CN108335998B - 基板处理装置和基板的冷却方法 - Google Patents
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Abstract
能使装到基板保持器具的基板效率良好冷却的基板处理装置和基板的冷却方法。基板处理装置有:处理容器,其底面开口;基板保持器具,其水平保持多张基板并有预定间隔且能在铅垂方向上装载;升降机构,其使基板保持器具升降,能从开口使基板保持器具自处理容器卸载;多个进气管道,其与在卸载后状态下基板保持器具周围相对配置,以预定的多个高度区域分割基板保持器具的高度范围;至少1个排气部件,其与多个进气管道中至少两个共通连通;多个阀,其能单独开闭排气部件和多个进气管道的连通;控制部件,在使基板保持器具下降而从处理容器卸载时,使与多个进气管道相对应的多个阀与基板保持器具的下降联动而以从上到下的顺序从闭依次变成开。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板的冷却方法。
背景技术
以往以来,公知有一种热处理装置,在该热处理装置中,在从前面朝向后面的气流形成用的排气口形成有横向的气流的加载区域内,在热处理炉的下方侧的卸载位置处的基板保持器具与排气口之间设置有排气管道,该排气管道形成有用于对由于卸载而被加热成高温的气氛气体进行抽吸排气的热排气用的排气口(参照例如专利文献1)。
根据该热处理装置,卸载后的高温状态的基板保持器具附近的气氛气体被从排气管道排气,因此,向上方侧的热量扩散被抑制,横向的气流能够向基板保持器具和晶圆组供给而使热处理后的晶圆迅速地降温。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-169367号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,专利文献1所记载的热排气用的排气口沿着与排气管道的基板保持器具相对的面的整个长度方向形成,因此,存在如下问题:抽吸力的损失较大,存在可能未必进行充分的热排气的情况。
也就是说,在卸载的最初的阶段中,基板保持器具的下部仅与排气口的上部相对,但在未与基板保持器具相对的排气口的下部也与上部同样地进行抽吸排气,因此,在排气口的下部,抽吸力被浪费地使用,其结果,存在如下问题:在排气口的上部,存在无法进行充分的热排气的情况。
另外,存在在基板保持器具的下端部设置有被称为保温部的由石英形成的热保温性较高的构件的情况,在该情况下,存在产生如下问题的情况:配置到基板保持器具的下部的晶圆的冷却需要时间,晶圆的输出延迟,生产率降低。
因此,本发明的目的在于提供基板处理装置和基板的冷却方法,即使是设置有那样的保温部的情况下,也能够效率良好地冷却被装载到基板保持器具的基板,使生产率提高。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本发明的一形态的热处理装置具有:
处理容器,其底面开口;
基板保持器具,其水平地保持多张基板,并能够以多张基板具有预定间隔的方式在铅垂方向上装载多张基板;
升降机构,其使该基板保持器具升降,该升降机构能够从所述开口使所述基板保持器具相对于所述处理容器内加载和卸载;
多个进气管道,其与在所述基板保持器具从所述处理容器卸载后的状态下的所述基板保持器具的周围相对地配置,多个进气通道具有以预定的多个高度区域将所述基板保持器具的高度的范围分割的进气口;
至少1个排气部件,其与所述多个进气管道共通地连通;
多个阀,其能够对所述排气部件与所述多个进气管道之间的连通单独地进行开闭;以及
控制部件,在使所述基板保持器具下降而从所述处理容器卸载之际,该控制部件使与所述多个进气管道相对应的所述多个阀与所述基板保持器具的下降联动地以从上到下的顺序从闭依次变化成开。
发明的效果
根据本发明,能够效率良好地冷却基板。
附图说明
图1是概略地表示本发明的实施方式的热处理装置的纵剖视图。
图2是本发明的实施方式的热处理装置的基板保持器具的一个例子的放大图。
图3是表示与本发明的实施方式的热处理装置的空气流动有关的结构的图。
图4是用于说明本发明的实施方式的热处理装置的动作的图。
附图标记说明
10、热处理装置;20、加载区域;24、基板保持器具;26、升降机构;28、保温筒;29、旋转机构;40、热处理炉;41、反应管;42、加热器;50、控制部;60~62、管道;60a~62a、进气口;70~72、开闭阀;80~85、排气风扇;90~92、换热器;W、晶圆;H、高温部。
具体实施方式
以下,参照附图,进行用于实施本发明的形态的说明。
图1是概略地表示本发明的实施方式的热处理装置10的纵剖视图。如图1所示,热处理装置10具有载置台(加载部)12、壳体18、以及控制部50。
载置台(加载部)12设置于壳体18的前部。壳体18具有加载区域(作业区域)20和热处理炉40。加载区域20设置于壳体18内的下方,热处理炉40设置于壳体18内且加载区域20的上方。另外,加载区域20与热处理炉40之间设置有底座19。
热处理炉40是用于对基板(晶圆W)进行热处理的处理炉,也可以是,例如,整体构成为具有纵长的形状。热处理炉40具备反应管41和加热器(加热装置)42。
反应管41是用于收纳晶圆W并对所收纳的晶圆W实施热处理的处理容器。反应管41是例如石英制的,具有纵长的形状,在下端形成有开口43。加热器(加热装置)42以覆盖反应管41的周围的方式设置,能够将反应管41内加热控制成预定的温度例如100℃~1200℃。
在热处理炉40中,向例如收纳到反应管41内的晶圆W供给处理气体,进行CVD(化学气相沉积,Chemical Vapor deposition)、ALD(原子层沉积,Atomic Layer Deposition)等成膜处理。
底座19是用于设置热处理炉40的随后论述的反应管41的例如SUS制的底座,形成有用于将反应管41从下方向上方插入的未图示的开口部。
载置台(加载部)12用于进行晶圆W相对于壳体18内的输入输出。在载置台(加载部)12载置有收纳容器13。收纳容器13是密闭型收纳容器(FOUP),其在前面以可拆装的方式设置有未图示的盖,以预定的间隔收纳多张例如25张左右的晶圆。
另外,也可以是,在载置台12的下方设置有排列装置(对准器)15,该排列装置(对准器)15用于使设置于由随后论述的移载机构27移载来的晶圆W的外周的凹口沿着一方向对齐。
加载区域(作业区域)20用于在收纳容器13与随后论述的基板保持器具24之间进行晶圆W的移载,将基板保持器具24向热处理炉40内输入(加载),将基板保持器具24从热处理炉40输出(卸载)。在加载区域20设置有门机构21、开闭器机构22、盖体23、基板保持器具24、基座25a、25b、升降机构26、以及移载机构27。
门机构21用于将收纳容器13、14的盖拆卸而使收纳容器13、14内与加载区域20内连通开放。
开闭器机构22设置于加载区域20的上方。开闭器机构22以覆盖(或封堵)开口43的的方式设置,以便抑制乃至防止在打开盖体23着时高温的炉内的热量从随后论述的热处理炉40的开口43向加载区域20释放。
盖体23具有保温筒28和旋转机构29。保温筒28设置于盖体23上。保温筒28用于防止基板保持器具24因与盖体23侧之间的传热而被冷却,对基板保持器具24进行保温。保温筒28由石英形成,热的保温效果非常地高。因而,在将晶圆W载置于基板保持器具24并在反应管41内进行了热处理的情况下,存在保温筒28的正上方的晶圆W成为最高温的情况。在本发明的实施方式的热处理装置10中,对在载置到那样的基板保持器具24的下部的晶圆W的温度最高的情况下、高效地冷却下部的晶圆W的热处理装置10进行说明。此外,随后论述高效地冷却基板保持器具24的下部的晶圆W的机构的详细的说明。
旋转机构29安装于盖体23的下部。旋转机构29用于使基板保持器具24旋转。旋转机构29的旋转轴气密地贯穿盖体23,以使配置到盖体23上的未图示的旋转台旋转的方式设置。
升降机构26在基板保持器具24的从加载区域20相对于热处理炉40的输入、输出之际使盖体23升降驱动。并且,在被升降机构26上升后的基板保持器具24向热处理炉40内输入时,盖体23以与开口43抵接而使开口43密闭的方式设置。并且,载置于盖体23的基板保持器具24能够在热处理炉40内以能够使晶圆W在水平面内旋转的方式保持晶圆W。
图2是将基板保持器具24放大来表示的图。基板保持器具24是以水平地保持各晶圆W的状态并以各晶圆具有预定间隔的方式在铅垂方向上装载并保持各晶圆的晶圆保持部件。基板保持器具24例如为石英制,将大口径例如直径300mm的晶圆W以水平状态在上下方向上以预定的间隔(间距)搭载。例如,如图2所示,基板保持器具24使多根例如3根支柱32介于顶板30与底板31之间。在支柱32上设置有用于保持晶圆W的爪部33。另外,也可以与支柱32一起适当设置辅助柱34。
图3是表示与本发明的实施方式的热处理装置10的空气流动有关的结构的图。如图3所示,在加载区域20内具有上层管道60、中层管道61、下层管道62、汇合管道63、64、吹出管道65、滚珠丝杠-引导件收纳管道66、开闭阀70~72、排气风扇80~83、换热器90~92、FFU(风机过滤单元,Fan Filter Unit)100、质量流量控制器110、调整阀120~123、阀130、压差计140、141、氧浓度计150、以及排气管道160。另外,与图1同样地,示出有升降机构26、旋转机构29、保温筒28、基板保持器具24、以及晶圆W。
在加载区域20内的基板保持器具24卸载而下降后的位置的周围,以与晶圆W的侧面相对的方式设置有上层管道60、中层管道61和下层管道62(以下也可以省略而称为“管道60~62”。)。管道60~62以将卸载而下降后的状态的基板保持器具24的高度的范围分割并涵盖各高度区域的方式分割为上层、中层、下层并各自设置有上层管道60的抽吸口60a、中层管道61的抽吸口61a以及下层管道62的抽吸口62a。管道60~62全部构成为进气管道,与排气风扇81、82、83、101连通,利用排气风扇81、82、83、101的排气,从管道60~62进气。管道60~62作为用于对加热后的晶圆W的热进行抽吸、迅速地冷却晶圆W的冷却机构发挥功能。
此外,也能够从管道60~62吹送冷气而冷却晶圆W,但若吹送冷气,则微粒飞扬,有可能载置于晶圆W上。因而,为了不使微粒飞扬,将晶圆W以清洁的状态冷却,因此,管道60~62构成为进气管道。
上层管道60、中层管道61和下层管道62以进气口60a~62a与全部基板保持器具24的卸载位置的周围相对的方式设置,但只要设置于基板保持器具24的附近,其水平面上的配置位置就不受限制。在图3的例子中,在俯视时,上层管道60的进气口60a和中层管道61的进气口61a设置于相同的位置,但下层管道62的进气口62a设置于与进气口60a、61a相反侧的位置。如此,管道60~62的进气口60a~62a只要设置于靠近基板保持器具24的位置,其平面的位置就不受限制。因而,与图3不同,也可以是中层管道61的进气口61a和下层管道62的进气口62a配置于相同的平面位置、上层管道61的进气口60a配置于不同的位置那样的结构。
上层管道60、中层管道61以及下层管道62以分割并涵盖基板保持器具24的高度的范围的方式设置,但也可以是在高度方向上重叠的区域。例如、上层管道60的进气口60a和中层管道61的进气管道61a以重叠的方式设置于相同的平面位置,因此,两者的高度区域被明确地划分,但相对地配置的下层管道62的进气口62a也可以以与中层管道61的进气口61a所涵盖的高度区域局部重叠的方式设置。也就是说,中层管道61的进气口61a的下部与下层管道62的进气口62a的上部即使在高度方向上彼此局部重叠,也没有任何问题。
下层管道62的进气口62a不仅设置于晶圆W保持于基板保持器具24的区域,也可以设置成涵盖到保温筒28的部分。冷却对象准确而言不是基板保持器具24,而是晶圆W,但由石英形成的保温筒28即使被卸载而从反应管41出来,也保持有相当的热量。因而,即使仅对晶圆W的部分进行冷却,正上方的下部的晶圆W也从保温筒28受热,也可能存在晶圆W的冷却没有效率良好地进行的情况,因此,根据需要,也可以设为与保温筒28相对的部分也设置进气口62a的结构。但是,未必需要以涵盖到保温筒28的方式设置进气口62a,也可以根据用途采用。
在中层管道61和下层管道62的内部设置有开闭阀70、71。开闭阀70、71是用于对管道61、62的流路进行封堵的开闭部件,进行如下控制:在卸载的开始时,使开闭阀70、71关闭,基板保持器具24下降而达到了中层管道61的进气口61a的抽吸力所及的范围时使开闭阀70打开,基板保持器具24进一步下降而到达了下层管道62的进气口62a的抽吸力所及的范围时使开闭阀71打开。由此,不浪费地使用排气风扇80~83的抽吸力,能够在基板保持器具24达到了冷却效果的某一范围时进行中层管道71和下层管道72的抽吸动作。此外,随后论述其控制和运转的方法的详细情况。
另外,根据需要,也可以在上层管道60的内部设置开闭阀73。上层管道60内的开闭阀73既可以根据需要设置,有没有都可以。另外,在图3中,在上层管道60内的上部设置有开闭阀73,能够根据用途设置于各种位置。
此外,开闭阀70、71只要能够对管道61、62的流路的阻断和开放进行切换,能够使用包括一般的阀的各种开闭部件。另外,控制部50对开闭阀70、71进行控制而进行开闭阀70、71的开闭动作。
排气风扇80~83是用于经由管道60~62对热量进行排气的排气部件。排气风扇80~83与管道60~62连通地设置,但根据各排气风扇80~82,排气范围不同。
排气风扇80使加载区域20内的N2有效地排气,使加载区域20的内部成为大气的状态。在将加载区域20内置换成大气的情况下,将调整阀120、121、122设为OPEN(开)。
排气风扇81与排气风扇80同样地设置于汇合管道63,但设置于比排气风扇80靠下游侧的位置。在利用排气风扇80进行大气置换的情况下,以将调整阀120、121、122设为OPEN(开)、使排气风扇81、82停止的方式来运用。
在管道62、63内,根据需要设置换热器91。换热器90对所抽吸的热量进行冷却,将冷却后的气体向排气风扇81、82供给。由此,能够进一步提高热量吸收、冷却的效果。此外,换热器90能够根据用途选择使用各种换热器90。
排气风扇82是用于对下层管道62进行排气的排气部件。排气风扇82既可以在基板保持器具24到达了下层管道62的抽吸口62a的抽吸力所及的范围时初次动作,也可以构成为,从最初起就动作,将开闭阀71设为闭而待机,在基板保持器具24靠近抽吸口62a时将开闭阀71设为开。此外,排气风扇82既可以使用具有与排气风扇81同样的结构和功能的排气风扇,也可以根据下层管道62的尺寸使用与排气风扇81不同的排气风扇82。也可以是,根据需要,在排气风扇82的上游侧设置换热器91。其功能与换热器90的功能相同,因此,省略其说明。
排气风扇83是设置于上层管道60内的上层管道60的专用排气风扇。排气风扇83设置为排气风扇81的辅助风扇。由于谋求上层管道60从卸载时的最初到最后进行动作,且长期持续较大的排气力,因此,也可以根据需要设置仅对上层管道60进行排气的排气风扇83。此外,也可以根据需要设置换热器92这点与其他换热器90、91相同。另外,其功能也与换热器90、91的功能相同,因此,省略其详细的说明。
此外,图3所示的排气风扇80~83的配置是一个例子,也可以设置1个以上与管道60~62的全部连通的排气风扇。只要设置有与管道60~62中的至少两个连通的通用的排气风扇80~83,排气风扇80~83就能够设为各种配置结构。
另外,管道60~62并不限于分割成3层的3层结构,既可以是由上层管道60和下层管道62全部涵盖基板保持器具24的高度的范围的两层结构,也可以是中层管道61被进一步分割成多个而成的4层以上的结构。管道60~62的分割数也能够根据用途适当变更。
另外,根据需要,也可以设置与上层管道60连通的吹出管道65、滚珠丝杠-引导件收纳管道66。在图3中,产生从滚珠丝杠-引导件收纳管道66向吹出管道65流动的气流,从吹出管道65进一步向上层管道60流入。如此,根据需要,也可以设置与上层管道60连通的吹出管道65、滚珠丝杠-引导件收纳管道66。此外,也可以根据需要在吹出管道65与上层管道60之间设置有进行连通流路的开闭的开闭阀72。由此,吹出管道65与上层管道60之间的连通也能够根据状况自由地设定。
汇合管道63和下层管道62在汇合管道64处最终汇合。汇合管道64与FFU100连接。FFU100是风扇和过滤器一体化而成的单元,利用设置于FFU100的内部的过滤器102使利用风扇101抽吸来的气体清洁化,进一步利用风扇101向外部吹出。也就是说,风扇101对所抽吸的气体进行清洁化而在加载区域20内形成沿着水平方向供给的气流。
另外,为了对这些排气风扇80~83、101的排气流量进行调整,质量流量控制器(流量控制器)110和调整阀121、122设置于下层管道62和汇合管道63的端部。如此,也可以根据需要设置对排气流量进行控制的部件。
另外,为了对加载区域20的整体的排气进行控制,也可以根据需要设置调整阀123、阀130、压差计140、141、氧浓度计150、排气管道160等。利用压差计140和氧浓度计150对加载区域20内的压力和氧浓度进行计量,利用阀130确定稳定排气的排气量,利用调整阀123进行排气量的调整。排出来的气体被向排气管道160排气,利用压差计141对压力进行管理而向排气设备那一侧排出。
此外,所述各设备的控制由控制部50进行。基板保持器具24的卸载时的开闭阀70~72的开闭控制、排气风扇80~84、101的驱动等也由控制部50进行。
接着,对本发明的实施方式的热处理装置10的动作进行说明。
图4是用于说明本发明的实施方式的热处理装置10的动作的图。在图4中,排气风扇84、85也可以是这样的结构,排气风扇84、85构成为与所有的管道60~62连通并对所有的管道60~62共通地进行排气的排气风扇84、85。其他构成与图3相同,因此,对相同的构成要素标注相同的参照附图标记,省略其说明。
图4的(a)是表示基板保持器具24的卸载开始时的热处理装置10的动作的一个例子的图。图4的(b)是表示基板保持器具24的卸载中途的热处理装置10的动作的一个例子的图。图4的(c)是表示基板保持器具24的卸载结束时的热处理装置10的动作的一个例子的图。图4的(a)相当于卸载开始时的步骤1,图4的(b)相当于卸载中途的步骤2,图4的(c)相当于卸载结束的步骤3。
在图4的(a)中,卸载刚刚开始后,基板保持器具24和保温筒28的温度为约500~700℃。上层管道60、中层管道61、下层管道62最终汇合于汇合管道64,因此,通过使开闭阀70、71关闭,不进行来自中层管道61和下层管道62的进气,能够使来自上层管道60的进气量增加。
如图4的(b)、(c)所示,在图4的(b)的阶段,开始来自中层管道61的进气,在图4的(c)的阶段,开始来自下层管道62的进气。如图4的(a)~(c)所示,来自各管道60~62的进气在步骤中从闭切换成开,从而能够高效地冷却晶圆W,能够缩短冷却时间。
接着,更详细地说明每个步骤的热处理装置10的动作。如图4的(a)所示,在卸载开始时,基板保持器具24的下端部从反应管41下降而出来。因而,保温筒28到达上层管道60的抽吸口60a。此时,开闭阀70、71设为闭,仅从上层管道60进行排气。开闭阀70、71被闭阀,因此,能够使排气风扇84、85的排气力向上层管道60集中,能够最初以较大的排气量冷却晶圆W的高温部H。由此,能够使配置到基板保持器具24的下部的高温部H的晶圆W急剧地冷却。
图4的(b)所示,若进行卸载,则基板保持器具24进一步下降,晶圆W的下部到达中层管道61的进气口61a。此时,将开闭阀70设为开,开始来自中层管道61的排气。由此,基板保持器具24的下部的晶圆W进一步继续受到冷却。另外,上层管道60继续进行抽吸动作。由此,从反应管41新暴露出的晶圆W也被上层管道60冷却。
如图4的(c)所示,若卸载进一步进行,则基板保持器具24进一步下降,移动到最下部。此时,所装载的晶圆W的下部(下端区域)到达与下层管道62的进气口62a相对的位置。此时,若开闭阀71设为开,则开始来自下层管道61的排气。由此,基板保持器具24的下部的晶圆W进一步继续受到冷却。另外,保持开闭阀70开的状态,上层管道60和中层管道61继续进行抽吸动作。由此,从反应管41新暴露出的晶圆W也被上层管道60冷却,并且,被上层管道60冷却后的中层的晶圆W被中层管道61继续冷却。此外,在由石英形成的仿真晶圆装载于基板保持器具24的下部的情况下,仿真晶圆W的部分与进气口62a的大部分相对,进一步成为其上的处理对象的晶圆W的下端区域的至少一部分与进气口62a相对那样的状态。若是处理对象的晶圆W,则即使是石英的仿真晶圆W,进气口62a也以与装载保持到基板保持器具24的晶圆W的保温筒28的正上方的位置相对的方式配置,使处于相对位置的晶圆W冷却。
如此,根据本发明的实施方式的热处理装置10,使靠近保温筒28的基板保持器具24的下部的晶圆W进行最长时间地冷却,并且,在最初的阶段,能够迅速地进行保温筒28和靠近保温筒28的基板保持器具24的下部的晶圆W的冷却。由此,能够积极地冷却靠近保温筒28的基板保持器具24的下部的晶圆W,能够缩短冷却时间。另外,取得整体上的冷却的平衡,能够防止高温部H的冷却延迟而无法排出晶圆W这样的事态的产生。而且,能够降低加载区域20内的温度上升,能够使各构成零部件的热负荷降低。
此外,只要与卸载时的基板保持器具24的下降联动,中层管道61和下层管道62的冷却开始的时刻就能够设定成各种时刻。既可以是,一到达例如中层管道61和下层管道62各自的抽吸力所及的范围,就立刻开始中层管道61和下层管道62的排气,也可以是,在晶圆W的高温部H与中层管道61的进气口61a和下层管道62的进气口62a相对时开始排气。
此外,只要提前动作,冷却动作的开始本身就加快,但排气风扇84、85的排气力被分散,每1个管道60~62的排气量变小,因此,优选根据用途在恰当的时刻开始中层管道60和下层管道61的冷却动作。
另外,基板保持器具24的位置既可以根据旋转机构29的转速来把握,也可以另外设置传感器来进行检测。控制部50通过把握基板保持器具24的位置、特别是高温部H的位置、在预定的位置将开闭阀70、71设为开,使中层管道61和下层管道62的排气动作开始,从而能够高效地冷却高温部H。
以上,详细说明了本发明的优选的实施方式,但本发明并不限制于上述的实施方式,不脱离本发明的范围,就能够对上述的实施方式施加各种变形和置换。
Claims (14)
1.一种热处理装置,其具有:
处理容器,其底面开口;
基板保持器具,其水平地保持多张基板,并能够以多张基板具有预定间隔的方式在铅垂方向上装载多张基板;
升降机构,其使该基板保持器具升降,该升降机构能够从所述开口使所述基板保持器具相对于所述处理容器内加载和卸载;
多个进气管道,其与在所述基板保持器具从所述处理容器卸载后的状态下的所述基板保持器具的周围相对地配置,多个进气管道具有以预定的多个高度区域将所述基板保持器具的高度的范围分割的进气口;
至少1个排气部件,其与所述多个进气管道中的、至少两个进气管道共通地连通;
多个阀,其能够对所述排气部件与所述多个进气管道之间的连通单独地进行开闭;以及
控制部件,在使所述基板保持器具下降而从所述处理容器卸载之际,该控制部件使与所述多个进气管道相对应的所述多个阀与所述基板保持器具的下降联动地以从上到下的顺序从闭依次变化成开。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
所述控制部件在所述基板保持器具到达了所述预定的多个高度区域中的1个时使所对应的所述进气管道的所述阀从闭变化成开。
3.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述基板保持器具在铅垂方向上装载有所述多张基板的区域的正下方具有由石英形成的保温筒,
多个所述进气口中的配置于下端的所述进气口与所述保温筒的正上方的所述多张基板的下端区域的至少一部分相对地配置。
4.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
多个所述进气口中的配置于上端的所述进气口与所述多张基板的上端区域相对地配置。
5.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
多个所述进气口包括配置于上端、下端以及中间的至少3个所述进气口。
6.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
多个所述进气口中的至少1个配置于与其他不同的水平位置。
7.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述多个进气管道在预定部位汇合而形成汇合管道。
8.根据权利要求7所述的热处理装置,其中,
在所述多个进气管道内和所述汇合管道内的预定部位设置换热器。
9.根据权利要求8所述的热处理装置,其中,
所述汇合管道连接过滤器。
10.根据权利要求8或9所述的热处理装置,其中,
所述至少1个排气部件包括与所述换热器相对应地设置的辅助排气部件。
11.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述至少1个排气部件是排气风扇。
12.一种基板的冷却方法,其中,该基板的冷却方法具有:
从处理容器的底面的开口使水平地保持多张基板并以多张基板具有预定间隔的方式在铅垂方向上装载多张基板的基板保持器具下降而进行卸载的工序;以及
使多个进气管道与所述基板保持器具的下降联动而依次从上开始工作的工序,该多个进气管道与所述基板保持器具的周围相对地配置,该多个进气管道具有以预定的多个高度区域分割并涵盖所述基板保持器具的高度的范围的多个进气口。
13.根据权利要求12所述的基板的冷却方法,其中,
所述多个进气管道与共通的排气部件连通,
在所述多个进气管道与所述共通的排气部件之间设置对所述多个进气管道单独地进行开闭的多个阀,
所述多个进气管道通过使所述多个阀依次打开而依次从上开始工作。
14.根据权利要求12或13所述的基板的冷却方法,其中,
所述多个进气管道分别工作的时刻是所述基板保持器具到达了所述预定的多个高度区域的各个高度区域的时刻。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017008917A JP6735686B2 (ja) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 基板処理装置及び基板の冷却方法 |
JP2017-008917 | 2017-01-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108335998A CN108335998A (zh) | 2018-07-27 |
CN108335998B true CN108335998B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=62925471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810050019.5A Active CN108335998B (zh) | 2017-01-20 | 2018-01-18 | 基板处理装置和基板的冷却方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6735686B2 (zh) |
KR (1) | KR102205384B1 (zh) |
CN (1) | CN108335998B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115440633B (zh) * | 2022-10-17 | 2023-07-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备和排气调节机构 |
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-
2017
- 2017-01-20 JP JP2017008917A patent/JP6735686B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-17 KR KR1020180005984A patent/KR102205384B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-18 CN CN201810050019.5A patent/CN108335998B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102205384B1 (ko) | 2021-01-19 |
JP6735686B2 (ja) | 2020-08-05 |
JP2018117103A (ja) | 2018-07-26 |
CN108335998A (zh) | 2018-07-27 |
KR20180086139A (ko) | 2018-07-30 |
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PB01 | Publication | ||
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