JP3269883B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3269883B2 JP3269883B2 JP19310893A JP19310893A JP3269883B2 JP 3269883 B2 JP3269883 B2 JP 3269883B2 JP 19310893 A JP19310893 A JP 19310893A JP 19310893 A JP19310893 A JP 19310893A JP 3269883 B2 JP3269883 B2 JP 3269883B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応室に２種以上の反
応ガスが供給される半導体製造装置の特に反応ガス供給
ポートに関するものである。
応ガスが供給される半導体製造装置の特に反応ガス供給
ポートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造に於けるＣＶＤ装置、エピタ
キシャル装置等では２種以上の反応ガスを反応室に供給
する。
キシャル装置等では２種以上の反応ガスを反応室に供給
する。
【０００３】従来の反応ガス供給ポートについて図４に
より説明する。
より説明する。
【０００４】図４は枚葉式の半導体製造装置の反応室を
示し、図中１は反応容器、２は該反応容器１に装填され
た被処理基板を示し、該被処理基板２は図示しない基板
受台に載置されている。前記反応容器１の上流側には前
記被処理基板２を搬入搬出する為のゲート弁３が設けら
れ、更に上流側前記反応容器１の上面には反応ガス供給
ポート４が設けられる。又、反応容器１の下流側には排
気ポート５が設けられている。前記反応ガス供給ポート
４には複数（図は２本を示す）のガス導入管６，７が接
続され、前記排気ポート５には排気管８が接続されてい
る。
示し、図中１は反応容器、２は該反応容器１に装填され
た被処理基板を示し、該被処理基板２は図示しない基板
受台に載置されている。前記反応容器１の上流側には前
記被処理基板２を搬入搬出する為のゲート弁３が設けら
れ、更に上流側前記反応容器１の上面には反応ガス供給
ポート４が設けられる。又、反応容器１の下流側には排
気ポート５が設けられている。前記反応ガス供給ポート
４には複数（図は２本を示す）のガス導入管６，７が接
続され、前記排気ポート５には排気管８が接続されてい
る。
【０００５】前記ゲート弁３を介して前記被処理基板２
が反応容器１内に搬入され、前記ガス導入管６，７より
２種類の反応ガスが導入され、前記反応ガス供給ポート
４で混合された後、反応容器１内に流入し、前記被処理
基板２表面に、薄膜が生成され、排気ガスは前記排気ポ
ート５、排気管８を経て排気される。
が反応容器１内に搬入され、前記ガス導入管６，７より
２種類の反応ガスが導入され、前記反応ガス供給ポート
４で混合された後、反応容器１内に流入し、前記被処理
基板２表面に、薄膜が生成され、排気ガスは前記排気ポ
ート５、排気管８を経て排気される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ウェーハに生成される
膜質の均一性は、前記複数のガスが均一に混合している
かどうかに大きく影響される。ところが従来の反応ガス
供給ポート４では充分に混合するとはいえず、混合ガス
の不均一性に起因する膜質の不均一性が問題となってい
た。
膜質の均一性は、前記複数のガスが均一に混合している
かどうかに大きく影響される。ところが従来の反応ガス
供給ポート４では充分に混合するとはいえず、混合ガス
の不均一性に起因する膜質の不均一性が問題となってい
た。
【０００７】又、混合の均一性を重視し、配管内で複数
のガスを混合しようとすると、配管内で生成物が生じ、
パーティクルの原因となり、このパーティクルが導入ガ
ス中に浮遊し、被処理基板２を汚染するという不具合を
生じる。
のガスを混合しようとすると、配管内で生成物が生じ、
パーティクルの原因となり、このパーティクルが導入ガ
ス中に浮遊し、被処理基板２を汚染するという不具合を
生じる。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、複数の反応ガ
スを供給した場合の混合の均一性を向上させようとする
ものである。
スを供給した場合の混合の均一性を向上させようとする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応容器に複
数の反応ガスが反応ガス供給ポートを介して供給される
半導体製造装置に於いて、前記反応ガス供給ポートは複
数のガス導入管がそれぞれ連通する複数のガス溜部と、
該ガス溜部に設けられた連通孔が連通するガス混合室と
を備え、該ガス混合室にて混合されたガスを前記反応容
器内に導入する半導体製造装置に係り、又前記連通孔は
各ガス溜部に複数設けられ、前記連通孔の間隔を非等間
隔に配置した半導体製造装置に係るものである。
数の反応ガスが反応ガス供給ポートを介して供給される
半導体製造装置に於いて、前記反応ガス供給ポートは複
数のガス導入管がそれぞれ連通する複数のガス溜部と、
該ガス溜部に設けられた連通孔が連通するガス混合室と
を備え、該ガス混合室にて混合されたガスを前記反応容
器内に導入する半導体製造装置に係り、又前記連通孔は
各ガス溜部に複数設けられ、前記連通孔の間隔を非等間
隔に配置した半導体製造装置に係るものである。
【００１０】
【作用】複数の導入管から導入された複数の反応ガス
は、先ずそれぞれガス溜孔に流入し、更にガス溜孔の連
通孔から分散されて反応容器内に流入し、複数の連通孔
から流出した反応ガスは、流出後直ちに均一に混合す
る。
は、先ずそれぞれガス溜孔に流入し、更にガス溜孔の連
通孔から分散されて反応容器内に流入し、複数の連通孔
から流出した反応ガスは、流出後直ちに均一に混合す
る。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】図１中、図４中で示したものと同一のもの
には同符号を付してある。
には同符号を付してある。
【００１３】前記反応容器１の下流端には排気ポート５
を設け、前記反応容器１の上流端には反応ガス供給ポー
ト１７を設ける。該反応ガス供給ポート１７はガス導入
管６，７が接続されるマニホールド９と該マニホールド
９に気密に設けられた混合ポート１０を有している。
を設け、前記反応容器１の上流端には反応ガス供給ポー
ト１７を設ける。該反応ガス供給ポート１７はガス導入
管６，７が接続されるマニホールド９と該マニホールド
９に気密に設けられた混合ポート１０を有している。
【００１４】前記マニホールド９は、図２より明らかな
様に両端が閉塞されたガス溜孔１１，１２が前記ガス導
入管６，７の数だけ穿設されている。該ガス導入管６，
７はそれぞれ前記ガス溜孔１１，１２に連通し、更に前
記マニホールド９には後述するガス混合室１３に連通す
る小径の連通孔１４，１５が各ガス溜孔１１，１２に対
して複数穿設されている。前記混合ポート１０は前記反
応容器１内に連通する搬入搬出孔１６と該搬入搬出孔１
６に連通する前記ガス混合室１３を有している。
様に両端が閉塞されたガス溜孔１１，１２が前記ガス導
入管６，７の数だけ穿設されている。該ガス導入管６，
７はそれぞれ前記ガス溜孔１１，１２に連通し、更に前
記マニホールド９には後述するガス混合室１３に連通す
る小径の連通孔１４，１５が各ガス溜孔１１，１２に対
して複数穿設されている。前記混合ポート１０は前記反
応容器１内に連通する搬入搬出孔１６と該搬入搬出孔１
６に連通する前記ガス混合室１３を有している。
【００１５】次に、作動を説明する。
【００１６】ガス導入管６，７からの反応ガスはそれぞ
れガス溜孔１１，１２に流入し、更にガス溜孔１１，１
２のガスは前記連通孔１４，１５から分散して前記ガス
混合室１３に流入する。複数の反応ガスはガス混合室１
３で混合するが、前記した様にガス混合室１３へは分散
して流入しているので、混合は平均して行われ、混合の
均一性が達成される。
れガス溜孔１１，１２に流入し、更にガス溜孔１１，１
２のガスは前記連通孔１４，１５から分散して前記ガス
混合室１３に流入する。複数の反応ガスはガス混合室１
３で混合するが、前記した様にガス混合室１３へは分散
して流入しているので、混合は平均して行われ、混合の
均一性が達成される。
【００１７】混合した反応ガスは、反応容器１内を流
れ、被処理基板２表面に薄膜を生成した後、前記排気ポ
ート５、排気管８を介して排気される。
れ、被処理基板２表面に薄膜を生成した後、前記排気ポ
ート５、排気管８を介して排気される。
【００１８】尚、本実施例では図３に示す様に、連通孔
１４，１５を等間隔で穿設してあるが、反応容器１内で
の混合ガスの濃度分布を変える為、前記連通孔１４，１
５の間隔を非等間隔とし、或は前記連通孔１４，１５の
孔径を場所により異ならせてもよく、導入するガスが３
種の場合は前記連通孔を３列穿設し、各連通孔にガス導
入管を連通すればよい。又、混合ポート１０とマニホー
ルド９は一体に形成してもよい等、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々変更を加え得ることは言う迄もない。
１４，１５を等間隔で穿設してあるが、反応容器１内で
の混合ガスの濃度分布を変える為、前記連通孔１４，１
５の間隔を非等間隔とし、或は前記連通孔１４，１５の
孔径を場所により異ならせてもよく、導入するガスが３
種の場合は前記連通孔を３列穿設し、各連通孔にガス導
入管を連通すればよい。又、混合ポート１０とマニホー
ルド９は一体に形成してもよい等、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々変更を加え得ることは言う迄もない。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応容
器内に均一に混合ガスを供給し得、処理品質を向上させ
ると共に、反応容器内の混合ガスの濃度分布を所要の状
態に調整することが可能となる等の種々の優れた効果を
発揮する。
器内に均一に混合ガスを供給し得、処理品質を向上させ
ると共に、反応容器内の混合ガスの濃度分布を所要の状
態に調整することが可能となる等の種々の優れた効果を
発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１のＡ矢視図である。
【図３】図２のＢ方向矢視図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
１ 反応容器 ２ 被処理基板 ９ マニホールド １０ 混合ポート １１ ガス溜孔 １２ ガス溜孔 １３ ガス混合室 １４ 連通孔 １５ 連通孔 １７ 反応ガス供給ポート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/52
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器に複数の反応ガスが反応ガス供
給ポートを介して供給される半導体製造装置に於いて、
前記反応ガス供給ポートは複数のガス導入管がそれぞれ
連通する複数のガス溜部と、該ガス溜部に設けられた連
通孔が連通するガス混合室とを備え、該ガス混合室にて
混合されたガスを前記反応容器内に導入することを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記連通孔は各ガス溜部に複数設けら
れ、前記連通孔の間隔を非等間隔に配置した請求項１の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19310893A JP3269883B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19310893A JP3269883B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729833A JPH0729833A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3269883B2 true JP3269883B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=16302385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19310893A Expired - Fee Related JP3269883B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269883B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4727085B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2011-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理方法 |
| JP2011134871A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP19310893A patent/JP3269883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729833A (ja) | 1995-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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