JPH0529129U - 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ面内の温度分布を均一にする。 【構成】 サセプタ本体１上面に、ウェーハ２を載置す
るザグリ部３を設ける。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタに関する。

【０００２】

【従来の技術】

熱化学反応を利用した枚葉式ＣＶＤ装置は、ウェーハをサセプタ上に載置し、 このサセプタを加熱することにより、ウェーハを加熱すると共に減圧下で反応ガ スを流通させることによりウェーハ面上にＣＶＤ膜を生成するものである。 図３は従来のサセプタの１例を示す断面図である。 従来のサセプタ６はウェーハ２の直径より大きい直径を有し、かつ上面が平面 となっている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

上記従来例にあっては、サセプタ６の表面が平面であり、これに載置されたウ ェーハ２の周辺からの輻射による放熱がウェーハ中心部からの放熱よりも大きい ため、ウェーハ周辺の温度がウェーハ中心部よりも低くなり、ＣＶＤ膜の膜厚， 不純物濃度分布を悪化する原因となっていた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案サセプタは上記の課題を解決するため、図１に示すように熱分解反応に よる枚葉式ＣＶＤ装置に使用するサセプタにおいて、サセプタ本体１上面に、ウ ェーハ２を載置するザグリ部３を設けてなる。

【０００５】

【作用】

このような構成とすることによりサセプタ本体１の上面に設けたザグリ部３内 にウェーハ２を載置した場合、ウェーハ２の周辺からの放熱はサセプタ本体１の ザグリ部３の内壁からの輻射熱により少なくなり、ウェーハ周辺の温度が下がる ことなく、ウェーハ面内の温度分布を均一にすることになる。

【０００６】

【実施例】

図１は本考案サセプタの第１実施例を示す断面図である。 図１においてサセプタ本体１上面にはウェーハ２を載置するザグリ部３が設け られ、このザグリ部３内にはウェーハ２の直径とほぼ等しい外径を有し、外側か ら内側に傾斜する上面４Ａを有するサセプタリング４が設置されている。

【０００７】 図２は第２実施例を示す断面図である。この第２実施例はザグリ部３内にウェ ーハ２の直径より小さい直径のサセプタ円板５が設けられている。

【０００８】 上記第１，第２実施例においてサセプタリング４又はサセプタ円板５上にウェ ーハ２を載置した場合、ウェーハ２の周辺からの放熱はサセプタ本体１のザグリ 部３の内壁からの輻射熱により少なくなり、ウェーハ周辺の温度が下がることな く、ウェーハ面内の温度分布を均一にすることになる。

【０００９】 この第１，第２実施例のようにサセプタリング４又はサセプタ円板５をザグリ 部３内に設置した場合にはウェーハ２の面内温度分布を更に均一にする作用を果 たすことは明らかである。

【００１０】 即ち、ウェーハ２の直径とほぼ等しい外径を有するサセプタリング４の上面４ Ａを外側から内側に傾斜させており、ウェーハ２は、サセプタリング４の上面外 周部に載置され、サセプタリング４との接触を少なくしているため、ザグリ部３ の輻射熱のみでウェーハ２を加熱することになり、ウェーハ面内の温度分布を更 に均一にできることになる。

【００１１】 又、ザグリ部３内にウェーハ２の直径よりも小さい直径のサセプタ円板５を設 けてこれにウェーハ２を載置することにより、ウェーハ２の中心部が円板５より の伝導により加熱されるので、ウェーハ２の熱輻射が大きくウェーハ２の周辺部 の温度が高くなる場合に適し、ウェーハ面内の温度分布を調整し均一化を図るこ とができることになる。

【００１２】 又、ザグリ部３はウェーハ２の直径よりも０．５mm〜３．０mm大きいザグリ部 とし、しかもサセプタリング４又はサセプタ円板５とサセプタ本体１の上面との 距離ｄを０．５mm〜３．０mmの範囲とした場合は、もっとも好ましいウェーハ面 内の温度分布が得られることが実験により確かめられた。

【００１３】

【考案の効果】

上述のように本考案によれば、熱分解反応による枚葉式ＣＶＤ装置に使用する サセプタにおいて、サセプタ本体１上面に、ウェーハ２を載置するザグリ部３を 設けてなるので、ウェーハ面内の温度分布を均一にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案サセプタの第１実施例を示す断面図であ
る。

【図２】第２実施例を示す断面図である。

【図３】従来のサセプタの１例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ サセプタ本体 ２ ウェーハ ３ ザグリ部 ４ サセプタリング ４Ａ 上面 ５ サセプタ円板 ｄ 距離

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 中村 修一 東京都青梅市河辺町７−９−１ グリーン パーク若草105号

Claims (5)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱分解反応による枚葉式ＣＶＤ装置に使
   用するサセプタにおいて、サセプタ本体（１）上面に、
   ウェーハ（２）を載置するザグリ部（３）を設けてなる
   枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。
2. 【請求項２】 ザグリ部（３）はウェーハ（２）の直径
   よりも０．５mmから３．０mm大きいザグリ部とする請求
   項１の枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。
3. 【請求項３】 ザグリ部（３）内に外側から内側に傾斜
   する上面（４Ａ）を有するサセプタリング（４）を設置
   してなる枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。
4. 【請求項４】 ザグリ部（３）内に、ウェーハ（２）の
   直径より小さい直径のサセプタ円板（５）を設置してな
   る請求項１の枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。
5. 【請求項５】 サセプタリング（４）又はサセプタ円板
   （５）とサセプタ本体（１）の上面との距離（ｄ）を
   ０．５mm〜３．０mmの範囲とすることを特徴とする請求
   項３，４の枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。