TW201426874A - 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Toshiya Shimada
Yukinori Aburatani
Hidehiro Yanai
Tomihiro Amano
Masahiro Miyake
Shin Hiyama
Hiroshi Ashihara
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Hitachi Int Electric Inc
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Abstract

本發明是以使加熱基板來處理時的基板的昇溫、降溫速度提升為目的，提供一種基板處理裝置，其係具有：處理基板的處理室，及在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐部，及設成與前述基板支撐部的基板支撐面對向的加熱部，及將前述基板搬入至前述處理室後，使前述基板下降，將前述基板載置於前述基板支撐部，且控制成使前述加熱部啟動的控制部。

Description

基板處理裝置及半導體裝置的製造方法
本發明是有關加熱基板來處理的基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。
製造半導體裝置時，在氣體暴露於被加熱至所望的溫度的半導體基板(晶圓)等之下進行各種的處理。一片一片地處理基板的單片式的基板處理裝置是利用載置基板的基板載置部內所含的加熱器或配置成與基板載置部的基板載置面對向的燈加熱機構等來加熱基板。作為加熱基板來處理的基板處理裝置，例如有專利文獻1那樣的裝置為人所知。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-88347號公報
然而，在使用上述的燈加熱機構的基板處理裝置中，需要使基板的昇溫，降溫速度或處理的均一性提升。
於是，本發明以提供一種可使加熱基板來處理時的基板的昇溫、降溫速度、處理的均一性提升之基板處理裝置及半導體裝置的製造方法為目的。
若根據本發明的一形態，則可提供一種基板處理裝置，其特徵係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第 2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制成第1基板被前述第1基板保持銷支撐，且第2基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及前述第2燈。
又，若根據本發明的其他形態，則可提供一種基板處理方法，係使用基板處理裝置的基板處理方法，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係前述第1處理部及前述第2處理部係配置於前述處理室，在前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及 控制部，其係控制前述各構成，其特徵為具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；在基板被載置於前述基板載置台的狀態下，前述第1燈及前述第2燈會加熱基板的加熱工程；及前述加熱工程之後，成為前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態之前，啟動前述第1燈及前述第2燈的工程。
若根據本發明，則可使加熱基板來處理時之基板的昇溫、降溫速度、處理的均一性提升。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧搬送室
16a、16b‧‧‧處理室
22‧‧‧基板
36‧‧‧真空機器人(第1基板搬送構件)
43a、43b‧‧‧處理部
44a、44b‧‧‧基板載置台
52a、52b‧‧‧燈室
64‧‧‧機械手臂(第2基板搬送構件)
74a、74b‧‧‧基板保持銷(升降銷)
96‧‧‧控制部
801‧‧‧燈(加熱源)
902‧‧‧燈電源控制器(燈電源)
圖1是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的概要的上面圖。
圖2是表示從本發明之一實施形態的基板處理裝置的裝載鎖定室到處理室的概要的側面圖。
圖3是表示本發明之一實施形態的處理室的概要的剖面圖。
圖4是表示本發明之一實施形態的處理室的概要的立體圖。
圖5是表示本發明之一實施形態的處理室的概要的上面圖。
圖6是表示本發明之一實施形態的基板保持銷的動作的立體圖。
圖7是表示本發明之一實施形態的加熱部的概略圖。
圖8是表示本發明之一實施形態的加熱部的上面圖。
圖9是本發明之一實施形態的控制部的構成圖。
圖10是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的動作的流程圖。
圖11是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的動作的流程，上圖是由上面來看處理室內的圖，下圖是由橫面來看的圖。
圖12是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的動作的流程，上圖是由上面來看處理室內的圖，下圖是由橫面來看的圖，接續於圖11。
圖13是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的動作的流程，上圖是由上面來看處理室內的圖，下圖是由橫面來看的圖，接續於圖12。
圖14是表示本發明之一實施形態的基板處理工程的基板的高度與燈電源的ON/OFF的關係的圖。
<本發明之一實施形態>
以下，說明有關本發明之一實施形態。
(1)基板處理裝置的構成
在圖1及圖2顯示本實施形態的半導體製造裝置等的基板處理裝置10的概要。基板處理裝置10是例如具備：搬送室12，及以搬送室12為中心來配置的裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b及2個的處理室16a，處理室16b。在裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b的上游側是配置有：在卡匣等的箍(載體)與裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b之間搬送基板的大氣搬送室(EFEM：Equipment Front End Module)20。在大氣搬送室20是配置有3台可在縱方向隔一定間隔來收容例如25片的基板22之箍(載體)(未圖示)。並且，在大氣搬送室20內是配置有：在大氣搬送室20與裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b之間例如每5片搬送基板22之未圖示的大氣機器人。搬送室12，裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b及處理室16a，處理室16b是在例如藉由鋁(A5052)等的材料所一體形成的容器(亦稱為裝置本體)的內部構成。
另外，裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b是配置在對於從裝載鎖定室14a，裝載鎖定室14b側朝處理室 16a，處理室16b側的軸成為線對稱的位置，具有彼此相同的構成。並且，處理室16a，處理室16b也配置在對於同軸成為線對稱的位置，具有彼此相同的構成。以下，以裝載鎖定室14a及處理室16a為中心進行說明。
如圖2所示般，在裝載鎖定室14a內是設有在縱方向取一定間隔來收容例如25片的晶圓等的基板22之基板支撐體(晶舟)24。基板支撐體24是例如由碳化矽所構成，具有上部板26，下部板28，及連接上部板26與下部板28之例如3個的支柱30。在支柱30的長度方向內側，用以平行姿勢支撐基板22的載置部(水平溝)32會在長度方向例如配列25個。並且，基板支撐體24是構成在裝載鎖定室14a內，移動於鉛直方向(移動於上下方向)，且以延伸於鉛直方向的旋轉軸作為軸來旋轉。藉由基板支撐體24移動於鉛直方向，基板22可從後述的手指(finger)對40來同時各2片移載至分別設在基板支撐體24的3個支柱30的載置部32的上面。並且，藉由基板支撐體24移動於鉛直方向，基板22也可同時各2片從基板支撐體24移載至手指對40。
如圖2所示般，在搬送室12內是設有作為在裝載鎖定室14a與處理室16a之間搬送基板22的第1基板搬送構件之一例的真空機器人(Vacuum Robot)36。真空機器人36是具有手臂(arm)42，其係設有由上手指38a及下手指38b所構成的手指對40。上手指38a及下手指38b是例如形成同一形狀，在上下方向以預定的間隔分 離，從手臂42分別延伸於大致與水平同方向，分別可同時支撐基板22。手臂42是以延伸於鉛直方向的旋轉軸作為軸來旋轉，且移動於水平方向，同時可搬送2片的基板22。
如圖2所示般，在處理室16a內設有後述的處理空間50。在處理空間50內是設有：第1基板載置部的基板載置部44a，第2基板載置部的基板載置部44b。基板載置部44a與基板載置部44b之間的空間是藉由間隔構件46來隔開水平方向的一部分，形成具有基板載置部44a的第1處理部43a及具有基板載置部44b的第2處理部43b。經由真空機器人36來搬入至處理室16a內的2片的基板22是分別載置於基板載置部44a，基板載置部44b上後，於處理空間50內併行熱處理。有關包含熱處理的基板處理工程後述。
在圖3~圖5顯示處理室16a的概要。如圖3所示般，處理室16a的下部側(底部及側部)是藉由下側容器47所形成。下側容器47是構成藉由鋁等來一體成型的上述的裝置本體的一部分。處理室16a的上部開口是藉由設在下側容器47的上部的蓋48所閉塞。在蓋48的下方是形成有處理空間50。蓋48是對應於基板載置部44a，基板載置部44b的位置會分別開口。在該開口是設有作為加熱裝置的燈室。加熱裝置是具有作為第1加熱部的燈室52a，作為第2加熱部的燈室52b。有關燈室52a，燈室52b的構成後述。
在蓋48之對應於基板載置部44a，基板載置部44b的位置，於燈室52a，燈室52b的附近設有第1氣體供給機構51a，第2氣體供給機構51b。在氣體供給機構51a，氣體供給機構51b的上游端(圖中上端)是分別連接未圖示的氣體供給管的下流端。在氣體供給管，從上游側依序設有：例如供給N2氣體或稀有氣體(Ar氣體，He氣體等)等的惰性氣體或其他的處理氣體之未圖示的氣體供給源，作為流量控制裝置的質量流控制器，及開閉閥。藉此，構成可由氣體供給機構51a，氣體供給機構51b來分別供給氣體至處理空間50內。另外，處理空間50內是構成可經由後述的第1排氣口58，第2排氣口60，第3排氣口62來利用未圖示的泵予以形成例如0.1Pa程度的真空。
如上述般，基板載置部44a，基板載置部44b是在處理空間50內的同一空間內獨立配置，在處理空間50內分別設於燈室52a，燈室52b的下方側。基板載置部44a，基板載置部44b的上面是形成圓盤狀。在基板載置部44a，基板載置部44b的下方側的面是分別設有第1凸緣53a，第2凸緣53b。在凸緣53a，凸緣53b的下方是連接立設於下側容器47的支柱49。基板載置部44a，基板載置部44b是從下方藉由支柱49來支撐，且從側方藉由固定構件52來固定。
在基板載置部44a，基板載置部44b的上面(亦即與燈室52a，燈室52b對向的面)是分別設有以水 平姿勢來支撐基板22的第1基板支撐面55a，第2基板支撐面55b。基板支撐面55a，基板支撐面55b的各個高度是比處理空間50內的高度更低。並且，在基板載置部44內是設有作為電阻加熱部的加熱器45。在基板載置部44a是設有第1電阻加熱部的加熱器45a，在基板載置部44b是設有第2電阻加熱部的加熱器45b，構成可將載置於基板支撐面55a，基板支撐面55b上的基板22昇溫。基板載置部44a，基板載置部44b是分別藉由例如鋁(A5052或A5056等)等所形成。在藉由鋁那樣熱傳導率高的材質來形成基板載置部44a，基板載置部44b之下，可效率佳地將熱傳達至基板22。另外，基板載置部44a，基板載置部44b是亦可藉由例如石英或礬土等的非金屬耐熱材料所形成。該情況，可迴避基板22的金屬污染。
在基板載置部44a與基板載置部44b之間是配置有上述的間隔構件46。間隔構件46是藉由例如鋁(A5052或A5056等)、石英、礬土等所形成，構成為對於下側容器47可裝卸自如地設置之例如方柱狀的構件。
在基板載置部44a，基板載置部44b的周圍，以能夠包圍各個的外周之方式配置第1排氣擋環54a，第2排氣擋環54b(參照圖4)。在排氣擋環54a，排氣擋環54b，於周方向設有複數的孔部56(參照圖5)。在基板載置部44a，基板載置部44b及排氣擋環54a，排氣擋環54b的下方是形成有第1排氣口58(參照圖3)。第1排氣口58是經由設在基板載置部44a，基板載置部44b的 下方之第2排氣口60來連通至處理空間50的下方側的空間。處理空間50的下方側的空間是構成可經由設在下側容器47的第3排氣口62來利用未圖示的真空泵予以排氣。
因此，從上述的氣體供給機構51a，氣體供給機構51b供給至處理空間50內的氣體是在供給至被基板載置部44a，基板載置部44b所支撐的基板22之後，經由設在排氣擋環54a，排氣擋環54b的孔部56來朝第1排氣口58排氣，經由設在基板載置部44a，基板載置部44b的下方之第2排氣口60來排氣至處理空間50的下方側之後，經由設在下側容器47的第3排氣口62來往處理室16a的外部排氣。
如圖4及圖5所示，在間隔構件46的一端側配置有作為可搬送基板22的第2基板搬送構件之一例的機械手臂64。機械手臂64是將上述真空機器人36所搬送的2片基板22之中1片朝基板載置部44b搬送，且從基板載置部44b回收。機械手臂64是具有例如由礬土陶瓷(純度99.6%以上)所構成的手指66(手指66的基部為了對準位置或水平而由金屬所構成)及軸部68，且在軸部68設有進行旋轉及昇降的2軸的驅動單元(未圖示)。手指66是具有比基板22更大的弧狀部70，由此弧狀部70往中心延伸的3個突起部72會以預定的間隔設置。軸部68是構成藉由被水冷的磁性軸封來與處理空間50被形成真空時的大氣遮斷。另外，間隔構件46及機械 手臂64是以不會完全分離處理空間50內的空間之方式配置於處理空間50內。
在基板載置部44a，基板載置部44b中，如圖6所示般的第1基板保持銷74a、第2基板保持銷74b會至少各3根貫通於鉛直方向。從搬送室12內經由真空機器人36來搬送至處理室16a內的基板22是構成暫時性地載置(保持)於該等的基板保持銷74a上。基板保持銷74a，基板保持銷74b是可昇降於上下方向。基板22是越離開基板載置部44a，基板載置部44b，對流傳熱越弱。亦即，一旦基板保持銷74a，基板保持銷74b使基板22離開基板載置部44a，基板載置部44b，則基板22會被降溫。可使用升降銷(lifter pin)作為此基板保持銷74a，基板保持銷74b的一例。並且，如圖4或圖5所示般，在基板載置部44a，基板載置部44b的外周分別設有3個縱方向(上下方向)的溝部76，而使手指66所具備的上述突起部72對於基板載置部44a，基板載置部44b的上面可從上方往下方移動。
(2)燈室(加熱裝置)的構成
接著，利用圖7及圖8來說明有關作為本實施形態的加熱裝置之設在基板載置部44a的上面(與基板表面對向的面)的燈室52a，及設在基板載置部44b的上面(與基板表面對向的面)的燈室52b的構成。圖7是由側面來看燈室52及基板載置台44的圖。圖8是由上面來看燈室 52的圖。
作為加熱裝置的燈室52a，燈室52b主要是以複數的鹵素燈801，對應於各個燈的插座806，作為配置燈的燈配置部的燈基座802，窗804及側壁810所構成。鹵素燈801是使用波長為0.2μm~10μm，較佳是0.3μm~3μm的電磁波。燈室52a，燈室52b是同一構成，所以在此是當作燈室52進行說明。
燈801是被電性連接至插座806。插座806是以模塊807來覆蓋，該模塊807是由上方來埋入至燈基座802。換言之，模塊807是由與處理基板的處理空間50不同的方向來嵌入固定於燈基座802。模塊807是以熱傳導率高的材質，使從燈801照射的光衰減或遮斷之類的材質例如鋁所構成。
燈基座802是藉由側壁810來支撐。在燈基座802與處理空間之間是設有隔開處理空間的環境與配設有燈801的空間的環境之窗804。窗804是隔著O型環808來固定於側壁810。窗804是不使從燈801照射的光的水準衰減的材質為佳，例如以石英所構成。
在燈基座802是設有流動冷媒的冷卻流路803。而且，設有用以堵塞冷卻流路803的蓋811，設為冷媒不會漏那樣的構成。在冷卻流路803是連接冷媒供給管805，將從未圖示的冷媒源流來的冷媒供給至冷卻流路803。
燈801是如圖8所示般在燈基座802圓周狀 地配設。各燈801是連接至燈電源控制器902，可分別獨立控制。燈801是按各群組管理。例如，801A，801D，801G，801J為第一群組，801B，801E，801H，801K為第二群組，801C，801F，801I，801L為第三群組。各群組的燈是構成相鄰，按各群組來調整照度，藉此可調整照射於基板的照度量。在各群組間調整照度量之下，可均一地加熱基板。
設置有燈的周的直徑，由均一地照射基板的觀點來看，最好是處理基板直徑>燈設置的直徑>處理基板半徑的關係。
(3)控制器(控制部)的構成
其次，利用圖9來說明作為控制本發明之一實施形態的基板處理裝置10的控制手段之控制部96。圖9是表示控制圖1的基板處理裝置10的控制部96的概略構成之一例的方塊圖。
控制部96是設成處理室控制器98，搬送控制器100，機器人控制器102，操作部控制器104，燈電源控制器902會透過LAN等的通訊網路106經由交換式集線器(SW Hub)108來互相連接。並且，交換式集線器(SW Hub)108是作為上位控制器連接至未圖示的顧客的主電腦(Host)。控制器98是具有記憶部123，記憶有用以使本裝置動作的程式或處方。各構成是按照程式或處方來控制。記憶部123是記錄媒體，例如以硬碟，記憶體等 所構成。
機器人控制器102是控制圖1的真空機器人36及大氣機器人(未圖示)。操作部控制器104是與操作員的介面，具備顯示器等的顯示裝置110及鍵盤等的輸入裝置(未圖示)等。處理室控制器98，搬送控制器100是透過數位訊號線路112經由定序器114連接控制處理氣體的供給或排氣用閥的ON/OFF的閥數位I/O116或控制基板保持銷74的昇降等控制各種開關(SW)等的ON/OFF的SW數位I/O118等。
又，處理室控制器98是例如透過串聯線路120來連接控制處理空間50內的壓力之自動壓力控制器(APC)等的壓力控制器122。處理室控制器98是例如根據操作員經由操作部控制器104所指定的製程處方來對壓力控制器122，處理氣體的供給．排氣用閥，各種開關，質量流控制器及溫度調整器等輸出處理基板時的控制資料(控制指示)，控制處理空間50內的基板處理。
又，搬送控制器100是例如根據操作員經由操作部控制器104所指定的順序處方來對真空機器人36，大氣機器人(未圖示)，機械手臂64，軸部68，基板保持銷74等，各種閥及開關等輸出搬送基板時的控制資料(控制指示)，控制基板處理裝置10內的基板的搬送。
又，燈電源控制器902是透過數位訊號線路112經由定序器114連接控制各燈電源的開關(SW)等的 ON/OFF的SW數位I/O118等，控制各燈的啟動、加熱、停止。
根據圖10~圖14來說明有關本發明的基板處理工程。本發明的基板處理工程是製造半導體裝置的一工程，例如對用以絕緣裝置上的配線間的層間絕緣膜除去雜質的工程。圖10是表示基板處理裝置的動作的流程圖。並且，圖11(a)~(d)，圖12(e)~(h)及圖13(i)~(k)的上圖是處理室16的上面圖。下圖是意象上圖的剖面的圖，為說明用圖面。又，圖14是表示基板22的高度與燈電源的ON/OFF的關係圖。
另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置10的各部的動作是藉由控制部96來控制。
首先，說明有關在本基板處理工程所被處理的基板。
在基板是形成有以金屬材料所形成的配線，在該配線間形成有用以降低電容的絕緣膜。隨近年來電路的微細化/高集成化，配線間的距離會變短，因此絕緣膜被要求更確實地絕緣配線間。
絕緣膜是例如以有機聚合物或有機石英玻璃之類的低介電常數材料所構成。低介電常數絕緣膜(Low-K絕緣膜)是具有比例如包含在鈍化膜的矽氧化膜(例如TEOS(Tetraethoxysilane)氧化膜)的介電常數更低的介電常數。一般TEOS氧化膜的比介電常數ε是ε=4.1~1.2程度。
前述的有機聚合物或有機石英玻璃是以各種的方法形成，有機石英玻璃時，是藉由使用三甲基矽烷(SiH(CH3)3)與氧的混合氣體之CVD法來形成。一旦如此形成，則在膜中混入(含有)OH成分，因此介電常數會變高。於是，在以下說明的基板處理工程中，使OH成分自有機石英玻璃脫離，使改質成更低的介電常數的膜。
<步驟S101基板搬入工程>
閘閥35開啟，基板載置部44a的基板保持銷74a及基板載置部44b的基板保持銷74b上昇。機械手臂64是在基板載置部44b側待機，與基板保持銷74a，基板保持銷74b一起上昇(圖11(a))。
其次，機械手臂64是在軸部68旋轉下大致水平地往基板載置部44a側移動。此時，機械手臂64的手指66是與閘閥35相對(圖11(b))。
其次，真空機器人36會一邊同時搬送被載置於上手指38a及下手指38b的2片基板22，一邊從搬送室12經由閘閥35來移動至處理室16，在基板載置部44a上方停止。此時，機械手臂64是在收於手指對40的上手指38a與下手指38b之間的高度位置待機(圖11(c))。
<步驟S102基板移載工程>
真空機器人36是在照原樣不動作的狀態下，基板載置部44a的基板保持銷74a上昇，將被載置於下手指38b的基板22載置於基板保持銷74a上。而且，藉由機械手臂64上昇，將載置於上手指38a的基板22載置於機械手臂64的突起部72上(圖11(d))。亦即，設為在基板載置部44a上保持基板22的狀態。
其次，真空機器人36回到搬送室12內。此時，1片的基板22會被基板保持銷74a支撐，更在上方藉由機械手臂64來支撐另一片的基板22(圖12(e))。
其次，機械手臂64是在支撐基板22的狀態下，藉由軸部68旋轉來大致水平地朝第2處理部43b側基板載置部44b的上方移動。亦即，基板22是被保持於基板載置部44b的上方。閘閥35關閉(圖12(f))。
<步驟S103基板載置工程>
軸部68下降，機械手臂64移動至基板載置部44b的外周下方。然後，基板22會被基板保持銷74b支撐(圖12(g))。
基板載置部44a的基板保持銷74a及基板載置部44b的基板保持銷74b會在大致水平支撐基板22，基板22的狀態下幾乎同時下降。亦即，以各個的基板與對應於該等的基板的基板載置台的距離能夠彼此相等的方式，使基板22，基板22下降，分別將基板22，基板22 載置於基板載置部44a及基板載置部44b(圖12(h))。由於在基板載置部44a，基板載置部44b內所含的加熱器45a，加熱器45b是被加熱的狀態，因此基板22，基板22可維持同昇溫速度。
此時，如圖14所示般，將燈室52a，燈室52b的燈電源同時設為ON啟動燈801，開始對基板22，基板22的照射。在此，從各鹵素燈801照射的電磁波的波長會被控制成一定。此波長是只要不影響後述的膜處理的範圍，即使有誤差也可以。
將燈電源設為ON的時機是與軸部68的下降開始同時設為ON，或在基板載置部載置基板後同時設為ON較理想。另外，在此使用的「同時」是包含控制成從鹵素燈801照射的電磁波同時到達各個的基板22，基板22的表面。另外，形成於各個基板22的低介電常數膜的電磁波吸收量的差只要在所望的範圍內，即使在各動作有誤差也可以。藉由如此同時設為ON，可使從基板22的鹵素燈801照射的電磁波的照射狀況形成相同。而且，可使昇溫速度上昇，且可使溫度面內均一性提升。
從鹵素燈801發生的電磁波是不在以金屬所形成的膜(例如配線)吸收，在低介電常數膜(例如絕緣膜)吸收的性質的波長。因此，在本工程是可不加熱配線來選擇性地加熱低介電常數膜。
<步驟S104氣體供給工程>
從氣體供給機構51a，氣體供給機構51b供給氮(N2)氣體及氫(H2)氣體至處理空間50內，從排氣口62往處理室16a外排氣。被供給的氮(N2)氣體及氫(H2)氣體是與被加熱之低介電常數膜內所含的OH成分反應，使OH成分從低介電常數膜脫離。藉由使OH成分從低介電常數膜脫離，可設為更低介電常數。而且，因為可降低低介電常數，所以更確實地絕緣形成於基板的配線間。
<步驟S105>
判斷是否經過預定的時間。判斷成經過時，往其次的步驟S106前進。判斷成未經由預定的時間時，回到步驟S104，繼續氮(N2)氣體及氫(H2)氣體的供給。
<步驟S106氣體供給停止>
經過預定的時間後，停止氮氣體及氫氣體的供給。停止供給後，使基板保持銷74a及基板保持銷74b上昇，使基板22，基板22上昇。此時，如圖14所示般，將燈室52a，燈室52b的燈電源同時OFF，停止燈801的照射(圖2113(i))。將燈電源設為OFF的時機是意指控制成從鹵素燈801照射的電磁波不會同時到達各個的基板22，基板22的表面。另外，被形成於各個的基板22的低介電常數膜的電磁波吸收量的差是只要在所望的範圍內，即使在各動作有誤差也可以。藉此，可使從基板22的鹵 素燈801照射的電磁波的照射狀況形成相同。
並且，與基板保持銷74a，基板保持銷74b的上昇開始同時或基板保持銷74a，基板保持銷74b上昇至預定的位置之後為理想，但亦可為不影響加熱溫度的程度的誤差。藉由將燈電源同時形成OFF，可使載置於基板載置部44a的基板22與載置於基板載置部44b的基板22的加熱狀況形成相同，可使降溫速度提升。
<步驟S107基板移載工程>
機械手臂64的軸部68上昇，在基板載置部44b上方，基板22被支撐於機械手臂64的突起部72上。機械手臂64是在載置基板22的狀態下，藉由軸部68旋轉來大致水平地朝第1處理部43a側的基板載置部44a上方移動(圖13(j))。
<步驟S108基板搬出工程>
然後，空的真空機器人36會從搬送室12經由閘閥35來移動至處理室16，處理完了的基板22，基板22會藉由與搬入相反的程序來從處理室16搬出(圖13(k))。
亦即，在本實施形態的基板處理工程中，如圖14所示般，將基板22搬入至處理室16後，1片被移載至基板保持銷74a後，藉由基板保持銷74a的下降來載置於基板載置部44a，另一方的基板是藉由機械手臂64 的旋轉及基板保持銷74b的下降來載置於基板載置部44b，燈電源會與此基板22的下降大致同時被開啟(ON)，燈801被點燈。並且，在基板處理後，被載置於基板載置台44的2片基板22，基板22是在被基板保持銷74a，基板保持銷74b支撐的狀態下上昇，燈電源會與此上昇大致同時被關閉(OFF)，燈801被熄燈。藉此，可使基板的加熱狀況形成相同。
另外，本發明並非限於上述的實施形態。
在本實施例中，氣體為使用氮氣體及氫氣體惰性氣體，但並非限於此，亦可按照處理的製程來變更氣體種類。
例如，在CVD(Chemical Vapor Deposition)法或ALD(Atomic Layer Deposition)法等中形成膜時，亦可供給對應於其膜的氣體。
並且，在上述實施形態是使用氮氣體及氫氣體，但亦可為至少具有氮成分及氫成分的混合氣體。
並且，在本發明中是將具有以低介電質所形成的層間絕緣膜之處理對象物表現成基板，但只要是具有層間絕緣膜者即可，例如也包含半導體晶片。
<本發明的理想形態>
以下，附記有關本發明的理想形態。
(附記1)
一種基板處理裝置，其特徵係具有： 搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制成第1基板被前述第1基板保持銷支撐，且第2基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及前述第2燈。
(附記2)
如附記1記載的基板處理裝置，其中，在啟動前述第1燈及前述第2燈之後，控制成使前述第一基板保持銷及前述第二基板保持銷下降。
(附記3)
如附記2記載的基板處理裝置，其中，前述基板為具有含OH成分的膜之基板，從前述第1燈及前述第2燈照射的電磁波的波長為被具有前述OH成分的膜吸收的波長。
(附記4)
如附記3記載的基板處理裝置，其中，與被載置於前述基板載置台的基板的上昇同時，將前述第一燈及第二燈熄燈。
(附記5)
如附記1記載的基板處理裝置，其中，前述控制部係控制成第1基板被前述第1基板保持銷支撐，且第2基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，從前述第1燈對前述第1基板照射電磁波，從前述第2燈對前述第2基板照射電磁波，經過預定的時間後，停止前述第1燈及前述第2燈的電磁波照射。
(附記6)
如附記5記載的基板處理裝置，其中，在啟動前述第1燈及前述第2燈之後，控制成使前述第一基板保持銷及前述第二基板保持銷下降。
(附記7)
如附記6記載的基板處理裝置，其中，與被載置於前述基板載置台的基板的上昇同時，將前述第一燈及第二燈熄燈。
(附記8)
如附記7記載的基板處理裝置，其中，前述基板為具有含OH成分的膜之基板，從前述第1燈及前述第2燈照射的電磁波的波長為被具有前述OH成分的膜吸收的波長。
(附記9)
如附記8記載的基板處理裝置，其中，在啟動前述第1燈及前述第2燈之後，控制成使前述第一基板保持銷及前述第二基板保持銷下降。
(附記10)
如附記9記載的基板處理裝置，其中，與被載置於前述基板載置台的基板的上昇同時，將前述第一燈及第二燈熄燈。
(附記11)
一種基板處理裝置，其特徵係具有： 搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制成第1基板被載置於前述第1基板載置台，且第2基板被載置於前述第2基板載置台，使前述第1基板及前述第2基板上昇時，啟動前述第1燈及第2燈。
(附記12)
一種半導體裝置的製造方法，係使用基板處理裝置的半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具有：搬送室； 處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成，其特徵為具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；前述第2基板搬送構件會在前述第2基板載置台的上方支撐前述另一方的基板的工程；及前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且 前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及第2燈的工程。
(附記13)
一種基板處理方法，係使用基板處理裝置的基板處理方法，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係前述第1處理部及前述第2處理部係配置於前述處理室，在前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成， 其特徵為具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；前述第2搬送構件會在前述第2基板載置台的上方支撐前述另一方的基板的工程；及前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及第2燈的工程。
(附記14)
一種半導體裝置的製造方法，係使用基板處理裝置的半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈； 第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係前述第1處理部及前述第2處理部係配置於前述處理室，在前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成，其特徵為具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；前述基板保持銷及前述第2基板搬送構件會將基板載置於前述第2基板載置台的基板載置工程；在基板被載置於前述基板載置台的狀態下，前述第1燈及前述第2燈會加熱基板的加熱工程；及前述加熱工程之後，成為前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態之前，啟動前述第1燈及前述第2燈的工程。
(附記15)
一種基板處理方法，係使用基板處理裝置的基板處理方法，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係前述第1處理部及前述第2處理部係配置於前述處理室，在前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成，其特徵為具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板 保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；在基板被載置於前述基板載置台的狀態下，前述第1燈及前述第2燈會加熱基板的加熱工程；及前述加熱工程之後，成為前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態之前，啟動前述第1燈及前述第2燈的工程。
(附記16)
一種半導體裝置的製造方法，係具有：第1基板搬送構件會從搬送室將複數的基板搬入至處理室的工程；在被加熱的狀態的第1基板載置部的上方保持前述被搬入的至少1片的基板的工程；更將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；在前述第2基板搬送構件被加熱的狀態的第2基板載置部的上方保持前述另一方的基板的工程；在前述第1基板載置部的上方支撐前述至少1片的基板，且前述另一方的基板在前述第2基板載置部的上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動第1燈及第2燈的工程。
(附記17)
一種程式，係實行使用基板處理裝置的半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成，該半導體裝置的製造方法係具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件 的工程；前述第2基板搬送構件會在前述第2基板載置台的上方支撐前述另一方的基板的工程；及前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及第2燈的工程。
(附記18)
一種記錄媒體，係具有實行使用基板處理裝置的半導體裝置的製造方法的程式，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈； 第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成，該半導體裝置的製造方法係具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；前述第2基板搬送構件會在前述第2基板載置台的上方支撐前述另一方的基板的工程；及前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及第2燈的工程。
另外，本申請案是以2012年9月20日申請之日本出願特願2012-206805為基礎主張優先權者，將其揭示者全部引用。

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制成第1基板被前述第1基板保持銷支撐，且第2基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及前述第2燈。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在啟動前述第1燈及前述第2燈之後，控制成使前述第一基板保持銷及前述第二基板保持銷下降。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述基板為具有含OH成分的膜之基板，從前述第1燈及前述第2燈照射的電磁波的波長為被具有前述OH成分的膜吸收的波長。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，與被載置於前述基板載置台的基板的上昇同時，將前述第一燈及第二燈熄燈。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部係控制成第1基板被前述第1基板保持銷支撐，且第2基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，從前述第1燈對前述第1基板照射電磁波，從前述第2燈對前述第2基板照射電磁波，經過預定的時間後，停止前述第1燈及前述第2燈的電磁波照射。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，在啟動前述第1燈及前述第2燈之後，控制成使前述第一基板保持銷及前述第二基板保持銷下降。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，與被載置於前述基板載置台的基板的上昇同時，將前述第一燈及第二燈熄燈。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述基板為具有含OH成分的膜之基板，從前述第1燈及前述第2燈照射的電磁波的波長為被具有前述OH成分的膜吸收的波長。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，在啟動前述第1燈及前述第2燈之後，控制成使前述第一基板保持銷及前述第二基板保持銷下降。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，與被載置於前述基板載置台的基板的上昇同時，將前述第一燈及第二燈熄燈。
  11. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制成第1基板被載置於前述第1基板載置台，且第2基板被載置於前述第2基板載置台，使前 述第1基板及前述第2基板上昇時，啟動前述第1燈及第2燈。
  12. 一種半導體裝置的製造方法，係使用基板處理裝置的半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具有：搬送室；處理室，其係處理從前述搬送室搬送的基板；第1基板搬送構件，其係將基板從前述搬送室搬送至前述處理室；第1基板載置台，其係配置於前述處理室內，設置第1基板保持銷；第1處理部，其係具有對載置於前述第1基板載置台上的基板照射電磁波的第1燈；第2基板載置台，其係於與前述處理室內的前述搬送室不同的側和前述第1處理部鄰接配置，設置第2基板保持銷；第2處理部，其係具有對載置於前述第2基板載置台上的基板照射電磁波的第2燈；第2基板搬送構件，其係於前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板；及控制部，其係控制前述各構成，其特徵為具有：前述第1基板搬送構件會從前述搬送室將複數的基板搬入至前述處理室的工程；將前述被搬入的至少1片的基板載置於前述第1基板 保持銷，且將另一方的基板移載至前述第2基板搬送構件的工程；前述第2基板搬送構件會在前述第2基板載置台的上方支撐前述另一方的基板的工程；及前述至少1片的基板被前述第1基板保持銷支撐，且前述另一方的基板在前述第2基板載置台上方被前述第2基板搬送構件支撐的狀態下，啟動前述第1燈及第2燈的工程。
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CN108091588B (zh) * 2016-11-21 2019-05-31 北京北方华创微电子装备有限公司 一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备
WO2018125752A1 (en) * 2016-12-31 2018-07-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for wafer rotation to improve spatial ald process uniformity
US20220051912A1 (en) * 2020-08-12 2022-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Gas flow control during semiconductor fabrication

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6390123A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Hitachi Ltd 短時間アニ−ル装置
JPH06242840A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Hitachi Ltd 枚葉式熱処理装置および熱処理温度モニタ方法
JP3891636B2 (ja) * 1997-04-22 2007-03-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体製造装置および半導体ウェハの移載方法
JP2000174094A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP2003037107A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP2010141000A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2010150590A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 キヤノンアネルバ株式会社 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法

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