TW202247345A - 包含密封件的台座 - Google Patents

包含密封件的台座 Download PDF

Info

Publication number
TW202247345A
TW202247345A TW110142703A TW110142703A TW202247345A TW 202247345 A TW202247345 A TW 202247345A TW 110142703 A TW110142703 A TW 110142703A TW 110142703 A TW110142703 A TW 110142703A TW 202247345 A TW202247345 A TW 202247345A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pedestal
collar
gas
assembly
support structure
Prior art date
Application number
TW110142703A
Other languages
English (en)
Inventor
克里斯多佛 格吉
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商蘭姆研究公司 filed Critical 美商蘭姆研究公司
Publication of TW202247345A publication Critical patent/TW202247345A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

用於基板處理系統的台座組件包括台座，該台座包括具有複數氣體通孔的台座板以及從台座板向下延伸的桿。複數氣體通孔在桿的徑向外側位置處從台座板的第一表面延伸至台座板的第二表面。軸環安置在台座的桿的周圍，且複數氣體通孔的開口位於台座的第二表面上。軸環在軸環和台座的桿之間界定環形容積。軸環的面向上的表面與台座的第二表面形成表面間的密封。

Description

包含密封件的台座
本揭示內容與基板處理系統有關，並尤其與包含密封件的台座有關。
在此提供的先前技術說明目的是為了概括地呈現本揭示內容的脈絡。就此先前技術部分所述的目前列名之發明人的成果之範圍、連同可能未以其他方式認定為申請時之先前技術的敘述態樣，均不明示性或暗示性納入為相對本揭示內容的先前技術。
有若干類型的原子層沉積(ALD)可用於將薄膜沉積到基板上。ALD的範例包括電漿增強ALD(PEALD)和熱式ALD(T-ALD)。用於執行T-ALD的基板處理系統通常包括加熱的台座，在處理期間基板安放在該台座上。
用於基板處理系統的台座組件包括台座，該台座包括台座板，該台座板具有複數氣體通孔和從台座板延伸的桿。複數氣體通孔在桿的徑向外側之位置處從台座板的第一表面延伸至台座板的第二表面。軸環安置於台座的桿的周圍，且複數氣體通孔的開口位於台座的第二表面。軸環在軸環和台座的桿之間界定環形容積。軸環的面向上的表面與台座的第二表面形成表面間的密封。
在其他特徵中，台座支撐結構附接至桿的遠端。「O形」環位於桿的遠端與台座支撐結構之間。台座的桿包括在其底部邊緣處徑向向外延伸的凸緣、以及附接至桿的凸緣的台座支撐結構。軸環附接至台座支撐結構。「O形」環位於軸環的遠端和台座支撐結構之間。
在其他特徵中，表面間的密封包括平面間的密封。
在其他特徵中，台座支撐結構包括具有側壁的圓柱形本體。側壁中的垂直孔界定氣體通道。氣體通道與環形容積和複數氣體通孔流體地連通。台座支撐結構包括界定內腔的圓柱形本體、以及從圓柱形本體的上表面徑向向外延伸的凸緣。一或更多夾具將位於桿的遠端上的凸緣連接到從台座支撐結構的圓柱形本體徑向向外延伸的凸緣。
在其他特徵中，軸環包括分別位於其上和下表面的第一凸緣和第二凸緣。夾具安置在台座支撐結構的凸緣和軸環的第二凸緣周圍。「O形」環位於第二凸緣的第二表面和夾具的上表面之間。
在其他特徵中，將第一閥配置以選擇性地將氣體通道、環形容積和氣體通孔連接到真空來源。將控制器配置以選擇性地控制第一閥，以在基板處理期間供應真空給氣體通道、環形容積和氣體通孔。
在其他特徵中，將第二閥配置以選擇性地將氣體通道、環形容積和氣體通孔連接到吹掃氣體來源。更將控制器配置以選擇性地控制第二閥以吹掃氣體通道、環形容積和氣體通孔。
在其他特徵中，將閥配置以選擇性地將氣體通道、環形容積和氣體通孔連接到吹掃氣體來源。將控制器配置以選擇性地控制閥以吹掃氣體通道、環形容積和氣體通孔。台座由陶瓷製成。台座由鋁氮化物製成。軸環由陶瓷製成。軸環由氧化鋁製成。
在其他特徵中，將台座板的第二表面和桿的上表面拋光至小於或等於20微英寸的表面粗糙度(Ra)。將台座板的第二表面和桿的上表面拋光至小於或等於16微英寸的表面粗糙度(Ra)。將台座板的第二表面和桿的上表面拋光至從3至8微英寸的範圍中的表面粗糙度(Ra)。
台座組件，包括具有台座板的台座，該台座板包括複數氣體通孔和從台座板延伸的桿。複數氣體通孔從台座板的第一表面延伸至台座板的第二表面。軸環安置在台座的桿的周圍。台座板具有第一直徑，桿具有小於第一直徑的第二直徑，並且軸環具有小於第一直徑和大於第二直徑的第三直徑。複數氣體通孔排列在界定於第二直徑和第三直徑之間的台座板的第一區域中。氣體通孔不位於第一區域之外的第二區域以及第一區域之內的第三區域中。軸環在軸環和台座的桿之間界定環形容積。
在其他特徵中，軸環的第一表面與台座的第二表面形成表面間的密封。台座支撐結構附接至桿的遠端。「O形」環位於桿的遠端和台座支撐結構之間。將台座板的第二表面和桿的上表面拋光至小於或等於20微英寸的表面粗糙度(Ra)。將台座板的第二表面和桿的上表面拋光至小於或等於16微英寸的表面粗糙度(Ra)。將台座板的第二表面和桿的上表面拋光至從3至8微英寸的範圍中的表面粗糙度(Ra)。
在其他特徵中，表面間的密封包含平面間的密封。複數氣體通孔在第一區域中排列成一圓形。
本揭示內容的其他領域的適用性將從詳細說明、請求項和圖式中變得顯而易見。詳細說明和具體範例僅用於說明的目的，並不意圖在限制本揭示內容的範圍。
有若干類型的原子層沉積(ALD)可用以沉積薄膜。ALD的範例包括電漿增強ALD(PEALD)和熱式ALD(T-ALD)。每一PEALD循環包括在其期間將基板暴露於前驅物的用劑步驟、吹掃步驟、RF電漿步驟和吹掃步驟。在T-ALD中，在處理期間將基板安置在加熱的台座上且不使用電漿。每一T-ALD循環通常包括以下步驟：在其期間將基板暴露於第一前驅物的第一用劑步驟、吹掃步驟、在其期間將基板暴露於第二前驅物的第二用劑步驟，、及吹掃步驟。在每一ALD循環期間通常沉積單層。執行多重的ALD循環以沉積具有期望厚度的層。
雖然前述說明描述用於T-ALD處理用的台座組件的密封系統，但是該密封系統和台座組件可以用於其他基板處理應用中。將氣體輸送到T-ALD中使用的高溫台座是有挑戰性的。在某些範例中，台座和基板溫度可在從200℃至1000℃的範圍中，但也可使用其他處理溫度。
台座組件包括具有台座板和桿的台座。在某些範例中，桿包括從台座板延伸的中空圓柱形部分。台座板包括氣體通孔，此等氣體通孔延伸穿過台座板以流體地連通圍繞桿的環形空間或環形容積。如本文所使用的，流體地連通是指氣體經由氣體通道從一容積流到另一容積。密封系統包括鄰接台座板的第二表面且圍繞桿以產生環形容積的軸環。
軸環提供表面間的密封給台座板的第二表面。換言之，將軸環的一表面壓靠在台座的另一表面上以形成密封，而無需焊接或以其他方式連接二表面或在表面與表面間接觸處使用O形環。在某些範例中，表面間的密封位於單一平面中並且是平面間的密封。為了維持足夠的密封，將台座的第二表面和軸環的第一表面拋光至足以維持期望密封量的表面粗糙度。在某些範例中，平面間的密封包括在軸環和台座板的第二表面之間的陶瓷對陶瓷的密封。平面間的密封並不提供適當的對大氣的滲漏率。然而，該密封確實提供用於在處理室內吹掃氣體或真空的傳送的氣體物種和壓力差的充分隔離，如以下將進一步說明。
軸環在台座桿的周圍形成密封的環形容積。在某些範例中，安置在軸環遠端處的「O形」環提供彈簧力。換言之，將軸環偏置靠在台座板的第二表面上以產生將真空夾持與腔室壓力隔離開的密封。
現參照圖1，基板處理系統100的範例包括被配置以處理基板的處理腔室102。在某些範例中，該處理包括熱式原子層沉積(T-ALD)。處理腔室102包括側壁、第一表面和第二表面。處理腔室102包圍基板處理系統100的其他元件。在處理期間，基板106安置在台座104上。可將一或更多加熱器108(例如，加熱器陣列)設置在台座104中以在處理期間加熱台座104和基板106。在某些範例中，台座104由例如鋁氮化物(AIN)、氧化鋁或其他合適的氧化物或非氧化物陶瓷材料的陶瓷製成。在其他範例中，可使用例如鋁的金屬材料。
處理腔室102包括例如噴淋頭的氣體分配裝置110，以將處理氣體引入和分配進入處理腔室102中。氣體分配裝置(以下稱為噴淋頭)110可包括桿部112，桿部112包括連接到處理腔室102的第一表面的一端。噴淋頭110的基部113大致上是圓柱形的，並且在與處理腔室102的第一表面間隔開的位置處從桿部112的相對端徑向向外延伸。噴淋頭110的基部113的面向基板的表面包括面板114。例如載體氣體、惰性氣體和前驅物的氣體流過桿部112、到分散板116上並進入充氣室117。然後氣體流穿過面板114中的複數氣體通孔(圖3中標示於115處)進入處理腔室102。
氣體輸送系統130包括一或更多氣體來源132-1、132-2、...和132-N(統稱為氣體來源132)，其中N是大於零的整數。氣體來源132由閥134-1、134-2、...和134-N(統稱為閥134)以及質流控制器136-1、136-2、...和136-N(統稱為質流控制器136)連接至歧管139。歧管139的輸出饋送到處理腔室102。氣體來源132可將處理氣體、清潔氣體、吹掃氣體、惰性氣體、前驅物等等供應至處理腔室102。
控制器160控制基板處理系統100的元件。控制器160可連接到台座104中的加熱器108和一或更多溫度感應器150。控制器160可基於感測到的溫度控制供應給加熱器108的功率，以控制台座104和基板106的溫度。可將加熱器108安置在一或更多區域中。
真空泵158在基板處理期間維持處理腔室102內的低於大氣的壓力。在某些範例中，將處理腔室中的壓力保持在從10毫托到100托的壓力範圍中。在某些範例中，將處理腔室中的壓力保持在從20托到40托的壓力範圍中(例如30托)。
閥156連接到處理腔室102的排氣口。閥156和真空泵158用於控制處理腔室102中的壓力並經由閥156從處理腔室102中排出反應物。
在處理期間，藉由真空將基板106支撐在台座104的第一表面上。台座104包括允許氣體從台座104的第一表面通到第二表面的複數氣體通孔(圖2中標示於224處)。
密封系統162在位於台座104的第二表面上的複數孔224的開口周圍維持足夠緊密的密封。密封系統162允許在處理期間真空得以維持以將基板保持靠在台座104上、或在吹掃期間氣體得以輸送通過複數孔224。密封系統162包括安置在台座桿165周圍的軸環164。在某些範例中，軸環164由具有與台座104相似的熱膨脹係數(CTE)的材料製成。在某些範例中，軸環164是由例如氧化鋁的陶瓷製成。
軸環164和台座桿165之間的容積藉由閥170選擇性地連接到真空泵158或另一真空來源。在某些範例中，軸環164和台座桿165之間的容積可藉由閥174選擇性地連接到吹掃氣體來源178。第一圓柱體166與軸環164徑向間隔開且圍繞軸環164、並且從處理腔室的第二表面延伸。第二圓柱體168與第一圓柱體166徑向隔開且圍繞第一圓柱體166、並且從台座104的第二表面延伸。將第一圓柱體166和第二圓柱體168配置以允許其之間的相對軸向運動，以允許其之間的有限氣體流動和以向下方向引導離開第二圓柱體168內部的氣體。
在操作期間，將基板106安置在台座104上並且將閥170向真空泵158打開。真空將基板106保持靠在台座104上。在基板106上執行處理，然後關上閥170，關閉真空並移除基板106。可在某些基板處理循環之間及/或在維護期間藉由打開閥174(在閥170關閉的情況下)以使吹掃氣體流過軸環164和台座桿165之間的容積、及台座104中的複數氣體通孔224來執行吹掃步驟。複數氣體通孔224從台座104的第一表面延伸到台座104的第二表面。
現參照圖2，台座200顯示包括具有外密封帶208的第一表面204、升降銷孔210、複數突出部或平頂凸部220和複數氣體通孔224。可將複數突出部或平頂凸部220以間隔的定位分布在第一表面204的範圍，以在平坦、凸形、傾斜(從一個徑向邊緣到相對的徑向邊緣)或凹形的位置中支撐基板。在某些範例中，外密封帶208和複數突出部或平頂凸部220向上延伸到第一表面204上方的預定高度。在某些範例中，可變化突出部或平頂凸部220的預定高度。在某些範例中，在處理期間保持基板平坦，並且突出部的高度可為相同的或可變化成諸多型樣以提供期望的冷卻模式。
現參照圖3，顯示包括密封系統162的台座310。台座310包括在處理期間基板受支撐於其上的台座板320、以及從台座板320向下延伸的桿部322。在某些範例中，台座310由陶瓷製成。在某些範例中，台座板320具有平坦的圓柱形狀。在某些範例中，台座板320具有第一直徑(d1)。在某些範例中，桿部322包括具有第二直徑(d2)的側壁323。在某些範例中，側壁323延伸一預定距離。在某些範例中，第二直徑小於第一直徑。在某些範例中，第二直徑小於或等於第一直徑的60%、50%、40%或30%。凸緣326位於側壁323的下端。在某些範例中，凸緣326從側壁323徑向向外延伸。側壁323界定內腔324。
軸環330與台座310的桿部322的側壁323隔開並圍繞該側壁323。軸環330具有第三直徑(d3)並界定軸環330的內表面332和台座310的桿部322的側壁323的外表面之間的環形容積。軸環330包括分別從其下端和上端徑向向外延伸的凸緣334和336。軸環330的下徑向內表面鄰接台座支撐結構350的上徑向外表面。
在某些範例中，氣體通孔224排列在台座板320的區域中，該區域位於桿部322的側壁323和軸環330的內表面332之間。在某些範例中，氣體通孔224不位於桿部的側壁323的內側、或軸環330的內表面332的外側的台座板320的第一區域中。
台座支撐結構350具有圓柱形本體，該圓柱形本體附接在台座310的凸緣326下方並界定內腔352。台座支撐結構350的側壁354包括界定氣體通道356的孔355。氣體通道356可以連接至真空來源以將基板保持靠在台座310上、或連接至吹掃氣體來源以在如上述將基板移除時吹掃台座310。伸縮囊密封件359在下支撐件364上方的台座支撐結構350周圍提供可撓的密封件。
使用一或更多夾具將台座310的桿部322的底部連接到台座支撐結構350。在某些範例中，一或更多夾具包括具有環形或分裂環形形狀的夾緊圈。藉由一或更多緊固件342將第一夾具340經由第二夾具344連接到台座支撐結構350的第一表面。如本文使用的，術語「夾具」指被固定到另一元件以使一或更多元件保持在一起的環形或弓形的部分。在某些範例中，第二夾具344具有「C形」橫截面(順時鐘旋轉90度)。
第三夾具370附接到台座支撐結構350的凸緣(圖4中的410)的面向底部的表面。在某些範例中，第三夾具370具有「L形」橫截面且包括向上突出部376和徑向向內突出部375。「O形」環378在凸緣334的第二表面和徑向向內的突出部375的面向上的表面之間提供密封。同樣，「O形」環390位於凸緣326的第二表面和台座支撐結構350的面向上的表面之間。環形隔熱擋板380安置在台座310下方一預定距離處並且包括中央開口，該中央開口之寬度足以容納台座310的軸環330和桿部322。
現參照圖4，台座支撐結構350包括本體404和從本體404的上部徑向向外延伸的凸緣410。台座支撐結構350的側壁354包括界定氣體通道356的垂直部分以使吹掃氣體流動或提供真空的孔355。形成在凸緣410的第一表面上的環形開口428界定垂直表面432和從其徑向向內延伸的水平表面430。凹槽434形成在水平表面430上。「O形」環390可安置在凹槽434中。徑向孔440穿過凸緣部分(或台座支撐結構350的另一部分)並且與氣體通道356流體連通。環形突起部461從凸緣410的徑向外表面和上表面向上延伸。
現參照圖5，藉由一或更多緊固件520將第三夾具370固定至台座支撐結構350的凸緣410的面向下的表面512。緊固件342經由第二夾具344將第一夾具340固定到凸緣410的上表面524。
如可以理解的，在軸環330的凸緣336的上表面和台座310的第二表面之間的界面處產生表面間的密封。在某些範例中，表面間的密封包括平面間的密封，該平面間的密封產生在將二平坦表面安排成直接接觸而不使用焊接將二材料接合或使用例如O形環的單獨密封件時。在其他範例中，表面間的密封包括互補的非平面表面。換言之，二表面的鄰接形成密封。在某些範例中，將軸環330的凸緣336的上表面和台座310的第二表面拋光至從3至20微英寸的範圍中的表面粗糙度(Ra)。在其他範例中，表面粗糙度在從3至16微英寸的範圍中。在其他範例中，表面粗糙度在從3至8微英寸的範圍中。
軸環330鄰接O形環378，其將軸環330的凸緣336的上表面偏置靠在台座310的第二表面上。同樣，「O形」環390在凸緣326的第二表面和台座支撐結構350的上表面之間提供密封。
前述說明在本質上僅是說明性的並且絕不旨在限制本揭示內容、其應用或使用。可以將本揭示內容的廣泛教示以諸多形式實施。因此，雖然本揭示內容包括特定範例，但本揭示內容的真實範圍不應如此限制，因為其他修改將在研讀圖式、說明書和隨附請求項後變得顯而易見。應理解，方法內的一或更多步驟可以不同的順序(或同時)執行而不改變本揭示內容的原理。此外，儘管各實施例在上面被描述為具有特定特徵，但是關於本揭示內容的任何實施例所描述的那些特徵之任何一或更多者，可以在任何其他實施例的特徵中實施及/或與任何其他實施例的特徵組合，即使該組合並未明確描述亦然。換言之，所描述的實施例不是相互排斥的，並且一或更多實施例彼此的置換仍然是在本揭示內容的範圍內。
使用諸多術語說明元件之間(例如，模組、電路元件、半導體層等之間)的空間和功能關係，包括「連接」、「接合」、「耦合」、「相鄰」、「在…旁」、「在…上」、「在…上方」、「在…下方」和「設置」。當在上述揭示內容中描述第一和第二元件之間的關係時，除非明確描述為「直接」，否則該關係可以是在第一和第二元件之間不存在其他中間元件的直接關係，然而也可以是在第一和第二元件之間存在一或更多中間元件(空間上或功能上)的間接關係。如本文所使用，用語A、B和C其中至少一者應解讀成意指使用非互斥邏輯「或」的邏輯(A或B或C)，並且不應解讀成意指「A中至少一者、B中至少一者、以及C中至少一者」。
在某些實施內容中，控制器是系統的一部分，其可以是上述範例的一部分。如此的系統可以包括半導體處理設備，包括一或更多處理設備、一或更多腔室、一或更多用於處理的平台及/或特定的處理元件(晶圓台座、氣流系統等)。這些系統可與電子設備集成，用於在處理半導體晶圓或基板之前、期間和之後控制它們的操作。可稱該電子設備為「控制器」，其可控制一或更多系統的諸多元件或子部分。根據處理要求及/或系統類型，可將控制器編程以控制本文揭示的任何處理，包括工作氣體的輸送、溫度設定(例如加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體輸送設定、位置和操作設定、晶圓移入和移出連接到特定系統或與特定系統介面的的設備和其他傳輸設備及/或負載鎖。
廣義地說，可將控制器定義為具有諸多積體電路、邏輯、記憶體及/或接收指令、發出指令、控制操作、啟動清潔操作、啟動端點測量等的軟體的電子設備。積體電路可包括儲存程式指令的韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSPs)、定義為特定應用積體電路(ASICs)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如軟體)的微控制器。程式指令可是以諸多單獨設定(或程式檔)的形式傳送到控制器的指令，從而定義用於在半導體晶圓上或為半導體晶圓或系統執行特定處理的操作參數。在某些實施例中，操作參數可為製程工程師定義的配方的部分，以在製造晶圓的一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路及/或晶粒期間完成一或更多處理步驟。
在某些實施內容中，控制器可為計算機的一部分或耦合到與系統集成、耦合到系統、以其他方式聯網到系統或其組合的計算機。例如，控制器可在「雲端」中或在主機系統製造廠的全部或一部分中，其可允許晶圓處理的遠端存取。計算機可實現對系統的遠端存取，以監控製造操作的當前進度、檢查過去製造操作的歷史、檢查來自複數製造操作的趨勢或性能指標，來改變當前處理的參數，以設定處理步驟以跟隨當前的處理、或開始新的處理。在某些範例中，遠端計算機(例如伺服器)可以透過網路向系統提供處理配方，該網路可包括區域網絡或網際網路。遠端計算機可包輸入或編程參數及/或設定的使用者界面，然後將其從遠端計算機傳送到系統。在某些範例中，控制器以數據的形式接收指令，其針對每一處理步驟指定參數以在一或更多操作期間執行。應理解的是，這些參數可專用於要執行的處理的類型、以及將控制器配置以與之介面或控制的設備類型。因此如上所說明，控制器可為分散式，例如藉由包括以網路聯結在一起並朝著共同目標(例如本文所描述的處理和控制)工作的一或更多個別的控制器。用於如此目的的分散式控制器的範例將是與一或更多位於遠端(例如在平台級別或作為遠程計算機的一部分)的積體電路連通的腔室上的一或更多積體電路，這些積體電路結合起來控制腔室上的處理。
非限制性地，範例系統可包括電漿蝕刻室或模組、沉積腔室或模組、旋轉式潤洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子注入腔室或模組、軌道腔室或模組，以及可與半導體晶圓的製造及/或製造相關或使用的任何其他半導體處理系統。
如上所述，根據藉由設備執行的一或更多處理步驟，控制器可與一或更多以下者連通：其他設備電路或模組、其他設備元件、集束型設備、其他設備接口、鄰近的設備，相鄰的設備、位於工廠各處的設備、主計算機、另一控制器、或在半導體製造工業中用於將晶圓容器運送往來設備位置及/或裝載埠的材料運送的設備。
100:基板處理系統 102:處理腔室 104:台座 106:基板 108:加熱器 110:氣體分配裝置、噴淋頭 112:桿部 113:基部 114:面板 115:氣體通孔 116:分散板 117:充氣室 130:氣體輸送系統 132:氣體來源 134:閥 136:質流控制器 139:歧管 150:溫度感應器 156:閥 158:真空泵 160:控制器 162:密封系統 164:軸環 165:台座桿 166:第一圓柱體 168:第二圓柱體 170:閥 174:閥 178:吹掃氣體來源 200:台座 204:第一表面 208:外密封帶 210:升降銷孔 220:突出部或平頂凸部 224:複數孔、氣體通孔 310:台座 320:台座板 322:桿部 323:側壁 324:內腔 326:凸緣 330:軸環 332:內表面 334:凸緣 336:凸緣 340:第一夾具 342:緊固件 344:第二夾具 350:台座支撐結構 352:內腔 354:側壁 355:孔 356:氣體通道 359:伸縮囊密封件 364:下支撐件 370:第三夾具 375:突出部 376:突出部 378:「O形」環、O形環 380:隔熱擋板 390:「O形」環 404:本體 410:凸緣 428:環形開口 430:水平表面 432:垂直表面 434:凹槽 440:徑向孔 461:環形突起部 512:面向下的表面 520:緊固件 524:上表面 d1:第一直徑 d2:第二直徑 d3:第三直徑
本揭示內容將從詳細說明和隨附圖式中變得更受完整理解，其中：
圖1是根據本揭示內容的包括具有密封件的台座的基板處理系統的範例的功能方塊圖；
圖2是根據本揭示內容的台座的範例的第一表面的俯視圖。
圖3是根據本揭示內容的氣體分配裝置和包含密封件的台座的範例的剖面側視圖。
圖4是包括具有氣體通道的側壁的台座支撐結構的範例的剖面側視圖；以及
圖5是根據本揭示內容的包括密封件的台座的範例的剖面側視圖。
在圖式中，可重複使用參照數字來標識相似及/或相同的元件。
110:氣體分配裝置、噴淋頭
114:面板
115:氣體通孔
116:分散板
162:密封系統
164:軸環
166:第一圓柱體
310:台座
320:台座板
322:桿部
323:側壁
324:內腔
326:凸緣
330:軸環
332:內表面
334:凸緣
336:凸緣
340:第一夾具
342:緊固件
344:第二夾具
350:台座支撐結構
352:內腔
354:側壁
355:孔
356:氣體通道
359:伸縮囊密封件
364:下支撐件
370:第三夾具
375:突出部
376:突出部
378:「O形」環、O形環
380:隔熱擋板
390:「O形」環
d1:第一直徑
d2:第二直徑
d3:第三直徑

Claims (31)

  1. 一種台座組件，包含： 一台座，其包括一台座板，該台座板具有複數氣體通孔和從該台座板延伸之一桿， 其中該複數氣體通孔在該桿的徑向外側之位置處從該台座板的一第一表面延伸至該台座板的一第二表面；以及 一軸環，其安置在該台座的該桿的周圍，且該複數氣體通孔的開口位於該台座的該第二表面， 其中該軸環在該軸環的一內表面和該台座的該桿的一外表面之間界定一環形容積，且 其中該軸環的一第一表面與該台座的該第二表面形成一表面間的密封。
  2. 如請求項1之台座組件，更包含附接至該桿之一遠端的一台座支撐結構。
  3. 如請求項2之台座組件，更包含位於該桿的該遠端和該台座支撐結構之間的一「O形」環。
  4. 如請求項1之台座組件，其中該台座的該桿包括在其一底部邊緣處徑向向外延伸的一凸緣，且更包含附接至該桿的該凸緣的一台座支撐結構。
  5. 如請求項2之台座組件，其中該軸環附接至該台座支撐結構。
  6. 如請求項5之台座組件，更包含位於該軸環的一遠端和該台座支撐結構之間的一「O形」環。
  7. 如請求項2之台座組件，其中該台座支撐結構包括具有一側壁的一圓柱形本體，該側壁中的一垂直孔界定一氣體通道，且該氣體通道與該環形容積和該複數氣體通孔流體地連通。
  8. 如請求項2之台座組件，其中該台座支撐結構包括界定一內腔的一圓柱形本體、以及從該圓柱形本體的一上表面徑向向外延伸的一凸緣。
  9. 如請求項8之台座組件，更包含一或更多夾具，該一或更多夾具將位於該桿的一遠端上的一凸緣連接到從該台座支撐結構的該圓柱形本體徑向向外延伸的凸緣。
  10. 如請求項8之台座組件，其中該軸環包括分別位於其上和下表面的第一和第二凸緣，且更包含安置在該台座支撐結構的該凸緣和該軸環的該第二凸緣周圍的一夾具。
  11. 如請求項10之台座組件，更包含位於該第二凸緣的一第二表面和該夾具的一上表面之間的一「O形」環。
  12. 如請求項7之台座組件，更包含： 一第一閥，將其配置以選擇性地將該氣體通道、該環形容積以及該等氣體通孔連接至一真空來源；以及 一控制器，將其配置以選擇性地控制該第一閥，以在一基板的處理期間將真空供應給該氣體通道、該環形容積以及該等氣體通孔。
  13. 如請求項12之台座組件，更包含被配置以選擇性將該氣體通道、該環形容積以及該等氣體通孔連接至一吹掃氣體來源的一第二閥，其中更將該控制器配置以選擇性地控制該第二閥以吹掃該氣體通道、該環形容積以及該等氣體通孔。
  14. 如請求項7之台座組件，更包含： 一閥，將其配置以選擇性地將該氣體通道、該環形容積以及該等氣體通孔連接至一吹掃氣體來源；以及 一控制器，將其配置以選擇性地控制該閥以吹掃該氣體通道、該環形容積以及該等氣體通孔。
  15. 如請求項1之台座組件，其中該台座由陶瓷製成。
  16. 如請求項1之台座組件，其中該台座由鋁氮化物製成。
  17. 如請求項1之台座組件，其中該軸環由陶瓷製成。
  18. 如請求項1之台座組件，其中該台座由氧化鋁製成。
  19. 如請求項1之台座組件，其中將該台座板的該第二表面和該桿的一上表面拋光至小於或等於20微英寸的表面粗糙度(Ra)。
  20. 如請求項1之台座組件，其中該表面間的密封包含一平面間的密封。
  21. 如請求項1之台座組件，其中將該台座板的該第二表面和該桿的一上表面拋光至小於或等於16微英寸的表面粗糙度(Ra)。
  22. 如請求項1之台座組件，其中將該台座板的該第二表面和該桿的一上表面拋光至從3至8微英寸範圍中的表面粗糙度(Ra)。
  23. 一種台座組件，包含： 一台座，其包括一台座板，該台座板具有複數氣體通孔和從該台座板延伸之一桿， 其中該複數氣體通孔從該台座板的一第一表面延伸至該台座板的一第二表面；以及 一軸環，其安置在該台座的桿的周圍， 其中該台座板具有一第一直徑，該桿具有小於該第一直徑的一第二直徑，且該軸環具有小於該第一直徑和大於該第二直徑的一第三直徑， 其中該複數氣體通孔排列在界定於該第二直徑與該第三直徑之間的該台座板的一第一區域中， 其中該複數氣體通孔不位於該第一區域之外的一第二區域以及該第一區域之內的一第三區域中，且 其中該軸環在該軸環和該台座的該桿之間界定一環形容積。
  24. 如請求項23之台座組件，其中該軸環之一第一表面與該台座的該第二表面形成一表面間的密封。
  25. 如請求項23之台座組件，更包含附接至該桿之一遠端的一台座支撐結構。
  26. 如請求項25之台座組件，更包含位於該桿的該遠端和該台座支撐結構之間的一「O形」環。
  27. 如請求項23之台座組件，其中將該台座板的該第二表面和該桿的一上表面拋光至小於或等於20微英寸的表面粗糙度(Ra)。
  28. 如請求項23之台座組件，其中將該台座板的該第二表面和該桿的一上表面拋光至小於或等於16微英寸的表面粗糙度(Ra)。
  29. 如請求項23之台座組件，其中將該台座板的該第二表面和該桿的一上表面拋光至從3至8微英寸的範圍中的表面粗糙度(Ra)。
  30. 如請求項24之台座組件，其中該表面間的密封包含一平面間的密封。
  31. 如請求項23之台座組件，其中該複數氣體通孔在該台座板的該第一區域中排列成一圓形。
TW110142703A 2020-11-18 2021-11-17 包含密封件的台座 TW202247345A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063115419P 2020-11-18 2020-11-18
US63/115,419 2020-11-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202247345A true TW202247345A (zh) 2022-12-01

Family

ID=81709850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110142703A TW202247345A (zh) 2020-11-18 2021-11-17 包含密封件的台座

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230416918A1 (zh)
JP (1) JP2023550044A (zh)
KR (1) KR20230104976A (zh)
CN (1) CN116457932A (zh)
TW (1) TW202247345A (zh)
WO (1) WO2022109522A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11699602B2 (en) * 2020-07-07 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Substrate support assemblies and components
WO2024073447A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 Lam Research Corporation Pedestal with axially symmetric edge purge plenum

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8540819B2 (en) * 2008-03-21 2013-09-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
US8753447B2 (en) * 2009-06-10 2014-06-17 Novellus Systems, Inc. Heat shield for heater in semiconductor processing apparatus
US9633889B2 (en) * 2013-03-06 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated vacuum and edge purge conduits
WO2015200432A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-30 Meacham Kirby G B Variable compression connecting rod
CN111448647B (zh) * 2018-03-26 2023-08-01 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023550044A (ja) 2023-11-30
KR20230104976A (ko) 2023-07-11
US20230416918A1 (en) 2023-12-28
WO2022109522A1 (en) 2022-05-27
CN116457932A (zh) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7453149B2 (ja) セラミックベースプレートを備えるマルチプレート静電チャック
TW202247345A (zh) 包含密封件的台座
TW201812081A (zh) 用以降低基板處理系統中之再循環之套管、圓錐狀噴淋頭及/或頂板
US10157755B2 (en) Purge and pumping structures arranged beneath substrate plane to reduce defects
US20170175269A1 (en) Systems and methods enabling low defect processing via controlled separation and delivery of chemicals during atomic layer deposition
JP2017036493A (ja) 原子層堆積中における化学物質の制御された分離および送出により低欠陥処理を可能にするシステムおよび方法
KR20210008919A (ko) 냉각된 대면 플레이트를 갖는 샤워헤드를 갖는 기판 프로세싱 챔버
US10351953B2 (en) Systems and methods for flow monitoring in a precursor vapor supply system of a substrate processing system
US11133211B2 (en) Ceramic baseplate with channels having non-square corners
TW202230471A (zh) 熱均勻的沉積站
US20220336191A1 (en) Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition process including preheated showerhead
TW202307256A (zh) 基板上背面沉積的防止
TW201907507A (zh) 用於基板處理系統之溫度調整基板支座
US11255017B2 (en) Systems and methods for flow monitoring in a precursor vapor supply system of a substrate processing system
TWI837137B (zh) 具備擁有經冷卻面板之噴淋頭的基板處理腔室
TWI838390B (zh) 用於基板處理系統的利用介電窗之蜂巢型注射器
US20230374661A1 (en) Showerhead with integral divert flow path
US20230009859A1 (en) Asymmetric purged block beneath wafer plane to manage non-uniformity
TW202343528A (zh) 具有自密封氣體導管及/或減少因殘留物造成的堵塞之靜電卡盤
US20220199379A1 (en) High temperature heating of a substrate in a processing chamber
WO2023239531A1 (en) Liquid cooling plate for cooling of dielectric window of a substrate processing system
JP2023512201A (ja) 高電力、高圧プロセス用の分割されたガス分配プレート
TW202340523A (zh) 用於平衡通至基板處理系統之多個站之氣體流的閥系統
CN117063269A (zh) 在高温沉积序列中操作的低温基座的传导冷却
TW202140840A (zh) 用於溝槽輪廓最佳化的多區氣體分配板