JP2019073753A - 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ - Google Patents
真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019073753A JP2019073753A JP2017199241A JP2017199241A JP2019073753A JP 2019073753 A JP2019073753 A JP 2019073753A JP 2017199241 A JP2017199241 A JP 2017199241A JP 2017199241 A JP2017199241 A JP 2017199241A JP 2019073753 A JP2019073753 A JP 2019073753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate valve
- chamber
- vacuum
- vacuum apparatus
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B39/00—Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
- F04B39/10—Adaptations or arrangements of distribution members
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を含み、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの第1の面は、前記ゲートバルブよりも温度の高い第1の部材に対向し、
前記ゲートバルブの第2の面は、前記ゲートバルブよりも温度の低い第2の部材に対向し、
前記第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して
交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの放熱量を低下させる保温手段を有することを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有することを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
開口を覆うように設置され、前記開口を形成する壁に対して交差する方向に開閉するゲートバルブであって、
第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高く、
第2の面に反射板が設けられたことを特徴とするゲートバルブである。
<真空装置の概略構成>
図1(a)は、真空装置の構成を示す模式図である。真空装置は、チャンバ200を有する。チャンバ200の内部は、減圧雰囲気に維持される。本実施例では、チャンバ200内部に、蒸発原装置が配置された例を記載するが、作製するデバイスに応じて、露光装置やスパッタリング装置等を配置することができる。
めの支持手段403と接続される。ゲートバルブは第1のチャンバ壁404に対して交差する方向に開閉することで、チャンバ200の内部空間と外部空間を隔てる機能を有する。図1(a)では、ゲートバルブは第1のチャンバ壁404に対して直交する方向に開閉している。
ズ406等に付着しないように、防着板231が設けられている。
図2(a)は、ゲートバルブの温度低下の原因を説明するための図であり、従来のゲートバルブの構成におけるゲートバルブの温度変化とクライオポンプの動作との関係を示したグラフである。図2(b)、図2(c)は、クライオポンプの動作に対応したゲートバルブの位置を示した図である。
図3は、本実施例のゲートバルブ501の構成を説明するために、真空装置200のうち排気システムに関連する構成要素を示した概略断面図である。図1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。本実施例のゲートバルブ501において、第2のチャンバ壁405に対向する第1の面501(a)は、フッ素樹脂でコーティングされており、クライオポンプ402に対向する第2の面501(b)は、ゲートバルブ501を形成するステンレスが露出している。
壁405の輻射熱をゲートバルブ501に集めることができる。また、ゲートバルブ501に比べて温度の低いクライオポンプ402に対して、低い放射率の面を形成することで、ゲートバルブ501からクライオポンプ402への輻射熱を低減することができる。
本実施例では、ゲートバルブ401の放熱量を低下させる保温手段である反射板502を設ける構成について示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。図1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。保温手段は、ゲートバルブ401の面に設けられ、ゲートバルブ401より温度の低いものと、ゲートバルブ401との間に配置される。図4(a)では、ゲートバルブ401の一方の面と、ゲートバルブ401より低温であるクライオポンプ402との間に、保温手段である反射板502を設ける構成としている。上記構成とすることで、ゲートバルブ401から、ゲートバルブ401より温度が低いクライオポンプ402への放熱量を低減させることができる。
本実施例では、ゲートバルブ401の放熱量を低下させる保温手段である回転機構503、回転補助機構504を設ける構成について示す。図5(a)、(b)では、ゲートバルブ401を保温手段である回転機構503、回転補助機構504により傾ける構成としている。これにより、クライオポンプ402に対向するゲートバルブ401の面積を小さくし、より温度が低いクライオポンプ402への放熱量を低減させることができる。
本実施例では、ゲートバルブ401に対して、支持手段403とは異なる経路で熱伝導により熱を供給する熱供給手段を設ける構成について示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
上記各実施例は、それぞれの構成を可能な限り互いに組み合わせることができる。図8は、その一例である。本実施例では、ゲートバルブ501が、第1の面501(a)と第2の面501(b)を有する構成としている。更に、ゲートバルブ501の放熱量を低下させる保温手段である反射板502を設ける構成としている。上記構成とすることで、ゲートバルブ501の温度を、より効率的に高める構成としている。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、本実施例で特に説明しない事項は、上記実施例と同様である。
<有機電子デバイスの製造方法の具体例>
上記各実施例における真空装置を、有機電子デバイスの製造に用いた場合の一具体例を、実施例6として説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図9(a)は有機EL表示装置60の全体図、図9(b)は1画素の断面構造を表している。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸
送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
電子輸送層67までが形成された基板に、第2電極68を形成し、その後保護層70を形成して、有機EL表示装置60が完成する。
このようにして得られた有機EL表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。
501:ゲートバルブ、501(a):第1の面、501(b):第2の面
Claims (23)
- 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を含み、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの第1の面は、前記ゲートバルブよりも温度の高い第1の部材に対向し、
前記ゲートバルブの第2の面は、前記ゲートバルブよりも温度の低い第2の部材に対向し、
前記第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置。 - 前記第1の面は、フッ素樹脂で形成されることを特徴とする請求項1に記載の真空装置。
- 前記第2の面と、前記第2の部材との間に反射板を設けることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空装置。
- 前記チャンバは、前記第1のチャンバ壁に対向する第2のチャンバ壁を含み、
前記第1の部材は、前記第2のチャンバ壁であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空装置。 - 前記第2の部材は、クライオポンプまたはクライオトラップを含む真空排気ポンプであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の真空装置。
- 前記第1の面の放射率は、0.8以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の真空装置。
- 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの放熱量を低下させる保温手段を有することを特徴とする真空装置。 - 前記保温手段は、前記ゲートバルブと前記ゲートバルブより低温の部材との間に配置された反射板であることを特徴とする請求項7に記載の真空装置。
- 前記反射板は、複数枚重ねて配置され、複数枚の前記反射板は隙間を設けて配置されていることを特徴とする請求項8に記載の真空装置。
- 前記保温手段は、前記ゲートバルブの回転機構であり、
前記ゲートバルブは、開時に回転することにより、前記開口に対向する面積が閉時に対して少なくなることを特徴とする請求項7に記載の真空装置。 - 前記真空装置は、前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段を有し、
前記支持手段は、前記ゲートバルブと接触する接触面が球面で形成されていることを特
徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の真空装置。 - 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有することを特徴とする真空装置。 - 前記熱供給手段は、前記ゲートバルブが開時にゲートバルブに接し、閉時に離間する部材であることを特徴とする請求項12に記載の真空装置。
- 前記熱供給手段は、前記チャンバの内部空間に対して区分けされた空間でゲートバルブに接する流体であることを特徴とする請求項12に記載の真空装置。
- 前記チャンバの内部空間と、前記区分けされた空間とは、ベローズにより区分けされていることを特徴とする請求項14に記載の真空装置。
- 前記熱供給手段は、前記支持手段に対して、前記ゲートバルブへの熱伝導が高いことを特徴とする請求項12乃至15のいずれか一項に記載の真空装置。
- 前記支持手段は、前記ゲートバルブと接触する接触面が球面で形成されていることを特徴とする請求項12乃至16のいずれか一項に記載の真空装置。
- 請求項1乃至17のいずれか一項に記載の真空装置と、
前記真空装置内に設置される蒸発源と、を有し、
前記真空装置内に搬入される被蒸着体に対し、前記蒸発源に収容された蒸発材料を蒸着する蒸着工程を有することを特徴とする蒸着装置。 - 請求項1に記載の真空装置と、
前記真空装置内に設置される蒸発源と、を有し、
前記真空装置内に搬入される被蒸着体に対し、前記蒸発源に収容された蒸発材料を蒸着する蒸着工程を行う蒸着装置であって、
前記第2の部材は、クライオポンプまたはクライオトラップを含む真空排気ポンプであり、
前記ゲートバルブは開であり、かつ、前記クライオポンプが稼働している状態が継続している間に、前記蒸着工程は、前記被蒸着体の蒸着終了後に、異なる被蒸着体が搬入されることで繰り返される、
ことを特徴とする蒸着装置。 - 開口を覆うように設置され、前記開口を形成する壁に対して交差する方向に開閉するゲートバルブであって、
第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高く、
第2の面に反射板が設けられたことを特徴とするゲートバルブ。 - 前記第1の面は、フッ素樹脂の表面であることを特徴とする請求項20に記載のゲートバルブ。
- 前記第1の面の放射率は、0.8以上であることを特徴とする請求項20又は21に記載のゲートバルブ。
- 前記反射板は、前記ゲートバルブと、前記ゲートバルブより温度の低い部材と、の間に配置されることを特徴とする請求項20乃至22のいずれか一項に記載のゲートバルブ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199241A JP6556802B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ |
CN201810616374.4A CN109666888A (zh) | 2017-10-13 | 2018-06-15 | 真空装置、蒸镀装置及闸阀 |
KR1020180069023A KR102456282B1 (ko) | 2017-10-13 | 2018-06-15 | 진공 장치, 증착 장치 및 게이트 밸브 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199241A JP6556802B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019073753A true JP2019073753A (ja) | 2019-05-16 |
JP6556802B2 JP6556802B2 (ja) | 2019-08-07 |
Family
ID=66141975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017199241A Active JP6556802B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6556802B2 (ja) |
KR (1) | KR102456282B1 (ja) |
CN (1) | CN109666888A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11738892B2 (en) * | 2020-12-28 | 2023-08-29 | Raytheon Company | Space seeker motion test method |
CN113175537B (zh) * | 2021-04-24 | 2022-02-08 | 开维喜阀门集团有限公司 | 一种基于智慧水利工程的闸阀系统及其运行方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02112112A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Anelva Corp | 連続透明導電性薄膜作成方法および装置 |
JPH0770733A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び真空排気方法 |
JPH07193013A (ja) * | 1993-12-25 | 1995-07-28 | Sony Corp | 真空反応処理装置 |
JPH0813149A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-16 | Benkan Corp | Cvd装置の真空排気弁 |
JP2001338891A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JP2002184995A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006007149A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置用コールドトラップ及び真空成膜装置用排気システム |
JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
JP2007536471A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-12-13 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 互いに接続された2つのプロセスユニット間を蒸気が漏れないよう遮断するバルブ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009144211A (ja) * | 2007-12-15 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、その使用方法及び記憶媒体 |
US8196893B2 (en) * | 2008-04-09 | 2012-06-12 | Mks Instruments, Inc. | Isolation valve with corrosion protected and heat transfer enhanced valve actuator and closure apparatus and method |
JP2010013715A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、および成膜装置 |
JP2010038416A (ja) | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Daikin Ind Ltd | 冷媒分流器 |
JP2010080728A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
2017
- 2017-10-13 JP JP2017199241A patent/JP6556802B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-15 CN CN201810616374.4A patent/CN109666888A/zh active Pending
- 2018-06-15 KR KR1020180069023A patent/KR102456282B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02112112A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Anelva Corp | 連続透明導電性薄膜作成方法および装置 |
JPH0770733A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び真空排気方法 |
JPH07193013A (ja) * | 1993-12-25 | 1995-07-28 | Sony Corp | 真空反応処理装置 |
JPH0813149A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-16 | Benkan Corp | Cvd装置の真空排気弁 |
JP2001338891A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JP2002184995A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007536471A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-12-13 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 互いに接続された2つのプロセスユニット間を蒸気が漏れないよう遮断するバルブ |
JP2006007149A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置用コールドトラップ及び真空成膜装置用排気システム |
JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6556802B2 (ja) | 2019-08-07 |
KR102456282B1 (ko) | 2022-10-18 |
CN109666888A (zh) | 2019-04-23 |
KR20190041901A (ko) | 2019-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101901072B1 (ko) | 증발원 장치, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP5452178B2 (ja) | 真空蒸着装置、真空蒸着方法、および、有機el表示装置の製造方法 | |
JP5171964B2 (ja) | 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法 | |
JP2006307247A (ja) | 成膜装置 | |
US20170081755A1 (en) | Evaporation source for organic material | |
KR20060098755A (ko) | 유기 발광 다이오드의 진공 증착 장치 및 방법 | |
JP2017509796A5 (ja) | ||
TW200814392A (en) | Deposition apparatus | |
US20170092899A1 (en) | Evaporation source for organic material | |
JP6679702B2 (ja) | 真空システム、基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 | |
JP6429491B2 (ja) | 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP6686069B2 (ja) | 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム | |
KR102638573B1 (ko) | 증발원 장치 및 증착 장치 | |
JP6556802B2 (ja) | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ | |
JP2014189878A (ja) | 蒸着装置 | |
KR102617764B1 (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP4368633B2 (ja) | 製造装置 | |
JP2022107982A (ja) | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP7241603B2 (ja) | 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
US20100000469A1 (en) | Deposition apparatus for organic el and evaporating apparatus | |
JP7088891B2 (ja) | 蒸発源装置及び蒸着装置 | |
JP2020147830A (ja) | 成膜装置、成膜システム | |
JP6013071B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
JP7202971B2 (ja) | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
KR20240047913A (ko) | 성막 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180831 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190121 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6556802 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |