JP7202971B2 - 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法に関する。

近年、ディスプレイの一種として、有機材料の電界発光を用いた有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置が注目を集めている。かかる有機ＥＬディスプレイ等の有機電子デバイス製造において、蒸発源装置を用いて、基板上に有機材料や金属電極材料などの蒸着材料を蒸着させて成膜を行う工程がある。

蒸着工程で用いられる蒸発源装置は、蒸着材料が収容される容器としての機能と、蒸着材料の温度を上昇させて蒸発させ、基板の表面に付着させるための加熱機能を有する。従来の蒸発源装置としては、例えば、特許文献１に記載されているように、容器の上部を加熱する上部ヒータ（第１ヒータ）と、坩堝の下部を加熱する下部ヒータ（第２ヒータ）と、を有し、２つのヒータを独立に加熱制御するようにした蒸発源装置が知られている。

特開２０１９－３１７０５号公報

特許文献１のような２つのヒータを有する蒸発源装置を用いて蒸着を行う場合、容器の開口部への蒸着材料の付着を抑制するために、容器開口部付近は高温に保つことが好ましい。しかし、容器の開口部付近を高温に保ち、かつ蒸着レートを一定に保つようにヒータの加熱制御を行おうとすると、下部ヒータからの輻射熱が影響して容器坩堝の開口部付近の温度が過度に上昇して材料が劣化するおそれがある。そのため、下部ヒータからの輻射熱を考慮して上部ヒータを加熱制御する必要が生じ、各ヒータの加熱制御が複雑になるという課題が生じる。

本発明は上記課題を解決するためになされたもので、その目的は、簡便な制御で、容器の開口部付近を、過度な温度上昇を抑制しつつ高温に保ったまま、蒸発レートを一定に保つように制御することができる蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の第１の蒸発源装置は、蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置であって、
前記容器は、加熱された蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
前記第１ヒータと前記第２ヒータをそれぞれ独立に制御する制御部と、
前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され、前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記制御部は、前記容器に収容された蒸着材料の減少に伴って、前記第２ヒータに投入する電力を上げることを特徴とする。

また、本発明の第２の蒸発源装置は、蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置であって、
前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
前記第１ヒータと前記第２ヒータをそれぞれ独立に制御する制御部と、
前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され、前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記制御部は、
前記第１ヒータに第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに第２の電力を投入する第１の加熱制御と、
前記第１の加熱制御を行った後に、前記第１ヒータに前記第１の電力を投入しつつ、前記２ヒータに前記第２の電力よりも大きな第３の電力を投入する第２の加熱制御と、
を行うことを特徴とする。

また、本発明の第１の成膜装置は、
蒸着材料を収容した容器を加熱する蒸発源装置であって、
前記容器は、加熱された蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
前記第１ヒータと前記第２ヒータをそれぞれ独立に制御する制御部と、
前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され、前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記制御部は、前記容器に収容された蒸着材料の減少に伴って、前記第２ヒータに投入する電力を上げる蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。

また、本発明の第２の成膜装置は、
蒸着材料を収容した容器を加熱する蒸発源装置であって、
前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
前記第１ヒータと前記第２ヒータをそれぞれ独立に制御する制御部と、
前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され、前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記制御部は、
前記第１ヒータに第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに第２の電力を投入する第１の加熱制御と、
前記第１の加熱制御を行った後に、前記第１ヒータに前記第１の電力を投入しつつ、前記２ヒータに前記第２の電力よりも大きな第３の電力を投入する第２の加熱制御と、
を行う蒸発源装置と、
この蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。

また、本発明の第１の成膜方法は、
蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置を用いた成膜方法であって、
前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記蒸発源装置は、前記第１領域を加熱する第１ヒータと、前記第２領域を加熱する第２ヒータと、前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記蒸発する蒸着材料の減少に応じて前記第２ヒータに投入する電力を上げることを特徴とする。

また、本発明の第２の成膜方法は、
蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置を用いた成膜方法であって、
前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記蒸発源装置は、前記第１領域を加熱する第１ヒータと、前記第２領域を加熱する第２ヒータと、前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記第１ヒータに第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに第２の電力を投入する第１の加熱制御と、
前記第１の加熱制御を行った後に、前記第１ヒータに前記第１の電力を投入しつつ、前記２ヒータに前記第２の電力よりも大きな第３の電力を投入する第２の加熱制御と、
を行うことを特徴とする。

また、本発明の第１の電子デバイスの製造方法は、
蒸着材料を収容した容器を加熱して電子デバイスの被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う電子デバイスの製造方法であって、
前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記蒸発する蒸着材料の減少に応じて前記第２ヒータに投入する電力を上げることを特徴とする。

また、本発明の第２の電子デバイスの製造方法は、
蒸着材料を収容した容器を加熱して電子デバイスの被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う電子デバイスの製造方法であって、
前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
前記第１ヒータに第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに第２の電力を投入する第１の加熱制御と、
前記第１の加熱制御を行った後に、前記第１ヒータに前記第１の電力を投入しつつ、前記２ヒータに前記第２の電力よりも大きな第３の電力を投入する第２の加熱制御と、
を行うことを特徴とする。

本発明によれば、簡便な制御で、容器の開口部付近を、過度な温度上昇を抑制しつつ高温に保ったまま、蒸発レートを一定に保つように制御することができる。
保つことができる。

実施形態１に係る成膜装置の構成の一部を示す断面図。 実施形態１にかかる蒸発源装置の構成を示す図。 図２の蒸発源装置の分解図。 （Ａ），（Ｂ）は、上部ヒータと下部ヒータの制御パターン例を示す図。 （Ａ），（Ｂ）は、実施形態１と比較例の容器の温度分布を示す図。 （Ａ）は実施形態１の中間リフレクタの輻射熱の反射行路を示す図、（Ｂ）から（Ｄ）は中間リフレクタの反射面の他の構成例を示す図。 （Ａ）は有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ－Ｂ線断面図。

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。ただし、以下の実施形態は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

本発明は、蒸発源装置に関し、特に、蒸着により被蒸着体に薄膜を形成するための成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法に好適である。本発明はまた、制御方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。本発明は、例えば、被蒸着体である基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択できる。なお、蒸発源装置の被蒸着体は、平板状の基板に限られない。例えば、凹凸や開口のある機械部品を被蒸着体としてもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択できる。また、有機膜だけではなく金属膜を成膜することも可能である。本発明の技術は、具体的には、電子デバイスや光学部材などの製造装置に適用可能であり、特に、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置、薄膜太陽電池、有機ＣＭＯＳイメージセンサ）の製造に好適である。

＜実施形態１＞
＜蒸発源装置の概略構成＞
図１は、成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。成膜装置は、真空チャンバ２００を有する。真空チャンバ２００の内部は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。なお、ここでいう真空とは、通常の大気圧（典型的には１０２３ｈＰａ）より低い圧力の気体で満たされた状態をいう。真空チャンバ２００の内部には、概略、基板保持ユニット（不図示）によって保持された被蒸着体である基板１０と、マスク２２０と、蒸発源装置２４０が設けられる。基板保持ユニットは、基板１０を載置するための受け爪などの支持具や、基板を押圧保持するためのクランプなどの押圧具によって基板を保持する。

基板１０は、搬送ロボット（不図示）により真空チャンバ２００内に搬送されたのち、基板保持ユニットによって保持され、成膜時には水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定される。なお、ここで言う「平行」とは、数学的に厳密な平行のみを意味するのではなく、水平面と基板１０とがなす角が小さい場合、例えば０°以上５°以下となる場合も含む。マスク２２０は、基板１０上に形成する所定パターンの薄膜パターンに対応する開口パターンをもつマスクであり、例えばメタルマスクである。成膜時にはマスク２２０の上に基板１０が載置される。なお、本実施形態では成膜時に基板１０が水平面と平行となるように固定されるものとしたが、これに限定はされない。基板１０は成膜時に水平面と交差するように固定されてもよいし、水平面と垂直となるように固定されてもよい。また、本実施形態では基板１０の成膜面が重力方向下方を向いた状態で成膜が行われるデポアップの構成を採用しているが、これに限定はされず、基板１０の成膜面が重力方向上方を向いた状態で成膜が行われるデポダウンの構成であってもよい。あるいは、基板１０が垂直に立てられた状態、すなわち、基板１０の成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。

真空チャンバ２００内には、その他、基板１０の温度上昇を抑制する冷却板（不図示）を備えていてもよい。また、真空チャンバ２００の上には、基板１０のアライメントのための機構、例えば基板１０およびマスク２２０の一方を他方に対してＸ方向またはＹ方向に相対的に移動させるアクチュエータや、基板保持のためのクランプ機構用アクチュエータなどの駆動手段や、基板１０を撮像するカメラ（いずれも不図示）を備えていてもよい。

蒸発源装置２４０は、概略、内部に蒸着材料２４２を収容可能な容器２４４と、容器２４４の加熱を行うためのヒータ２４６と、ヒータ２４６の加熱効率を高めるための保温材であるリフレクタ２４８とを備える。図１では、ヒータ２４６は、容器の開口部２４４ｅ側の領域（第１領域）を加熱する第１ヒータとしての上部ヒータ２４６ａと、容器２４４の開口部２４４ｅから離れた側の領域（第２領域）を加熱する第２ヒータである下部ヒータ２４６ｂと、を有している。上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂは、制御部２７０によって、それぞれ独立に制御される。上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂとの間には、中間反射部材である中間リフレクタ２４１が配置されている。

リフレクタ２４８は、上部ヒータ２４６ａに対応する上部リフレクタ（第１反射部材）２４８ａと、下部ヒータ２４６ｂに対応する下部リフレクタ２４８ｂ（第２反射部材）と、容器の底部側に設けられる底部リフレクタ２４８ｃと、を備えている。

また、蒸発レートを検出するレート検出手段としての膜厚モニタ２７１や、上部ヒータ２４６ａの温度を検出する温度検出手段としての温度センサ２７２を備えている。膜厚モニタ２７１としては水晶モニタ等を用いることができ、また、温度センサ２７２としては熱電対等を用いることができる。熱電対は、中間リフレクタ２４１を挟んで下部ヒータ２４６ｂと対向する位置に配置され、上部ヒータ２４６ａ近傍の温度を検出する。また、成膜を一様に行うために蒸発源装置２４０を移動させる蒸発源駆動機構２５０を備えてもよい。その他に、蒸発源装置２４０の構成要素全体を格納できる筐体、シャッタなどを備えていてもよい（いずれも不図示）。なお、下部ヒータ２４６ｂの温度を検出する温度検出手段を別途設けてもよい。

これらの各構成要素については、後ほど詳しく述べる。なお、図１における蒸発源装置２４０の各構成要素の形状、位置関係、サイズ比は例示にすぎない。なお、後述する制御部２７０については、本明細書では蒸発源装置２４０の一部として捉えているが、蒸発源装置２４０とは別のものとして捉えてもよい。

容器２４４の材質としては、例えばセラミック、金属、カーボン材料などが知られているが、これに限定されず、蒸着材料２４２の物性やヒータ２４６による加熱温度との関係で好ましいものを用いる。

ヒータ２４６としては、例えばシースヒータや金属ワイヤ線などの抵抗加熱式のヒータが知られているが、これに限定されず、蒸着材料２４２を蒸発させる加熱性能があればよい。後述するように、容器２４４の複数の部位を個別に温度制御しながら加熱できるものであれば、種類は問わない。またヒータ２４６の形状についても、図１のようなワイヤ状のほか、プレート状、メッシュ状など任意の形状を採用できる。リフレクタ２４８は熱効率を高める保温材（断熱材）であり、例えば金属等を利用できるが、これに限定されない。

制御部２７０は、上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂの制御、例えば加熱の開始や終了のタイミング制御、温度制御を行うが、蒸発源装置２４０の他の制御、例えば、シャッタを設ける場合はその開閉タイミング制御、蒸発源駆動機構を設ける場合はその駆動制御（蒸発源の移動制御）なども行う。なお、複数の制御手段を組み合わせて制御部２７０を構成してもよい。複数の制御手段とは例えば、加熱制御手段、シャッタ制御手段、蒸発源駆動制御手段などである。加熱制御については、後ほど別項を設けて詳述する。また、制御部２７０は、基板１０の搬送およびアライメント制御手段など、蒸発源装置２４０以外の機構の制御手段を兼ねていてもよい。

制御部２７０の構成は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏ、ＵＩなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部２７０の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いてもよい。あるいは、制御部２７０の機能の一部又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部２７０が設けられていてもよいし、１つの制御部２７０が複数の成膜装置を制御してもよい。

次に、成膜の基本的な手順について説明する。容器２４４内部に蒸着材料２４２が収容されると、制御部２７０の制御によってヒータ２４６が動作を開始し、蒸着材料２４２が加熱される。温度が十分に高まったら、真空チャンバ２００内にマスク２２０および基板１０が搬入され、基板１０とマスク２２０のアライメントなどが行われる。その後、蒸発源装置２４０のシャッタが閉状態から開状態となると、蒸発または昇華した蒸着材料２４２が基板１０の表面に付着し、薄膜を形成する。複数の容器に別種の蒸着材料を収容しておくことで共蒸着も可能である。形成された膜を膜厚モニタ２７１で測定しながら制御を行うことで、基板１０上に所望の厚さを持った膜が形成される。一様な厚さで成膜するために、例えば、基板１０を回転させたり、蒸発源駆動機構２５０により蒸発源装置２４０を移動させたりしながら蒸着を行ってもよい。また、基板１０の大きさによっては、複数の蒸発源を並行して加熱することも好ましい。容器２４４の形状は任意である。また、蒸発源の種類も、点状の蒸発源、線状の蒸発源、面状の蒸発源のいずれでも構わない。

後述するように、ある種類の蒸着材料が成膜された基板上に別種の蒸着材料を成膜することで、複層構造を形成できる。その場合、容器内の蒸着材料を交換したり、容器自体を別種の蒸着材料が格納されたものに交換したりしてもよい。また、真空チャンバ内に複数の蒸発源装置を設けて交換しながら用いてもよいし、基板１０を現在の成膜装置から搬出し、別種の蒸着材料が収納された蒸発源装置を備える他の成膜装置に搬入してもよい。

＜蒸発源装置の詳細構成＞
次に、図２及び図３を参照して、本実施形態の蒸発源装置の詳細構成について説明する。図２は、蒸発源装置２４０のうち、蒸着材料の収容および加熱に関連する構成要素を示した概略断面図、図３は図２の分解図である。

容器２４４は有底円筒形状で、円筒状の胴部周囲に、円筒状に成形された上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂが同心状に配置され、その外側に円筒状の上部リフレクタ２４８ａと、下部リフレクタ２４８ｂが同心状に配置され、さらにその外周側に上部リフレクタ２４８ａおよび下部リフレクタ２４８ｂを冷却する冷却ジャケット２４３が同心状に組付けられている。上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂの間には、中間リフレクタ２４１が配置されている。また、容器２４４の底部２４４ｄ側にも底部側への輻射熱を反射して保温する底部リフレクタ２４８ｃが配置され、底部リフレクタ２４８ｃの外径端部が下部リフレクタ２４８ｂに接続されている。また、容器の底部２４４ｄは支持部材２４５によって支持されている。本実施形態においては、上部ヒータ２４６ａは、容器２４４の上部領域２４４ａに対向する位置に配置され、下部ヒータ２４６ｂは、容器２４４の下部領域２４４ｂに対向する位置に配置される。なお、「対向する位置」という文言は厳格に捉える必要はなく、多少の高さ方向の位置ずれがあったとしても、加熱対象位置の温度に影響を与えられれば構わない。

ここで、図３を用いて、容器２４４の上部領域２４４ａと下部領域２４４ｂの用語について説明する。本明細書においては、容器２４４は、加熱された蒸着材料２４２が放出される開口部２４４ｅと、円筒形状の容器２４４の胴部外周面のうち、少なくとも開口部２４４ｅ側の領域のことを容器２４４の「上部領域２４４ａ」と呼ぶ。開口部２４４ｅは、開口端面と開口端面近傍の容器外周面を含むものとする。上部領域２４４ａ同様に、容器２４４のうち少なくとも底部２４４ｄ側の領域のことを「下部領域２４４ｂ」と呼ぶ。上部領域２４４ａと下部領域２４４ｂのそれぞれが容器２４４の高さの中で占める割合は必ずしも特定の範囲に限定されるものではなく、蒸発源装置２４０ごとに異なっていてもよい。上部領域２４４ａは上述の第１領域に対応し、下部領域２４４ｂは上述の第２の領域に対応する。第２領域は、第１領域よりも開口部２４４ｅから離れた領域であると言うこともできる。

上述のように、容器の胴部の開口部２４４ｅ側の領域は上部領域２４４ａと言える。また上部領域２４４ａに対応する位置に設けられ、上部領域２４４ａを加熱可能なヒータ２４６は上部ヒータ２４６ａと言える。また、容器底部２４４ｄ側の領域は下部領域２４４ｂと言える。また下部領域２４４ｂに対応する位置に設けられ、下部領域２４４ｂを加熱可能なヒータ２４６は下部ヒータ２４６ｂと言える。上部領域２４４ａは、概ね、開口部２４４ｅから蒸着材料２４２の最大充填量の蒸着材料２４２の上面までの範囲で、下部領域２４４ｂが、概ね、蒸着材料２４２の充填範囲とすることもできる。また、容器２４４の高さ方向を、上部領域２４４ａと下部領域２４４ｂのいずれかに分類しなければならないわけではなく、両者の間に「中間領域２４４ｃ」を設定してもよい。また、容器２４４の底部のことを、下部領域２４４ｂとは別に「底部２４４ｄ」と呼ぶ場合もある。なお、容器２４４が、容器２４４の開口部２４４ｅから突出したノズル状の部位を備える場合のように、高さ方向において複数の側面が存在する場合がある。その場合、上部領域２４４ａは、少なくとも容器２４４の胴部の開口部２４４ｅに連続して隣接する領域のことを指す。また、下部領域２４４ｂは、当該上部領域２４４ａと同一側面に設定される。

次に、中間リフレクタ２４１について説明する。中間リフレクタ２４１は、例えば、上部リフレクタ２４８ａと容器２４４の外周面との間の上部ヒータ２４６ａの配置空間と、下部リフレクタ２４８ｂと容器２４４の外周面との間の下部ヒータ２４６ｂの配置空間とを遮断するように配置され、外径端部が上部リフレクタ２４８ａと下部リフレクタ２４８ｂによって挟まれた状態で固定されている。中間リフレクタ２４１の内径端部は、容器２
４４の胴部外周面に対しては、隙間を介して対向している。中間リフレクタ２４１の上部ヒータ２４６ａに面する上面２４１ａは、上部ヒータ２４６ａからの輻射熱を反射する反射面となっている。反射面は、輻射熱の反射効率の良い面であれば特に限定はされないが、熱を吸収しにくい色、例えば白色の面や、光沢面としてもよい。図示例では円筒状の容器の中心軸線に対して直交方向に延びる平面構成となっている。この実施形態では、中間リフレクタ２４１の下部ヒータ２４６ｂの面する下面２４１ｂについても、下部ヒータ２４６ｂからの輻射熱を反射する白色面あるいは光沢面として反射効率の高い反射面となっている。この下面２４１ｂについても、容器の中心軸線に対して直交方向に延びる平面構成となっている。中間リフレクタ２４１は下部ヒータ２４６ｂからの輻射熱が上部領域１４４ａに影響しないように遮熱する機能と、上部領域１４４ａを上部ヒータ２４６ａによって効率的に加熱する機能を果たせばよいので、下部ヒータ２４６ｂ側の下面２４１ｂについては、遮熱できればよく、反射面である必要はない。なお、中間リフレクタ２４１の上面２４１ａの代わりに下面２４１ｂを反射面としてもよい。

制御部２７０は加熱手段の種類に応じた方法で上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂへ投入する電力をそれぞれ制御する。例えば抵抗加熱式ヒータを用いる場合は発熱線への通電を制御する。より具体的には、抵抗加熱式ヒータの電流密度を高くしたり低くしたりすることで投入電力を制御し、温度を高くしたり低くしたりする。制御部２７０は、ユーザがコンピュータのＵＩ等を介して入力した入力値や、装置構成および蒸着材料に関する条件（例えば、ヒータの性能、容器の形状や材質、リフレクタの配置や特性、その他成膜装置の特性、蒸着材料の種類、容器内に収容される蒸着材料の量）などに応じて制御条件を決定する。熱電対等の温度センサ２７２を設置しておき、その検出値を制御に用いることも好ましい。また、蒸着材料や装置構成に応じた好ましい制御条件を、予めメモリにテーブルや数式の形式で格納しておき、制御部２７０に参照させることも好ましい。

＜加熱制御＞
図４は、上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂの加熱制御についての制御パターンを例示している。図４（Ａ）は、第１の制御パターン、図４（Ｂ）は第２の制御パターンを示している。いずれの制御パターンも、上部ヒータ２４６ａに投入する電力は一定で、下部ヒータ２４６ｂに投入する電力を制御することによって、蒸発レートの制御がなされる。

まず、図４（Ａ）を参照して、第１の制御パターンを説明する。第１の制御パターンは、容器に収容された蒸着材料２４２の減少に伴って、上部ヒータ２４６ａに投入する電力を大きくするようになっている。すなわち、制御部２７０は、加熱を開始した段階で、上部ヒータ２４６ａには第１の電力Ｗ１を投入しつつ、下部ヒータ２４６ｂには第２の電力Ｗ２を投入している。そして、蒸着材料２４２が蒸発を始めて以降、上部ヒータ２４６ａに投入する電力は維持しつつ、蒸着材料２４２の減少に応じて、下部ヒータ２４６ｂに投入する電力が大きくなるように制御する。蒸着材料２４２の減少に応じた電力の制御は、蒸発レート等に応じて適宜選択され、図示するように連続的に電力を増加させてよいし、段階的に上昇するように制御してもよい。

次に、図４（Ｂ）を参照して、第２の制御パターンを説明する。第２の制御パターンでは、制御部２７０は、上部ヒータ２４６ａに第１の電力Ｗ１を投入しつつ、下部ヒータ２４６ｂに第２の電力Ｗ２を投入する第１の加熱制御Ｃ１と、第１の加熱制御Ｃ１を行った後に、上部ヒータ２４６ａに第１の電力Ｗ１を投入しつつ、下部ヒータ２４６ｂに第２の電力Ｗ２よりも大きな第３の電力Ｗ３を投入する第２の加熱制御Ｃ２と、を実行する。この第２の加熱制御Ｃ２のタイミングは、蒸着材料２４２が蒸発を始めたタイミング、あるいは蒸発を開始して所定時間経過後に設定されるが、蒸着材料２４２の量、容器２４４の大きさ、投入する電力の大きさ等によって変わるもので、適宜選択される。
なお、制御構成では、制御部２７０は、上部ヒータ２４６ａの出力は一定を維持しているが、温度センサ２７２の検出信号に基づいて、上部ヒータ２４６ａ近傍の温度を一定に保つように、上部ヒータ２４６ａの出力を調節するように構成してもよい。また、膜厚モニタ２７１からの信号に基づいて下部ヒータ２４６ｂへの投入電力を調節するようにしてもよい。さらに、膜厚モニタ２７１からの信号に基づいて取得した蒸発レートが予め設定された値以下で、温度センサ２７２で検出された温度が予め設定された値以上となった場合には、エラー信号を出力するように制御してもよい。

図５は、蒸着が進行する間の容器２４４の上部領域２４４ａ、中間領域２４４ｃ、下部領域２４４ｂの温度分布を模式的に示している。図５（Ａ）は中間リフレクタ２４１を備えた本実施形態の温度分布例、図５（Ｂ）は中間リフレクタ２４１を備えていない比較例の温度分布例である。図中、縦軸が容器の底部２４４ｄからの高さ、横軸が温度を示し、Ｔ１が蒸着材料の蒸発目安温度、Ｔ２が、蒸着材料が劣化する目安となる劣化目安温度を示している。

まず、図５（Ｂ）の比較例について説明する。温度分布曲線Ｂ１は、蒸発目安温度Ｔ１まで上昇した時点の温度分布である。図示例で、温度分布が、底部側が低温で開口部側が高温となる温度勾配となっている。このような温度分布となるのは、例えば、容器の底部にヒータが無く、また、図２の例では、底部に接触する支持部材２４５を通じて熱が逃げるからである。もっとも、温度分布は一つの例示であって、このような温度勾配に限定されるものではない。温度分布曲線Ｂ１は、蒸着材料２４２の上面が最大充填位置の高さｈ１にある状態であり、蒸着が開始する時点の温度分布を示している。蒸着材料２４２の蒸発は、蒸着材料２４２の上面位置より少し上の壁面からの輻射熱によって生じるので、蒸着材料の上面位置より少し上の温度が蒸発目安温度Ｔ１よりも高くなるように制御されている。この状態から蒸着が進行して蒸着材料２４２が減少していくと、蒸着材料２４２の高さが低くなり、蒸着材料２４２の上面が、温度が低い領域に移行していく。そこで、蒸着材料２４２の上面が位置する領域の温度が蒸発目安温度Ｔ１になるように、下部ヒータ２４６ｂに投入する電力を大きくし、低い領域の温度を高くなるように制御する。

温度分布曲線Ｂ２は、蒸着材料２４２の上面が高さｈ２まで低下した時点、温度分布曲線Ｂ３は、蒸着材料２４２の上面が高さｈ３まで低下した時点の温度分布である。温度分布曲線Ｂ２は温度分布曲線Ｂ１に対して、全体的に高くなり、図中左側にシフトした状態となる。さらに、温度分布曲線Ｂ３は、温度分布曲線Ｂ２に対してさらに、左側にシフトした状態に移行し、いずれも、上部領域２４４ａの開口部２４４ｅの温度が上がりすぎて、劣化目安温度Ｔ２を超え、蒸着材料が劣化するおそれがある。蒸着材料が劣化すると、蒸着レート、成膜の品質を一定に保てなくなる。また、過熱した開口部２４４ｅからの輻射熱による基板１０への熱影響も懸念される。

鋭意検討した結果、この過熱の原因は、下部ヒータ２４６ｂの輻射熱が上部ヒータ２４６ａ側に及んでいることが一因であることが分かった。そこで、本発明は、上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂの間に中間リフレクタ２４１を配置し、下部ヒータ２４６ｂから上部ヒータ２４６ａ側に輻射される輻射熱を遮断し、下部ヒータ２４６ｂからの輻射熱の影響を抑えている。一方、上部領域２４４ａは、下部ヒータ２４６ｂからの熱輻射が無くなり、上部ヒータ２４６ａからの輻射熱のみとなって供給される熱エネルギが小さくなるので、中間リフレクタ２４１の上面２４１ａで下部ヒータ２４６ｂ側に向かう輻射熱を反射して上部領域２４４ａを効率的に加熱している。

次に、図５（Ａ）を用いて、中間リフレクタ２４１を設けた場合の温度分布曲線について説明する。温度分布曲線Ａ１は、蒸発開始の状態で、蒸着材料２４２の上面が高さｈ１（最大充填位置）にある。中間リフレクタ２４１を設けた中間領域２４４ｃにおいて、温
度が低下し、上部領域２４４ａは、上部ヒータ２４６ａからの輻射熱が中間リフレクタ２４１に反射されて効率的に加熱され、高温に維持されている。温度分布曲線Ａ２は、蒸着材料２４２の上面が高さｈ２まで低下した時点、温度分布曲線Ａ３は、蒸着材料２４２の上面が高さｈ３まで低下した時点の温度分布であり、下部領域２４４ｂについては、比較例と同様に、図中左側にシフトして、温度が上昇していく。しかし、上部領域２４４ａについては、中間リフレクタ２４１によって下部ヒータ２４６ｂから上部ヒータ２４６ａ側への輻射熱が遮断されるので、温度分布は変化せず、蒸発目安温度Ｔ１よりも高く、かつ、劣化目安温度Ｔ２よりも低い温度に維持することができる。したがって、開口部２４４ｅに蒸着材料が付着することが防止され、かつ、一定の蒸着レートで、成膜の品質を一定に保つことができる。また、基板への熱影響を防止することができる。

図６には、中間リフレクタ２４１による輻射熱の反射状態を模式的に示している。白抜き矢印は輻射熱の方向を概略的に示している。上部ヒータ２４６ａからの輻射熱は対向する容器２４４の上部領域２４４ａに輻射され、さらに上部リフレクタ２４８ａによって、背面側に輻射される輻射熱も反射されて容器胴部の上部領域２４４ａに輻射され、上部領域２４４ａが加熱される。一方、下部ヒータ２４６ｂ側へ向かう輻射熱については、容器胴部の中心軸と平行の軸方向の輻射熱（以下、軸方向輻射熱）をＧ１とし、中心軸線に対して直交する直交面に対して、容器に向けて所定角度下部ヒータ２４６ｂ側に傾いた斜め方向の輻射熱（以下、斜め方向輻射熱）をＧ２とする。斜め方向の輻射熱Ｇ２は中間リフレクタ２４１の上面２４１ａによって反射されて上部領域２４４ａを加熱する。また、軸方向輻射熱Ｇ１については、中間リフレクタ２４１の上面２４１ａによって反射された一部Ｇ１１が、開口部２４４ｅ付近に直接入射、あるいは上部リフレクタ２４８ａ側に向かう輻射熱Ｇ１２が上部リフレクタ２４８ａで再反射されて開口部２４４ｅ付近に入射し、開口部２４４ｅ付近を加熱する。

開口部２４４ｅ付近への反射効率を高めるために、例えば、図６（Ｂ）に示すように、斜め下向きの輻射熱の反射面２４１ａ１と、軸方向輻射熱Ｇ１の反射面２４１ａ２の傾きを変えて、軸方向輻射熱Ｇ１の反射面２４１ａ２を開口部側に傾けてもよい。また、図６（Ｃ）に示すように、反射面２４１ａ２を凹面形状とし、開口部側への反射量を大きくするようにしてもよい。また、図６（Ｄ）に示すように、斜め輻射熱の反射面２４１ａ１についても、傾けておけば、中間領域２４４ｃの加熱を促進することもできる。

次に、下部ヒータ２４６ｂから上部ヒータ２４６ａ側に向かう輻射熱について説明すると、下部ヒータ２４６ｂからの輻射熱は対向する容器の下部領域２４４ｂに輻射され、さらに下部リフレクタ２４８ｂによって、背面側に輻射される輻射熱も反射されて下部領域２４４ｂに輻射される。一方、上部ヒータ２４６ａ側へ向かう輻射熱については、容器胴部の中心軸と平行の軸方向の輻射熱（以下、軸方向輻射熱）をＦ１とし、中心軸線に対して直交する直交面に対して、容器に向けて所定角度だけ上部ヒータ２４６ａ側に傾いた斜め方向の輻射熱（以下、斜め方向輻射熱）をＦ２とする。斜め方向の輻射熱Ｆ２は中間リフレクタ２４１の上面２４１ａによって反射されて下部領域２４４ｂを加熱する。また、軸方向輻射熱Ｆ１については、中間リフレクタ２４１の下面２４１ｂによって反射された一部Ｆ１１が、容器の下端部付近に直接入射、あるいは下部リフレクタ２４８ｂ側に向かう輻射熱Ｆ１２が下部リフレクタ２４８ｂで再反射されて下端部付近に入射して下端部付近を加熱し、温度が低い下端部を効率的に加熱することができる。この中間リフレクタ２４１の下面２４１ｂの構成についても、図６（Ｂ）から（Ｄ）と同様に、傾きを変えることにより、加熱効率を高めることができる。

＜有機電子デバイスの製造方法の具体例＞
本実施形態では、蒸発源装置を備える蒸着装置（成膜装置）を用いた有機電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機電子デバイスであ
る有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図７（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図７（ｂ）は１画素の断面構造を表している。本実施形態の成膜装置が備える蒸発源装置２４０としては、上記の各実施形態にいずれかに記載の装置を用いる。

図７（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本図の有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、被蒸着体である基板６３上に、第１電極（陽極）６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、第２電極（陰極）６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と第２電極６８は、複数の発光素子６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極６４と第２電極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および第１電極６４が形成された基板６３を準備する。

第１電極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の第１電極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。ここで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる成膜装置は、上記各実施形態のいずれかに記載された蒸発源装置を備えている。蒸発源装置が上記実施形態の構成を持ち、上記実施形態に記載の加熱制御を行うことにより、容器の開口付近を高温に保ったまま、蒸着レートを一定に保つことができ、一定の膜厚の正孔輸送層６５の成膜を行うことができる。

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の成膜装置に搬入し、基板保持
ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。

発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層６７までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第２電極６８を成膜し、その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。

このようにして得られた有機ＥＬ表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。従って、上記製造方法を用いれば、発光層の位置ずれに起因する有機ＥＬ表示装置の不良の発生を抑制することができる。本実施形態に係る成膜装置によれば、蒸発源装置の加熱を適切に制御することにより、良好な蒸着が可能となる。

２４０ 蒸発源装置
２４１ 中間リフレクタ（中間反射部材）
２４２ 蒸着材料
２４４ 容器
２４４ａ 上部領域（第１領域）
２４４ｂ 下部領域（第２領域）
２４４ｅ 開口部
２４６ ヒータ
２４６ａ 上部ヒータ（第１ヒータ）
２４６ｂ 下部ヒータ（第２ヒータ）
２７０ 制御部

Claims (13)

1. 蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置であって、
   前記容器は、加熱された蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
   前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
   前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
   前記第１ヒータと前記第２ヒータをそれぞれ独立に制御する制御部と、
   前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され、前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
   前記制御部は、前記容器に収容された蒸着材料の減少に伴って、前記第２ヒータに投入する電力を上げることを特徴とする蒸発源装置。
2. 蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置であって、
   前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
   前記第１領域を加熱する第１ヒータと、
   前記第２領域を加熱する第２ヒータと、
   前記第１ヒータと前記第２ヒータをそれぞれ独立に制御する制御部と、
   前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され、前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
   前記制御部は、
   前記第１ヒータに第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに第２の電力を投入する第１の加熱制御と、
   前記第１の加熱制御を行った後に、前記第１ヒータに前記第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに前記第２の電力よりも大きな第３の電力を投入する第２の加熱制御と、
   を行うことを特徴とする蒸発源装置。
3. 前記中間反射部材は、前記第１ヒータと対向する面が反射面となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸発源装置。
4. 前記制御部は、前記容器に収容された蒸着材料の減少に伴って、前記第１ヒータの出力を維持しつつ前記第２ヒータに投入する電力を大きくする請求項１に記載の蒸発源装置。
5. 前記第１ヒータ近傍の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
   前記制御部は、前記温度検出手段の検出信号に基づいて、前記第１ヒータ近傍の温度を一定に保つように、前記第１ヒータの出力を調節する請求項４に記載の蒸発源装置。
6. 前記蒸着材料の蒸発レートを検出するレート検出手段を備え、
   前記制御部は、前記レート検出手段からの信号に基づいて前記第２ヒータに投入する電力を調節する請求項１から５のいずれか１項に記載の蒸発源装置。
7. 前記第１ヒータ近傍の温度を検出する温度検出手段と前記蒸着材料の蒸発レートを検出するレート検出手段とを有し、
   前記制御部は、前記レート検出手段からの信号に基づいて取得した蒸発レートが予め設定された値以下で、前記温度検出手段で検出された温度が予め設定された値以上となった場合には、エラー信号を出力する請求項１から４のいずれか１項に記載の蒸発源装置。
8. 前記第１ヒータの前記容器と反対側に、前記第１ヒータの輻射熱を反射させる第１反射部材が配置されている請求項１から７のいずれか１項に記載の蒸発源装置。
9. 前記第２ヒータの容器と反対側に、前記第２ヒータの第２反射部材が設けられている請求項８に記載の蒸発源装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の蒸発源装置と、
    該蒸発源装置が配置され、被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする成膜装置。
11. 蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置を用いた成膜方法であって、
    前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
    前記蒸発源装置は、前記第１領域を加熱する第１ヒータと、前記第２領域を加熱する第２ヒータと、前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
    蒸発する蒸着材料の減少に応じて前記第２ヒータに投入する電力を上げて蒸発レートを制御することを特徴とする成膜方法。
12. 蒸着材料を収容した容器を加熱して被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う蒸発源装置を用いた成膜方法であって、
    前記容器は、加熱された前記蒸着材料が放出される開口部と、第１領域と、前記第１領域よりも前記開口部から離れた領域である第２領域と、を有し、
    前記蒸発源装置は、前記第１領域を加熱する第１ヒータと、前記第２領域を加熱する第２ヒータと前記第１ヒータと前記第２ヒータとの間に配置され前記第１ヒータからの熱の少なくとも一部を反射する中間反射部材と、を有し、
    前記第１ヒータに第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに第２の電力を投入する第１の加熱制御と、
    前記第１の加熱制御を行った後に、前記第１ヒータに前記第１の電力を投入しつつ、前記第２ヒータに前記第２の電力よりも大きな第３の電力を投入する第２の加熱制御と、
    を行うことを特徴とする成膜方法。
13. 請求項１１または１２に記載の成膜方法によって、電子デバイスの被蒸着体に蒸着材料を蒸着させて成膜することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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