(14)의 평행 플레이트 구조에서, 기판의 중심은 기판의 외부 에지보다 더 높은 온도로 되는 경향이 있다. 따라서, 높은 방사율을 갖는 표면 처리부가 기판의 중심 바로 위에 제공되어, 표면 처리부가 제공되지 않을 때보다 기판의 온도가 균일성에 더 가깝게 될 수 있다.
다른 실시예에서, 기판에 대한 온도 차이가 의도적으로 제공되는 공정이 채택될 수 있다. 이 경우에, 의도된 온도 차이를 얻기 위해, 표면 처리부의 형상이 조절될 수 있다.
이와 같이, 표면 처리부는, 각 방사율에 대해 샤워 플레이트의 하부 표면을 다수의 구역으로 분할하도록 제공되어, 기판으로부터 발산된 열이 평면 내에서 제어된다. 표면 처리부(40)는, 표면 처리부의 재료 또는 형상에 따라, 하부 표면(14b) 상의 표면 처리부 이외의 영역보다 높은 방사율 또는 낮은 방사율을 갖는다. 표면 처리부는 샤워 플레이트의 하부 표면을 가공함으로써 쉽게 제공될 수 있기 때문에, 비용 이점을 제공한다.
도 8은 기판 온도가 표면 처리에 의해 조절되는 것을 보여주는 그래프이다. 원은, Al로 만들어진 샤워 플레이트가 사용될 경우의 기판 온도의 평면내 분포의 예시를 보여준다. 직사각형은, Al로 만들어진 다른 샤워 플레이트가 사용될 경우의 기판 온도의 평면내 분포의 예시를 보여준다. 이러한 샤워 플레이트는 전체적으로 그 위에 형성된 산화물 막을 가지며, 추가로 전체적으로 블라스트 처리가 적용된다. 이들 실시예에서, 동일한 프로세스가 채택되었다. 구체적으로, Ar은 챔버 내에 3 slm으로 공급되고, 챔버 내 압력은 600 Pa로 설정되고, 스테이지와 샤워 플레이트 사이의 갭은 14.5 mm로 설정되고, 서셉터, 샤워 플레이트, 및 챔버 벽 표면의 온도는 각각 650℃, 240℃, 및 160℃로 설정된다. 도 8에 따라, 기판 온도는, 산화물 막과 거친 표면의 조합을 포함하는 표면 처리부를 제공함으로써 감소될 수 있는 것으로 밝혀졌다.
도 9는 기판 온도가 표면 처리에 의해 조절된다는 것을 보여주는 또 다른 그래프이다. 도 9는, 세 개의 상이한 샤워 플레이트를 사용하여 기판에 처리를 적용할 경우의 직경이 300 mm인 기판의 온도 분포를 나타낸다. 원으로 표시된 데이터는, Al로 만들어진 샤워 플레이트가 사용될 경우의 기판 온도의 평면내 분포의 예시를 보여준다. 마름모로 표시된 데이터는, Al로 만들어진 다른 샤워 플레이트가 사용될 경우의 기판 온도의 평면내 분포의 예시를 보여준다. 이 샤워 플레이트는, 하부 표면의 중심에서 150 mm의 직경을 갖는 부위에서 블라스트 처리에 의해 형성된 거친 표면을 갖는다. 직사각형으로 표시된 데이터는, Al로 만들어진 다른 샤워 플레이트가 사용될 경우의 기판 온도의 평면내 분포의 예시를 보여준다. 이 샤워 플레이트는 산화물 막을 형성하고, 하부 표면의 중심에서 150 mm의 직경을 갖는 부위에서 블라스트 처리에 의해 형성된 거친 표면을 추가로 갖는다. 실시예 중 어느 하나에서, Al 재료는 샤워 플레이트의 하부 표면의 외측 에지 측면 상에 노출된다. 도 9의 모든 데이터는 시뮬레이션에 의해 획득되었다.
도 9에 따라, 기판 온도는 거친 표면을 형성함으로써 감소될 수 있고, 기판 온도는 산화물 막 상에 거친 표면을 형성함으로써 추가로 감소될 수 있는 것으로 밝혀졌다. Al로 만들어진 샤워 플레이트의 방사율은 원으로 표시되고 0.1이며, Al의 거친 표면의 방사율은 0.2이며, 산화물 막의 거친 표면의 방사율은 0.3이다.
도 10은 기판으로부터 샤워 플레이트로 인가되는 복사 열의 양을 나타낸 그래프이다. 도 10의 결과는 시뮬레이션에 의해 획득되었다. 원으로 표시된 데이터는, 전체 표면 알루미늄이 노출된 샤워 플레이트와 관련하여 얻어진 데이터를 나타낸다. 알루미늄의 방사율은 0.1인 것으로 가정된다. 삼각형으로 표시된 데이터는, 전체 표면이 산화물 막(AlOx)으로 덮인 샤워 플레이트와 관련하여 얻어진 데이터를 나타낸다. 산화물 막의 방사율은 0.2인 것으로 가정된다. 도 10에 따라, 특히 기판 온도가 400℃ 이상인 고온 부위에서, 기판으로부터 샤워 플레이트로의 복사 열의 양의 차이가 더 커지는 것으로 밝혀졌다. 즉, 표면 처리부를 제공함으로써 기판의 온도 감소 효과는 더 높은 기판 온도에서 더 두드러진다.

Claims (12)

  1. 샤워 플레이트로서,
    복수의 관통 구멍을 갖는 플레이트형 전도체의 몸체부로서, 상기 몸체부는 하부 표면의 적어도 일부 상에 표면 처리부를 구비하고, 상기 표면 처리부는 표면 처리를 받았고, 이에 의해 상이한 방사율을 갖는 둘 이상의 부위를 상기 하부 표면 상에 존재시키는, 몸체부; 및
    상기 몸체부를 둘러싼 플랜지를 포함하는, 샤워 플레이트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 산화물 막인, 샤워 플레이트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 상이한 두께를 갖는 둘 이상의 산화물 막을 포함하는, 샤워 플레이트.
  4. 제2항에 있어서, 상기 산화물 막의 두께는 50 μm 미만인, 샤워 플레이트.
  5. 제2항에 있어서, 상기 산화물 막의 두께는 1 μm 이하인, 샤워 플레이트.
  6. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 거친 표면을 갖고, 상기 표면 처리부의 표면 거칠기는 상기 표면 처리부의 주변부에 비해 증가되는, 샤워 플레이트.
  7. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 상기 몸체부의 재료와 상이한 재료의 코팅인, 샤워 플레이트.
  8. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는, 상기 몸체부의 재료와 상이한 재료의 상이한 두께를 갖는 둘 이상의 코팅을 포함하는, 샤워 플레이트.
  9. 제7항에 있어서, 상기 코팅의 재료는 Y2O3 또는 YF3을 포함하는, 샤워 플레이트.
  10. 기판 처리 장치로서,
    제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 샤워 플레이트; 및
    상기 하부 표면을 대면한 스테이지와 상기 스테이지를 가열하기 위해 구성된 히터를 포함한 서셉터를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 기판 처리 방법으로서,
    기판을 스테이지 상에 배치하는 단계; 및
    상기 스테이지를 400℃ 이상으로 가열하면서 상기 스테이지와 대면하는 샤워 플레이트의 몸체부의 하부 표면을 갖는 상기 기판에 플라즈마 처리를 인가하는 단계를 포함하되,
    표면 처리부는 상기 하부 표면의 적어도 일부분 상에 제공되고, 상기 표면 처리부는 표면 처리를 받았고, 이에 의해 상이한 방사율을 갖는 둘 이상의 부위를 상기 하부 표면 상에 존재시키는, 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 표면 처리부는 상기 하부 표면 상의 표면 처리부 이외의 영역보다 높은 방사율을 갖는, 기판 처리 방법.
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