JPS61147275U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61147275U JPS61147275U JP2755785U JP2755785U JPS61147275U JP S61147275 U JPS61147275 U JP S61147275U JP 2755785 U JP2755785 U JP 2755785U JP 2755785 U JP2755785 U JP 2755785U JP S61147275 U JPS61147275 U JP S61147275U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- substrate
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図ないし第３図は本考案のそれぞれ異なる
実施例を示す概要断面図、第４図は従来装置の概
要断面図である。 １……ＲＦコイル、２，２３……サセプタ、３
……基板、４，１４，２１，２５……赤外線ラン
プ、５……ノズル、７……ベースプレート、８…
…ベルジヤ、９……反応室、１１，２４……輻射
板、２０……反応管。
実施例を示す概要断面図、第４図は従来装置の概
要断面図である。 １……ＲＦコイル、２，２３……サセプタ、３
……基板、４，１４，２１，２５……赤外線ラン
プ、５……ノズル、７……ベースプレート、８…
…ベルジヤ、９……反応室、１１，２４……輻射
板、２０……反応管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 反応室内に設けられて発熱するサセプタ上に
基板を載置し、サセプタと反対側の基板表面に薄
膜を形成する気相成長装置において、サセプタお
よび基板表面に間隔を置いて対面するカーボンま
たはＳｉＣ製の輻射板を設けたことを特徴とする
気相成長装置。 ２ 輻射板が反応室外に設けられた放射エネルギ
ーによつて補助加熱されるようになつていること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載
の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985027557U JPH043006Y2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985027557U JPH043006Y2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147275U true JPS61147275U (ja) | 1986-09-11 |
| JPH043006Y2 JPH043006Y2 (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=30524623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985027557U Expired JPH043006Y2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043006Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092820U (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体気相成長装置 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP1985027557U patent/JPH043006Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092820U (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH043006Y2 (ja) | 1992-01-31 |