KR20210010737A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 일 실시예에서 기판 처리 장치는, 내부에 처리공간을 가지는 공정챔버와; 처리공간에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액공급유닛과; 지지유닛에 제공되며, 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열유닛을 포함하되, 가열유닛은, 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 복수의 램프; 램프의 상부에 배치되어 램프로부터 조사된 광을 투과하는 윈도우를 포함하되, 윈도우는, 판 형상의 베이스와; 베이스에 형성되며 램프로부터 조사된 광을 수렴 또는 발산시키는 광조절부를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판을 가열한 상태에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.
각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.
최근에는 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼 수용액을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다. 고온의 케미칼 수용액을 이용한 기판 처리 장치에서는 식각률을 개선하기 위해 램프를 이용하여 기판을 가열하는 기판 가열 장치가 적용되어 활용되고 있다.
일반적으로 램프는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 동심으로 배치된다. 이 경우, 기판의 중심과 대향하는 영역에는 램프가 직접 제공되지 않아 기판의 중앙 영역은 다른 영역에 비해 상대적으로 가열이 잘 되지 않는다.
또한, 상부에서 바라볼 때 최외곽에 위치한 램프는 여러 가지 구조적인 문제로 인해 기판의 단부보다 내측에 위치되어, 기판의 가장자리 영역은 다른 영역에 비해 상대적으로 가열이 잘 되지 않는다.
이로 인해 기판의 중심 영역과 가장자리 영역에서 다른 영역에 비해 식각 균일도가 낮아진다.
본 발명은 기판 처리 공정 시 기판을 균일하게 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 공정 시 기판의 가장자리 영역에서 가열이 잘 이루어지지 않아 기판의 처리 효율이 저하되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 공정 시 기판의 중앙 영역에서 가열이 잘 이루어지지 않아 기판의 처리 효율이 저하되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 처리공간을 가지는 공정챔버와; 처리공간에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액공급유닛과; 지지유닛에 제공되며 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 복수의 램프를 포함하되, 지지유닛은, 회전 가능하게 제공되는 척 스테이지와; 램프의 상부에 배치되어 램프로부터 조사된 광을 투과하는 윈도우를 포함하되, 윈도우는, 판 형상의 베이스와; 베이스에 형성되며 램프로부터 조사된 광의 방향 또는 광량을 조절하는 광조절부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 지지유닛에 놓인 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 제공되는 에지 볼록부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 지지유닛에 놓인 기판의 중앙 영역과 대향되는 베이스로부터 볼록하게 제공되는 중앙 볼록부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 지지유닛에 놓인 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 형성된 에지 볼록부와; 지지유닛에 놓인 기판의 중앙 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 형성된 중앙 볼록부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 지지유닛은, 기판의 저면을 지지하는 지지핀과; 기판의 측면을 지지하는 척핀을 포함하고, 지지핀은 윈도우에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 에지 볼록부는 기판의 중심부를 향하는 영역이 기판의 단부를 향하는 영역보다 더 완만하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 에지 볼록부는 링 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 중앙 볼록부의 폭은 에지 볼록부의 폭 보다 넓게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부에서는, 에지 볼록부와 중앙 볼록부 사이의 영역은 평평하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 에지 볼록부와 중앙 볼록부 사이에 베이스의 내측으로 오목하게 형성되어 램프로부터 조사된 광을 발산시키는 오목부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 램프들 중 가장 외곽에 배치된 램프는 상부에서 볼 때 지지유닛에 놓인 기판의 단부보다 내측에 위치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는 윈도우의 상면에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는 윈도우의 저면에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 램프는 각각 링 형상으로 제공되고, 서로 동심으로 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 베이스와 광조절부는 일체로 제조될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리액은 인산을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 윈도우는 석영을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지부재와; 지지부재에 놓인 기판을 가열하는 램프와; 지지부재에 놓인 기판과 램프 사이에 배치되며, 램프로부터 조사된 광을 투과시키는 윈도우를 포함하되, 윈도우는, 판 형상의 베이스와; 베이스에 형성되며 램프로부터 조사된 광을 수렴 또는 발산시키는 광조절부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 윈도우에서 기판과 마주하는 면에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 지지부재에 놓인 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 형성된 에지 볼록부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 지지부재에 놓인 기판의 중앙 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 형성된 중앙 볼록부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 에지 볼록부는 기판의 중심부를 향하는 영역이 기판의 단부를 향하는 영역보다 더 완만하게 굴곡지도록 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부는, 지지부재에 놓인 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 형성된 에지 볼록부와; 지지부재에 놓인 기판의 중앙 영역과 대향되는 영역에 베이스로부터 볼록하게 형성된 중앙 볼록부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 광조절부에서, 에지 볼록부와 중앙 볼록부 사이의 영역은 평평하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 베이스와 광조절부는 동일 재질로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 베이스와 광조절부는 일체로 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정 시 기판의 에지 영역과 중앙 영역을 집중적으로 가열하여 기판의 온도 분포를 개선할 수 있는 효과를 갖는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지유닛의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 6 내지 도 16은 각각 본 발명의 윈도우의 변형 예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(2000)은 버퍼유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다.
즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다.
인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다.
인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(2400)는 버퍼유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다.
또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스와 같은 처리유체들을 사용하여 기판(W)을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판(W)을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(800), 처리 용기(100), 지지유닛(200), 가열유닛(280) 액공급유닛(300), 공정 배기부(500) 그리고 승강유닛(600)을 포함한다.
챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급유닛(810)이 설치된다. 기류 공급유닛(810)은 챔버(800) 내부에 하강 기류를 형성한다.
기류 공급유닛(810)은 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수통들(110,120,130)을 통해 공정 배기부(500)로 배출시킨다.
챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 나뉜다. 공정 영역(816)에는 처리 용기(100)와 지지유닛(200)이 위치한다. 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(510) 이외에도 승강유닛(600)의 구동부과, 액공급유닛(300)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(818)은 공정 영역(816)으로부터 격리된다.
처리 용기(100)는 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 지지유닛(200)이 위치된다. 지지유닛(200)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다.
처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다.
환형의 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다.
구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(120)은 제1회수통(110)을 둘러싸고, 제1회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(130)은 제2회수통(120)을 둘러싸고, 제2회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 회수통 (110, 120, 130)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)과 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2회수통(120)과 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.
제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
액공급유닛(300)은 기판(W) 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼을 토출한다. 일 예로 처리액은 인산일 수 있다.
처리액 노즐 부재(310)는 노즐(311), 노즐 암(313), 지지 로드(315), 노즐 구동기(317)를 포함한다. 노즐(311)은 공급부(320)를 통해 처리액을 공급받는다. 노즐(311)은 처리액을 기판(W) 표면으로 토출한다. 노즐 암(313)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(311)이 장착된다. 노즐 암(313)은 노즐(311)을 지지한다. 노즐 암(313)의 후단에는 지지 로드(315)가 장착된다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)의 하부에 위치한다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(315)를 회전시킨다. 지지 로드(315)의 회전으로 노즐 암(313)과 노즐(311)이 지지 로드(315)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(311)은 처리 용기(100)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(311)은 기판(W)의 중심과 가장 자리영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리액을 토출할 수 있다.
공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부의 배기를 담당한다. 일 예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 배기라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강유닛(600)과 결합된다. 승강유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 지지유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.
승강유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 척 스테이지(210)에 로딩 또는 척 스테이지(210)로부터 언로딩될 때 척 스테이지(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통들(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 승강유닛(600)은 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 지지유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지유닛(200)을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 지지유닛(200)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고, 램프(250)는 지지유닛(200)에 지지된 기판(W)을 가열한다. 지지유닛(200)은 척 스테이지(210), 윈도우(220), 지지부재(214), 그리고 회전부를 포함한다
척 스테이지(210)는 원형의 상부면을 가진다. 척 스테이지(210)는 회전부에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(210) 상에는 윈도우(220)가 설치된다. 윈도우(220)와 척 스테이지(210)에 의해 외부와 격리된 내부 공간이 형성된다. 일 예에 의하면, 윈도우(220)는 상면과 링 형상의 측면을 가진다. 즉 윈도우(220)는 척 스테이지(210)와 함께 회전된다.
윈도우(220)에는 기판(W)을 지지하는 지지부재(214)가 제공된다. 지지부재(214)는 복수의 지지핀(224) 및 복수의 척핀(212)을 가진다. 지지핀(224)은 기판(W)의 저면을 지지한다. 척핀(212)은 지지핀(224)에 놓인 기판(W)의 측면을 지지한다. 척핀(212)은 구동부(245)에 의해 이동된다ㅑ. 척핀(212)은 복수 개가 제공된다. 지지핀(224)은 척핀(212)들에 의해 둘러싸여진 공간 내에 위치된다. 기판(W)은 지지핀(224)에 의해 윈도우(220)로부터 이격되게 위치된다. 또한, 공정 진행시 기판(W)이 회전될 때 기판(W)은 척핀(212)에 의해 그 위치가 틀어지는 것이 방지된다. 일 예에 의하면, 척핀(212)은 척 스테이지(210)에 설치된다. 척핀(212)은 윈도우(220)의 측면을 통해 삽입되어 윈도우(220)의 상부로 돌출된다. 지지핀(224)은 윈도우(220)의 상면에 설치된다.
회전부는 척 스테이지(210)와 결합하여 척 스테이지(210)를 회전시킨다.
램프(250)는 지지유닛(200)의 내측에 설치된다. 램프(250)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열한다. 윈도우(220)와 척 스테이지(210)에 의해 형성된 램프(250)는 내부 공간에 위치된다. 일 예에 의하면, 램프(250)는 복수의 램프(250)를 가진다. 램프(250)는 링 형상으로 제공된다. 램프(250)는 서로 상이한 직경으로 제공된다. 램프(250)는 복수개가 제공될 수 있다. 램프(250)들은 서로 동심이 되도록 위치되고, 상부에서 바라볼 때 램프(250)의 중심과 기판(W)의 중심은 일치하도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 램프(250)들은 서로 간에 독립적으로 온도가 제어 가능하도록 제공된다.
또한, 램프(250)들 중 가장 외곽에 배치된 램프(250a)는 척핀(212)보다 기판(W)의 중심에 더 가깝게 위치된다. 이로 인해 램프(250)들 중 가장 외곽에 배치된 램프(250a)는 상부에서 볼 때 지지유닛(200)에 놓인 기판(W)의 단부보다 내측에 위치한다.
램프(250)의 아래에는 반사부재(260)가 제공된다. 반사부재(260)는 램프(250)들에서 아래 방향으로 방사되는 열을 상부로 반사한다. 따라서, 척 스테이지(210)가 램프(250)의 빛 에너지로 인해 가열되는 것을 방지한다.
상술한 바와 같이 윈도우(220)는 기판(W)과 램프(250) 사이에 위치된다. 윈도우(220)는 처리액이 내부 공간으로 유입되는 것을 방지하여 램프(250)가 처리액에 의해 손상되는 것을 방지한다. 윈도우(220)는 램프(250)로부터 조사되는 광이 투과하는 재질로 제공된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우(220)의 모습을 나타낸다. 도 5를 참조하면, 윈도우(220)는 베이스(223)와 광조절부(228)를 포함한다. 베이스(223)는 판 형상으로 형성된다. 광조절부(228)는 베이스(223)에 형성된다. 일 예에 의하면, 윈도우(220)는 램프(250)로부터 조사된 광을 투과하는 재질로 제공된다. 예컨대, 윈도우(220)는 석영 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 베이스(223)와 광조절부(228)는 동일한 재질로 제공된다. 광조절부(228)와 베이스(223)는 일체로 제작된다. 이와 달리 광조절부(228)와 베이스(223)는 각각 제조되고, 이후에 광조절부(228)가 베이스(223)에 결합될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리 광조절부(228)와 베이스(223)는 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다.
광조절부(228)는 램프(250)로부터 조사된 광 중 일부가 기판(W) 상의 일정 영역으로 향하도록 한다. 일 예에 의하면, 광조절부(228)는 램프(250)로부터 조사된 광 중 일부가 기판(W) 상의 일정 영역으로 집중시키도록 제공될 수 있다. 선택적으로 광조절부(228)는 램프(250)로부터 조사된 광 중 일부를 더 넓은 영역으로 발산시키도록 제공될 수 있다.
광조절부(228)는, 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227)를 포함한다. 일 예에 의하면, 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227)는 베이스(223)의 상면에 제공되며, 기판(W)을 향해 볼록하게 형성된다. 일 예에 의하면, 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227)는 라운드진 형상을 가진다. 또한, 윈도우(220)에서 에지 볼록부(225)와 중앙 불록부 사이의 영역은 평평하게 제공될 수 있다.
에지 볼록부(225)는 지지유닛(200)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 형성된다. 에지 볼록부(225)는 링 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 에지 볼록부(225)는 램프(250)들 중 가장 외측에 배치된 램프(250)와 중첩되게 배치될 수 있다. 램프(250)들 중 에지 볼록부(225)의 아래에 배치된 램프(250)로부터 조사된 광은 에지 볼록부(225)를 통과함에 따라 기판(W)의 에지 영역으로 향한다.
상술한 바와 같이 본 실시예에서 기판(W)의 측면을 지지하도록 척핀(212)이 제공됨에 따라 램프(250)들 중 최외곽에 배치된 램프(250a)는 상부에서 바라볼 때 기판(W)의 단부보다 내측에 위치된다. 따라서, 기판(W)의 에지 영역은 램프(250)의 빛 에너지가 기판(W)의 다른 영역에 비해 잘 도달되지 않는 문제가 있다. 그러나 에지 볼록부(225)가 제공됨에 따라서, 기판(W)의 에지 영역에 빛이 광조절부(228)가 제공되지 않은 경우에 비해 가장자리 영역으로 더 많은 량의 광이 조사된다. 이로 인해 기판(W)의 가장자리 영역에 열이 충분히 도달된다. 즉, 기판(W)의 가장자리로 에지 볼록부(225)를 통해 빛 에너지가 집중적으로 조사되어 기판(W)의 전면에 램프(250)로부터 발산된 빛 에너지가 기판(W)의 에지 영역까지 도달되는 이점이 있다.
중앙 볼록부(227)는 지지유닛(200)에 놓인 기판(W)의 중앙 영역과 대향되는 영역에 형성된다. 중앙 볼록부(227)는 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공된다. 중앙 볼록부(227)는 상부에서 바라볼 때 램프(250)들 중 가장 내측에 배치된 램프(250b)보다 안쪽에 위치될 수 있다. 선택적으로 중앙 볼록부(227)는 상부에서 바라볼 때 램프(250)들 중 가장 내측에 배치된 램프(250)와 중첩되게 위치될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시예에서 램프(250)들이 링 형상으로 제공됨에 따라 기판(W)의 중심 영역의 아래에는 램프(250)가 제공되지 않는다. 그러나 중앙 볼록부(227)가 제공됨에 따라 중앙 볼록부(227)가 제공되지 않는 경우에 비해 기판(W)의 중앙 영역으로 더 많은 량의 광이 조사된다. 이로 인해 기판(W)의 중앙 영역에 열이 충분히 도달된다. 따라서, 기판(W)의 중앙 영역 대향하는 램프(250)의 개수가 기판(W)의 에지 영역에 대향하는 램프(250)의 개수보다 적게 배치되더라도 기판(W)의 전면에 램프(250)로부터 발산된 빛 에너지가 고루게 퍼지게 하는 이점이 있다.
도 6 내지 도 16은 각각 본 발명의 윈도우(220)의 변형 예를 나타낸다. 도 6을 참조하면, 일 실시예에서 에지 볼록부(225)는 기판(W)의 중심부를 향하는 영역이 기판(W)의 단부를 향하는 영역보다 더 완만하게 굴곡지도록 제공될 수 있다. 즉, 기판(W)의 단부를 향하는 영역의 경사가 더 급하게 제공되어, 기판(W)의 단부로 향하는 램프(250)의 빛 에너지가 기판(W)의 단부로 집중적으로 조사되도록 한다. 이로 인해, 에지 볼록부(225)의 아래에 배치된 램프(250)로부터 조사된 광은, 기판(W)의 단부를 향하는 방향으로는 상대적으로 좁은 영역으로 광을 유도하고, 기판(W)의 중앙을 향하는 방향으로는 상대적으로 넓은 영역에 광이 유도되도록 한다. 이로 인해, 기판(W)의 전체 영역에서 가열이 더욱 균일하게 이루어지도록 한다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에서, 윈도우(220)에서 중앙 볼록부(227)의 폭(W1)은 에지 볼록부(225)의 폭(W2) 보다 넓게 제공될 수 있다. 이로 인해, 중앙 볼록부(227)는 에지 볼록부(225)에 비해 넓은 영역에 램프(250)로부터 발산된 빛 에너지를 전달하도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 중앙 볼록부(227)와 가장 내측에 배치된 램프(250)는 중첩되도록 한다.
도 8을 참조하면, 광조절부(228)는 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227) 이외에 오목부(229)를 더 포함한다. 오목부(229)는 중앙 볼록부(227)와 에지 볼록부(225) 사이에 위치된다. 오목부(229)는 사이에 형성되어 램프(250)로부터 조사된 광을 기판(W) 상의 특정 영역에 집중시켜 그 영역의 더 잘 가열시킬 수 있다.
이상, 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227)는 동시에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 광조절부(228)는 에지 볼록부(225)와 중앙 불록부 중 어느 하나만을 포함하도록 제공될 수 있다. 일 실시 예에서, 광조절부(228)는 도 9와 같이 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227) 중 에지 볼록부(225) 만을 포함할 수 있다.
또한, 도 8에서는 오목부(229)가 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227) 사이에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 10과 같이 에지 볼록부(225)와 중앙 볼록부(227)는 제공되지 않고 오목부(229)만 제공될 수 있다. 이 경우, 오목부(229)는 기판(W) 상의 영역들 중 집중적으로 가열이 필요한 영역과 대향되게 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 광조절부(228)는 윈도우(220)의 상면에 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나, 광조절부(228)는 도 11과 같이 윈도우(220)의 저면에 형성될 수 있다.
상술한 예에서는 광 조절부가 라운드진 형상을 가지는 것으로 도시하였다. 그러나 이와 달리 광 조절부는 도 12에 도시된 바와 같이 종단면이 삼각형과 같은 다각형 형상으로 제공될 수 있다.
이상, 윈도우(220)는 광조절부(228)의 저부에 위치하는 램프(250)로부터 조사된 빛 에너지를 광조절부(228)의 상부에 위치하는 기판(W)의 저면을 가열하기 위한 용도로 설명하였다. 그러나, 기판(W)과 램프(250)의 위치는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이 따라서, 윈도우(220)는 기판(W)과 램프(250) 사이에, 램프(250)의 빛이 기판(W)으로 전달되는 경로에 제공되며 광조절부(228)는 윈도우(220)에서 기판(W)과 마주하는 면에 형성될 수 있다.
상술한 예에서는 에지 볼록부(225)가 링 형상으로 제공된 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 에지 볼록부(225)는 도 14과 같이 복수개가 제공되고, 이들은 서로 조합하여 링 형상으로 배열될 수 있다.
상술한 예에서는 에지 볼록부(225)가 1개가 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 에지 볼록부(225)는 도 15 및 도 16과 같이 복수 개가 제공될 수 있다. 에지 볼록부(225)가 복수 개 제공되는 경우 에지 볼록부(225)는 도 15와 같이 서로 동일한 형상으로 제공될 수 있따. 선택적으로 에지 볼록부(225)가 복수 개 제공되는 경우, 에지 볼록부(225)는 도 16과 같이 형상 또는 크기가 상이하게 제공될 수 있다.
이상, 광조절부(228)는 기판(W)의 전면에 램프(250)로부터 발산된 빛 에너지를 고루 전달하는 용도로 설명하였다. 그러나, 광조절부(228)는 그 형상과 크기에 따라 램프(250)로부터 발산된 빛 에너지를 선택된 영역에 집중적으로 조사하는 용도로 이용될 수 있다.
상술한 예에서는 지지부재(214)가 윈도우(220)에 설치되는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 지지부재(214)와 윈도우(220)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
200: 지지유닛
220: 윈도우
225: 에지 볼록부
227: 중앙 볼록부
228: 광조절부
250: 램프

Claims (26)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리공간을 가지는 공정챔버와;
    상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액공급유닛과;
    상기 지지유닛에 제공되며 상기 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 복수의 램프를 포함하되,
    상기 지지유닛은,
    회전 가능하게 제공되는 척 스테이지와;
    상기 램프의 상부에 배치되어 상기 램프로부터 조사된 광을 투과하는 윈도우를 포함하되,
    상기 윈도우는,
    판 형상의 베이스와;
    상기 베이스에 형성되며 상기 램프로부터 조사된 광의 방향 또는 광량을 조절하는 광조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 지지유닛에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 제공되는 에지 볼록부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 지지유닛에 놓인 상기 기판의 중앙 영역과 대향되는 상기 베이스로부터 볼록하게 제공되는 중앙 볼록부를 포함하는 기판 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 지지유닛에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 형성된 에지 볼록부와;
    상기 지지유닛에 놓인 상기 기판의 중앙 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 형성된 중앙 볼록부를 포함하는 기판 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지유닛은,
    상기 기판의 저면을 지지하는 지지핀과;
    상기 기판의 측면을 지지하는 척핀을 포함하고,
    상기 지지핀은 상기 윈도우에 설치되는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 에지 볼록부는 상기 기판의 중심부를 향하는 영역이 상기 기판의 단부를 향하는 영역보다 더 완만하게 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 에지 볼록부는 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 중앙 볼록부의 폭은 상기 에지 볼록부의 폭 보다 넓게 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 광조절부에서는,
    상기 에지 볼록부와 상기 중앙 볼록부 사이의 영역은 평평하게 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 에지 볼록부와 상기 중앙 볼록부 사이에 상기 베이스의 내측으로 오목하게 형성되어 상기 램프로부터 조사된 광을 발산시키는 오목부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 램프들 중 가장 외곽에 배치된 램프는 상부에서 볼 때 상기 지지유닛에 놓인 상기 기판의 단부보다 내측에 위치되는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광조절부는 상기 윈도우의 상면에 형성되는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광조절부는 상기 윈도우의 저면에 형성되는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 램프는 각각 링 형상으로 제공되고, 서로 동심으로 배치되는 기판 처리 장치.
  15. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스와 상기 광조절부는 일체로 제조되는 기판 처리 장치.
  16. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은 인산을 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 윈도우는 석영을 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 지지부재와;
    상기 지지부재에 놓인 기판을 가열하는 램프와;
    상기 지지부재에 놓인 기판과 상기 램프 사이에 배치되며, 상기 램프로부터 조사된 광을 투과시키는 윈도우를 포함하되,
    상기 윈도우는,
    판 형상의 베이스와;
    상기 베이스에 형성되며 상기 램프로부터 조사된 광을 수렴 또는 발산시키는 광조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 윈도우에서 상기 기판과 마주하는 면에 형성되는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 지지부재에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 형성된 에지 볼록부를 포함하는 기판 처리 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 지지부재에 놓인 상기 기판의 중앙 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 형성된 중앙 볼록부를 포함하는 기판 처리장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 에지 볼록부는 상기 기판의 중심부를 향하는 영역이 상기 기판의 단부를 향하는 영역보다 더 완만하게 굴곡지도록 제공되는 기판 처리 장치.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 지지부재에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 형성된 에지 볼록부와;
    상기 지지부재에 놓인 상기 기판의 중앙 영역과 대향되는 영역에 상기 베이스로부터 볼록하게 형성된 중앙 볼록부를 포함하는 기판 처리장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 광조절부에서,
    상기 에지 볼록부와 상기 중앙 볼록부 사이의 영역은 평평하게 제공되는 기판 처리 장치.
  25. 제18항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스와 상기 광조절부는 동일 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  26. 제18항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스와 상기 광조절부는 일체로 제조되는 기판 처리 장치.
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