JPH03112130A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH03112130A JPH03112130A JP25167889A JP25167889A JPH03112130A JP H03112130 A JPH03112130 A JP H03112130A JP 25167889 A JP25167889 A JP 25167889A JP 25167889 A JP25167889 A JP 25167889A JP H03112130 A JPH03112130 A JP H03112130A
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- processing chamber
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＣＶＤ装置のようなコールドウオールを備えた半導体装
置の製造装置におけるコールドウオールの構造の改良に
関し、 コールドウオールに供給する冷却水の温度を、処理に最
適な温度に自由に調節することが可能な半導体装置の製
造装置の提供を目的とし、処理室の内壁の温度を調節す
るコールドウオールを備えた半導体装置の製造装置にお
いて、流体供給口及び流体排出口を備えた保温室が、前
記コールドウオールの外側を取り囲む構造を有する構成
するよう構成する。
置の製造装置におけるコールドウオールの構造の改良に
関し、 コールドウオールに供給する冷却水の温度を、処理に最
適な温度に自由に調節することが可能な半導体装置の製
造装置の提供を目的とし、処理室の内壁の温度を調節す
るコールドウオールを備えた半導体装置の製造装置にお
いて、流体供給口及び流体排出口を備えた保温室が、前
記コールドウオールの外側を取り囲む構造を有する構成
するよう構成する。
本発明は、ＣＶＤ装置のようなコールドウオールを備え
た半導体装置の製造装置におけるコールドウオールの構
造の改良に関するものである。
た半導体装置の製造装置におけるコールドウオールの構
造の改良に関するものである。
コールドウオールを備えた半導体装置の製造装置におい
ては、処理室の内壁に反応生成物が付着した後に剥離し
て塵埃とならず、且つ処理室に反応ガスを通す度に、反
応ガスが処理室の内壁に吸着されないような温度に処理
室の内壁の温度を保持するようにしている。
ては、処理室の内壁に反応生成物が付着した後に剥離し
て塵埃とならず、且つ処理室に反応ガスを通す度に、反
応ガスが処理室の内壁に吸着されないような温度に処理
室の内壁の温度を保持するようにしている。
この条件を満たすような温度に処理室の内壁の温度を保
持するようにコールドウオールに冷却水を供給した場合
、この冷却水の＾１に度が半導体装置の製造装置が設置
されている室内の露点よりも低い場合には、半導体装置
の製造装置の外壁に結露が生じる障害が発生している。
持するようにコールドウオールに冷却水を供給した場合
、この冷却水の＾１に度が半導体装置の製造装置が設置
されている室内の露点よりも低い場合には、半導体装置
の製造装置の外壁に結露が生じる障害が発生している。
以上のような状況から半導体装置の製造装置の処理室の
内壁温度を処理条件に適合した温度に保持した場合に、
半導体装置の製造装置の外壁に結露が生じるのを防止す
ることが可能な半導体装置の製造装置が要望されている
。
内壁温度を処理条件に適合した温度に保持した場合に、
半導体装置の製造装置の外壁に結露が生じるのを防止す
ることが可能な半導体装置の製造装置が要望されている
。
従来の半導体装置の製造装置を第３図により詳細に説明
する。
する。
第３図の側断面図に示すように、成長ガスを成長ガス供
給口２１ａから供給し、成長ガス排出口２１ｂから排出
する処理室２１には被処理物、例えば半導体ウェーハ５
を載置して処理を行うヒーターによって加熱される基板
保持台２４が設けられており、処理室２１の周囲には処
理室２１を取り囲むコールドウオール２２が設けられて
いる。
給口２１ａから供給し、成長ガス排出口２１ｂから排出
する処理室２１には被処理物、例えば半導体ウェーハ５
を載置して処理を行うヒーターによって加熱される基板
保持台２４が設けられており、処理室２１の周囲には処
理室２１を取り囲むコールドウオール２２が設けられて
いる。
このコールドウオール２２は通常、冷却水が冷却水供給
口２２ａから供給され、冷却水排出口２２ｂから排出さ
れる構造を有しており、この冷却水の温度は処理室２１
の内壁の温度が処理に最適な温度に保持されるように温
度調節されている。
口２２ａから供給され、冷却水排出口２２ｂから排出さ
れる構造を有しており、この冷却水の温度は処理室２１
の内壁の温度が処理に最適な温度に保持されるように温
度調節されている。
この場合、冷却水の温度が半導体装置の製造装置が設置
されている室内の空気の露点よりも低い場合には、半導
体装置の製造装置の外壁に結露が生じる障害が発生して
いる。
されている室内の空気の露点よりも低い場合には、半導
体装置の製造装置の外壁に結露が生じる障害が発生して
いる。
以上説明した従来の半導体装置の製造装置においては、
コールドウオール内に供給する冷却水の温度が低く、こ
の水温が半導体装置の製造装置を設置している室内の空
気の露点よりも低い場合には、半導体装置の製造装置の
外壁に結露が生じて室内に滴下し、更に室内の空気の湿
度を高めることになり作業環境が悪化するので、この現
象を防止しようとすると、処理室の内壁の温度を処理に
最適な温度よりも高くしなければならないという問題点
があった。
コールドウオール内に供給する冷却水の温度が低く、こ
の水温が半導体装置の製造装置を設置している室内の空
気の露点よりも低い場合には、半導体装置の製造装置の
外壁に結露が生じて室内に滴下し、更に室内の空気の湿
度を高めることになり作業環境が悪化するので、この現
象を防止しようとすると、処理室の内壁の温度を処理に
最適な温度よりも高くしなければならないという問題点
があった。
本発明は以上のような状況からコールドウオールに供給
する冷却水の温度を、処理に最適な温度に自由に調節す
ることが可能な半導体装置の製造装置の提供を目的とし
たものである。
する冷却水の温度を、処理に最適な温度に自由に調節す
ることが可能な半導体装置の製造装置の提供を目的とし
たものである。
本発明の半導体装置の製造装置は、処理室の内壁の温度
を調節するコールドウオールを備えた半導体装置の製造
装置において、流体供給口及び流体排出口を備えた保温
室が、このコールドウオールの外側を取り囲む構造を有
するよう構成する。
を調節するコールドウオールを備えた半導体装置の製造
装置において、流体供給口及び流体排出口を備えた保温
室が、このコールドウオールの外側を取り囲む構造を有
するよう構成する。
即ち本発明においては、゛このコールドウオールの外側
を取り囲むように保温室を設けおり、この保温室には流
体供給口及び流体排出口を備え、半導体装置の製造装置
が設置されている室内の空気の露点よりも高い温度の流
体をこの保温室内に供給しているので、コールドウオー
ル内に供給する冷却水の温度を半導体装置の製造装置が
設置されている室内の空気の露点よりも低い処理に最適
な温度にしても、半導体装置の製造装置の外壁に結露が
発生する障害を防止することが可能となる。
を取り囲むように保温室を設けおり、この保温室には流
体供給口及び流体排出口を備え、半導体装置の製造装置
が設置されている室内の空気の露点よりも高い温度の流
体をこの保温室内に供給しているので、コールドウオー
ル内に供給する冷却水の温度を半導体装置の製造装置が
設置されている室内の空気の露点よりも低い処理に最適
な温度にしても、半導体装置の製造装置の外壁に結露が
発生する障害を防止することが可能となる。
以下、本発明の一実施例について第１図により、本発明
の他の実施例について第２図により詳細に説明する。
の他の実施例について第２図により詳細に説明する。
第１図の側断面図に示すように、成長ガス供給口１ａと
成長ガス排出口１ｂを備えた処理室１にはヒーターによ
って加熱される基板保持台４が設けられており、処理室
１の周囲には処理室ｌを取り囲むコールドウオール２が
設けられ、このコールドウオール２により、処理室１の
内壁の温度が処理に最適な温度に温度調節されているこ
とは従来の半導体装置の製造装置と同じである。
成長ガス排出口１ｂを備えた処理室１にはヒーターによ
って加熱される基板保持台４が設けられており、処理室
１の周囲には処理室ｌを取り囲むコールドウオール２が
設けられ、このコールドウオール２により、処理室１の
内壁の温度が処理に最適な温度に温度調節されているこ
とは従来の半導体装置の製造装置と同じである。
本実施例においては図示のように、このコールドウオー
ル２の外側を取り囲む保温室３が設けられており、流体
供給口３ａからは窒素ガス等のガス或いは冷却水等の液
体を供給し、流体排出口３ｂから排出している。
ル２の外側を取り囲む保温室３が設けられており、流体
供給口３ａからは窒素ガス等のガス或いは冷却水等の液
体を供給し、流体排出口３ｂから排出している。
半導体装置の製造装置の外壁に結露が生じないようにす
るためには、この流体の温度は半導体装置の製造装置が
設置されている室内の空気の露点よりも高くすることが
必要である。
るためには、この流体の温度は半導体装置の製造装置が
設置されている室内の空気の露点よりも高くすることが
必要である。
従って、この流体の温度と処理室１の内壁の最適温度と
の差が大きな場合には、コールドウオール２内には更に
低温の冷却水を供給しなければならないが、コールドウ
オール２内の冷却水と保温室３内の流体の温度を以上に
述べた状況に適合するように温度調節することにより、
処理室１の内壁の温度を処理条件に最適な温度にしても
、半導体装置の製造装置の外壁には結露が生じないよう
にすることが可能となる。
の差が大きな場合には、コールドウオール２内には更に
低温の冷却水を供給しなければならないが、コールドウ
オール２内の冷却水と保温室３内の流体の温度を以上に
述べた状況に適合するように温度調節することにより、
処理室１の内壁の温度を処理条件に最適な温度にしても
、半導体装置の製造装置の外壁には結露が生じないよう
にすることが可能となる。
上記の一実施例は枚葉式の成長装置の場合であるが、第
２図に示すようなジーナス（ＧＥＮＵＳ）社製のジーナ
スのようなバッチ処理方式の成長装置の他の実施例にお
いては、成長ガスは側壁に設けた成長ガス供給口１１ａ
から供給し、天井に設けた成長ガス排出口１１ｂから排
出する。
２図に示すようなジーナス（ＧＥＮＵＳ）社製のジーナ
スのようなバッチ処理方式の成長装置の他の実施例にお
いては、成長ガスは側壁に設けた成長ガス供給口１１ａ
から供給し、天井に設けた成長ガス排出口１１ｂから排
出する。
冷却水及び流体は図示のように、側面から供給し、反対
側の側面から排出する図示のような構造で適用すること
が可能である。
側の側面から排出する図示のような構造で適用すること
が可能である。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、コール
ドウオールの外側に設けた保温室に、半導体装置の製造
装置が設置されている室内の空気の露点よりも高い温度
の流体を流入させることにより、半導体装置の製造装置
の外壁に結露が生じるのを防止することが可能となると
ともに、処理室の内壁の温度を処理に最適な温度に保持
することが可能となる等の利点があり、著しい信頼性向
上の効果が期待できる半導体装置の製造装置の提供が可
能である。
ドウオールの外側に設けた保温室に、半導体装置の製造
装置が設置されている室内の空気の露点よりも高い温度
の流体を流入させることにより、半導体装置の製造装置
の外壁に結露が生じるのを防止することが可能となると
ともに、処理室の内壁の温度を処理に最適な温度に保持
することが可能となる等の利点があり、著しい信頼性向
上の効果が期待できる半導体装置の製造装置の提供が可
能である。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
は本発明による他の実施例を示す側断面図、 第３図は従来の半導体装置の製造装置を示す側断面図、 である。 図において、 ｌは処理室、 ｌａは成長ガス供給口、 ｉｂは成長ガス排出口、 ２はコールドウオール、 ２ａは冷却水供給口、 ２ｂは冷却水排出口、 ３は保温室、 ３ａは流体供給口、 ３ｂは流体排出口、 ４は基板保持台、 ５は半導体ウェーハ、 を示す。 〉 本発明による一実施例を示す側断面図 第 図 本発明による他の実施例を示す開所面図従来の半導体装
置の製造装置を示す側断面図第 図
は本発明による他の実施例を示す側断面図、 第３図は従来の半導体装置の製造装置を示す側断面図、 である。 図において、 ｌは処理室、 ｌａは成長ガス供給口、 ｉｂは成長ガス排出口、 ２はコールドウオール、 ２ａは冷却水供給口、 ２ｂは冷却水排出口、 ３は保温室、 ３ａは流体供給口、 ３ｂは流体排出口、 ４は基板保持台、 ５は半導体ウェーハ、 を示す。 〉 本発明による一実施例を示す側断面図 第 図 本発明による他の実施例を示す開所面図従来の半導体装
置の製造装置を示す側断面図第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理室（１）の内壁の温度を調節するコールドウォール
（２）を備えた半導体装置の製造装置において、 流体供給口（３ａ）及び流体排出口（３ｂ）を備えた保
温室（３）が、前記コールドウォール（２）の外側を取
り囲む構造を有することを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25167889A JPH03112130A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25167889A JPH03112130A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112130A true JPH03112130A (ja) | 1991-05-13 |
Family
ID=17226387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25167889A Pending JPH03112130A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112130A (ja) |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP25167889A patent/JPH03112130A/ja active Pending
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