JPS62117318A - 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 - Google Patents
薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置Info
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- JPS62117318A JPS62117318A JP25830185A JP25830185A JPS62117318A JP S62117318 A JPS62117318 A JP S62117318A JP 25830185 A JP25830185 A JP 25830185A JP 25830185 A JP25830185 A JP 25830185A JP S62117318 A JPS62117318 A JP S62117318A
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- Japan
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- cooling water
- fluid
- reaction chamber
- high temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［９，明の技術分野］
本発明は、たどえば゛１７４嗜体！ｉＡ造装置のうち気
相成長装置φ蒸着装置φエツチング装置などの薄膜形成
装置の被薄■り形成部旧（以下ウェハ簀という）が設置
される反応室を形成ｌ−る反応室形成部材内に冷却水を
導通することにより反応室形成部材の過熱を防１トする
ようにした薄膜形成装置の冷却力が、および冷却装置に
係り、特に２台の薄膜形成装置を交１１’に運転する場
合に、非加熱運転状態にある反応室の過冷却による結露
を合理的に防ｌｌ−するための力υ、および装置に関す
るものである。
相成長装置φ蒸着装置φエツチング装置などの薄膜形成
装置の被薄■り形成部旧（以下ウェハ簀という）が設置
される反応室を形成ｌ−る反応室形成部材内に冷却水を
導通することにより反応室形成部材の過熱を防１トする
ようにした薄膜形成装置の冷却力が、および冷却装置に
係り、特に２台の薄膜形成装置を交１１’に運転する場
合に、非加熱運転状態にある反応室の過冷却による結露
を合理的に防ｌｌ−するための力υ、および装置に関す
るものである。
［発明の技術的背景とその問題点］
通常、゛Ｐ６導体製造装置のうち曲工程における各種薄
膜形成装置においては、ウェハザを反応室（反応炉）内
部に配置されたサセプタなどの基台１−に載置したり、
あるいは取り出したりする為に、反応室形成部材を変位
自在として反応室を開放できる構成となっている。
膜形成装置においては、ウェハザを反応室（反応炉）内
部に配置されたサセプタなどの基台１−に載置したり、
あるいは取り出したりする為に、反応室形成部材を変位
自在として反応室を開放できる構成となっている。
また装置が設置される部屋は通常無塵室であり、温度・
湿度等の管理制御がなされている場合が多いが、湿度に
関しては部屋の中の作業者の数および水源（水道、加圧
冷却本川貯水槽等）の存在等の為、低い値に管理されて
いないのが現状である。
湿度等の管理制御がなされている場合が多いが、湿度に
関しては部屋の中の作業者の数および水源（水道、加圧
冷却本川貯水槽等）の存在等の為、低い値に管理されて
いないのが現状である。
一方薄膜形成装置においては、反応室の開放時において
反応室内を乾燥窒素ガス等でパージする構造のものが多
いが、反応室が高温になり易い装置においては、反応室
形成部材内に冷却水を導通して反応室の内壁（炉壁）や
熱源固定部品等の内部構成物を水冷するようにしたもの
が一般的である。ところで２台の薄膜形成装置を交πに
使用すり、装置内に湿気を呼んで結露し、そのまま運転
すると、製品性能を損ねると共に冷却水にも２台分必要
であった。
反応室内を乾燥窒素ガス等でパージする構造のものが多
いが、反応室が高温になり易い装置においては、反応室
形成部材内に冷却水を導通して反応室の内壁（炉壁）や
熱源固定部品等の内部構成物を水冷するようにしたもの
が一般的である。ところで２台の薄膜形成装置を交πに
使用すり、装置内に湿気を呼んで結露し、そのまま運転
すると、製品性能を損ねると共に冷却水にも２台分必要
であった。
［発明の目的１
本発明は、前記！１１情にもとずきなされたもので、そ
の目的とするところは、２台の装置を交互に運転する場
合、高温状態にある装置に対しては冷却水を供給して冷
却し、非高温状態の装置に対しては」１記高温状態にあ
る装置を通過して加熱された温水を供給して過冷却を防
止するようにした薄膜形成装置の冷却方法およびおその
ための装置を提供することにある。
の目的とするところは、２台の装置を交互に運転する場
合、高温状態にある装置に対しては冷却水を供給して冷
却し、非高温状態の装置に対しては」１記高温状態にあ
る装置を通過して加熱された温水を供給して過冷却を防
止するようにした薄膜形成装置の冷却方法およびおその
ための装置を提供することにある。
［発明の要点］
本発明における薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置
は、２台の薄膜形成装置のうち、高温状態にある一側の
薄膜形成装置の反応室の流体導通路に冷却水を供給し、
次いで前記流体導通路を通過することにより加熱された
温水を非高温状態にある他側の反応室の流体導通路に供
給するようにしたことを特徴にしている。
は、２台の薄膜形成装置のうち、高温状態にある一側の
薄膜形成装置の反応室の流体導通路に冷却水を供給し、
次いで前記流体導通路を通過することにより加熱された
温水を非高温状態にある他側の反応室の流体導通路に供
給するようにしたことを特徴にしている。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
図は薄膜形成装置として２台の縦型気相成長装置の構成
を示すものであり、ここでｌａ、ｌｂ（以下両者を区別
しないときは符号のａ、ｂを省略する。以下のものも同
じ）は金属製のベルジャ鼾であり、２は石英ベルジャｆ
で、３は被薄膜形成部材としてのウェハであり、４はカ
ーボン袈のサセプタ、５は熱源としての渦巻き状の高周
波コイル、６は反応ガスを噴出するノズル、７は反応ガ
スを外部に漏らさないようにシールするための０リング
であり、８は前記ベルジャ麿ｌ、２と共に反応室９を形
成する基台である。
を示すものであり、ここでｌａ、ｌｂ（以下両者を区別
しないときは符号のａ、ｂを省略する。以下のものも同
じ）は金属製のベルジャ鼾であり、２は石英ベルジャｆ
で、３は被薄膜形成部材としてのウェハであり、４はカ
ーボン袈のサセプタ、５は熱源としての渦巻き状の高周
波コイル、６は反応ガスを噴出するノズル、７は反応ガ
スを外部に漏らさないようにシールするための０リング
であり、８は前記ベルジャ麿ｌ、２と共に反応室９を形
成する基台である。
しかして、高周波発振機（図示しない）より高温度は違
うが最高１３００°Ｃ程度に高周波話導加熱する。サセ
プタ４が加熱されるとサセプタ４上に置かれているウェ
ハ１ｙ−３が伝導加熱される。
うが最高１３００°Ｃ程度に高周波話導加熱する。サセ
プタ４が加熱されるとサセプタ４上に置かれているウェ
ハ１ｙ−３が伝導加熱される。
一方、反応ガスは図示しないガスコントロール装置でガ
ス量が制御されてノズル６より反応室９内へ送られる。
ス量が制御されてノズル６より反応室９内へ送られる。
そして、ガス中に含まれているシリコン（Ｓｉ）化合物
が熱により化学反応参熱分解等を生じシリコン（Ｓｔ）
が分離されウエハヂ３上へヒ非グア宇付着し、シリコン
の薄膜が成長するようになっている。
が熱により化学反応参熱分解等を生じシリコン（Ｓｔ）
が分離されウエハヂ３上へヒ非グア宇付着し、シリコン
の薄膜が成長するようになっている。
このとき、前記サセプタ４は前述したように最高１３０
０°Ｃ程度にも加熱されている為サセプタ４から輻射熱
は大きく、そのため反応室形成部材であるベルジャ１−
２・基台８・コイル保持部材等はかなりの温度に達する
が、前記金属製ベルジャ１および基台８は二重構造とな
っていて内部にそれぞれ形成された流体導通路１０−１
０には冷却水が強制循環され、これらの加熱が防止され
るようになっている。
０°Ｃ程度にも加熱されている為サセプタ４から輻射熱
は大きく、そのため反応室形成部材であるベルジャ１−
２・基台８・コイル保持部材等はかなりの温度に達する
が、前記金属製ベルジャ１および基台８は二重構造とな
っていて内部にそれぞれ形成された流体導通路１０−１
０には冷却水が強制循環され、これらの加熱が防止され
るようになっている。
即ち金属ベルジャＩＸと基台８との流体導路１０・１０
には、それぞれ流体導入口１１−１１と流体導出口１２
−１２とが形成されており、各装置の２つの流体導入口
１１−１１と流体導出口１２−１２はそれぞれ一つに結
ばれている。
には、それぞれ流体導入口１１−１１と流体導出口１２
−１２とが形成されており、各装置の２つの流体導入口
１１−１１と流体導出口１２−１２はそれぞれ一つに結
ばれている。
冷却水供給装置としてのポンプ２１と冷却機２２とは、
第１切換弁２３−第２切換弁２４・第３切換弁２５を介
して金属ベルジャｌと基台８とに接続されている。以下
その接続方式を説明する。ポンプ２１のｎｌ出管路には
冷却機２２が接続され、冷却機２２の流出側は第１切換
弁２３の流入側に接続されている。第１切換ｊｐ２３の
ｅ流出側は金属ベルジャｌａ・基盤８ａの流体導入口１
１ａｅｉｌａならびに第２ｊ７］換弁２４のｇ！出側に
接続され、第１切換弁２３のｆ流出側は金属ベルジャｌ
ｂφ基盤８ｂの流体導入口１１ｂ・１１ｂならびに第２
切換弁２４のｈ流出側に接続されている。
第１切換弁２３−第２切換弁２４・第３切換弁２５を介
して金属ベルジャｌと基台８とに接続されている。以下
その接続方式を説明する。ポンプ２１のｎｌ出管路には
冷却機２２が接続され、冷却機２２の流出側は第１切換
弁２３の流入側に接続されている。第１切換ｊｐ２３の
ｅ流出側は金属ベルジャｌａ・基盤８ａの流体導入口１
１ａｅｉｌａならびに第２ｊ７］換弁２４のｇ！出側に
接続され、第１切換弁２３のｆ流出側は金属ベルジャｌ
ｂφ基盤８ｂの流体導入口１１ｂ・１１ｂならびに第２
切換弁２４のｈ流出側に接続されている。
第２切換弁２４のｉ流入側は金属ベルジャｌｂ・基盤８
ｂの流体導出＋１１２ ｂ・１２ｂならびに第３切換弁
２５のｎ流入側に接続され、第２切換弁２４のｊ流入側
は金属ベルジヤ１ａ参基台８ａの流体溝１１目１７１１
２ ａ会１２ａならびに第３切換弁２５のｍ流入側に接
続されている。
ｂの流体導出＋１１２ ｂ・１２ｂならびに第３切換弁
２５のｎ流入側に接続され、第２切換弁２４のｊ流入側
は金属ベルジヤ１ａ参基台８ａの流体溝１１目１７１１
２ ａ会１２ａならびに第３切換弁２５のｍ流入側に接
続されている。
第３切換弁２５の流出側はポンプ２１の吸込管路に接続
されている。なお、第１切換弁２３争第２切換弁２４・
第３切換弁２５は７Ｌ磁弁であって配線２６により不
図示の制０４部へ接続されている。
されている。なお、第１切換弁２３争第２切換弁２４・
第３切換弁２５は７Ｌ磁弁であって配線２６により不
図示の制０４部へ接続されている。
続いて前述した実施例の動作を説明する。図は２台の気
相成長装置のうちｂをＨした側が高温状態でありａをイ
・１した側は非高温状態にある状態を示している。また
３個の切換弁２３ないし２５はいづれも図示の状態にあ
る。
相成長装置のうちｂをＨした側が高温状態でありａをイ
・１した側は非高温状態にある状態を示している。また
３個の切換弁２３ないし２５はいづれも図示の状態にあ
る。
従ってポンプ２１から吐き出されん却機２２により冷却
された冷却水は、第１切換弁２３のｆ流出側を通って金
属ベルジャｉｂ−基盤８ｂへ流体導入ＩＺ１１ ｌ ｂ
−１ｌｂから流入して両者を冷却する。このとき冷却水
は第２切換−ｊ？ ２４のｈ流出側に達するがｈｉ出側
はブロックされているため波れない。流体導通路１Ｏｂ
＠１０ｂを通過して金属ベルジャ１ｂおよび基台８ｂを
冷却して熱交換した結果、温水となった冷却水は流体導
出ｆ１１２ｂ・１２ｂから第２切換弁２４のｉ−ｇを通
って、金属ベルジャｌａｅ基台８ａへ流体導入口ら １１ａ−１１ｋから流入し、流体導通路１０ａ−１０ａ
を通ッテ流体導出［１１２ａ ｅ １２ ａから第３切
換弁２５のｍ流入側を通ってポンプ２１に吸いこまれ１
サイクルになる。このとき、非高温状態にある金属ベル
ジャｌａ・基台８ａ中を流れるため、前記金属ベルジャ
１ａ−基台８ａを過冷却することなく、湿気を招くこと
はない。なお前記流体導出口１２ａからの流れは第２切
換弁２４のｊ流入側に達するがｊ流入側はブロックされ
ているため流れない。
された冷却水は、第１切換弁２３のｆ流出側を通って金
属ベルジャｉｂ−基盤８ｂへ流体導入ＩＺ１１ ｌ ｂ
−１ｌｂから流入して両者を冷却する。このとき冷却水
は第２切換−ｊ？ ２４のｈ流出側に達するがｈｉ出側
はブロックされているため波れない。流体導通路１Ｏｂ
＠１０ｂを通過して金属ベルジャ１ｂおよび基台８ｂを
冷却して熱交換した結果、温水となった冷却水は流体導
出ｆ１１２ｂ・１２ｂから第２切換弁２４のｉ−ｇを通
って、金属ベルジャｌａｅ基台８ａへ流体導入口ら １１ａ−１１ｋから流入し、流体導通路１０ａ−１０ａ
を通ッテ流体導出［１１２ａ ｅ １２ ａから第３切
換弁２５のｍ流入側を通ってポンプ２１に吸いこまれ１
サイクルになる。このとき、非高温状態にある金属ベル
ジャｌａ・基台８ａ中を流れるため、前記金属ベルジャ
１ａ−基台８ａを過冷却することなく、湿気を招くこと
はない。なお前記流体導出口１２ａからの流れは第２切
換弁２４のｊ流入側に達するがｊ流入側はブロックされ
ているため流れない。
２台の気相成長装置の交互運転によりａ側が高温そして
ｂ側が非高温になった場合には３個の切換弁２３ないし
２５を図示の状態から他側へ切り換える。これより冷却
機２２により冷却された冷却水は第１切換弁２３を通っ
て金属ベルジャｌａｓ基台８ａへ流体導入口１１ａ・ｌ
ｌａから流入し熱交換した温水は流体導出口１２ａ＠１
２ａから流出し次いで第２切換弁２４のｐ−ｑを通って
金属ベルジャ１ｂ・基台８ｂの流体導入口１１ｂから流
入し、両者を過冷却することなく通過１７た後流体導出
口１２ｂから第３切換弁２５を通ってポンプ２１にＲる
。
ｂ側が非高温になった場合には３個の切換弁２３ないし
２５を図示の状態から他側へ切り換える。これより冷却
機２２により冷却された冷却水は第１切換弁２３を通っ
て金属ベルジャｌａｓ基台８ａへ流体導入口１１ａ・ｌ
ｌａから流入し熱交換した温水は流体導出口１２ａ＠１
２ａから流出し次いで第２切換弁２４のｐ−ｑを通って
金属ベルジャ１ｂ・基台８ｂの流体導入口１１ｂから流
入し、両者を過冷却することなく通過１７た後流体導出
口１２ｂから第３切換弁２５を通ってポンプ２１にＲる
。
［発明の効果］
本発明における薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置
は以上説明したように、２台の薄膜形成装置において高
温状態にある装置に先に冷却水を供給し、ここで加熱さ
れて温水状態になった冷却水を非高温状態にある装置に
供給するようにしたため、高温状態にある反応室内壁は
充分冷却されウオールデボを防１１−シて良好な薄膜形
成がｉｉ能になると共に、Ｊ）高温状態にある反応室内
壁は過冷却されることなく、その内壁面への水滴等の凝
着を阻１１−でき良好かつ安定した薄膜形成が口ｒ能に
なる利点を有する。
は以上説明したように、２台の薄膜形成装置において高
温状態にある装置に先に冷却水を供給し、ここで加熱さ
れて温水状態になった冷却水を非高温状態にある装置に
供給するようにしたため、高温状態にある反応室内壁は
充分冷却されウオールデボを防１１−シて良好な薄膜形
成がｉｉ能になると共に、Ｊ）高温状態にある反応室内
壁は過冷却されることなく、その内壁面への水滴等の凝
着を阻１１−でき良好かつ安定した薄膜形成が口ｒ能に
なる利点を有する。
図は本発明の一実施例における一部を断面した機構図ｔ
ある。 ９ａｅ９ｂ・・・反応室、１０ａ争１０ｂ・・・流体導
通路、２１・・・ポンプ、２２・・・冷却機、２３・・
・第１切換弁、２４・・・第２切換弁、２５・・・第３
切換弁。 ｉｏ−
ある。 ９ａｅ９ｂ・・・反応室、１０ａ争１０ｂ・・・流体導
通路、２１・・・ポンプ、２２・・・冷却機、２３・・
・第１切換弁、２４・・・第２切換弁、２５・・・第３
切換弁。 ｉｏ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）２台の薄膜形成装置のうち、高温状態にある一側の
薄膜形成装置の反応室の流体導通路に冷却水を供給し、
次いで前記流体導通路を通過することにより加熱された
温水を非高温状態にある他側の反応室の流体導通路に供
給するようにした薄膜形成装置の冷却方法 ２）反応室に流体導通路を有する２台の薄膜形成装置と
、ポンプおよび冷却機を備えた冷却水供給装置と、前記
冷却水供給装置の冷却水送出側を前記２台の薄膜形成装
置のそれぞれの流体導通路の入口に交互に切換え接続す
る第１切換弁と、前記それぞれの流体導通路の出口を前
記冷却水供給装置の冷却水戻り側に交互に切換え接続す
る第３切換弁と、前記の両流体導通路の入口と出口をそ
れぞれ交互に連通・遮断する第２切換弁とからなる薄膜
形成装置の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25830185A JPS62117318A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25830185A JPS62117318A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62117318A true JPS62117318A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17318353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25830185A Pending JPS62117318A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62117318A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272618A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JPH02260631A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US20100269754A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25830185A patent/JPS62117318A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272618A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JPH02260631A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US20100269754A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
| US8540818B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-09-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
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