JP3853587B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、シリコン基板、石英基板、ガラス基板等の基板を処理する基板処理装置および当該装置を好適に利用可能な半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の基板処理装置の基板加熱方式の一例を図4に示す。均熱性を高めるためにヒータ10をゾーン分割し、分割されたゾーンヒータ19、16の上部に、それぞれに対応してサセプタ20を分割した分割サセプタ29、13を位置せしめ、さらにその上に被処理基板であるウェーハ50を配置している。ゾーンヒータ19、16により分割サセプタ29、13を加熱することによりウェーハ50を加熱し、均熱を保っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図4に示すように、ヒータ端子固定部材18の厚さや、ウェーハ面内温度均一性向上の目的からサセプタ20とヒータ10とを相対的に回転させていること等のため、サセプタ20とヒータ10との間には、少なからず隙間が必要になってくる。この隙間があると、分割ヒータ19、16からの熱放射が生じる。ヒータを分離させると、分割ヒータ間の熱伝導は抑制できるが、分離させるだけでは、この熱放射を抑えることはできない。従って、サセプタ20とヒータ10との間に隙間がある装置においては、各ゾーンヒータが他のゾーンヒータからの輻射熱エネルギーを受けたり、また、サセプタ20にしても、分割位置付近で各ゾーンヒータから二重に輻射熱エネルギーを受けるという問題がある。このように、他ゾーンのゾーンヒータからの熱放射が均一性に大きく影響しており、そのため、ヒータの制御性、均熱特性が悪化する要因となっていた。
【0004】
従って、本発明の主な目的は、温度制御性、均熱特性に優れる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
基板をサセプタ上に載置した状態でヒータにより前記サセプタを介して前記基板を加熱して前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記ヒータが、外周ゾーンヒータと、前記外周ゾーンヒータの内側の少なくとも1つの内側ゾーンヒータとに分割され、
前記外周ゾーンヒータと、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータとの間に反射部材を介在させ、
前記反射部材が、縦断面が凹形状であって、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータを包囲することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【0006】
上記基板処理装置は、前記サセプタと前記ヒータとの間に空間を有する場合に好適に適用される。
【0008】
好ましくは、前記反射部材は、70℃以上の温度差を有する前記ゾーンヒータ間に設ける。
【0009】
また、本発明によれば、
基板をサセプタ上に載置した状態でヒータにより前記サセプタを介して前記基板を加熱して前記基板を処理する工程を備える半導体装置の製造方法であって、
前記ヒータが、外周ゾーンヒータと、前記外周ゾーンヒータの内側の少なくとも1つの内側ゾーンヒータとに分割され、
前記外周ゾーンヒータと、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータとの間に反射部材を介在させ、
前記反射部材が、縦断面が凹形状であって、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータを包囲することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【0010】
この方法は、前記サセプタと前記ヒータとの間に空間を有する場合に好適に適用される。
【0011】
好ましくは、前記反射部材は、70℃以上の温度差を有する前記ゾーンヒータ間に設ける。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0013】
図1は、本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装置を説明するための概略縦断面図であり、図2は、その部分拡大概略縦断面図であり、図3は、図2のヒータ、サセプタ、ウェーハおよびリフレクタの概略的縦断面図である。
【0014】
本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1は、反応室40と、その内部に設けられた半導体ウェーハ50を載置するサセプタ20、サセプタ20の下に設けられたヒータ10およびリフレクタ61〜63、ガス導入口43、シャワーヘッド42等とを備えている。反応ガスは、ガス導入口43およびシャワーヘッド42を介して、反応室40内にシャワー状に供給され、その後、半導体ウェーハ50上に供給され、排気孔44より排気される。ウェーハ50は、ウェーハ搬入出口45より反応室40内に搬入され、反応室40から搬出される。
【0015】
ウェーハ50の面内の温度は、サセプタ20の温度に影響を受ける。ウェーハ面内均熱性を確保するためにはサセプタ20を効率よく温度制御することが重要である。よってヒータ10をゾーン1、ゾーン2、ゾーン3の3つのゾーンヒータ14、15、16に分割し、また、サセプタ20もヒータ10の各ゾーンへの分割位置に対応する位置で分割サセプタ21、22、23に分割している。分割サセプタ21、22、23は、カーボンのSiCコートである。ヒータ10をゾーン1〜3の3系統で温度制御を行う。
【0016】
分割されたゾーンヒータ毎に温度制御を行うことにより、温度制御性を高めている。ヒータ10を各ゾーンに分割する位置は、サセプタ20の分割位置に対応しており、例えばサセプタ中心部のみ温度を上げたい場合には、ゾーン1ヒータ14のみ温度を上げるということが可能となる。
【0017】
また、図示していないウェーハ搬送構造により、ウェーハ50の下の分割サセプタ21を持ち上げる構造になっており、持ち上げたウェーハ50をウェーハ搬送プレート41により搬入、搬出する。
【0018】
外周のゾーン3ヒータ16は、その外側への放熱があるので、その分、内側のゾーン2ヒータ15、ゾーン1ヒータ14よりも温度を高くする必要があり、その内側のゾーン2ヒータ15とは温度差が大きくなるので、外周のゾーン3ヒータ16と内側のゾーン2ヒータ15との間に隙間17を設け、物理的に離間して設けている。ゾーン2ヒータ15と、さらにその内側のゾーン1ヒータ14とは、別々に温度制御されるが、温度差が小さいので、一つのプレート上にヒータパターンを配置させて形成した構造となっている。図3においては、ゾーン2ヒータ15とゾーン1ヒータ14とを併せて一つの内側ヒータ19として表している。図3においては、ゾーン2ヒータ15とゾーン1ヒータ14とにそれぞれ対応する内部分割サセプタ21、22も併せて一つの内側サセプタ29として表している。
【0019】
ヒータ10のゾーン2とゾーン3との間、すなわち、ゾーン2ヒータ15とゾーン3ヒータ16との間(図3では、内側ヒータ19とゾーン3ヒータ16との間として表している)に、TiやMo等の反射率の高い部材、さらに好ましくは腐食性にも強い材料からなる反射鏡(リフレクタ)63を設置する。このリフレクタ63は、縦断面が凹形状である。
【0020】
リフレクタ63の好ましい材料としては、例えば、Ti、Ni、Mo(モリブデン)が挙げられる。ここで、Ti、Niは腐食に強いが高価である。また、Moは安価ではあるが、クリーニングガスであるClF3ガスに対し腐食し易い材料である。但し、本実施の形態では、ヒータ10近傍にこのようなガスが混入しないように、ヒータ10を支持するヒータ支持部材35の内部下部よりN2ガスを導入しているため、Mo製のリフレクタを使用している。
【0021】
なお、サセプタ20とリフレクタ63の端との距離70は近ければ近い方がよく、本実施の形態では、3mmとしている。
【0022】
上記のようにリフレクタ63を設けることによってゾーン間を空間的に分離している。
【0023】
この構造をとることで、各ヒータゾーン領域外には輻射熱エネルギーが伝わらない構造となるため、隣り合うゾーンヒータによる熱干渉を受けず、独立した制御が可能となる。
【0024】
さらに、サセプタ20にしても、ゾーン2、ゾーン3からの輻射熱エネルギーを二重に受けることがなくなるため、被加熱物体であるウェーハ50の均熱特性が向上する。
【0025】
このように、リフレクタ63によって、ヒータゾーン間の熱干渉を防止し、ヒータゾーン間で独立した制御を行い、制御性、均熱特性を向上させることができる。
【0026】
リフレクタを設ける条件としては、ヒータ温度が大きく異なる領域(70℃以上の差がある領域、特に70℃〜200℃の差がある領域)に設ければ、特に有効である。よって、本実施の形態では、ゾーン2ヒータ15とゾーン3ヒータ16との間(図3では、内側ヒータ19とゾーン3ヒータ16との間として表している)にリフレクタ63が介在するように設けている。
【0027】
なお、このように、中央部にリフレクタ63を設けなくても、外周のリフレクタ61を包囲するリフレクタ64を設けてもよいが、このようなドーナック状のリフレクタ64よりも中央の皿状のリフレクタ63の方が製作し易く、コスト的にも安価である。但し、コスト面で問題がなければ、外周のゾーン3ヒータからの放熱低減を図るため、リフレクタ64の方がよい。また、リフレクタ63、リフレクタ64の両方を設けてもよい。
【0028】
なお、ゾーン1ヒータ14、ゾーン2ヒータ15およびゾーン3ヒータ16を全て包囲する、縦断面が凹形状のリフレクタ61、62を2重にして設けている。これは、下部、横方向への放熱を防ぐためである。リフレクタ61、62についても、上述した材料が好適に使用できる。
【0029】
また、外周分割サセプタ23を石英製のサセプタカバー25で覆うことにより、熱の逃げ低下、保温の効果を更に高めており、ゾーンヒータ16の出力低減に寄与せしめている。
【0030】
また、よりよいウェーハ面内均一性を得るために、ウェーハ50(サセプタ20)とヒータ10とを相対的に回転させる構造を取り入れている。その構造は、ヒータ10の支持部材35を固定軸とし、ウェーハ50を置くサセプタ20の支持部材35を回転軸とし、マグネットカップリングなどを用いた回転導入機39に結合している。ヒータ10等への電気配線を考慮し、ヒータ10を固定し、サセプタ20を回転させている。
【0031】
なお、図5に示すように、外周の分割サセプタ23の内側端の下側(ヒータ10側)に係合部材27を設け、内部の分割サセプタ22の外側端の上側(ウェーハ50側)に係合部材26を設け、係合部材27上に係合部材26を重ねて分割サセプタ23と分割サセプタ22とを結合させている。このような構造で分割サセプタ同士を係合させているのは、サセプタを支持するためと、分割した位置での垂直方向での熱漏れを防止するためである。この構造は、他の分割サセプタ間でも同じである。
【0032】
上記本発明の実施の形態によれば、ヒータゾーン間で独立して制御が行えて制御性が向上し、また、均熱特性が向上する。
【0033】
なお、本実施の形態において、処理とは、被処理基板の成膜処理、アニール処理をいう。
【0034】
【発明の効果】
本発明によれば、温度制御性、均熱特性に優れる基板処理装置および半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
【図3】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
【図4】従来の半導体ウェーハ処理装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
【図5】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装置のサセプタを説明するための概略縦断面図である。
【符号の説明】
1…半導体ウェーハ処理装置
10…ヒータ
14…ゾーン1ヒータ
15…ゾーン2ヒータ
16…ゾーン3ヒータ
17…間隙
19…内側ヒータ
20…サセプタ
21、22…内部分割サセプタ
23…外周分割サセプタ
25…サセプタカバー
26、27…係合部材
29…内側サセプタ
30…サセプタ支持部材
35…ヒータ支持部材
40…反応室
42…シャワーヘッド
44…排気孔
45…ウェーハ搬入出口
50…ウェーハ
61、62、63、64…リフレクタ
Claims (6)
- 基板をサセプタ上に載置した状態でヒータにより前記サセプタを介して前記基板を加熱して前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記ヒータが、外周ゾーンヒータと、前記外周ゾーンヒータの内側の少なくとも1つの内側ゾーンヒータとに分割され、
前記外周ゾーンヒータと、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータとの間に反射部材を介在させ、
前記反射部材が、縦断面が凹形状であって、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータを包囲することを特徴とする基板処理装置。 - 前記サセプタと前記ヒータとの間に空間を有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記反射部材は、70℃以上の温度差を有する前記ゾーンヒータ間に設けることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 基板をサセプタ上に載置した状態でヒータにより前記サセプタを介して前記基板を加熱して前記基板を処理する工程を備える半導体装置の製造方法であって、 前記ヒータが、外周ゾーンヒータと、前記外周ゾーンヒータの内側の少なくとも1つの内側ゾーンヒータとに分割され、
前記外周ゾーンヒータと、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータとの間に反射部材を介在させ、
前記反射部材が、縦断面が凹形状であって、前記少なくとも1つの内側ゾーンヒータを包囲することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記サセプタと前記ヒータとの間に空間を有することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射部材は、70℃以上の温度差を有する前記ゾーンヒータ間に設けることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置の製造方法。
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