JP2001338891A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JP2001338891A JP2001338891A JP2000156289A JP2000156289A JP2001338891A JP 2001338891 A JP2001338891 A JP 2001338891A JP 2000156289 A JP2000156289 A JP 2000156289A JP 2000156289 A JP2000156289 A JP 2000156289A JP 2001338891 A JP2001338891 A JP 2001338891A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】クライオ部内圧が駆動軸圧よりも高くなった場
合、クライオ部内に取り込まれていた気体分子が真空室
内に逆流しウエハーに付着する。 【解決手段】副真空室４Ａとクライオ部５との境界の壁
部に設けられた開口部７を密閉するための、駆動軸８の
先端に固定されたバルブ９をクライオ部５内に設ける。
合、クライオ部内に取り込まれていた気体分子が真空室
内に逆流しウエハーに付着する。 【解決手段】副真空室４Ａとクライオ部５との境界の壁
部に設けられた開口部７を密閉するための、駆動軸８の
先端に固定されたバルブ９をクライオ部５内に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造装
置に関し、特にイオン注入装置やスパッター装置等に用
いられる真空室の構造に関する。
置に関し、特にイオン注入装置やスパッター装置等に用
いられる真空室の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置をはじめとする半導体装
置の製造装置では、装置内部を洗浄で高真空な状態に保
持する必要があり、従来より高真空ポンプとしてクライ
オポンプを使用した装置が多用されている。以下イオン
注入装置について図２を用いて説明する。
置の製造装置では、装置内部を洗浄で高真空な状態に保
持する必要があり、従来より高真空ポンプとしてクライ
オポンプを使用した装置が多用されている。以下イオン
注入装置について図２を用いて説明する。
【０００３】図２に示すように、イオン注入するための
処理室１には、ゲートバルブ２を介して複数のウエハー
３を搬入するための真空室４が設けられている。この真
空室４の側面端部には、真空室４と一体的に形成された
副真空室４Ａが設けられており、そしてこの副真空室４
Ａの下部にはクライオポンプを構成するクライオ部５が
設けられ、副真空室４Ａとクライオ部５との境界のステ
ンレスからなる壁部６には開口部７が設けられている。
さらに副真空室４Ａ内には開口部７を密閉するための、
先端にバルブ９Ａを接続した駆動軸８が設けられてお
り、この駆動軸８は副真空室４Ａの上部のバルブ駆動固
定部１１で固定され、バルブ駆動モーター１０により上
下動可能となっている。
処理室１には、ゲートバルブ２を介して複数のウエハー
３を搬入するための真空室４が設けられている。この真
空室４の側面端部には、真空室４と一体的に形成された
副真空室４Ａが設けられており、そしてこの副真空室４
Ａの下部にはクライオポンプを構成するクライオ部５が
設けられ、副真空室４Ａとクライオ部５との境界のステ
ンレスからなる壁部６には開口部７が設けられている。
さらに副真空室４Ａ内には開口部７を密閉するための、
先端にバルブ９Ａを接続した駆動軸８が設けられてお
り、この駆動軸８は副真空室４Ａの上部のバルブ駆動固
定部１１で固定され、バルブ駆動モーター１０により上
下動可能となっている。
【０００４】なお図２において１２はクライオ部の外部
に流すヘリウムガス１３により冷却され、不要な気体分
子を凝縮し吸着するための活性炭、１４はドライポンプ
である。
に流すヘリウムガス１３により冷却され、不要な気体分
子を凝縮し吸着するための活性炭、１４はドライポンプ
である。
【０００５】このように構成された装置を用い真空室４
内を真空にするには、まず駆動軸８を下降させバルブ９
Ａで開口部７をふさぎ副真空室４Ａとクライオ部５を遮
断した状態とし、ドライポンプ１４を稼働させてある程
度真空引を行なったのちに、クライオ部外部にヘリウム
ガス１３を流すことで所定の真空度（１０−１９Ｔｏｒ
ｒ程度）にする。この時クライオ部内部は極低温状態
（約１０Ｋ）になる。
内を真空にするには、まず駆動軸８を下降させバルブ９
Ａで開口部７をふさぎ副真空室４Ａとクライオ部５を遮
断した状態とし、ドライポンプ１４を稼働させてある程
度真空引を行なったのちに、クライオ部外部にヘリウム
ガス１３を流すことで所定の真空度（１０−１９Ｔｏｒ
ｒ程度）にする。この時クライオ部内部は極低温状態
（約１０Ｋ）になる。
【０００６】クライオ部５の内部が所定の真空・極低温
状態になったら駆動軸８を動作させバルブ９Ａを開口部
７から離し、真空室４とクライオ部５をつなげる。この
時真空室４よりもクライオ部５の方が真空度が高いの
で、真空室４内にウエハー３から持ち込まれた水分やガ
スはクライオ部５内に引っ張られて活性炭１２内に取り
込まれ、真空室４内は清浄で高真空な状態となる。
状態になったら駆動軸８を動作させバルブ９Ａを開口部
７から離し、真空室４とクライオ部５をつなげる。この
時真空室４よりもクライオ部５の方が真空度が高いの
で、真空室４内にウエハー３から持ち込まれた水分やガ
スはクライオ部５内に引っ張られて活性炭１２内に取り
込まれ、真空室４内は清浄で高真空な状態となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置の製造装置では、故障でドライポン
プ１４が止まったり、ヘリウムガス１３が流れなくな
り、図３に示すように、クライオ部内圧１６が駆動軸圧
１５よりも高くなった場合、バルブ９Ａが上方に持ち上
げられ、クライオ部内に取り込んでいた水分やガスが真
空室４内に逆流しウエハー３に付着する。このため半導
体装置の製造歩留が低下したり、真空室の清掃による装
置の立ち上げ時間が多く必要となるという問題点があっ
た。
た従来の半導体装置の製造装置では、故障でドライポン
プ１４が止まったり、ヘリウムガス１３が流れなくな
り、図３に示すように、クライオ部内圧１６が駆動軸圧
１５よりも高くなった場合、バルブ９Ａが上方に持ち上
げられ、クライオ部内に取り込んでいた水分やガスが真
空室４内に逆流しウエハー３に付着する。このため半導
体装置の製造歩留が低下したり、真空室の清掃による装
置の立ち上げ時間が多く必要となるという問題点があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、クライオ部内の不要なガ
ス分子が真空室内に逆流するのを防止し、半導体装置の
製造歩留の低下や装置の立ち上げ時間のロスをなくすこ
とができる半導体装置の製造装置を提供することにあ
る。
ス分子が真空室内に逆流するのを防止し、半導体装置の
製造歩留の低下や装置の立ち上げ時間のロスをなくすこ
とができる半導体装置の製造装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、処理室にゲートバルブを介して接続され、ウ
エハーを搬入する真空室と、この真空室の側面端部に突
出して設けられ、真空室と一体的に形成された副真空室
と、この副真空室の下部に接続されたクライオ部と、前
記副真空室と前記クライオ部との境界の壁部に設けられ
た開口部と、前記副真空室から前記開口部を通り前記ク
ライオ部内に達し上下動可能に設けられた駆動軸と、前
記クライオ部内で前記駆動軸の先端に固定され、前記開
口部を密封するためのバルブとを含むことを特徴とする
ものである。
造装置は、処理室にゲートバルブを介して接続され、ウ
エハーを搬入する真空室と、この真空室の側面端部に突
出して設けられ、真空室と一体的に形成された副真空室
と、この副真空室の下部に接続されたクライオ部と、前
記副真空室と前記クライオ部との境界の壁部に設けられ
た開口部と、前記副真空室から前記開口部を通り前記ク
ライオ部内に達し上下動可能に設けられた駆動軸と、前
記クライオ部内で前記駆動軸の先端に固定され、前記開
口部を密封するためのバルブとを含むことを特徴とする
ものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の実施の形態を説明する為の
構成図である。
て説明する。図１は本発明の実施の形態を説明する為の
構成図である。
【００１１】図１を参照すると、本実施の形態の半導体
装置の製造装置は、例えばイオン注入するための処理室
１にゲートバルブ２を介して接続され、ウエハー３を搬
入する真空室４と、この真空室４の側面端部に突出して
設けられ、真空室４と一体的に形成された副真空室４Ａ
と、この副真空室４Ａの下部に接続されたクライオ部５
と、副真空室４とクライオ部５との境界の壁部６に設け
られた円形又は矩形の開口部７と、副真空室４Ａから開
口部７を通りクライオ部５内に達し上下動可能に設けら
れた駆動軸８と、クライオ部５内で駆動軸８の先端に固
定され、開口部７を密封するためのバルブ９と、クライ
オ部５に接続されたドライポンプ１４とから主に構成さ
れる。
装置の製造装置は、例えばイオン注入するための処理室
１にゲートバルブ２を介して接続され、ウエハー３を搬
入する真空室４と、この真空室４の側面端部に突出して
設けられ、真空室４と一体的に形成された副真空室４Ａ
と、この副真空室４Ａの下部に接続されたクライオ部５
と、副真空室４とクライオ部５との境界の壁部６に設け
られた円形又は矩形の開口部７と、副真空室４Ａから開
口部７を通りクライオ部５内に達し上下動可能に設けら
れた駆動軸８と、クライオ部５内で駆動軸８の先端に固
定され、開口部７を密封するためのバルブ９と、クライ
オ部５に接続されたドライポンプ１４とから主に構成さ
れる。
【００１２】なお図１において１１は駆動軸８を固定す
るためのバルブ駆動固定部、１０は駆動軸８を上下動す
るためのバルブ駆動モーターである。この駆動モーター
の代りにエアシリンダ等を用い駆動軸を動かしてもよ
い。また１２は気体分子を吸着するための活性炭、１３
は活性炭６を冷却するためのヘリウムガスである。
るためのバルブ駆動固定部、１０は駆動軸８を上下動す
るためのバルブ駆動モーターである。この駆動モーター
の代りにエアシリンダ等を用い駆動軸を動かしてもよ
い。また１２は気体分子を吸着するための活性炭、１３
は活性炭６を冷却するためのヘリウムガスである。
【００１３】バルブ９と壁部６はステンレスから形成さ
れ、その密着する各面は平滑に形成されている。またバ
ルブ９と駆動軸８は接着強度を保つために溶接により固
定されている。
れ、その密着する各面は平滑に形成されている。またバ
ルブ９と駆動軸８は接着強度を保つために溶接により固
定されている。
【００１４】次にウエハー３を搬入した真空室を真空に
する場合について説明する。まず駆動軸８を上昇させバ
ルブ９で開口部７を密閉し、副真空室４Ａとクライオ部
５を遮断した状態とし、ドライポンプ１４を稼働させて
ある程度真空引を行なったのちに、クライオ部外部にヘ
リウムガス１３を流すことで所定の真空度（１０−１９
Ｔｏｒｒ程度）にする。この時クライオ部内部は極低温
状態（約１０Ｋ）になる。
する場合について説明する。まず駆動軸８を上昇させバ
ルブ９で開口部７を密閉し、副真空室４Ａとクライオ部
５を遮断した状態とし、ドライポンプ１４を稼働させて
ある程度真空引を行なったのちに、クライオ部外部にヘ
リウムガス１３を流すことで所定の真空度（１０−１９
Ｔｏｒｒ程度）にする。この時クライオ部内部は極低温
状態（約１０Ｋ）になる。
【００１５】クライオ部５の内部が所定の真空・極低温
状態になったら駆動軸８を動作させてバルブ９を開口部
から離し、真空室４とクライオ部５をつなげる。この時
真空室４よりもクライオ部５の方が真空度が高いので、
真空室４内にウエハー３から持ち込まれた水分やガスは
クライオ部５内に引っ張られて活性炭１２内に取り込ま
れ、真空室４内は清浄で高真空な状態となる。
状態になったら駆動軸８を動作させてバルブ９を開口部
から離し、真空室４とクライオ部５をつなげる。この時
真空室４よりもクライオ部５の方が真空度が高いので、
真空室４内にウエハー３から持ち込まれた水分やガスは
クライオ部５内に引っ張られて活性炭１２内に取り込ま
れ、真空室４内は清浄で高真空な状態となる。
【００１６】このように本発明の実施の形態によれば、
ドライポンプ１４が止ったりヘリウムガス１３が流れな
くなってクライオ部５内に生じたクライオ内圧が駆動軸
圧より高くなっても、バルブ９がクライオ部内に設けら
れているため、バルブ９により開口部７が遮断されるた
め、クライオ部内に取り込まれている水分やガスが真空
室４内に流れ込んでウエハー３に付着することはなくな
る。
ドライポンプ１４が止ったりヘリウムガス１３が流れな
くなってクライオ部５内に生じたクライオ内圧が駆動軸
圧より高くなっても、バルブ９がクライオ部内に設けら
れているため、バルブ９により開口部７が遮断されるた
め、クライオ部内に取り込まれている水分やガスが真空
室４内に流れ込んでウエハー３に付着することはなくな
る。
【００１７】なお上記実施の形態においては、処理室と
してイオン注入室の場合について説明したが、スパッタ
ー室またはＣＶＤ（化学的気相成長）室であってもよ
い。またバルブ９と壁部６の密着面を平滑とした場合に
ついて説明したが、Ｏリングを用いて開口部７を密閉し
てもよい。
してイオン注入室の場合について説明したが、スパッタ
ー室またはＣＶＤ（化学的気相成長）室であってもよ
い。またバルブ９と壁部６の密着面を平滑とした場合に
ついて説明したが、Ｏリングを用いて開口部７を密閉し
てもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、開
口部を密閉するためのバルブをクライオ部内に設けてい
るため、クライオ部内に生じたクライオ内圧が駆動軸圧
より高くなってもバルブにより開口部が遮断されるた
め、クライオ部内の不要なガス分子が真空室内に逆流し
ウエハーを汚染するのを防止できるという効果がある。
このため半導体装置の製造歩留の低下や装置の立ち上げ
時間のロスをなくすことが可能となる。
口部を密閉するためのバルブをクライオ部内に設けてい
るため、クライオ部内に生じたクライオ内圧が駆動軸圧
より高くなってもバルブにより開口部が遮断されるた
め、クライオ部内の不要なガス分子が真空室内に逆流し
ウエハーを汚染するのを防止できるという効果がある。
このため半導体装置の製造歩留の低下や装置の立ち上げ
時間のロスをなくすことが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための装置の構
成図。
成図。
【図２】従来例を説明するための装置の構成図。
【図３】従来例におけるクライオ部内圧が駆動軸圧より
も高くなった場合の気体分子の動きを説明するための
図。
も高くなった場合の気体分子の動きを説明するための
図。
１ 処理室 ２ ゲートバルブ ３ ウエハー ４ 真空室 ４Ａ 副真空室 ５ クライオ部 ６ 壁部 ７ 開口部 ８ 駆動軸 ９，９Ａ バルブ １０ バルブ駆動モーター １１ バルブ駆動固定部 １２ 活性炭 １３ ヘリウムガス １４ ドライポンプ １５ 駆動軸圧 １６ クライオ部内圧
Claims (6)
- 【請求項１】 処理室にゲートバルブを介して接続さ
れ、ウエハーを搬入する真空室と、この真空室の側面端
部に突出して設けられ、真空室と一体的に形成された副
真空室と、この副真空室の下部に接続されたクライオ部
と、前記副真空室と前記クライオ部との境界の壁部に設
けられた開口部と、前記副真空室から前記開口部を通り
前記クライオ部内に達し上下動可能に設けられた駆動軸
と、前記クライオ部内で前記駆動軸の先端に固定され、
前記開口部を密封するためのバルブとを含むことを特徴
とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記駆動軸と前記バルブは溶接により固
定されている請求項１記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 前記バルブの前記壁部に密着する部分に
はＯリングが設けられている請求項１記載の半導体装置
の製造装置。 - 【請求項４】 前記駆動軸と前記バルブはステンレスか
ら形成されている請求項１記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項５】 前記開口部は円形又は矩形である請求項
１記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】 前記処理室はイオン注入室又はスパッタ
ー室又はＣＶＤ室である請求項１記載の半導体装置の製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156289A JP2001338891A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156289A JP2001338891A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001338891A true JP2001338891A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18661097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000156289A Pending JP2001338891A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001338891A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253203A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| CN103498131A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-01-08 | 青岛赛瑞达电子装备股份有限公司 | 双腔室真空制膜设备 |
| JP2019073753A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノントッキ株式会社 | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0366636A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-22 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | ヒドロキシテトラヒドロナフタレン類の製造方法 |
| JPH04128575A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-30 | Fujitsu Ltd | クライオポンプ |
| JPH04159468A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | クライオポンプ |
| JPH06336980A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Tel Varian Ltd | 排気装置 |
| JPH0770733A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び真空排気方法 |
| JPH08283929A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-29 | Ulvac Japan Ltd | 真空用材料 |
-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000156289A patent/JP2001338891A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2019073753A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノントッキ株式会社 | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ |
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Legal Events
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