JP2012012628A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板32を載置する基板載置部33を備える処理室13と、処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部11と、処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓15と、前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部16と、処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口23を有するガス配管21と、処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、前記複数のガス導入口が、前記透過窓境界部に設けられるように基板処理装置を構成する。
【選択図】図1
Description
下記の特許文献1には、光透過窓の厚さを薄くするため、複数の光透過窓を用いた基板処理装置において、半導体の被処理基板を移動させながら、光透過窓を介して、光源からの光を被処理基板に照射して、被処理基板を処理する技術が開示されている。
本発明の目的は、大型基板上においても光による均一な処理を行うことの可能な基板処理装置を提供することにあり、特に、大型基板上においても均一な厚さの膜を形成することの可能な、光CVD法を用いた基板処理装置を提供することにある。
基板を載置する基板載置部を備える処理室と、
処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部と、
処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓と、
前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部と、
処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口を有するガス配管と、
処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、
前記複数のガス導入口が、前記透過窓境界部に設けられる基板処理装置。
15は、発光部11からの光を透過させるための透過窓であり、本実施例では合成石英から構成される。透過窓15は、処理室13の内と外を隔てる隔壁に、複数設けられる。複数設けることにより、面積を分割できるので、透過窓15の厚さを薄くできる。詳しくは、処理室13の内と外を隔てる隔壁に、透過窓15を支持するための透過窓支持部16が設けられ、透過窓支持部16にOリング51を介して、透過窓15が取り付けられる。このように、透過窓支持部16は、透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられる。Oリング51は、図1に示すように、透過窓15の上下両面に設けられ、処理室13内を気密状態に保つ。本例では、透過窓支持部16は、なるべく透過光を遮らないよう、幅20mm以下のステンレススチールで構成される。
また、クリーニング用ガスとしては、NF3ガスを用いる。成膜処理を行うと、基板32だけでなく、基板載置部33や透過窓支持部16や透過窓15にも成膜されてしまう。そのため、成膜処理後に基板32を処理室13から搬出した後、処理室13内にクリーニング用ガスを流して、リモートプラズマにより処理室13内に付着した堆積膜を除去するクリーニング処理を行うものである。
なお、加熱室12内は大気圧としてもよいが、減圧して用いることもできる。加熱室12を減圧して用いる場合は、透過窓15の厚さをより薄くすることが可能である。
なお、図2や図3において、ガスノズル22又はガス導入口23の径、ガスノズル22の長さ、各ノズル22等からのガス流量は、全てのノズル22等で必ずしも同一である必要はない。また、ガスノズル22又はガス導入口23の配置や面内の分布も均一である必要はなく、面内の位置やガス種等に応じて適宜変更してもよい。
また、図2や図3において、ガス配管21が、透過窓の直下でなく、透過窓境界部に設けられるので、ガス配管21が発光部11からの光を遮るのを抑制することができる。また、複数のガス導入口23の少なくとも一部が、透過窓境界部に設けられるので、均一な厚さの膜を形成することが容易となるが、複数のガス導入口23の全てが、透過窓境界部に設けられると、均一な厚さの膜を形成することが更に容易となる。
図4の例では、平面視が四角の透過窓15が18個、縦方向に3列、横方向に6列の格子状に、配置されている。透過窓15は、例えば、縦が150mm、横が150mm、厚さが10mmの略直方体の合成石英である。透過窓支持部16は、格子状に配置された透過窓15と透過窓15の間の透過窓境界部、および透過窓全体の左右両端と上下両端に設けられている。詳しくは、図4のX方向(横方向)に延伸する、4つの透過窓支持部16(Y1)〜16(Y4)が示されている。また、図4のY方向(縦方向)に延伸する、7つの透過窓支持部16(X1)〜16(X7)が示されている。17は、透過窓支持部16の強度を補強するための梁である。このように、透過窓支持部16は、4つの横方向の棒状部材と、7つの横方向の棒状部材とで構成される格子状の枠と、該格子状の枠を補強する梁17とから構成されている。
ガス配管21は、図4には示されていないが、4つの透過窓支持部16(Y1)、16(Y2)、16(Y3)、16(Y4)に沿って、X方向(横方向)に延伸するように、4本設けられている。
また、透過窓支持部16には、板状のガスフローガイド54が設けられている。ガスフローガイド54は、ガス配管21に設けてもよい。図4の透過窓支持部16(Y1)〜16(Y4)に設けられたガスフローガイド54により、図4の透過窓の全域は、横方向に長い長方形の3つの領域に仕切られることになる。3つの領域とは、透過窓支持部16(Y1)と16(Y2)で挟まれた領域と、16(Y2)と16(Y3)で挟まれた領域と、16(Y3)と16(Y4)で挟まれた領域である。ガスフローガイド54は、処理室13内へ導入されるガスの流れる方向を、下方に規制するもので、図5に示すガスフローガイド54の面は、図4のY方向を向いており、基板32の面と垂直である。ガスフローガイド54により、ガス導入口23から噴出されるガスの流れが、当該噴出されたガス導入口23の周辺に制限され易くなる。ガスフローガイド54がない場合は、基板32の中心部にガスの流れが集中し、中心部の膜厚が周辺部よりも厚くなる傾向があるが、この傾向が、ガスフローガイド54により改善される。なお、ガスフローガイド54が、真空紫外光を遮り、膜厚分布に影響を与えないよう、配慮することが必要である。
図6の例では、平面視が縦長の長方形の透過窓15が、横方向に12個、配置されている。透過窓支持部16は、透過窓全体の左右両端と上下両端に各1個、および透過窓15と透過窓15の間の透過窓境界部に11個、計15個設けられている。詳しくは、図6のY方向(縦方向)に延伸する、13個の透過窓支持部16(X1)〜16(X13)が並んでいる。また、図6の上下両端に、X方向(横方向)に延伸する、2個の透過窓支持部16(Y1)、16(Y2)が配置されている。ガス配管21は、図6には示されていないが、13個の透過窓支持部16(X1)〜16(X13)に沿って設けられている。各透過窓支持部16には、図5と同様の、Oリング51、反射部材52、発熱線53、ガスフローガイド54が設けられている。
図8は、加熱用配管55を内蔵する透過窓支持部16の垂直断面図である。例えば、加熱用配管55には、シリコンオイル等の難燃性オイルから構成されるヒートオイルを循環する。あるいは、加熱用配管55を、例えばセメント抵抗のような大電力用途の巻線型抵抗器を熱芯として内蔵することで構成することもできる。図8に示すガス配管21や反射部材52は、図5と同様である。
透過窓15の表面に凸凹部を形成する方法としては、透過窓15の合成石英表面を機械加工してもよいし、あるいは、NF3ガス等を用いてプラズマエッチングしてもよい。
上述した、ランプの位置により真空紫外光ランプに印加する電力を変える第1の方法と、真空紫外光ランプの高さ位置を変える第2の方法は、それぞれ単独に用いてもよいし、併用してもよい。
図12(a)に示すように、Oリング51が配置される透過窓15の周辺部には、Oリング劣化防止材56が、予めコーティングされる。Oリング劣化防止材56は、真空紫外光の反射材か、又は吸収剤であり、真空紫外光により劣化しない材料で構成され、反射材では、例えば、被覆されたアルミコーティングで構成される。
このようにすると、Oリング51が真空紫外光に直接晒されることがないので、Oリング51の劣化を防止できる。
まず、基板32が基板搬送機(不図示)により処理室13内へ搬入され、基板載置部35上に載置される。基板載置部35内の冷却用配管35には、冷媒が流され、基板載置部35および基板32を室温以下に冷却する。処理室13内は、真空ポンプ44により20〜80Paに減圧される。この状態において、処理用ガス源26aから、処理用ガスである例えばTEOSガスが、流量制御装置25aにより流量制御されつつ、ガス配管21のガス導入口23から、処理室13内へ導入される。同時に、発光部11のキセノンエキシマランプから、放射強度30〜100mW/cm2、波長172nmの真空紫外光が、加熱室12を経由し、透過窓15を介して、処理室13内の基板32上へ照射される。TEOSガスは、真空紫外光により分解され、酸化珪素膜として基板32上へ堆積し、基板のCVD処理が行われる。
なお、CVD処理を複数回行った後、クリーニング処理を行うのが、生産効率上、好ましい。
基板を載置する基板載置部を備える処理室と、
処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部と、
処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓と、
前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部と、
処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口を有するガス配管と、
処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、
前記複数のガス導入口の少なくとも一部が、前記透過窓境界部に設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、透過窓の厚さを薄くできるとともに、ガス導入口が、透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられるので、大型基板上においても均一な厚さの膜を形成することが容易となる。
前記ガス配管の少なくとも一部が、前記透過窓境界部に設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、ガス配管が発光部からの光を遮るのを、抑制することができる。
透過窓を加熱するための加熱部が設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、透過窓に成膜されることを、抑制することができる。
前記透過窓を加熱するための加熱部が、前記透過窓外部に隣接して設けられ、加熱された気体が充填される加熱室である基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、透過窓を効果的に加熱することができる。
前記透過窓支持部と前記透過窓の間には、Oリング劣化防止材を介して、Oリングが設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、Oリングの劣化を抑制することができる。
前記透過窓の表面には、前記発光部から照射される光を屈折又は散乱させるための凸凹が形成されている基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、発光部からの光を有効的に使用することができる。
前記ガス配管には、光を反射する反射部材が設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、発光部からの光を有効的に使用することができる。
前記発光部と前記基板載置部との水平方向の位置関係を、変化させることのできる駆動部を備える基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、透過窓支持部の影響を軽減し、基板上に照射される発光部からの光の量を、より均一にすることができる。
前記透過窓支持部には、処理室内へ導入されるガスの流れる方向を規制する板状のガスフローガイドが設けられ、該板状のガスフローガイドの面は、基板の面と垂直である基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、ガス導入口からのガス流を、より均一に基板上に流すことができる。
前記発光部を複数備え、該複数の発光部の中央部に位置する発光部から照射される光の強度を、周辺部に位置する発光部から照射される光の強度よりも弱くするか、あるいは、中央部に位置する発光部と基板との間隔を、周辺部に位置する発光部と基板との間隔よりも大きくするようにした基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板上に照射される発光部からの光の強度を、より均一にすることができる。
前記ガス配管には、ガス配管から前記基板載置部へ向けて延伸するガスノズルが接続され、該ガスノズルの先端に前記ガス導入口が設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、ガス導入口からのガス流を、より均一に基板上に流すことができる。
前記透過窓を加熱するための加熱部が、前記透過窓支持部に設けられる基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、加熱部を構成することが容易となる。
前記透過窓を加熱するための加熱部が、前記透過窓に設けられる熱線である基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、加熱部を構成することが容易となる。
Claims (13)
- 基板を載置する基板載置部を備える処理室と、
処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部と、
処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓と、
前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部と、
処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口を有するガス配管と、
処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、
前記複数のガス導入口の少なくとも一部が、前記透過窓境界部に設けられる基板処理装置。 - 前記請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記ガス配管の少なくとも一部が、前記透過窓境界部に設けられる基板処理装置。 - 前記請求項2に記載の基板処理装置であって、
透過窓を加熱するための加熱部が設けられる基板処理装置。 - 前記請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記透過窓を加熱するための加熱部が、前記透過窓外部に隣接して設けられ、加熱された気体が充填される加熱室である基板処理装置。 - 前記請求項1ないし請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記透過窓支持部と前記透過窓の間には、Oリング劣化防止材を介して、Oリングが設けられる基板処理装置。 - 前記請求項1ないし請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記透過窓の表面には、前記発光部から照射される光を屈折又は散乱させるための凸凹が形成されている基板処理装置。 - 前記請求項1ないし請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記ガス配管には、光を反射する反射部材が設けられる基板処理装置。 - 前記請求項1ないし請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記発光部と前記基板載置部との水平方向の位置関係を、変化させることのできる駆動部を備える基板処理装置。 - 前記請求項1ないし請求項8に記載の基板処理装置であって、
前記透過窓支持部には、処理室内へ導入されるガスの流れる方向を規制する板状のガスフローガイドが設けられ、該板状のガスフローガイドの面は、基板の面と垂直である基板処理装置。 - 前記請求項1ないし請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記発光部を複数備え、該複数の発光部の中央部に位置する発光部から照射される光の強度を、周辺部に位置する発光部から照射される光の強度よりも弱くするか、あるいは、中央部に位置する発光部と基板との間隔を、周辺部に位置する発光部と基板との間隔よりも大きくするようにした基板処理装置。 - 前記請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記ガス配管には、ガス配管から前記基板載置部へ向けて延伸するガスノズルが接続され、該ガスノズルの先端に前記ガス導入口が設けられる基板処理装置。 - 前記請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記透過窓を加熱するための加熱部が、前記透過窓支持部に設けられる基板処理装置。 - 前記請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記透過窓を加熱するための加熱部が、前記透過窓に設けられる熱線である基板処理装置。
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