JPH11100674A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH11100674A JPH11100674A JP26183397A JP26183397A JPH11100674A JP H11100674 A JPH11100674 A JP H11100674A JP 26183397 A JP26183397 A JP 26183397A JP 26183397 A JP26183397 A JP 26183397A JP H11100674 A JPH11100674 A JP H11100674A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被処理物の面内温度差を従来と比べて抑制する
ことを課題とする。 【解決手段】真空槽と、この真空槽内に載置され、基板
12を支持するサセプタ11と、前記真空槽内に前記基板12
とサセプタ11に非接触の状態で配置され、外周部の厚み
が中央部の厚みと比べて厚い均熱板14と、基板12を加熱
するヒータ13とを具備し、基板12と均熱板14との距離、
あるいは均熱板14とヒータ13との距離の少なくともいず
れか一方を部分的に制御し、基板12の面内温度差を抑制
する機能を有することを特徴とする真空処理装置。
ことを課題とする。 【解決手段】真空槽と、この真空槽内に載置され、基板
12を支持するサセプタ11と、前記真空槽内に前記基板12
とサセプタ11に非接触の状態で配置され、外周部の厚み
が中央部の厚みと比べて厚い均熱板14と、基板12を加熱
するヒータ13とを具備し、基板12と均熱板14との距離、
あるいは均熱板14とヒータ13との距離の少なくともいず
れか一方を部分的に制御し、基板12の面内温度差を抑制
する機能を有することを特徴とする真空処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関
し、特に熱源と被処理物の間に配置する均熱板に改良を
施した真空処理装置に関する。
し、特に熱源と被処理物の間に配置する均熱板に改良を
施した真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被処理物（基板）に成膜あるいは
エッチング処理を行う真空処理装置では、真空槽内に基
板を支持機構で支持し、支持機構と離間して設けられた
熱源により基板を加熱する方法がとられている。ここ
で、基板を加熱する機構としては、熱源で基板を直接加
熱する方法（前者）と、熱源と基板間に厚さが均一な均
熱板を配置し、熱源により基板を間接的に加熱する方法
（後者）とがある。図３は、後者の加熱機構を示すもの
で、図示しない真空槽内に中央に開口部１ａを有する支
持機構１により基板２が支持され、支持機構１の内側に
熱源３を配置し、更に基板２と熱源３間に厚さが一様な
均熱板４を配置した構成となっている。
エッチング処理を行う真空処理装置では、真空槽内に基
板を支持機構で支持し、支持機構と離間して設けられた
熱源により基板を加熱する方法がとられている。ここ
で、基板を加熱する機構としては、熱源で基板を直接加
熱する方法（前者）と、熱源と基板間に厚さが均一な均
熱板を配置し、熱源により基板を間接的に加熱する方法
（後者）とがある。図３は、後者の加熱機構を示すもの
で、図示しない真空槽内に中央に開口部１ａを有する支
持機構１により基板２が支持され、支持機構１の内側に
熱源３を配置し、更に基板２と熱源３間に厚さが一様な
均熱板４を配置した構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
加熱方法の場合、熱源の発熱分布により基板の面内温度
差が大きくなったり、基板と熱源との距離が一定である
ため、基板の中心部に比べて外周部の温度が低くなる
等、基板の面内温度差を小さく抑えながら加熱すること
が困難であった。また、後者の加熱方法の場合も、基板
２と均熱板４あるいは均熱板４と熱源３との距離が一定
であるため、基板の中心部に比べて外周部の温度が低く
なる等、基板の面内温度差を小さく抑えながら加熱する
ことが困難であった。
加熱方法の場合、熱源の発熱分布により基板の面内温度
差が大きくなったり、基板と熱源との距離が一定である
ため、基板の中心部に比べて外周部の温度が低くなる
等、基板の面内温度差を小さく抑えながら加熱すること
が困難であった。また、後者の加熱方法の場合も、基板
２と均熱板４あるいは均熱板４と熱源３との距離が一定
であるため、基板の中心部に比べて外周部の温度が低く
なる等、基板の面内温度差を小さく抑えながら加熱する
ことが困難であった。
【０００４】なお、被処理物を支持するサセプタの温度
分布を均一化させた気相成長用サセプタについて特許第
２５１４７８８号に開示されているが、これはサセプタ
を改良したもので、均熱板の構造に改良を施した本願発
明とは本質的に異なるものである。
分布を均一化させた気相成長用サセプタについて特許第
２５１４７８８号に開示されているが、これはサセプタ
を改良したもので、均熱板の構造に改良を施した本願発
明とは本質的に異なるものである。
【０００５】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、場所により厚みが異なる均熱板を被処理物と熱
源間に配置し、被処理物と均熱板との距離、あるいは均
熱板と熱源との距離の少なくともいずれか一方を部分的
に制御し、被処理物の面内温度差を抑制する機能をもた
せた構成とすることにより、被処理物の面内温度差を小
さく抑えることができる真空処理装置を提供することを
目的とする。
もので、場所により厚みが異なる均熱板を被処理物と熱
源間に配置し、被処理物と均熱板との距離、あるいは均
熱板と熱源との距離の少なくともいずれか一方を部分的
に制御し、被処理物の面内温度差を抑制する機能をもた
せた構成とすることにより、被処理物の面内温度差を小
さく抑えることができる真空処理装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空槽と、こ
の真空槽内に載置され、被処理物を支持する支持機構
と、前記真空槽内に前記被処理物と支持機構に非接触の
状態で配置され、場所により厚みが異なる均熱板と、被
処理物を加熱する熱源とを具備し、被処理物と均熱板と
の距離、あるいは均熱板と熱源との距離の少なくともい
ずれか一方を部分的に制御し、被処理物の面内温度差を
抑制する機能を有することを特徴とする真空処理装置で
ある。
の真空槽内に載置され、被処理物を支持する支持機構
と、前記真空槽内に前記被処理物と支持機構に非接触の
状態で配置され、場所により厚みが異なる均熱板と、被
処理物を加熱する熱源とを具備し、被処理物と均熱板と
の距離、あるいは均熱板と熱源との距離の少なくともい
ずれか一方を部分的に制御し、被処理物の面内温度差を
抑制する機能を有することを特徴とする真空処理装置で
ある。
【０００７】本発明において、「場所により厚みが異な
る」とは、従来のように一様な厚みの均熱板ではなく、
中心部、外周部あるいはその他の箇所で部分的に厚みが
厚くなったり薄くなったりする箇所がある事を示す。具
体的な例は、後述する図４、図５、図６、図７の通りで
ある。前記均熱板としては、例えばその下面をフラット
にし、かつ、中央部から外周部にかけて厚みを漸次厚く
する構成のものが挙げられる。こうした構成とすること
により、均熱板の中央部では熱源からの温度を低く抑
え、均熱板の外周部では熱源からの温度を高く設定でき
るので、被処理物の面内温度差を従来と比べて抑制する
ことができる。また、前記均熱板の材質は熱伝導性がよ
く高温に耐えうる材質、例えばカーボンガ挙げられる。
る」とは、従来のように一様な厚みの均熱板ではなく、
中心部、外周部あるいはその他の箇所で部分的に厚みが
厚くなったり薄くなったりする箇所がある事を示す。具
体的な例は、後述する図４、図５、図６、図７の通りで
ある。前記均熱板としては、例えばその下面をフラット
にし、かつ、中央部から外周部にかけて厚みを漸次厚く
する構成のものが挙げられる。こうした構成とすること
により、均熱板の中央部では熱源からの温度を低く抑
え、均熱板の外周部では熱源からの温度を高く設定でき
るので、被処理物の面内温度差を従来と比べて抑制する
ことができる。また、前記均熱板の材質は熱伝導性がよ
く高温に耐えうる材質、例えばカーボンガ挙げられる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の付番11は、図示し
ない真空槽内に配置された支持機構としてのサセプタで
ある。このサセプタ11の中央は開口部11ａとなってお
り、その段差部に被処理物としての基板12を載置するよ
うになっている。前記サセプタ11の内側には、基板12を
加熱する熱源としてのヒータ13が配置されている。前記
ヒータ13と基板12間には、ヒータ13からの熱を基板12に
伝えるカーボン製の均熱板14が配置されている。ここ
で、均熱板14は、裏面がフラットであるとともに、中心
部が一番厚みが薄くかつ外周部に向うに連れて漸次厚く
なる構成となっている。
参照して説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の付番11は、図示し
ない真空槽内に配置された支持機構としてのサセプタで
ある。このサセプタ11の中央は開口部11ａとなってお
り、その段差部に被処理物としての基板12を載置するよ
うになっている。前記サセプタ11の内側には、基板12を
加熱する熱源としてのヒータ13が配置されている。前記
ヒータ13と基板12間には、ヒータ13からの熱を基板12に
伝えるカーボン製の均熱板14が配置されている。ここ
で、均熱板14は、裏面がフラットであるとともに、中心
部が一番厚みが薄くかつ外周部に向うに連れて漸次厚く
なる構成となっている。
【０００９】実施例１に係る真空処理装置によれば、裏
面がフラットであるとともに、中心部が一番厚みが薄く
かつ外周部に向うに連れて漸次厚くなる構成の均熱板14
を、基板12とヒータ13間に配置した構成となっている。
従って、従来（図３）のように被処理物の縁部を支持機
構で支持するタイプでは、被処理物の外周部が中心部と
比べ温度が低くなる傾向があるが、図１のタイプによれ
ば、均熱板14の中央部ではヒータ13からの温度を低く抑
え、均熱板14の外周部ではヒータ13からの温度を高く設
定できるので、基板12の面内温度差を従来と比べて抑制
することができる。
面がフラットであるとともに、中心部が一番厚みが薄く
かつ外周部に向うに連れて漸次厚くなる構成の均熱板14
を、基板12とヒータ13間に配置した構成となっている。
従って、従来（図３）のように被処理物の縁部を支持機
構で支持するタイプでは、被処理物の外周部が中心部と
比べ温度が低くなる傾向があるが、図１のタイプによれ
ば、均熱板14の中央部ではヒータ13からの温度を低く抑
え、均熱板14の外周部ではヒータ13からの温度を高く設
定できるので、基板12の面内温度差を従来と比べて抑制
することができる。
【００１０】（実施例２）図２を参照する。但し、図１
と同部材は同符号を付して説明を省略する。図２中の均
熱板21は、下面がフラットで、かつ中心部から外周部に
かけて段階的に厚みが厚くなる構成となっている。実施
例２に係る真空処理装置によれば、実施例１で述べたの
と同様、均熱板21の中央部ではヒータ13からの温度を低
く抑え、均熱板21の外周部ではヒータ13からの温度を高
く設定できるので、基板12の面内温度差を従来と比べて
抑制することができる。
と同部材は同符号を付して説明を省略する。図２中の均
熱板21は、下面がフラットで、かつ中心部から外周部に
かけて段階的に厚みが厚くなる構成となっている。実施
例２に係る真空処理装置によれば、実施例１で述べたの
と同様、均熱板21の中央部ではヒータ13からの温度を低
く抑え、均熱板21の外周部ではヒータ13からの温度を高
く設定できるので、基板12の面内温度差を従来と比べて
抑制することができる。
【００１１】上記実施例１、２で述べた他、均熱板の構
成としては、例えば以下に述べる種々の形態が挙げられ
る。なお、これらに限定されるものではない。 1)上面（基板側）がフラットで、中央部で厚みが一番薄
くかつ外周部に向うにつれて漸次厚く構成の均熱板31
（図４（Ａ）参照）。このタイプは、ヒータ13から均熱
板31までの距離を制御したもので、均熱板31の中央部で
はヒータ13から一番離れているので、ヒータ13から受け
る熱が均熱板31の外周部と比べて少なくなる。
成としては、例えば以下に述べる種々の形態が挙げられ
る。なお、これらに限定されるものではない。 1)上面（基板側）がフラットで、中央部で厚みが一番薄
くかつ外周部に向うにつれて漸次厚く構成の均熱板31
（図４（Ａ）参照）。このタイプは、ヒータ13から均熱
板31までの距離を制御したもので、均熱板31の中央部で
はヒータ13から一番離れているので、ヒータ13から受け
る熱が均熱板31の外周部と比べて少なくなる。
【００１２】2)上面（基板側）がフラットで、かつ中央
部で厚みが一番薄くかつ中央部から外周部にかけて段階
的に厚くなる構成の均熱板32（図４（Ｂ）参照）。この
タイプも、図４（Ａ）と同様、ヒータ13から均熱板32ま
での距離を制御したもので、均熱板32の中央部ではヒー
タ13から一番離れているので、ヒータ13から受ける熱が
均熱板33の外周部と比べて少なくなる。
部で厚みが一番薄くかつ中央部から外周部にかけて段階
的に厚くなる構成の均熱板32（図４（Ｂ）参照）。この
タイプも、図４（Ａ）と同様、ヒータ13から均熱板32ま
での距離を制御したもので、均熱板32の中央部ではヒー
タ13から一番離れているので、ヒータ13から受ける熱が
均熱板33の外周部と比べて少なくなる。
【００１３】3)図１で述べた均熱板と図４（Ａ）で述べ
た均熱板を互いにフラットな面で貼り合わせた均熱板33
（図４（Ｃ）参照）。このタイプは、ヒータ13から均熱
板33までの距離と均熱板33から基板12までの距離を制御
したもので、上記実施例と同様な効果が期待できる。
た均熱板を互いにフラットな面で貼り合わせた均熱板33
（図４（Ｃ）参照）。このタイプは、ヒータ13から均熱
板33までの距離と均熱板33から基板12までの距離を制御
したもので、上記実施例と同様な効果が期待できる。
【００１４】4)図２で述べた均熱板と図４（Ｂ）で述べ
た均熱板を互いにフラットな面で貼り合わせた均熱板34
（図４（Ｄ）参照）。このタイプは、上記3)と同様、ヒ
ータ13から均熱板34までの距離と均熱板34から基板12ま
での距離を制御したもので、上記実施例と同様な効果が
期待できる。
た均熱板を互いにフラットな面で貼り合わせた均熱板34
（図４（Ｄ）参照）。このタイプは、上記3)と同様、ヒ
ータ13から均熱板34までの距離と均熱板34から基板12ま
での距離を制御したもので、上記実施例と同様な効果が
期待できる。
【００１５】5)図５に示すように、厚みが一様な円板51
と、この円板51の上に重ね合わされた径が大きく厚みが
一様なリング52と、円板51の上にリング52の内側に位置
するように重ね合わされ、厚みがリング52より薄く厚み
が一様なリング53とから構成された均熱板54。
と、この円板51の上に重ね合わされた径が大きく厚みが
一様なリング52と、円板51の上にリング52の内側に位置
するように重ね合わされ、厚みがリング52より薄く厚み
が一様なリング53とから構成された均熱板54。
【００１６】6)図６に示すように、径が大きく厚みが一
様なリング61と、このリング61の内側に位置し、厚みが
リング61より薄く厚みが一様なリング62と、このリング
62の内側に位置し厚みがリング62より薄い円板63とから
構成された均熱板64。
様なリング61と、このリング61の内側に位置し、厚みが
リング61より薄く厚みが一様なリング62と、このリング
62の内側に位置し厚みがリング62より薄い円板63とから
構成された均熱板64。
【００１７】7)図７に示すように、昇降機構のピン（図
示せず）が昇降する穴71に対応する箇所に座ぐり72を設
け、この座ぐり72の部分の厚みが他の箇所の厚みに比べ
て薄井均熱板73。
示せず）が昇降する穴71に対応する箇所に座ぐり72を設
け、この座ぐり72の部分の厚みが他の箇所の厚みに比べ
て薄井均熱板73。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、中
央部と外周部で厚みが異なる均熱板を被処理物と熱源間
に配置し、被処理物と均熱板との距離、あるいは均熱板
と熱源との距離の少なくともいずれか一方を部分的に制
御し、被処理物の面内温度差を抑制する機能をもたせた
構成とすることにより、被処理物の面内温度差を小さく
抑えることができる真空処理装置を提供できる。
央部と外周部で厚みが異なる均熱板を被処理物と熱源間
に配置し、被処理物と均熱板との距離、あるいは均熱板
と熱源との距離の少なくともいずれか一方を部分的に制
御し、被処理物の面内温度差を抑制する機能をもたせた
構成とすることにより、被処理物の面内温度差を小さく
抑えることができる真空処理装置を提供できる。
【図１】本発明の実施例１に係る真空処理装置の要部の
断面図。
断面図。
【図２】本発明の実施例２に係る真空処理装置の要部の
断面図。
断面図。
【図３】従来の真空処理装置の要部の断面図。
【図４】本発明に係る真空処理装置の一構成である均熱
板の種々の形態を示す説明図。
板の種々の形態を示す説明図。
【図５】本発明に係る均熱板のその他の例を示す説明
図。
図。
【図６】本発明に係る均熱板の更にその他の例を示す説
明図。
明図。
【図７】本発明に係る均熱板の更にその他の例を示す説
明図。
明図。
11…サセプタ（支持機構）、 11ａ…開口部、 12…基板（被処理物）、 13…ヒータ（熱源）、 14、54、64、73…均熱板、 52、53、61、62…リング。
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽と、この真空槽内に載置され、被
処理物を支持する支持機構と、前記真空槽内に前記被処
理物と支持機構に非接触の状態で配置され、場所により
厚みが異なる均熱板と、被処理物を加熱する熱源とを具
備し、被処理物と均熱板との距離、あるいは均熱板と熱
源との距離の少なくともいずれか一方を部分的に制御
し、被処理物の面内温度差を抑制する機能を有すること
を特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 均熱板の下面をフラットにするととも
に、均熱板の中央部から外周部にかけて厚みを漸次厚く
したことを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26183397A JPH11100674A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26183397A JPH11100674A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100674A true JPH11100674A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17367380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26183397A Pending JPH11100674A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11100674A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103814412A (zh) * | 2011-12-16 | 2014-05-21 | 株式会社东芝 | 放射线检测面板的制造装置及放射线检测面板的制造方法 |
| JP2014153490A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Hoya Corp | 眼鏡レンズ用染料蒸着装置および眼鏡レンズの染料蒸着方法 |
| CN104282611A (zh) * | 2013-07-09 | 2015-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理腔室及其静电夹盘 |
| CN116288240A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-06-23 | 山东微波电真空技术有限公司 | 一种衰减器加工方法及设备 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26183397A patent/JPH11100674A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103814412A (zh) * | 2011-12-16 | 2014-05-21 | 株式会社东芝 | 放射线检测面板的制造装置及放射线检测面板的制造方法 |
| JPWO2013089015A1 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-27 | 株式会社東芝 | 放射線検出パネルの製造装置及び放射線検出パネルの製造方法 |
| US9880292B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-01-30 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing radiation detection panel |
| US9964652B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-05-08 | Toshiba Electronic Tubes & Devices Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing radiation detection panel |
| US10007004B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-06-26 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing radiation detection panel |
| JP2014153490A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Hoya Corp | 眼鏡レンズ用染料蒸着装置および眼鏡レンズの染料蒸着方法 |
| CN104282611A (zh) * | 2013-07-09 | 2015-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理腔室及其静电夹盘 |
| CN116288240A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-06-23 | 山东微波电真空技术有限公司 | 一种衰减器加工方法及设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040526 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080304 |