JP2019073753A - 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ - Google Patents

真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ Download PDF

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Abstract

【課題】ゲートバルブの結露を効果的に抑制することができる真空装置を提供する。【解決手段】内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、チャンバの内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を含み、ゲートバルブは、開口を覆うように設置され、第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、ゲートバルブの第1の面は、ゲートバルブよりも温度の高い第1の部材に対向し、ゲートバルブの第2の面は、ゲートバルブよりも温度の低い第2の部材に対向し、第1の面の放射率は、第2の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置を用いる。【選択図】図1

Description

本発明は、真空装置、蒸着装置及びゲートバルブに関する。
電子デバイスに用いられる表示パネルや半導体、電子部品等の製造工程が行われる真空装置では、真空装置内を減圧雰囲気にする真空排気ポンプが使用されている。高真空状態を求められる真空装置では、大気圧から減圧する真空排気ポンプと、ある程度減圧された状態から、低温を利用して高真空状態にする真空排気ポンプが使い分けられている。
低温を利用する真空排気ポンプは、真空装置を構成しているチャンバに設けられた開口を塞ぐように配置されたゲートバルブのチャンバ外部側に設けられ、ゲートバルブの開閉に合わせて、大気の排気を制御している(特許文献1)。
国際公開第2010/038416号
従来の構成では、ゲートバルブ側に低温を利用する真空排気ポンプが配置されるため、ゲートバルブは放射冷却によって低温になっていた。そのため、チャンバ内を大気開放した場合、ゲートバルブが結露していた場合がある。
本発明は、ゲートバルブ側に低温を利用する真空排気ポンプが配置される真空装置において、ゲートバルブの結露を効果的に抑制することができる真空装置を提供することを目的とする。
上記目的のため、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を含み、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの第1の面は、前記ゲートバルブよりも温度の高い第1の部材に対向し、
前記ゲートバルブの第2の面は、前記ゲートバルブよりも温度の低い第2の部材に対向し、
前記第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して
交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの放熱量を低下させる保温手段を有することを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有することを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
開口を覆うように設置され、前記開口を形成する壁に対して交差する方向に開閉するゲートバルブであって、
第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高く、
第2の面に反射板が設けられたことを特徴とするゲートバルブである。
本発明によれば、ゲートバルブの結露を効果的に抑制することができる。
真空装置の模式的断面図 ゲートバルブ温度変化のグラフ 実施例1の真空装置の模式図 実施例2の真空装置の模式図 実施例3の真空装置の模式図 実施例4の真空装置の模式図 実施例4の真空装置の別の模式図 実施例5の真空装置の模式図 有機EL表示装置の説明図
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のものではない。
[実施例1]
<真空装置の概略構成>
図1(a)は、真空装置の構成を示す模式図である。真空装置は、チャンバ200を有する。チャンバ200の内部は、減圧雰囲気に維持される。本実施例では、チャンバ200内部に、蒸発原装置が配置された例を記載するが、作製するデバイスに応じて、露光装置やスパッタリング装置等を配置することができる。
チャンバ200は、チャンバ200を構成する第1のチャンバ壁404と第2のチャンバ壁405を含む。第1のチャンバ壁404は、開口を有し、開口を覆うように、ゲートバルブ401が設置される。ゲートバルブ401は、ゲートバルブ401を駆動させるた
めの支持手段403と接続される。ゲートバルブは第1のチャンバ壁404に対して交差する方向に開閉することで、チャンバ200の内部空間と外部空間を隔てる機能を有する。図1(a)では、ゲートバルブは第1のチャンバ壁404に対して直交する方向に開閉している。
支持手段403は、第1のチャンバ壁404に対向する第2のチャンバ壁405に設けられた開口を通して、チャンバ200の外部に配置された駆動手段407に接続される。駆動手段407は、駆動手段407内に配置されるシリンダ(不図示)によって、支持手段403を駆動する。第2のチャンバ壁405に設けられた開口は、支持手段403と接続されたベローズ406との接続により、チャンバの内部空間と外部空間を隔てている。
ゲートバルブ401と支持手段403の接続は、図1(b)の形状になっている。ゲートバルブ401は、支持手段と接続する接続部401(a)と、封止部401(b)から構成されている。支持手段403は、ベローズと接続する第1の領域403(a)、接続部401(a)と接続する第2の領域403(b)、ゲートバルブ401を閉状態にする場合に封止部401(b)と接触する第3の領域403(c)とから構成されている。第2の領域403(b)は、接触する第3の領域403(c)より径が小さく形成されている。ゲートバルブ401が開状態になる場合、接続部401(a)が、第3の領域403(c)に接触してゲートバルブ401が持ち上げられる構成となっている。ゲートバルブ401を閉状態にする場合、第3の領域403(c)が封止部401(b)に接触して押し込むことにより、ゲートバルブ401が第1のチャンバ壁404と密着して固定される。第3の領域403(c)の封止部401(b)との接触面は、球面で形成され、ゲートバルブ401が傾いて配置された場合でも、第1のチャンバ壁404と密着して固定するように押し込むことができる。
クライオポンプ402は、第1のチャンバ壁404が有する開口を覆うように、チャンバ200外部側に配置される。チャンバ200内部は、大気圧から減圧する真空ポンプ(不図示)により、ある程度減圧状態にされる。その後、駆動手段407は、支持手段403をチャンバ200の外部方向に動かすことで、ゲートバルブ401を開状態にする。チャンバ200内部は、すでに稼動されているクライオポンプ402によって、高真空状態にされる。クライオポンプ402は、低温を利用して排気する真空排気ポンプであれば良く、クライオトラップが含まれた真空排気ポンプでも良い。
チャンバ200内部が、ある規定よりも低い圧力になった後、被蒸着体である基板10は、搬送ロボット(不図示)によってチャンバ200内部に搬送される。基板10は、チャンバ200内に設けられた基板保持ユニット(不図示)によって保持される。成膜時において、基板10は、マスク220上面に載置される。マスク220は、基板10上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターン221を有するメタルマスクであり、チャンバ200内部において水平面に平行に設置されている。基板10は、基板保持ユニットによってマスク220の上面に載置されことで、チャンバ200内部において、水平面と平行に、かつ、下面がマスク220で覆われる態様で設置される。
チャンバ200内部におけるマスク220の下方には、蒸発源装置300が設けられている。蒸発源装置300は、概略、蒸着材料を収容する蒸発源容器(坩堝)301(以下、容器301)と、容器301に収容された蒸発材料を加熱する加熱手段としてのヒータ302と、を備える。容器301内の蒸着材料は、ヒータ302の加熱によって容器301内で蒸発し、容器301上部に設けられたノズル303を介して容器301外へ噴出する。容器301外へ噴出した蒸着材料は、装置300上方に設置された基板10の表面に、マスク220に設けられた開口パターン221に対応して、膜を形成する。また、蒸着中に容器301に収容された蒸発材料が、メインバルブ401、支持手段403、ベロー
ズ406等に付着しないように、防着板231が設けられている。
蒸発源装置300には、その他、図示は省略しているが、ヒータ302による加熱効率を高めるためのリフレクタや伝熱部材、それらを含む蒸発源装置300の各構成全体を収容する枠体、シャッタ、蒸発レートモニタなどが備えられる場合がある。また、成膜を基板10全体に一様に行うために、蒸発源装置300は、チャンバ200内部において、固定載置された基板10に対して相対移動可能に構成される場合がある。なお、真空装置と蒸発源を合わせて蒸着装置とも呼ぶ。
蒸着終了後、基板10は、基板保持ユニットによってマスク220上面から離間され、搬送ロボットによってチャンバ200外部に搬送される。その後、次の基板10が、搬送ロボットによってチャンバ200内部に搬送され蒸着工程が繰り返される。蒸着工程が繰り返されている間、ゲートバルブ401が開状態であり、高真空を保つために常にクライオポンプ402が稼働している状態が継続している。
メンテナンス等により、真空装置を停止する場合、クライオポンプ402は稼動したまま、ゲートバルブ401を閉状態にする。チャンバ200に設けられたベント用パイプ(不図示)から大気や窒素ガス等を流入することで、チャンバ200内部の圧力を大気圧状態にする。
<ゲートバルブの温度低下の原因>
図2(a)は、ゲートバルブの温度低下の原因を説明するための図であり、従来のゲートバルブの構成におけるゲートバルブの温度変化とクライオポンプの動作との関係を示したグラフである。図2(b)、図2(c)は、クライオポンプの動作に対応したゲートバルブの位置を示した図である。
図2(a)では、実線はゲートバルブの温度変化を示しており、点線がゲートバルブ付近のチャンバの温度変化を示している。グラフ下部の(A)には、チャンバ内の圧力状態が示されており、大気圧と減圧の状態を示している。グラフ下部(B)は、ゲートバルブの開状態と閉状態を示している。図2(b)は、ゲートバルブが開状態、図2(c)は、ゲートバルブが閉状態のゲートバルブとチャンバ、クライオポンプの位置関係の模式図を示している。図2(a)に示すように、ゲートバルブの温度は、チャンバ内の圧力には左右されず、ゲートバルブの開閉により変化していることがわかる。具体的には、ゲートバルブは開いている場合に温度が低下し、閉じている場合に温度が上昇していることが分かる。以上のことから、ゲートバルブは、チャンバと直接接触している場合には、チャンバから熱伝導が行われ温度が上昇している。しかし、ゲートバルブがチャンバとは接触していない開時には、熱伝導が低下している。そのため、ゲートバルブの開時でも温度を低下させないための構成が必要であることがわかった。
<ゲートバルブの詳細構成>
図3は、本実施例のゲートバルブ501の構成を説明するために、真空装置200のうち排気システムに関連する構成要素を示した概略断面図である。図1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。本実施例のゲートバルブ501において、第2のチャンバ壁405に対向する第1の面501(a)は、フッ素樹脂でコーティングされており、クライオポンプ402に対向する第2の面501(b)は、ゲートバルブ501を形成するステンレスが露出している。
上記構成とすることで、第1の面501(a)の放射率は、第2の面501(b)の放射率より高い構成となる。このことによりゲートバルブ501に比べて温度の高い第2のチャンバ壁405に対して、高い放射率の面を形成することで、効率的に第2のチャンバ
壁405の輻射熱をゲートバルブ501に集めることができる。また、ゲートバルブ501に比べて温度の低いクライオポンプ402に対して、低い放射率の面を形成することで、ゲートバルブ501からクライオポンプ402への輻射熱を低減することができる。
第1の面501(a)は、第2の面501(b)に対して、放射率が高ければ良い。また、第1の面501(a)の放射率は、0.8以上であると望ましい。第1の面501(a)を形成するための具体的な材料は、フッ素樹脂コーティングだけでなく、クロム化合物の電気メッキや、アルマイト処理等でも良い。
第2の面501(b)は、第1の面501(a)に対して、放射率が低ければ良い。また、第2の面501(b)の放射率は、0.4以下であることが望ましい。第2の面501(b)の具体的な材料は、ステンレスだけでなく、アルミ等でも良い。また、第1の面501(a)が対向する部材は、第2のチャンバ壁405に限らず、ゲートバルブ501より温度が高いものに対向していれば良く、真空装置内に設けられた処理用の装置であってもよい。
また、第2のチャンバ壁405は、第1の面501(a)に対向する面の放射率が高く設定されることで、第1の面501(a)の温度を効率よく上げることができる。第2のチャンバ壁405の第1の面501(a)に対向する面の放射率は、0.4以上であると望ましい。第2のチャンバ壁405の第1の面501(a)に対向する面を形成するための具体的な材料は、フッ素樹脂コーティング、クロム化合物の電気メッキ、アルマイト処理等が上げられる。
[実施例2]
本実施例では、ゲートバルブ401の放熱量を低下させる保温手段である反射板502を設ける構成について示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。図1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。保温手段は、ゲートバルブ401の面に設けられ、ゲートバルブ401より温度の低いものと、ゲートバルブ401との間に配置される。図4(a)では、ゲートバルブ401の一方の面と、ゲートバルブ401より低温であるクライオポンプ402との間に、保温手段である反射板502を設ける構成としている。上記構成とすることで、ゲートバルブ401から、ゲートバルブ401より温度が低いクライオポンプ402への放熱量を低減させることができる。
反射板502の詳細構成を図4(b)に示す。反射板502は、ゲートバルブ401からクライオポンプ402の方向に重ねて設けられた、反射板502(a)〜502(c)により構成される。反射板502(a)〜502(c)のゲートバルブ401に対する固定には、ねじ503(a)〜503(f)が使用されている。反射板502(a)〜502(c)は、複数枚重ねて配置されるほど、効果の向上が期待でき、枚数はこれに限定されない。
ゲートバルブ401及び反射板502(a)〜502(c)は、隙間を設けて配置されている。そのため、チャンバ200内が真空になった場合にゲートバルブ401からの熱を伝えるのは、輻射熱と、ねじ503(a)〜(f)になるため、放熱量を極力減らすことができる。また、ねじ503(a)〜(f)は、一つのねじで固定する部材の数は2つにとどめている。すなわち、一つのねじでゲートバルブ401及び反射板503(a)〜503(c)全てを貫通することがない。このことにより、ゲートバルブ401からの熱がねじを伝ってクライオポンプ402側に直接放出されないような構成となっている。
[実施例3]
本実施例では、ゲートバルブ401の放熱量を低下させる保温手段である回転機構503、回転補助機構504を設ける構成について示す。図5(a)、(b)では、ゲートバルブ401を保温手段である回転機構503、回転補助機構504により傾ける構成としている。これにより、クライオポンプ402に対向するゲートバルブ401の面積を小さくし、より温度が低いクライオポンプ402への放熱量を低減させることができる。
ゲートバルブ401は、回転機構503を介して支持手段403に接続されており、ゲートバルブ401が支持手段403に対して自由に向きが変えられる機構になっている。回転補助機構504は、チャンバ200の側面等に固定されている。ゲートバルブ401が、支持手段403によって持ち上げられ、ゲートバルブ401の第2のチャンバ壁405に対向する面が、回転補助機構504と接触する。そして、ゲートバルブ401が更に高く持ち上げられることにより、ゲートバルブ401が傾く(図5(b))。このことにより、クライオポンプ402に対向するゲートバルブ401の面積が小さくなり、クライオポンプ402への放熱量が低下する。また、ゲートバルブ401は、ゲートバルブ401よりも温度の高い、第2のチャンバ壁405と同等の温度である他のチャンバ壁と対向する面積が大きくなっている。このことにより、ゲートバルブ401の温度を更に上げることができる。
また、回転補助機構504は、発熱する構成としても良い。これにより、ゲートバルブ401との接触時に、回転補助機構504からの熱が伝わりゲートバルブ401の温度を上げることができる。
[実施例4]
本実施例では、ゲートバルブ401に対して、支持手段403とは異なる経路で熱伝導により熱を供給する熱供給手段を設ける構成について示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
図6では、第2のチャンバ壁405に熱供給手段601が設けられ、ゲートバルブ401が開時にゲートバルブ401に接し、閉時に離間する構成としている。熱供給手段601としては、熱伝導が高いアルミ等で形成されたブロックが用いられる。
図7では、チャンバ200の内部空間に対して、ベローズ602によって区分けされた空間を設け、区分けされた空間はゲートバルブと接する構成とする。区分けされた空間内には、大気等の流体である熱供給手段603を流入させて、ゲートバルブ401に熱を伝える。
本実施例での熱供給手段は、支持手段403とは異なる経路で設けられる。このような構成とすることで、支持手段403の構成を図1(b)で示した様な、ゲートバルブ401との接触面積が小さい場合でも、ゲートバルブ401に熱を供給することができる。
[実施例5]
上記各実施例は、それぞれの構成を可能な限り互いに組み合わせることができる。図8は、その一例である。本実施例では、ゲートバルブ501が、第1の面501(a)と第2の面501(b)を有する構成としている。更に、ゲートバルブ501の放熱量を低下させる保温手段である反射板502を設ける構成としている。上記構成とすることで、ゲートバルブ501の温度を、より効率的に高める構成としている。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、本実施例で特に説明しない事項は、上記実施例と同様である。
[実施例6]
<有機電子デバイスの製造方法の具体例>
上記各実施例における真空装置を、有機電子デバイスの製造に用いた場合の一具体例を、実施例6として説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図9(a)は有機EL表示装置60の全体図、図9(b)は1画素の断面構造を表している。
図9(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
図9(b)は、図9(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R,66G,66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R,66G,66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸
送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
電子輸送層67までが形成された基板に、第2電極68を形成し、その後保護層70を形成して、有機EL表示装置60が完成する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機層や電極が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
このようにして得られた有機EL表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。
200:チャンバ、404:第1のチャンバ壁、405:第2のチャンバ壁(第1の部材)、402:クライオポンプ(第2の部材)
501:ゲートバルブ、501(a):第1の面、501(b):第2の面

Claims (23)

  1. 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
    前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
    前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を含み、
    前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
    前記ゲートバルブの第1の面は、前記ゲートバルブよりも温度の高い第1の部材に対向し、
    前記ゲートバルブの第2の面は、前記ゲートバルブよりも温度の低い第2の部材に対向し、
    前記第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置。
  2. 前記第1の面は、フッ素樹脂で形成されることを特徴とする請求項1に記載の真空装置。
  3. 前記第2の面と、前記第2の部材との間に反射板を設けることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空装置。
  4. 前記チャンバは、前記第1のチャンバ壁に対向する第2のチャンバ壁を含み、
    前記第1の部材は、前記第2のチャンバ壁であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空装置。
  5. 前記第2の部材は、クライオポンプまたはクライオトラップを含む真空排気ポンプであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の真空装置。
  6. 前記第1の面の放射率は、0.8以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の真空装置。
  7. 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
    前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
    前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
    前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
    前記ゲートバルブの放熱量を低下させる保温手段を有することを特徴とする真空装置。
  8. 前記保温手段は、前記ゲートバルブと前記ゲートバルブより低温の部材との間に配置された反射板であることを特徴とする請求項7に記載の真空装置。
  9. 前記反射板は、複数枚重ねて配置され、複数枚の前記反射板は隙間を設けて配置されていることを特徴とする請求項8に記載の真空装置。
  10. 前記保温手段は、前記ゲートバルブの回転機構であり、
    前記ゲートバルブは、開時に回転することにより、前記開口に対向する面積が閉時に対して少なくなることを特徴とする請求項7に記載の真空装置。
  11. 前記真空装置は、前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段を有し、
    前記支持手段は、前記ゲートバルブと接触する接触面が球面で形成されていることを特
    徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の真空装置。
  12. 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
    前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
    前記チャンバは、開口を有する第1のチャンバ壁を有し、
    前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第1のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
    前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
    前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有することを特徴とする真空装置。
  13. 前記熱供給手段は、前記ゲートバルブが開時にゲートバルブに接し、閉時に離間する部材であることを特徴とする請求項12に記載の真空装置。
  14. 前記熱供給手段は、前記チャンバの内部空間に対して区分けされた空間でゲートバルブに接する流体であることを特徴とする請求項12に記載の真空装置。
  15. 前記チャンバの内部空間と、前記区分けされた空間とは、ベローズにより区分けされていることを特徴とする請求項14に記載の真空装置。
  16. 前記熱供給手段は、前記支持手段に対して、前記ゲートバルブへの熱伝導が高いことを特徴とする請求項12乃至15のいずれか一項に記載の真空装置。
  17. 前記支持手段は、前記ゲートバルブと接触する接触面が球面で形成されていることを特徴とする請求項12乃至16のいずれか一項に記載の真空装置。
  18. 請求項1乃至17のいずれか一項に記載の真空装置と、
    前記真空装置内に設置される蒸発源と、を有し、
    前記真空装置内に搬入される被蒸着体に対し、前記蒸発源に収容された蒸発材料を蒸着する蒸着工程を有することを特徴とする蒸着装置。
  19. 請求項1に記載の真空装置と、
    前記真空装置内に設置される蒸発源と、を有し、
    前記真空装置内に搬入される被蒸着体に対し、前記蒸発源に収容された蒸発材料を蒸着する蒸着工程を行う蒸着装置であって、
    前記第2の部材は、クライオポンプまたはクライオトラップを含む真空排気ポンプであり、
    前記ゲートバルブは開であり、かつ、前記クライオポンプが稼働している状態が継続している間に、前記蒸着工程は、前記被蒸着体の蒸着終了後に、異なる被蒸着体が搬入されることで繰り返される、
    ことを特徴とする蒸着装置。
  20. 開口を覆うように設置され、前記開口を形成する壁に対して交差する方向に開閉するゲートバルブであって、
    第1の面の放射率は、前記第2の面の放射率より高く、
    第2の面に反射板が設けられたことを特徴とするゲートバルブ。
  21. 前記第1の面は、フッ素樹脂の表面であることを特徴とする請求項20に記載のゲートバルブ。
  22. 前記第1の面の放射率は、0.8以上であることを特徴とする請求項20又は21に記載のゲートバルブ。
  23. 前記反射板は、前記ゲートバルブと、前記ゲートバルブより温度の低い部材と、の間に配置されることを特徴とする請求項20乃至22のいずれか一項に記載のゲートバルブ。
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