JP2000349038A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP2000349038A JP2000349038A JP11155357A JP15535799A JP2000349038A JP 2000349038 A JP2000349038 A JP 2000349038A JP 11155357 A JP11155357 A JP 11155357A JP 15535799 A JP15535799 A JP 15535799A JP 2000349038 A JP2000349038 A JP 2000349038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- lamp
- susceptor
- outer peripheral
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 均熱特性を良好にすることができる基板処理
装置を得る。 【解決手段】 石英からなる反応１内に基板としてのウ
ェハ５をサセプタ６で支持し、反応炉１の上方にランプ
ユニット２を設けると共に、これらランプユニット２と
反応炉１の間にウェハ５及びサセプタ６のウェハ周辺部
に光を集光させる集光レンズ２を設け、この集光により
ウェハ５の外周部温度をウェハ５の中央部温度と等しく
なるように、放熱を補うと共に、ウェハ中央部に光が集
中して加熱しすぎないようにしている。
装置を得る。 【解決手段】 石英からなる反応１内に基板としてのウ
ェハ５をサセプタ６で支持し、反応炉１の上方にランプ
ユニット２を設けると共に、これらランプユニット２と
反応炉１の間にウェハ５及びサセプタ６のウェハ周辺部
に光を集光させる集光レンズ２を設け、この集光により
ウェハ５の外周部温度をウェハ５の中央部温度と等しく
なるように、放熱を補うと共に、ウェハ中央部に光が集
中して加熱しすぎないようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板をランプ光に
より熱処理する基板処理装置に関し、特に、シリコン等
のウェハよりＩＣ等の半導体素子を製造する半導体製造
装置に適用される基板処理装置に関するものである。
より熱処理する基板処理装置に関し、特に、シリコン等
のウェハよりＩＣ等の半導体素子を製造する半導体製造
装置に適用される基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の基板処理装置を示す断面側
面図、図６はランプユニットを示す平面図である。図５
において、１は反応炉、２は反応炉１の上側に配置され
たランプユニットである。反応炉１は円筒状の側壁部３
と円板状の上壁部４を備え、側壁部３の適所には、ウェ
ハ５の挿入口３ａと反応ガスの排気口３ｂとが設けられ
ている。側壁部３と上壁部４は光を透過する石英にて構
成されている。
面図、図６はランプユニットを示す平面図である。図５
において、１は反応炉、２は反応炉１の上側に配置され
たランプユニットである。反応炉１は円筒状の側壁部３
と円板状の上壁部４を備え、側壁部３の適所には、ウェ
ハ５の挿入口３ａと反応ガスの排気口３ｂとが設けられ
ている。側壁部３と上壁部４は光を透過する石英にて構
成されている。
【０００３】反応炉１内には、基板であるウェハ５を支
持するサセプタ６と、このサセプタ６を支持する回転支
持台７と、回転支持台７を回転可能に支持して、ウェハ
５を回転させるための、回転子８ａ及び図示しないモー
タ等を有してなる回転機構８とを備えている。ランプユ
ニット２は、同心円状に複数の溝が形成されたリフレク
タ９と、このリフレクタの溝内に支持された複数の円形
状のランプ１０とにより構成されている。
持するサセプタ６と、このサセプタ６を支持する回転支
持台７と、回転支持台７を回転可能に支持して、ウェハ
５を回転させるための、回転子８ａ及び図示しないモー
タ等を有してなる回転機構８とを備えている。ランプユ
ニット２は、同心円状に複数の溝が形成されたリフレク
タ９と、このリフレクタの溝内に支持された複数の円形
状のランプ１０とにより構成されている。
【０００４】従来の基板処理装置の動作を以下に説明す
る。ランプユニット２より照射された光は、透過性の石
英板から成る反応炉１の上壁部４を透過して、ウェハ５
に吸収されて、ウェハ５を加熱する。この場合、ウェハ
５の外周部からの放熱量が大きくなるので、ウェハ５の
全面を均一に加熱するためには、ウェハの外周部からの
熱の放熱量を補わなければならない。
る。ランプユニット２より照射された光は、透過性の石
英板から成る反応炉１の上壁部４を透過して、ウェハ５
に吸収されて、ウェハ５を加熱する。この場合、ウェハ
５の外周部からの放熱量が大きくなるので、ウェハ５の
全面を均一に加熱するためには、ウェハの外周部からの
熱の放熱量を補わなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の基板処理装置に
おいて、上述したウェハ外周部からの放熱量を補うため
に、ランプユニット２に同心円状に設けられる複数のラ
ンプ１０は、外側のランプの出力が内側のランプの出力
よりも大きくなるよう設けられている。しかし、従来の
基板処理装置では、ランプ光に指向性がないため、ウェ
ハ５の中心部へ向かうランプ光量が多くなり、ウェハ５
の中心部を加熱し過ぎることとなり、ウェハ５内の均熱
性が悪くなり、成膜均一性を低下させる要因となる。
おいて、上述したウェハ外周部からの放熱量を補うため
に、ランプユニット２に同心円状に設けられる複数のラ
ンプ１０は、外側のランプの出力が内側のランプの出力
よりも大きくなるよう設けられている。しかし、従来の
基板処理装置では、ランプ光に指向性がないため、ウェ
ハ５の中心部へ向かうランプ光量が多くなり、ウェハ５
の中心部を加熱し過ぎることとなり、ウェハ５内の均熱
性が悪くなり、成膜均一性を低下させる要因となる。
【０００６】本発明は、かかる従来の課題であるランプ
加熱時に制御性の悪さからウェハ面内の均熱性が低下す
ることを解消するためになされたものであり、均熱特性
を良好にすることができる基板処理装置を得ることを目
的としている。
加熱時に制御性の悪さからウェハ面内の均熱性が低下す
ることを解消するためになされたものであり、均熱特性
を良好にすることができる基板処理装置を得ることを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は、ランプより照射される光により反応管
内に支持された基板を熱処理するようにした基板処理装
置において、前記ランプの前面に、前記ランプより照射
される光を所定箇所に集光させるための集光レンズを設
けたことを特徴とするものである。
ため、本発明は、ランプより照射される光により反応管
内に支持された基板を熱処理するようにした基板処理装
置において、前記ランプの前面に、前記ランプより照射
される光を所定箇所に集光させるための集光レンズを設
けたことを特徴とするものである。
【０００８】このような構成によれば、例えば、集光レ
ンズにより基板の外周部、または、基板の支持部のよう
に、放熱が生じやすい部分に光を適当量、集光させるよ
うにすれば、基板外周部からの放熱量を補うことができ
ると共に、基板中央部にランプ光が集中するのを防止で
き、基板全面をほぼ均一な温度に加熱することができ
る。
ンズにより基板の外周部、または、基板の支持部のよう
に、放熱が生じやすい部分に光を適当量、集光させるよ
うにすれば、基板外周部からの放熱量を補うことができ
ると共に、基板中央部にランプ光が集中するのを防止で
き、基板全面をほぼ均一な温度に加熱することができ
る。
【０００９】なお、実施の形態１では、半導体製造装置
として、石英からなる反応炉内に基板としてのウェハを
サセプタで支持し、該反応炉の上方にランプユニットを
設けると共に、これらランプユニットと反応炉の間にウ
ェハ及びサセプタのウェハ周辺部に光を集光させる集光
レンズを設け、この集光によりウェハの外周部温度をウ
ェハの中央部温度と等しくなるように、放熱を補うと共
に、ウェハ中央部に光が集中して加熱しすぎないように
している。
として、石英からなる反応炉内に基板としてのウェハを
サセプタで支持し、該反応炉の上方にランプユニットを
設けると共に、これらランプユニットと反応炉の間にウ
ェハ及びサセプタのウェハ周辺部に光を集光させる集光
レンズを設け、この集光によりウェハの外周部温度をウ
ェハの中央部温度と等しくなるように、放熱を補うと共
に、ウェハ中央部に光が集中して加熱しすぎないように
している。
【００１０】また、実施の形態２では、反応炉の上下に
ランプユニットを設け、各ランプユニットと反応炉の上
下間にそれぞれ集光レンズを設け、上側の集光レンズは
実施の形態１と同じ作用を生じさせるようにすると共
に、下側の集光レンズはウェハ中央部の下部に位置する
サセプタの回転軸周辺に光を集光させて、該回転軸から
の放熱を防ぐようにしている。
ランプユニットを設け、各ランプユニットと反応炉の上
下間にそれぞれ集光レンズを設け、上側の集光レンズは
実施の形態１と同じ作用を生じさせるようにすると共
に、下側の集光レンズはウェハ中央部の下部に位置する
サセプタの回転軸周辺に光を集光させて、該回転軸から
の放熱を防ぐようにしている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を半導
体製造装置に例をとって図面を用いて説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態における半導体製造装
置を示す断面側面図であり、図２は集光レンズの断面側
面図であり、図３は集光レンズの作用を示す断面側面図
である。図１に示される半導体製造装置は、反応炉１と
ランプユニット２と反応炉１を構成する石英板からなる
上壁部４とランプユニット２との間に設けられた集光レ
ンズ１１とを備える。反応炉１の構成は、図５に示した
ものと同じであり、またランプユニット２の構成は、図
５及び図６に示したものと同じであり、ここでの説明を
省略する。
体製造装置に例をとって図面を用いて説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態における半導体製造装
置を示す断面側面図であり、図２は集光レンズの断面側
面図であり、図３は集光レンズの作用を示す断面側面図
である。図１に示される半導体製造装置は、反応炉１と
ランプユニット２と反応炉１を構成する石英板からなる
上壁部４とランプユニット２との間に設けられた集光レ
ンズ１１とを備える。反応炉１の構成は、図５に示した
ものと同じであり、またランプユニット２の構成は、図
５及び図６に示したものと同じであり、ここでの説明を
省略する。
【００１２】集光レンズ１１は、図２、図３に示される
ように、円板状をなすウェハ５の上方に、ウェハ５の中
心部と集光レンズの中心部がほぼ一致するように配置さ
れ、その外周半径は、サセプタ６の外周半径より若干大
きく形成されている。そして、ウェハ５の外周部の真上
に位置する部分にリング状に窪み１１ａが形成され、ラ
ンプユニット２の中央部から到来した光がウェハ５を支
持するサセプタ６のウェハ外周部近傍に照射されるよう
曲げられ、また、ランプユニットの外周部から到来した
光がウェハ５の外周部（外周縁）近傍に照射されるよう
曲げられる。
ように、円板状をなすウェハ５の上方に、ウェハ５の中
心部と集光レンズの中心部がほぼ一致するように配置さ
れ、その外周半径は、サセプタ６の外周半径より若干大
きく形成されている。そして、ウェハ５の外周部の真上
に位置する部分にリング状に窪み１１ａが形成され、ラ
ンプユニット２の中央部から到来した光がウェハ５を支
持するサセプタ６のウェハ外周部近傍に照射されるよう
曲げられ、また、ランプユニットの外周部から到来した
光がウェハ５の外周部（外周縁）近傍に照射されるよう
曲げられる。
【００１３】すなわち、ランプ１０から発光した光はレ
ンズ１１を透過する際にランプユニット２外周部寄りの
位置から、ウェハ５の中心付近に向かった光もレンズ１
１の形状によって、ウェハ５外周、サセプタ６付近へと
到達する。レンズ１１の形状によりウェハ外周部に集光
させることで、ウェハ５の外周部からの放熱を補う。図
３によれば、ウェハ５の外周部上方に位置する集光レン
ズ１１の部分はランプユニット２よりウェハ中心部に向
かう光をウェハ外周部に発散させ、ウェハ５の外周部よ
り外側のサセプタ上に位置する集光レンズ１１の部分は
ランプユニット２よりサセプタ上に向かう光をウェハ外
周部に集光させる形状となっている。
ンズ１１を透過する際にランプユニット２外周部寄りの
位置から、ウェハ５の中心付近に向かった光もレンズ１
１の形状によって、ウェハ５外周、サセプタ６付近へと
到達する。レンズ１１の形状によりウェハ外周部に集光
させることで、ウェハ５の外周部からの放熱を補う。図
３によれば、ウェハ５の外周部上方に位置する集光レン
ズ１１の部分はランプユニット２よりウェハ中心部に向
かう光をウェハ外周部に発散させ、ウェハ５の外周部よ
り外側のサセプタ上に位置する集光レンズ１１の部分は
ランプユニット２よりサセプタ上に向かう光をウェハ外
周部に集光させる形状となっている。
【００１４】また、集光レンズ１１を石英板の上壁部４
とは別体で設けることにより、反応の際の空間変化によ
る成膜均一性の悪化やウェハとの距離の違いによって、
ウェハ５から上壁部４への熱の逃げの不均一によるウェ
ハ面内の均熱性の低下を防ぐことができる。
とは別体で設けることにより、反応の際の空間変化によ
る成膜均一性の悪化やウェハとの距離の違いによって、
ウェハ５から上壁部４への熱の逃げの不均一によるウェ
ハ面内の均熱性の低下を防ぐことができる。
【００１５】このような構成によって、本発明の実施の
形態では、ウェハ５の外周部及びその外周部を支持する
サセプタ６がランプ光によって加熱され、ウェハ５の外
周部からの放熱を抑制できると共に、その放熱によって
失われる熱をランプ光を集光させることにより補うこと
ができ、しかも、従来のように、ウェハ５の中央部に集
光されるランプ光を抑制することができるので、これら
の条件によりウェハ５全面をほぼ均一な温度に維持する
ことができる。
形態では、ウェハ５の外周部及びその外周部を支持する
サセプタ６がランプ光によって加熱され、ウェハ５の外
周部からの放熱を抑制できると共に、その放熱によって
失われる熱をランプ光を集光させることにより補うこと
ができ、しかも、従来のように、ウェハ５の中央部に集
光されるランプ光を抑制することができるので、これら
の条件によりウェハ５全面をほぼ均一な温度に維持する
ことができる。
【００１６】実施の形態２．実施の形態１は、片面加熱
による方式を用いた半導体製造装置に関して述べたが、
両面加熱方式についても本方式は有効である。両面加熱
方式を用いた半導体製造装置の構成を図４を用いて説明
する。図４においては、反応炉１Ａとその上下に配置さ
れたランプユニット２Ａ，２Ｂと、これら反応炉１Ａと
各ランプユニット２Ａ、２Ｂそれぞれの間に配置された
集光レンズ１１Ａ，１１Ｂを備えている。
による方式を用いた半導体製造装置に関して述べたが、
両面加熱方式についても本方式は有効である。両面加熱
方式を用いた半導体製造装置の構成を図４を用いて説明
する。図４においては、反応炉１Ａとその上下に配置さ
れたランプユニット２Ａ，２Ｂと、これら反応炉１Ａと
各ランプユニット２Ａ、２Ｂそれぞれの間に配置された
集光レンズ１１Ａ，１１Ｂを備えている。
【００１７】反応炉１Ａは、中心に位置する回転軸１５
に支持されたサセプタ１４と、このサセプタ１４の外側
に設けられるサセプタ１３を有し、これらが石英製の反
応管１２内に設けられている。反応管１２の上壁部と下
壁部とは実施の形態１と同様、石英板で構成され、これ
ら上壁部１２ａとランプユニット２Ａとの間に集光レン
ズ１１Ａが設けられ、下壁部１２ｂとランプユニット２
Ｂとの間に集光レンズ１１Ｂが設けられている。
に支持されたサセプタ１４と、このサセプタ１４の外側
に設けられるサセプタ１３を有し、これらが石英製の反
応管１２内に設けられている。反応管１２の上壁部と下
壁部とは実施の形態１と同様、石英板で構成され、これ
ら上壁部１２ａとランプユニット２Ａとの間に集光レン
ズ１１Ａが設けられ、下壁部１２ｂとランプユニット２
Ｂとの間に集光レンズ１１Ｂが設けられている。
【００１８】ランプユニット２Ａ、２Ｂは複数本のラン
プ１０を含んでウェハ５、サセプタ１３，サセプタ１４
を内側に配置した反応炉１Ａの上下に配置されている。
この構成では、サセプタ１４の下部中心に位置する回転
軸１５からの熱の逃げを補うために、下部ランプユニッ
ト２Ｂにより回転中心付近に集光させる必要がある。
プ１０を含んでウェハ５、サセプタ１３，サセプタ１４
を内側に配置した反応炉１Ａの上下に配置されている。
この構成では、サセプタ１４の下部中心に位置する回転
軸１５からの熱の逃げを補うために、下部ランプユニッ
ト２Ｂにより回転中心付近に集光させる必要がある。
【００１９】下部ランプユニット２Ｂからの光を回転中
心部に集めるために、反応炉１Ａと下部ランプユニット
２Ｂの間に集光レンズ１１Ａを配置する。集光レンズ１
１Ａはウェハ外周面と回転軸付近に集光する形状とす
る。
心部に集めるために、反応炉１Ａと下部ランプユニット
２Ｂの間に集光レンズ１１Ａを配置する。集光レンズ１
１Ａはウェハ外周面と回転軸付近に集光する形状とす
る。
【００２０】本方式のランプ間ゾーン制御は、従来のゾ
ーン制御と同様に行う。アニール処理の必要な膜付きウ
ェハ５を反応炉１Ａに挿入後、回転子８ａによりウェハ
５を５ｒｐｍ〜６０ｒｐｍで回転させる。このとき、酸
化防止の目的でＮ2ガスで反応炉１内をパージする。ラ
ンプ５を発熱させ８００〜１２００℃／付近までウェハ
５を加熱し、１０秒〜１２０秒間加熱をしてアニール処
理を行う。
ーン制御と同様に行う。アニール処理の必要な膜付きウ
ェハ５を反応炉１Ａに挿入後、回転子８ａによりウェハ
５を５ｒｐｍ〜６０ｒｐｍで回転させる。このとき、酸
化防止の目的でＮ2ガスで反応炉１内をパージする。ラ
ンプ５を発熱させ８００〜１２００℃／付近までウェハ
５を加熱し、１０秒〜１２０秒間加熱をしてアニール処
理を行う。
【００２１】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
指向性のないランプユニットを用いても、ウェハ外周部
からの放熱を補うことができ、更に最小限のパワーで該
放熱を補うことができるので、消費電力が削減できる。
また、従来と同様のゾーン制御を用いると、制御性が従
来の制御性より数段良くなる。
指向性のないランプユニットを用いても、ウェハ外周部
からの放熱を補うことができ、更に最小限のパワーで該
放熱を補うことができるので、消費電力が削減できる。
また、従来と同様のゾーン制御を用いると、制御性が従
来の制御性より数段良くなる。
【図１】本発明の実施の形態１を示す断面側面図であ
る。
る。
【図２】集光レンズの一例を示す断面側面図である。
【図３】実施の形態１の動作を示す断面側面図である。
【図４】実施の形態２を示す断面側面図である。
【図５】従来の基板処理装置としての半導体製造装置を
示す断面側面図である。
示す断面側面図である。
【図６】ランプユニットを示す平面図である。
１，１Ａ 反応炉 ２Ａ ランプユニット ３ 反応炉の側壁部 ４ 反応炉の上壁部 ５ ウェハ ６，１３，１４ サセプタ ７ 回転支持台 ８ 回転機構 ８ａ 回転子 ９ リフレクタ １０ ランプ １１，１１Ａ 集光レンズ
フロントページの続き (72)発明者 柿崎 智 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 島田 真一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ランプより照射される光により反応管内
に支持された基板を熱処理するようにした基板処理装置
において、 前記ランプの前面に、前記ランプより照射される光を所
定箇所に集光させるための集光レンズを設けたことを特
徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155357A JP2000349038A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155357A JP2000349038A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349038A true JP2000349038A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15604148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11155357A Withdrawn JP2000349038A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349038A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064069A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2014135507A (ja) * | 2014-03-17 | 2014-07-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| WO2014186085A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Applied Materials, Inc. | Diffuser for lamp heating assembly |
| JP2015018941A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| JP2015065458A (ja) * | 2006-11-15 | 2015-04-09 | マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド | 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法 |
| KR101537215B1 (ko) * | 2008-10-27 | 2015-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
| KR20180117053A (ko) * | 2017-04-18 | 2018-10-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| KR20190008086A (ko) * | 2017-07-14 | 2019-01-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| KR20190104726A (ko) * | 2018-03-02 | 2019-09-11 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
| KR20210010737A (ko) * | 2019-07-18 | 2021-01-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| WO2023210656A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | 加熱処理装置、及びその動作方法 |
-
1999
- 1999-06-02 JP JP11155357A patent/JP2000349038A/ja not_active Withdrawn
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064069A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2015065458A (ja) * | 2006-11-15 | 2015-04-09 | マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド | 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法 |
| KR101537215B1 (ko) * | 2008-10-27 | 2015-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
| US10327284B2 (en) | 2013-05-15 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Diffuser for lamp heating assembly |
| WO2014186085A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Applied Materials, Inc. | Diffuser for lamp heating assembly |
| JP2015018941A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| JP2014135507A (ja) * | 2014-03-17 | 2014-07-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| KR102121105B1 (ko) * | 2017-04-18 | 2020-06-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| KR20180117053A (ko) * | 2017-04-18 | 2018-10-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| KR20190008086A (ko) * | 2017-07-14 | 2019-01-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| US11328941B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-05-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light irradiation type heat treatment apparatus |
| KR102109252B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2020-05-11 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| KR102101900B1 (ko) * | 2018-03-02 | 2020-04-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
| KR20190104726A (ko) * | 2018-03-02 | 2019-09-11 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
| KR20210010737A (ko) * | 2019-07-18 | 2021-01-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR102263006B1 (ko) | 2019-07-18 | 2021-06-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US11765793B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-09-19 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| WO2023210656A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | 加熱処理装置、及びその動作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3296300B2 (ja) | 光照射式加熱装置 | |
| US4535228A (en) | Heater assembly and a heat-treatment method of semiconductor wafer using the same | |
| JP3659863B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3438658B2 (ja) | ランプユニット及び光照射式加熱装置 | |
| JP2000349038A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002158178A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004327761A (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
| JP2002151412A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US4535227A (en) | Method for heating semiconductor wafer by means of application of radiated light | |
| JP3853587B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR20090045984A (ko) | 기판상의 온도 균일도가 향상된 기판 가열 장치 및 이를이용한 화학 기상 증착 장치 | |
| JP2001319886A (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| US20040067052A1 (en) | Localized heating of substrates using optics | |
| JP2003124206A (ja) | 熱処理装置 | |
| TWI776859B (zh) | 旋轉器蓋 | |
| JP4019444B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0542135B2 (ja) | ||
| JPH10321547A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH10144619A (ja) | ランプ加熱型熱処理装置 | |
| JP2003031517A (ja) | 基板の熱処理装置 | |
| JP2004047911A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3789366B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2003282558A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2000260720A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3130607B2 (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |