JPH07193013A - 真空反応処理装置 - Google Patents

真空反応処理装置

Info

Publication number
JPH07193013A
JPH07193013A JP34749893A JP34749893A JPH07193013A JP H07193013 A JPH07193013 A JP H07193013A JP 34749893 A JP34749893 A JP 34749893A JP 34749893 A JP34749893 A JP 34749893A JP H07193013 A JPH07193013 A JP H07193013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
exhaust system
temperature
vacuum reaction
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34749893A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Koga
智宏 古賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP34749893A priority Critical patent/JPH07193013A/ja
Publication of JPH07193013A publication Critical patent/JPH07193013A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 排気系、主として排気系のバルブに、断熱膨
張した反応ガスが凝固して反応生成物となって付着する
のを抑制し、バルブ3、4等の部材の交換頻度を低くし
て真空反応処理装置の生産効率を高くする。 【構成】 排気系に保温手段5を設ける。具体的にはス
ロットルバルブ4に熱電対9を設け、温度検出結果に基
づいて温調回路によりヒーター8への加熱電流のスイッ
チングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空反応処理装置、特
に例えばプラズマCVD装置等の真空反応処理装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】プラズマCVD装置等の真空反応処理装
置は一般に非常に真空度の高いチャンバー内へ反応ガス
を供給してチャンバーの内底部上に加熱された状態で置
かれた半導体ウェハ上で反応生成物を成膜させるように
なっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
てプラズマCVD装置等の真空反応処理装置は排気系、
特にアイソレーションバルブ(ゲートバルブ)やスロッ
トルバルブ(圧力制御弁)に反応生成物がパウダー状に
付着してスムーズな動作が妨げられるので処理量が一定
になるごとにバルブを交換しなければならないが、その
交換頻度が高いという問題を有していた。というのは、
チャンバーに供給された反応ガスは供給管から真空度の
高いチャンバーに入ることによって断熱膨張するので温
度が急激に低下する。そして、一部は反応生成物となっ
て半導体ウェハ上に成膜されるが、残りは未反応の状態
で排気系を通して排気される。そして、その未反応な状
態のガスは排気系を通る過程で、特にバルブの如き複雑
な形状の部分を通るときにその部分に触れて凝固して反
応生成物を生じパウダー状に付着するからである。
【0004】かかる付着物は量が少ないうちは問題はな
いが、付着量が多くなってくるとバルブの駆動時にスム
ーズな動作を妨げるし、またバルブを駆動したときに付
着物が飛散し、プロセスチャンバー内に逆拡散してダス
トとなるという問題を生じる。従って、排気系のバルブ
はプラズマCVD装置等による半導体ウェハの処理枚数
が一定枚数に達する毎に交換しなければならないが、従
来においてはその枚数が800枚程度であった。
【0005】即ち、800枚処理する毎に排気系のバル
ブを交換する必要があった。具体的には約3日程度しか
バルブはもたなかったのである。そして、その交換には
約17時間もかかり、その間真空反応処理装置を使用す
ることができず、生産がストップするのである。従っ
て、排気系のバルブの交換頻度をより低くして生産性を
高めることが必要であったが、従来においては排気系の
バルブの交換頻度を低くする方策が全く採られていなか
った。
【0006】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、排気系、主として排気系のバルブ
に、断熱膨張した温度が低下し反応ガスが凝固して反応
生成物となって付着するのを抑制し、バルブ等の部材の
交換頻度を低くして真空反応処理装置の生産効率を高く
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の真空反応処理
装置は、排気系に保温手段を設けたことを特徴とする。
請求項2の真空反応処理装置は、請求項1の真空反応処
理装置において、保温手段がヒーターからなり、その加
熱電流がバルブの温度を検出する温度検出手段による検
出結果に基づいてバルブ温度が所定の設定温度になるよ
うにコントロールされるようにしたことを特徴とする。
【0008】
【作用】請求項1の真空反応処理装置によれば、保温手
段により排気系が保温されるので、排気系における反応
ガスの凝固による反応生成物の付着が抑制され、延いて
はバルブ等の部材の交換頻度を低くすることができる。
従って、真空反応処理装置の生産効率の向上を図ること
ができる。請求項2の真空反応処理装置によれば、保温
手段により排気系のバルブを所定設定温度どおりにコン
トロールすることができるので、ガス種、排気系のバル
ブの構造、保温手段の大きさ等に応じて最も適切な温度
になるようにコントロール温度を設定することにより凝
固を有効に抑制することができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明真空反応処理装置を図示実施例
に従って詳細に説明する。図1(A)、(B)は本発明
真空反応処理装置の一つの実施例の要部、即ち、排気系
を示すもので、(A)は分解斜視図、(B)は斜視図で
ある。図面において、1はチャンバー、2は排気口部
分、3はアイソレーションバルブ、4はスロットルバル
ブ、5はアイソレーションバルブ3及びスロットルバル
ブ4を保温する保温手段で、断熱材からなるマントル6
内に図1では図面に現われないヒーターを内蔵させてな
る。このマントル6はアイソレーションバルブ3及びス
ロットルバルブ4を保温する閉じた状態になったりアイ
ソレーションバルブ3及びスロットルバルブ4を開放す
る開いた状態になったりするように、即ち開閉可能なる
ようにされている。そして、閉じた状態を保持するため
に面ファスナー7、7、…が貼付されている。また、ス
ロットルバルブ4には図1では図面に現われない熱電対
(9)が設けられている。
【0010】図2は上記保温手段5内のヒーターに加熱
電流を供給してアイソレーションバルブ3及びスロット
ルバルブ4の温度を調節する温調回路の一例を示す回路
図である。図2において、8は上記保温手段5のマント
ル6に内蔵されたヒーター(例えば80W)、9は上記
スロットルバルブ4に設けられた熱電対、10はこの熱
電対9からの温度検出電圧を受けその結果と予め設定し
た基準値とを比較し、その比較結果に基づいてSSR
(ソリッドステートリレー)11を制御する温調器であ
り、このSSR11により交流加熱電流のスイッチング
が為される。この温調回路の働きにより、アイソレーシ
ョンバルブ3及びスロットルバルブ4の温度が例えば5
5℃あるいはその前後という略一定の温度に保たれる。
尚、この回路のヒーター8及び熱電対9以外は、マント
ル6と別のところにある。
【0011】このような真空反応処理装置によれば、反
応ガスの凝固が生じ易いアイソレーションバルブ3及び
スロットルバルブ4を保温手段5により例えば55℃の
温度に保温するので、アイソレーションバルブ3及びス
ロットルバルブ4における反応ガスの凝固を抑制するこ
とができる。従って、延いてはバルブ等の部材の交換頻
度を低くすることができ、延いては、真空反応処理装置
の生産効率の向上を図ることができる。具体的にはアイ
ソレーションバルブ3及びスロットルバルブ4の交換頻
度を、ウェハ処理枚数2700枚毎、2週間おきという
ように約3分の1に低減することができた。
【0012】そして、保温手段により排気系のバルブを
設定温度にコントロールすることができるので、ガス
種、排気系のバルブの構造、保温手段の大きさ等に応じ
て最も適切な温度に設定することにより凝固を有効に抑
制することができる。尚、かかる凝固防止手段はポンプ
部のケーシング部やバラトロン等の計測器にも応用する
ことができる。
【0013】
【発明の効果】請求項1の真空反応処理装置は、排気系
に保温手段を設けたことを特徴とするものである。従っ
て、請求項1の真空反応処理装置によれば、保温手段に
より排気系が保温されるので、排気系における反応ガス
の凝固による反応生成物の付着が抑制され、延いてはバ
ルブ等の部材の交換頻度を低くすることができる。従っ
て、真空反応処理装置の生産効率の向上を図ることがで
きる。
【0014】請求項2の真空反応処理装置は、保温手段
がヒーターからなり、その加熱電流がバルブの温度を検
出する温度検出手段による検出結果に基づいてバルブ温
度が所定の設定温度になるようにコントロールされるよ
うにしたことを特徴とするものである。従って、請求項
2の真空反応処理装置によれば、保温手段により排気系
のバルブを設定温度にコントロールすることができるの
で、ガス種、排気系のバルブの構造、保温手段の大きさ
等に応じて最も適切な温度に設定することにより凝固を
有効に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)、(B)は本発明真空反応処理装置の一
つの実施例の要部を示すもので、(A)は分解斜視図、
(B)は保温手段で保温されたアイソレーションバルブ
及びスロットルバルブの斜視図である。
【図2】上記実施例の温調に用いられる温調回路の一例
を示す回路図である。
【符号の説明】
1 チャンバー 3 バルブ 4 バルブ 5 保温手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバー外部の排気系に保温手段を設
    けたことを特徴とする真空反応処理装置
  2. 【請求項2】 保温手段が少なくとも加熱電流の供給を
    受けて加熱するヒーターを備え、 上記保温手段のヒーターに供給される加熱電流が、バル
    ブの温度を検出する温度検出手段による検出結果に基づ
    いてバルブ温度が所定の設定温度になるようにコントロ
    ールされるようにしたことを特徴とする請求項1記載の
    真空反応処理装置
JP34749893A 1993-12-25 1993-12-25 真空反応処理装置 Pending JPH07193013A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34749893A JPH07193013A (ja) 1993-12-25 1993-12-25 真空反応処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34749893A JPH07193013A (ja) 1993-12-25 1993-12-25 真空反応処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07193013A true JPH07193013A (ja) 1995-07-28

Family

ID=18390636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34749893A Pending JPH07193013A (ja) 1993-12-25 1993-12-25 真空反応処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07193013A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200446518Y1 (ko) * 2009-03-05 2009-11-13 송종규 밸브용 히팅장치
JP2019073753A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 キヤノントッキ株式会社 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200446518Y1 (ko) * 2009-03-05 2009-11-13 송종규 밸브용 히팅장치
JP2019073753A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 キヤノントッキ株式会社 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7313931B2 (en) Method and device for heat treatment
JPH07193013A (ja) 真空反応処理装置
US4981436A (en) Vertical type heat-treatment apparatus
JPH06132231A (ja) Cvd装置
JP2840533B2 (ja) 減圧気相成長装置
JP2005183596A (ja) 熱処理装置および半導体装置の製造方法
JP3254747B2 (ja) 縦型熱処理炉および熱処理方法
JPH0711438A (ja) 基板温度を制御する成膜方法及びその装置
JP2866691B2 (ja) 処理装置及び熱処理装置
KR20230042552A (ko) 노구부 구조, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JPS63164424A (ja) 気相成長方法
JPH0256587B2 (ja)
JPH0774105A (ja) 半導体製造装置
JPS63270471A (ja) プラズマcvd装置
JPH0650538Y2 (ja) 基板加熱装置
JPH03233294A (ja) 熱処理装置
JPH02151023A (ja) 半導体結晶の製造装置
JPH0637023A (ja) 減圧ホットウォールcvd装置
JPH03228319A (ja) 薄膜形成装置
JPH09162129A (ja) 半導体ウエハの処理装置及び半導体ウエハの処理方法並びに半導体素子
JP2002313734A (ja) シリンダ型cvd装置
JPH0778778A (ja) 熱処理装置
JP2000114180A (ja) 気相成長装置
JP2007281010A (ja) 基板ステージとそれを用いた基板処理装置及び方法
JPH05251456A (ja) 枚葉式半導体基板熱処理装置