TW201349377A - 獨立晶圓處理的方法及設備 - Google Patents

獨立晶圓處理的方法及設備 Download PDF

Info

Publication number
TW201349377A
TW201349377A TW102109891A TW102109891A TW201349377A TW 201349377 A TW201349377 A TW 201349377A TW 102109891 A TW102109891 A TW 102109891A TW 102109891 A TW102109891 A TW 102109891A TW 201349377 A TW201349377 A TW 201349377A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
support assembly
transfer
substrate support
chamber
Prior art date
Application number
TW102109891A
Other languages
English (en)
Inventor
Yao-Hung Yang
Jeonghoon Oh
Frank F Hooshdaran
Tom K Cho
Tao Hou
Yuan-Hung Guo
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201349377A publication Critical patent/TW201349377A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明提供一種能夠獨立將基板置放在兩個或兩個以上基板支撐組件上的基板處理系統。兩組不同的固定長度的升舉銷安置在兩個或兩個以上製程腔室的兩個或兩個以上基板支撐升舉銷組件上，其中在一個製程腔室中的每一升舉銷的長度不同於在另一製程腔室中的每一升舉銷的長度。基板處理系統包括簡化的機械基板支撐升舉銷機構及與基板轉移機構(例如，轉移機器人)配合之最少的配件，用於在雙腔室中的兩個或兩個以上處理區域之間或在兩個或兩個以上製程腔室之間有效地及獨立地裝載、卸載及轉移一或更多個基板。本發明提供一種用於在兩個或兩個以上處理區域或製程腔室中定位待同時或獨立地裝載、卸載或處理的一或更多個基板之方法。

Description

獨立晶圓處理的方法及設備
本發明之實施例大體而言係關於用於處理半導體基板及形成半導體裝置的設備及方法。更特定而言，本發明之實施例係關於具有基板支撐組件及基板處理機構的設備。
在積體電路及平面顯示器製造領域，在一或更多個製程腔室之間於基板上依序執行多個沉積及刻蝕製程以形成各種設計結構。基板處理系統可配備有多個腔室用於執行該等製程，諸如蝕刻、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、腔室清潔及調節，等等。因此，在一或更多個基板上製造裝置一般需要在每一基板處理系統內部於不同處理區域或製程腔室之間以所需順序傳遞及轉移基板(例如，晶圓及其他基板)之適當方法。各種製程腔室、預處理腔室、後處理腔室、儲存腔室及其他腔室之間的基板處理可為基板處理系統的能力的限制因素。基板轉移、定位、裝載及卸載所花費的時間很大程度上影響系統的產量。
舉例而言，習知的半導體CVD系統通常兼備加 熱器升舉機構及晶圓升舉機構以處理製程腔室內部的晶圓轉移。第1A圖及第1B圖為安置於製程腔室10內部的兩個基板支撐組件40的剖視圖。每一基板支撐組件40包括連接至升舉機構26的桿20，升舉機構26經設置為在垂直方向28向上及向下移動基板支撐組件40。因此，基板支撐組件40可移動地定位於製程腔室10內部的基板處理區域中，介於提升的基板處理位置(如第1A圖所圖示)與下降的基板轉移位置(如第1B圖所圖示)之間。
基板支撐組件40包括支撐構件21，支撐構件21 具有嵌入該支撐構件21中之加熱元件22，用於加熱位於支撐構件21的基板支撐表面23上的基板12。基板支撐組件40可進一步包括升舉銷組件，該升舉銷組件具有經安置為穿過支撐構件21的一組升舉銷50。舉例而言，升舉銷50可設置為穿過支撐構件21中的一組對應的升舉銷孔。
每一升舉銷50具有上端51，當基板支撐組件40 處於提升的基板處理位置時，如第1A圖所圖示，上端51大體上與支撐構件21的基板支撐表面齊平或稍微凹入支撐構件21的基板支撐表面。此外，每一升舉銷50具有下端51，該下端51設置為延伸超過基板支撐組件40的支撐構件21的下側。每一升舉銷50的上端51可為喇叭張開形或錐形以防止當該組升舉銷50位於支撐構件21的基板支撐表面23上并與基板支撐組件40(基板支撐組件40又藉由致動器26移動)一起移動時，每一升舉銷50落下穿過升舉銷孔。
該組升舉銷50可藉由升舉銷板34或腔室底部14 移位及當基板支撐組件40下降至接近基板支撐組件40的降低的基板轉移位置時，該組升舉銷50可在支撐構件21的基板支撐表面23的上方延伸。升舉銷板34可經連接至升舉機構36，升舉機構36設置為在垂直方向38向上及向下移動升舉板34(及該組升舉銷50，該組升舉銷50在支撐構件21的基板支撐表面23上方移位)。
如第1B圖所圖示，當基板支撐組件40下降至基 板轉移位置時，升舉銷50在支撐構件21的基板支撐表面23上方延伸使得具有一或更多個基板接觸區17的轉移機器人的機器人葉片16能在水平基板轉移面「S」上以水平方向18移動至製程腔室10內部以裝載及卸載基板。
一般而言，該組升舉銷50係可在藉由轉移機器 人裝載即將進入的基板之後或卸載即將離開的基板之前於基板支撐表面23上方垂直移動一段適當距離及協助基板轉移。 期望減少或去除用於致動升舉銷的機械零件。若去除了移動及致動升舉銷的機械零件，則減少該等零件的潛在機械故障及節省製造該等複雜的機械零件的成本。
另外，基板處理系統之前的轉移機器人一般地設 置為具有多個葉片(例如，雙葉片)，該等葉片在單個基板轉移面(例如，水平基板轉移面「S」)上共同延伸進入及收縮離開兩個製程腔室或兩個處理區域(例如，製程腔室10的處理區域50A及處理區域50B，諸如雙腔室)以節省基板裝載及卸載的時間。然而，當基板處理系統正在使用基板處理順序處理一組基板時，經常留下單個基板(例如，以每次處 理一對兩個基板來處理一組25個基板，會留下一個基板)。 因此，需要獨立裝載及卸載單個基板進入及離開兩個製程腔室或兩個處理區域。
此外，經常需要在兩個或兩個以上製程腔室或處 理區域內對兩個或兩個以上基板上執行不同製程或不同基板處理順序。因此，需要選擇在大的基板處理系統的處理區域或者製程腔室之間裝載及卸載一個或兩個基板，并仍然利用轉移機器人的節省時間的多葉片移動。
因此，需要改良的基板處理系統，該基板處理系 統具有簡化的機械硬體及最少的配件以配合基板轉移機構(例如，多葉片的轉移機器人)，以用於在兩個或兩個以上處理區域或製程腔室之間有效的及獨立的基板裝載、卸載及基板轉移能力。
本發明的實施例為兩個或兩個以上處理區域中 的基板處理提供二組或二組以上的升舉銷，該等升舉銷具有不同的長度及安置於兩個或兩個以上基板支撐組件上，以賦予獨立的晶圓置放能力及去除用於致動各組升舉銷的複雜的機械零件。在一個態樣中，具有獨立的基板置放能力的基板處理系統經設置為具有簡化機械硬體及最少的配件以配合基板轉移機構(例如，轉移機器人)，以用於在兩個或兩個以上製程腔室之間有效及獨立的基板裝載、卸載、基板轉移，及兩個或兩個以上製程腔室中獨立的基板定位。在另一態樣中，藉由將可移動的升舉銷替換為長度固定的升舉銷來改良 兩個或兩個以上製程腔室中的基板定位及升舉銷機構的機械設計，該等長度固定的升舉銷經調適以位於(例如，垂直向上延伸大約該等升舉銷本身長度的一段距離)基板支撐組件及/或每一製程腔室的腔室底部上，其中一個製程腔室中的每一升舉銷的長度不同於另一製程腔室中的每一升舉銷的長度。
在一個實施例中，提供具有兩個或兩個以上基板 處理區域的基板處理系統。基板處理系統包括：第一基板支撐組件，該第一基板支撐組件安置於第一基板處理區域內部；第二基板支撐組件，該第二基板支撐組件安置於第二基板處理區域內部；及第一組升舉銷及第二組升舉銷。第一組升舉銷具有第一長度(L1)及經設置為穿過第一基板支撐組件。第二組升舉銷具有第二長度(L2)及經設置為穿過第二基板支撐組件。在一個態樣中，第二長度(L2)不同於第一長度(L1)。
在另一實施例中，提供具有兩個或兩個以上基板 處理區域的製程腔室及該製程腔室包括：第一基板支撐組件，該第一基板支撐組件安置於第一基板處理區域內部；第二基板支撐組件，該第二基板支撐組件安置於第二基板處理區域內部；第一組升舉銷，該第一組升舉銷具有第一長度(L1)及至少部分地安置於第一基板支撐組件中；及第二組升舉銷，該第二組升舉銷具有第二長度(L2)及至少部分地安置於第二基板支撐組件中，其中第二長度(L2)不同於第一長度(L1)。
亦提供一種用於最佳化兩個或兩個以上製程腔 室之間的基板轉移及基板處理操作的基板處理之方法。在一 個實施例中，一種用於處理製程腔室中的基板的方法包括以下步驟：定位基板支撐組件至垂直較低的基板轉移位置以使得一組升舉銷定位在彈出位置，該組升舉銷設置為在製程腔室的底部腔室主體的表面上方向上延伸該組升舉銷的長度，穿過基板支撐組件，及在基板支撐組件的基板支撐表面上方垂直延伸一段距離。該方法亦包括以下步驟：在第一水平轉移面中轉移基板至製程腔室內部，垂直下降基板，從而將基板置放在一組升舉銷上，該組升舉銷以該組升舉銷的長度定位於彈出位置及基板支撐組件的基板支撐表面上方的一段距離；及垂直提升基板支撐組件，從而將該組升舉銷收縮至基板支撐組件內部進入收縮位置及嚙合基板支撐組件的基板支撐表面上的基板。該方法可進一步包括以下步驟：定位基板支撐組件至垂直較高的基板處理位置。在一個實例中，轉移機器人經設置為在第一水平轉移面中轉移基板至製程腔室內部。
在另一實施例中，該方法進一步包括以下步驟： 垂直向下移動轉移機器人，從而將基板置放在該組升舉銷上，該組升舉銷以該組升舉銷的長度定位於彈出位置及基板支撐組件的基板支撐表面上方的一段距離；及在第二水平轉移面中將轉移機器人自製程腔室中收縮出來，第二水平轉移面垂直低於第一水平轉移面。
在又一實施例中，該方法進一步包括以下步驟： 在製程腔室中處理基板之後將基板支撐組件定位至垂直較低的基板轉移位置，從而垂直下降基板及將該組升舉銷自收縮 位置定位至彈出位置；將基板置放在定位於彈出位置的該組升舉銷上；在第二水平轉移面中將轉移機器人移動至製程腔室內部，該第二水平轉移面垂直低於該組升舉銷的彈出位置；垂直向上移動轉移機器人，從而將基板置放在轉移機器人上；及在第一水平轉移面中自製程腔室中將轉移機器人上具有基板的轉移機器人收縮出來，該第一水平轉移面垂直高於該組升舉銷的位置，并高於第二水平轉移面，該組升舉銷以該組升舉銷的長度定位於彈出位置及基板支撐組件的基板支撐表面上方一段距離。
10‧‧‧製程腔室
12‧‧‧基板
14‧‧‧腔室底部
16‧‧‧機器人葉片
17‧‧‧基板接觸區
18‧‧‧水平方向
20‧‧‧桿
21‧‧‧支撐構件
22‧‧‧加熱元件
23‧‧‧基板支撐表面
26‧‧‧升舉機構
28‧‧‧垂直方向
34‧‧‧升舉銷板
36‧‧‧升舉機構
38‧‧‧垂直方向
40‧‧‧基板支撐組件
50‧‧‧升舉銷
50A‧‧‧處理區域
50B‧‧‧處理區域
51‧‧‧上端
52‧‧‧下端
100‧‧‧基板處理系統
102‧‧‧前端階段區
104‧‧‧移送室
106‧‧‧製程腔室
106A‧‧‧基板處理區域
106B‧‧‧基板處理區域
107‧‧‧製程腔室
107A‧‧‧基板處理區域
107B‧‧‧基板處理區域
108‧‧‧製程腔室
108A‧‧‧基板處理區域
108B‧‧‧基板處理區域
109‧‧‧基板盒
110‧‧‧階段平臺
112‧‧‧轉移機器人/負載鎖定腔室
116‧‧‧轉移機器人/機器人葉片
118‧‧‧方向
124‧‧‧前端基板處理機
202‧‧‧腔室壁
203‧‧‧腔室底部
204‧‧‧蓋組件
208‧‧‧氣體分配系統
209‧‧‧氣體淨化埠
210‧‧‧基板
220‧‧‧支撐構件
222‧‧‧軸
223‧‧‧方向
240‧‧‧基板支撐組件
240A‧‧‧基板支撐組件
240B‧‧‧基板支撐組件
250A‧‧‧升舉銷
250B‧‧‧升舉銷
302‧‧‧壁
304‧‧‧腔室底部
308‧‧‧通道
310‧‧‧通道
312‧‧‧流量閥
314‧‧‧流量閥開口
320‧‧‧方向
320A‧‧‧水平方向
320B‧‧‧水平方向
320C‧‧‧水平方向
330‧‧‧方向
340‧‧‧方向
600‧‧‧方法
610‧‧‧階段
620‧‧‧階段
622‧‧‧步驟
624‧‧‧步驟
626‧‧‧步驟
630‧‧‧階段
632‧‧‧步驟
640‧‧‧階段
642‧‧‧步驟
644‧‧‧步驟
650‧‧‧階段
652‧‧‧步驟
654‧‧‧步驟
656‧‧‧步驟
659‧‧‧升舉銷主體
661‧‧‧下端
663‧‧‧上端
1500‧‧‧時間最佳路徑
1502‧‧‧時間最佳路徑
1504‧‧‧時間最佳路徑
1510‧‧‧時間最佳路徑
1512‧‧‧時間最佳路徑
1514‧‧‧時間最佳路徑
H1‧‧‧高度
H2‧‧‧距離
L1‧‧‧第一長度
L2‧‧‧第二長度
因此，可以詳細理解本發明的上述特徵結構之方 式，即上文簡要概述之本發明的更特定描述可參照實施例進行，該等實施例中之某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應注意，隨附圖式僅圖示本發明的典型實施例，及因此不欲將隨附圖式視為本發明範疇的限制，因為本發明可允許其他同等有效的實施例。
第1A圖為定位於製程腔室內部之基板處理位置的兩個先前技術基板支撐組件的示意性剖視圖。
第1B圖為定位於製程腔室中的基板轉移位置的一個先前技術基板支撐組件的另一示意性剖視圖。
第2圖圖示根據本發明的一個實施例具有多個製程腔室的基板處理系統的一個實例，其中每一製程腔室包括位於兩個基板處理區域中的兩個基板支撐組件，且轉移機器人經調適以獨立地將一個及/或兩個基板裝載及卸載至定位於 每一製程腔室中的基板支撐組件上。
第3A圖圖示根據本發明的一個實施例之轉移機 器人的一個實例的透視圖。
第3B圖圖示根據本發明的不同實施例之轉移機 器人的一個實例的側視圖。
第3C圖圖示根據本發明的不同實施例之轉移機 器人的一個實例的上視圖。
第4A圖圖示具有轉移機器人的移送室的一個實 施例的剖視圖，該轉移機器人安置於該移送室中及設置為垂直移動、水平延伸及收縮穿過流量閥組件及定位在製程腔室的處理區域內外。
第4B圖圖示具有基板支撐組件的製程腔室的一 個實施例的透視圖，該基板支撐組件安置於該製程腔室中。
第5A圖為製程腔室的一個實施例的剖視圖，該 製程腔室具有位於第一處理區域內部的第一基板支撐組件及/或位於第二處理區域內部的第二基板支撐組件，第一基板支撐組件及第二基板支撐組件係定位在基板處理位置中。
第5B圖為具有獨立基板裝載及卸載能力的製程 腔室的另一實施例的剖視圖，其中第一基板支撐組件及第二基板支撐組件係定位在基板轉移位置中。
第6A圖為能夠在關於定位於製程腔室的兩個基 板處理區域中的腔室底部的表面上的兩組升舉銷的相對位置，在多個基板轉移面上轉移一或更多個基板的轉移機器人的一個實施例的剖視圖。
第6B圖為根據本發明的一個實施例顯示藉由轉 移機器人利用不同基板轉移面以自第一基板支撐組件及第二基板支撐組件置放/裝載及移除/卸載一個及/或兩個基板的表格。
第6C圖圖示根據本發明的一個實施例使用轉移 機器人用於基板處理的方法，該轉移機器人設置為具有多於一個基板轉移面以將基板置放在基板支撐組件上及自基板支撐組件移除基板，在該基板支撐組件中具有一組升舉銷(為所要長度)。
第7A圖為移送室及雙製程腔室的一個實施例的 上視圖，圖示在收縮位置準備於移送室內部旋轉或延伸進入另一製程腔室的轉移機器人。
第7B圖為移送室及雙製程腔室的另一實施例的 上視圖，圖示在延伸位置的轉移機器人，其中兩個機器人葉片定位在製程腔室的兩個基板處理區域中。
第8A圖為根據本發明的一個實施例之移送室的 上視圖，圖示基板處理系統中安置於相對位置的製程腔室之間旋轉的轉移機器人的時間最佳路徑。
第8B圖為根據本發明的一個實施例之移送室的 上視圖，圖示在相鄰製程腔室之間旋轉的轉移機器人的時間最佳路徑。
為促進理解，已使用相同元件符號以儘可能地表 示圖中共用的相同元件。預期到一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例，而無需進一步詳述。然而，應注意， 隨附圖式僅圖示本發明的示例性實施例及因此不將隨附圖式視為對本發明範圍的限制，因為本發明可允許其他同等有效的實施例。
本發明的實施例提供用於在製程腔室之間有效 基板轉移及基板處理之系統及方法。提供能夠獨立將基板置放在兩個或兩個以上基板支撐組件上的基板處理系統。兩個或兩個以上基板支撐組件經設置為具有簡化的機械硬體及最少的配件以配合基板轉移機構(例如，轉移機器人)，用於雙腔室中兩個或兩個以上處理區域之間或兩個或兩個以上製程腔室之間的有效的及獨立的基板裝載、卸載、基板轉移。
在兩個或兩個以上製程腔室的兩個或兩個以上 基板支撐組件內部提供二組或二組以上的升舉銷，每一組升舉銷具有不同長度。舉例而言，一個製程腔室中的每一升舉銷的長度不同於另一製程腔室中的每一升舉銷的長度。因此，自位於兩個或兩個以上基板支撐組件上的該組升舉銷移除複雜的零件，諸如升舉板、致動器、波紋管、支撐桿軸環，及因此減少由於該等零件造成的潛在機械故障。藉由以位於每一製程腔室中腔室底部附近的固定長度的靜止或被動可移動的升舉銷替換可移動的升舉銷，改良了兩個或兩個以上製程腔室中的基板定位升舉銷組件的機械設計及減少潛在機械故障。
在一個實例中，兩組不同的固定長度的升舉銷安 置為非常接近製程腔室的兩個處理區域內部的兩個基板支撐 組件(例如，一個處理區域中的每一升舉銷的長度不同於另一處理區域中的每一升舉銷的長度)。一種用於獨立置放基板及在兩個或兩個以上處理區域或製程腔室內外轉移基板的方法亦提供有選擇裝載、卸載或處理一個及/或兩個基板。舉例而言，為了獨立的單個基板或多基板轉移，藉由設置轉移機器人在多個水平基板轉移面上延伸至製程腔室的兩個或兩個以上處理區域內部來最佳化一種用於基板處理的方法。
第2圖圖示基板處理系統100的一個實例，基板 處理系統100具有安裝在移送室104上之多個製程腔室106、107、108，移送室104具有安置於該移送室104中之轉移機器人112。在此實施例中，每一製程腔室106、107、108包括位於基板處理區域中的基板支撐組件，基板處理區域形成於製程腔室106、107、108的腔室壁202的內部。
在另一實施例中，基板處理系統100的每一製程 腔室106、107、108包括兩個基板支撐組件，該兩個基板支撐組件設置為同時處理安置在基板處理區域106A、基板處理區域106B、基板處理區域107A、基板處理區域107B、基板處理區域108A、基板處理區域108B內部的兩個基板支撐組件上的兩個基板210。基板處理系統100因此提供用於高品質基板處理之單個基板製程腔室及多個基板處理、高基板產量及減少的系統佔地面積的優點。
基板處理系統100可為階段性真空處理系統及基 板處理系統100可一般地包括前端階段區102、階段平臺110及後端區，在前端階段區102中定位基板盒109，在階段平臺 110中藉由一或更多個前端基板處理機124將基板210裝載至負載鎖定腔室112及自負載鎖定腔室112卸載基板210，在後端區中容納為製程腔室106、製程腔室107、製程腔室108的操作所需的各種設施，諸如氣體面板、電力分配面板及發電機。通常，基板處理系統100處於真空下，且負載鎖定腔室112可為「泵送」的且隨後基板可被引入基板處理系統100。此外，負載鎖定腔室112可在基板處理前提供基板預熱及/或基板處理後提供基板冷卻。基板處理系統100的細節更詳細地描述於Fairbairn等人的美國專利第6,635,115號及該美國專利相關的專利族中，該等美國專利及專利申請案的揭示內容以引用之方式併入本文。
每一製程腔室106、107、108經設置為執行至少一個基板處理操作，諸如化學氣相沉積(CVD)、週期性層沉積(CLD)、原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)、預清潔、蝕刻、脫氣、定向、預加熱、表面處理、退火及其他製程。提供用於執行製程的製程腔室相對於其他腔室的位置以便說明。如下所述實施例將針對使用一或更多個CVD製程的基板處理系統。然而，將理解，本發明預期其他製程及順序。
通道310位於負載鎖定腔室112的側壁及移送室104的壁302中以允許基板210在方向118移動(例如，自負載鎖定腔室112移動至移送室104中或自移送室104移動至製程腔室106、製程腔室107、製程腔室108中)。當期望隔離或階段性真空時，流量閥312及流量閥致動器用於密封通道310。流量閥及用於控制流量閥的方法係藉由Tepman等人 在美國專利第5,226,632號及藉由Lorimer在美國專利第5,363,872號中揭示，該兩個美國專利以引用方式併入本文。
每一製程腔室106、107、108包括兩個或兩個以 上基板處理區域106A、基板處理區域106B、基板處理區域107A、基板處理區域107B、基板處理區域108A、基板處理區域108B，該等基板處理區域彼此隔離且該等基板處理區域可共享共用的氣體供應及共用的排氣泵。處理區域106A、處理區域106B、處理區域107A、處理區域107B、處理區域108A、處理區域108B可具有與鄰近的處理區域分離的受限電漿區域，該電漿區域有選擇地可與鄰近的基板處理區域經由排氣系統連通。每一腔室106、107、108內部的基板處理區域106A、基板處理區域106B、基板處理區域107A、基板處理區域107B、基板處理區域108A、基板處理區域108B可包括單獨的氣體分配組件及RF電源，以在每一處理區域中的晶圓表面上方提供均勻電漿密度。
因此，製程腔室106、製程腔室107、製程腔室 108經設置為允許在製程腔室的至少兩個基板處理區域中同時執行多個隔離的製程，使得可在單獨的基板處理區域中以高度的製程控制同時選擇處理一個及/或兩個基板，該高度的製程控制藉由共享的氣體源、共享的排氣系統、單獨的氣體分配組件、單獨的RF電源及單獨的溫度控制系統提供。為了便於描述，術語製程腔室的處理區域可用於表示其中進行基板處理的區域或容積。
移送室104一般地含轉移機器人112，轉移機器 人112經由中心通道安裝在移送室104的底部。當允許基板210在基板處理系統100內部轉移及移動時，移送室104可維持在超高真空條件下。氣體淨化埠209經安置為穿過移送室104的底部以在泵送期間提供淨化氣體，從而在移送室104的內部維持真空條件。
轉移機器人112含至少兩個機器人葉片116，該 兩個機器人葉片116經調適以獨立地裝載一個及/或兩個基板至位於每一製程腔室106、107、108中的一個及/或兩個基板支撐組件上及自位於每一製程腔室106、107、108中的一個及/或兩個基板支撐組件上卸載一個及/或兩個基板。如本文使用的術語「基板」一般地包括任何晶圓或其他適當的玻璃、聚合物或金屬基板。基板可包括當安置於製程腔室106、製程腔室107、製程腔室108的基板處理區域106A、基板處理區域106B、基板處理區域107A、基板處理區域107B、基板處理區域108A、基板處理區域108B內部時基板待處理的表面。 此外，基板不受限於任何特定的尺寸或形狀。基板可為圓形的晶圓，該晶圓具有200 mm之直徑或300 mm或450 mm之直徑。基板亦可為任何多邊形、正方形、矩形、曲線形或其他非圓形的工件，諸如用於製造平面顯示器的多邊形玻璃基板。
每一基板表面可包括一或更多個材料層，該一或 更多個材料層用作後續處理操作的基礎。舉例而言，基板可包括一或更多個導電金屬層，諸如鋁、銅、鎢或以上各者的組合。基板亦可包括一或更多個非導電材料層，諸如矽、氧 化矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃及藍寶石。基板亦可包括介電材料層，諸如二氧化矽、有機矽酸鹽及摻雜碳的氧化矽。 進一步而言，取決於應用，基板可包括任何其他材料，該等材料諸如金屬氮化物及金屬合金。在一或更多個實施例中，基板可形成閘極結構，該閘極結構包括閘極介電層及閘電極層以促進與隨後形成在閘極結構上的互連特徵件的連接，該互連特徵件諸如插塞、通孔、觸點、線路及電線。
第3A圖至第3C圖圖示轉移機器人112的一個 實例，該轉移機器人112具有將安置於一個及/或兩個機器人葉片116上的一個及/或兩個基板移動的能力。轉移機器人112經設置為在Z-軸方向340上垂直向上及向下移動。轉移機器人112亦能夠在X-Y面的方向320水平地延伸及收縮(例如，進出每一製程腔室106、107、108)，以及在X-Y面的方向330水平地側向移動。
第4A圖圖示具有轉移機器人116的移送室104 的一個實例，该轉移機器人116安置於该移送室104中及設置為垂直移動及水平延伸及收縮穿過流量閥組件，該等流量閥組件安置於移送室104的壁302上，介於移送室104及每一製程腔室106、107、108之間。每一流量閥組件包括流量閥312及流量閥致動器。流量閥致動器為密封安裝至移送室104的腔室底部304，延伸穿過一或更多個通道308及經調適以致動(例如，打開及關閉)流量閥312。轉移機器人經設置為在水平方向320延伸及收縮以經由通道310穿過每一流量閥312的流量閥開口314(當流量閥312打開時)，從而定位 在製程腔室的處理區域內外。
在一個實施例中，如本文所述之轉移機器人112 經設置為在多個水平基板轉移面(與先前單個基板轉移面相比)上延伸及收縮，利用轉移機器人112的垂直移動能力(例如，在方向340沿Z-軸移動)。定位於移送室104及每一製程腔室106、107、108之間的流量閥312的每一流量閥開口314可具有高度「H1」。因此，轉移機器人112經設置為在一或更多個水平基板轉移面上轉移基板210，其中轉移機器人的一或更多個水平基板轉移面的相對垂直位置經安置在流量閥312的流量閥開口314(具有高度「H1」)的內部。
第4B圖圖示製程腔室106的一個實例，製程腔 室106具有基板處理區域及安置於該基板處理區域中之基板支撐組件。製程腔室106包括腔室壁202、腔室底部203、蓋組件204及安置於製程腔室106中之基板支撐組件240。製程腔室106可為所屬技術領域中所知的用於基板處理的任何類型的製程腔室，該基板處理包括蝕刻、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、腔室清潔、基板研磨及調節等等，其中涉及加熱位於基板處理系統的製程腔室內部的基板(例如，矽基板)的表面。製程腔室106可為可購自Santa Clara,California之Applied Materials的任何基板製程腔室。注意，亦可使用可自其他製造商購得的其他真空腔室以實施本發明。
製程腔室106一般地包括形成在腔室壁202的側 壁中的流量閥開口314，該流量閥開口314具有高度「H1」。 流量閥開口314可藉由流量閥312有選擇地打開或關閉以藉由轉移機器人112提供至製程腔室106內部中的存取，且轉移機器人112正承載的基板能夠被裝載至基板支撐組件240上并自基板支撐組件240上卸載。
腔室壁202可包括腔室襯墊，該腔室襯墊圍繞基 板支撐組件240。腔室襯墊可為可移除的用於維修及清潔。腔室襯墊可由金屬製成，諸如鋁、陶瓷材料或任何其他製程相容材料，且腔室襯墊可經珠粒噴擊以提高表面糙度及/或表面面積，此舉增加了沉積於表面上的任何材料的黏附，從而防止導致製程腔室200污染之材料剝落。此外，泵送通道可形成在腔室襯墊的內部。
在一個實施例中，製程腔室106中具有所需固定 長度的一組升舉銷可經安置為接近基板支撐組件240以配合在製程腔室之間於基板轉移、裝載及卸載期間轉移機器人112的移動及基板支撐組件240的移動。在另一實施例中，安置於基板處理系統100內部的製程腔室106、製程腔室107、製程腔室108的一者中的每一組升舉銷經設置為與製程腔室106、107、108的另一腔室中安置的另一組升舉銷具有不同長度。因此，可去除製程腔室中的零件，諸如升舉銷致動器、馬達、升舉板、升舉銷板，從而避免製程腔室內部的該等部件的可能機械故障及節省設備成本。
蓋組件204可一般地包括噴灑頭組件及連接至噴 灑頭組件的一或更多個進氣口，用於將一或更多個氣體流動穿過噴灑頭組件的進氣口從而接近位於基板支撐組件240上 的基板210的表面。製程氣體可經由一或更多個進氣口進入蓋組件204，該等進氣口與一或更多個氣體分配系統208流體連通，氣體分配系統208包括氣源及/或其他氣體輸送部件，諸如，一般位於腔室壁202外部的氣體混合器。蓋組件204亦可包括一或更多個出氣口。
可選地，蓋組件204可包括分配板及阻隔板，以 用於經由噴灑頭組件提供經控制的及均勻分配的氣體流至製程腔室106內部的基板210之表面上。分配板可包括容納加熱器或加熱流體之一或更多個嵌入通路或通道以提供蓋組件204的溫度控制。電阻加熱元件(未圖示)可嵌入通路內部以加熱分配板。熱電偶可經連接至分配板以調節分配板的溫度。熱電偶可用於反饋迴路中以控制施加至分配板的加熱元件的電流。或者，傳熱媒介或冷卻媒介，若需要，可經過分配板的通路以更好地控制蓋組件204內部的分配板的溫度，此舉取決於製程腔室106內部的製程要求。舉例而言，可使用任何傳熱媒介，諸如氮氣、水、乙二醇或上述各者的混合物。此外，可使用一或更多個加熱燈(未圖示)加熱蓋組件204。通常，加熱燈經佈置在分配板的上表面周圍以藉由輻射加熱蓋組件204的部件，包括分配板。
製程腔室106可包括真空泵及節流閥以調節製程 腔室106內部的氣體流，該氣體流自氣源經由安置於蓋組件204內部的進氣口及噴灑頭組件流至基板210之表面上的處理區域。真空泵經耦接至位於腔室壁202上的真空埠，且真空泵亦可能與腔室襯墊的泵送通路連接或流體連通。因此， 真空泵可耦接至各種機械腔室零件以提供用於任何過量的前驅物氣體或製程腔室106內部產生的不需要的產物氣體或污染物之排出。術語「氣體(gas)」及「氣體(gases)」可交換使用，除非另作說明，否則該等術語代表一或更多個前驅物氣體、反應物氣體、催化劑氣體、載氣、淨化氣體、清潔氣體、上述各者的組合，以及引入腔室壁202的任何其他流體。
第5A圖圖示製程腔室106的處理區域106A及 處理區域106B的側視圖，製程腔室106具有第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B，第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B的每一者定位於基板處理位置中。第5B圖圖示如第5A圖所圖示的製程腔室106，在該製程腔室106中，第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B位於基板轉移位置。一般而言，基板支撐組件的基板處理位置垂直地提升并因此處於比基板轉移位置更高的垂直位置，使得蓋組件的噴灑頭組件及安置於處於基板處理位置的基板支撐組件上的基板之間的處理容積較小，以便均勻氣體分配及有效基板處理，以及減少填充處理容積的製程氣體的使用量。
在一個實施例中，製程腔室106具有兩個基板處理區域106A、106B及提供兩個基板支撐組件240A、240B。在另一實施例中，製程腔室106經調適以選擇處理位於第一基板支撐組件240A及/或第二基板支撐組件240B上的一個及/或兩個基板且製程腔室106提供將基板獨立裝載進入第一基板處理區域106A及第二基板處理區域106B及將基板獨立卸 載離開第一基板處理區域106A及第二基板處理區域106B的能力。
一般而言，製程腔室106的每一基板支撐組件 240A、240B可包括加熱台座或基座，該加熱台座或基座一般包括軸222及支撐構件220。軸222延伸穿過自腔室底部203形成的位於中心的開口，且軸222一般垂直安置於製程腔室106的底部部分中。支撐構件220具有基板支撐表面230以支撐在該支撐構件220上待處理的基板210。舉例而言，支撐構件220可具有平坦的或大體平坦的、圓形的或正方形的表面，用於支撐在該支撐構件220上之大體圓形的或正方形的基板。支撐構件220可一般由鋁或其他適當的材料構成。可選地，支撐構件220可包括可移除的頂板，該頂板例如可由一些其他材料製成，諸如矽、陶瓷或其他適當的材料，以減少基板的背側污染物。
軸222經連接至安置於腔室主體外部的升舉機構(未圖示)。升舉機構在方向223(例如，向上地及向下地)在垂直提升的基板處理位置(如第5A圖所圖示)及垂直較低的基板轉移位置(如第5B圖所圖示)之間於製程腔室206內部垂直移動軸222及支撐構件220。在一個實施例中，支撐構件220的基板轉移位置稍微低於形成在腔室壁202中的流量閥開口314。軸222的升舉機構可藉由波紋管撓性密封至腔室底部203，該等波紋管阻止來自軸222周圍的真空洩露。製程腔室106的基板支撐組件240A、基板支撐組件240B經設置為加熱及/或冷卻基板210。
使用真空卡盤，諸如靜電卡盤，可將基板210固 定至支撐構件222。靜電卡盤通常包括至少一種介電材料，該介電材料圍繞卡盤電極(未圖示)，靜電卡盤可位於支撐構件220的上表面上或形成為支撐構件220的整體部分。靜電卡盤的介電部分將卡盤電極與基板210及與基板支撐組件的其餘部分電性絕緣。
在一或更多個實施例中，支撐構件220可包括一 或更多個鑽孔(例如，升舉銷孔)，該等鑽孔穿過支撐構件220形成以容納各組的一或更多個升舉銷250A及升舉銷250B，升舉銷250A及升舉銷250B分別位於第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B中。每一升舉銷250A、250B由陶瓷或含陶瓷的材料構成，且每一升舉銷250A、250B用於在製程腔室106的第一基板處理區域106A及第二基板處理區域106B的內部置放基板、移動基板及運輸基板。
支撐構件220可藉由連接至支撐構件220的升舉 機構在製程腔室106內部垂直移動，使得支撐構件220與蓋組件204之間的距離可被控制(例如，控制支撐構件220的移動以保持短距離并因此保持小的基板處理容積)。感測器(未圖示)可提供關於製程腔室200內部支撐構件220的位置的資訊。
支撐構件220可進一步包括安置於支撐構件220 周圍的邊緣環(未圖示)。邊緣環為環形的構件，該邊緣環經調適以覆蓋支撐構件220的外周邊并保護支撐構件220免於沉積。邊緣環可位於支撐構件220上或鄰近支撐構件220 以在支撐構件220的外徑及邊緣環的內徑之間形成環形淨化氣體通路。環形淨化氣體通路可與淨化氣體導管流體連通，該淨化氣體導管形成穿過支撐構件220及軸222。淨化氣體導管與淨化氣體供應(未圖示)流體連通以提供淨化氣體至環形淨化氣體通路。可單獨或組合使用任何適當的淨化氣體，諸如氮氣、氬氣或氦氣。在基板處理操作期間，淨化氣體流動穿過淨化氣體導管進入環形淨化氣體通路，及圍繞安置於支撐構件220上的基板的邊緣。因此，配合邊緣環工作之淨化氣體防止在基板的邊緣及/或後側處的沉積。
每一基板支撐組件240A、240B的基板支撐表面 230的溫度亦可藉由流體控制，該流體循環穿過嵌入支撐構件220的主體內部的流體通路。流體通路可與穿過基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的軸222安置的傳熱導管流體連通。流體通路可位於支撐構件220的內部及周圍以提供均勻的傳熱至支撐構件220的基板支撐表面230。流體通路及傳熱導管可使傳熱流體流動以加熱或者冷卻支撐構件220。可使用任何適當的傳熱流體，諸如水、氮氣、乙二醇或上述各者的混合物。
操作中，支撐構件220可經提升至非常接近蓋組 件204以控制基板210之表面上方的反應空間的容積及正在處理的基板210的溫度。同樣地，可使用製程氣體的混合物處理基板210及/或經由蓋組件204的分配板發出的輻射加熱或嵌入支撐構件220內部的加熱元件212來加熱基板210。在一些情況下，在電漿輔助CVD製程中使用電漿以輔助基板 210的表面上的處理。
在基板處理期間，如第5A圖所圖示，當基板支撐組件240A、基板支撐組件240B位於基板支撐組件的基板處理位置時，每一升舉銷250A、250B位於收縮位置(例如，稍微凹入及剛好就位於升舉銷各自的鑽孔或升舉銷孔中)。在一個實施例中，升舉銷250A、升舉銷250B自身不藉由任何升舉機構或致動器是不可移動的。然而，當每一升舉銷250A、250B處於支撐構件內部的升舉銷各自的升舉銷孔(或鑽孔)上的升舉銷提升位置時，如第5A圖所圖示，升舉銷250A、升舉銷250B可連同基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的支撐構件220一起垂直移動(例如，藉由施加至基板組件240A、基板組件240B之軸222的升舉機構的致動力向上及向下地移動)。
處理之後，基板210可藉由軸222的升舉機構下降離開蓋組件204且基板210可使用升舉銷250A、升舉銷250B進一步升舉離開支撐構件220的基板支撐表面230。當每一基板支撐組件240A、240B自基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的提升基板處理位置經致動到達基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的較低基板轉移位置時，如第5B圖所圖示，每一升舉銷250A、250B沿著支撐構件220移動及垂直下降，直至每一升舉銷250A、250B的末端(例如，底端661)最終接觸製程腔室106的腔室底部203為止。
每一升舉銷的長度經設置為足夠長從而垂直高於支撐構件222的基板支撐表面230的平面一段距離安置。 當每一基板支撐組件240A、240B定位在基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的較低基板轉移位置時，每一升舉銷250A、250B隨後藉由腔室底部203支撐及以該升舉銷自身的長度靜止直立。因此，當每一升舉銷250A、250B以升舉銷自身的長度直立在腔室底部203上以處於該升舉銷的靜止彈出位置時，每一升舉銷250A、250B得以升舉離開(或彈出)支撐構件220的基板支撐表面230。
如第5B圖所圖示，當基板支撐組件240A、基板 支撐組件240B處於基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的基板轉移位置時，每一升舉銷250A、250B位於升舉銷250A、升舉銷250B的靜止彈出位置，藉由腔室底部203支撐及以升舉銷250A、升舉銷250B的長度靜止直立。升舉銷250A、升舉銷250B的一部分可仍經安置穿過升舉銷250A、升舉銷250B各自的鑽孔。在一個實施例中，每一升舉銷250A、250B的底端661可具有形狀，該形狀大於每一升舉銷各自鑽孔的形狀或尺寸(例如，較大的直徑)，以使得底端661能提供基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的支撐構件220及腔室底部230之間的空間。
在一或更多個實施例中，兩組升舉銷250A、升 舉銷250B具有不同長度。如第5B圖之實例所圖示，接近第一基板支撐組件240A安置的每一升舉銷250A具有第一長度(L1)及接近第二基板支撐組件240B安置的每一升舉銷250B具有第二長度(L2)。在一個實施例中，第一長度L1不同於第二長度L2。由於升舉銷的不同長度，在基板處理區域106A 內部處於升舉銷250A的靜止彈出位置的每一升舉銷250A的相對垂直位置不同於基板處理區域106B內部處於升舉銷250B的靜止彈出位置的每一升舉銷250B的垂直位置。
在一或更多個實施例中，製程腔室106提供至少 第一組升舉銷250A，該第一組升舉銷250A設置為當第一基板支撐組件240A下降至垂直較低的基板轉移位置時，在第一處理區域106A內部於第一靜止彈出位置(P1)支撐轉移至該第一組升舉銷250A上的基板210。此外，製程腔室106提供至少一第二組升舉銷250B，該第二組升舉銷250B設置為當第二基板支撐組件240B下降至垂直較低的基板轉移位置時，在第二處理區域106B內部於第二靜止彈出位置(P2)支撐轉移至該第二組升舉銷250B上的基板210。
在基板轉移期間，處理的基板係藉由轉移機器人 112自製程腔室106轉移出來及將一個及/或兩個基板裝載至一個及/或兩個基板支撐組件240A、240B上。接著，可將軸222垂直向上移動，直至每一基板支撐組件240A、240B移至基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的基板處理位置為止。在一或更多個實施例中，當每一升舉銷250A、250B的末端(例如，上端663)收縮至升舉銷250A、升舉銷250B各自的鑽孔中時，每一升舉銷250A、250B可連同基板支撐組件240A、基板支撐組件240B的支撐構件220一起向上移動。
在一個態樣中，每一升舉銷的上端663為向上錐 形或喇叭張開形，以使得每一升舉銷250A、250B可安置在支撐構件220的內部、處於升舉銷250A、升舉銷250B的收縮 位置，如第5A圖所圖示(例如，剛好就位於或稍微凹入升舉銷250A、250B各自的鑽孔/孔中)，同時升舉銷250A、升舉銷250B的底端661懸掛於支撐構件220下方。基板處理系統100的製程腔室106內部的第一組升舉銷250A及第二組升舉銷250B經設置為當第一及第二基板支撐組件提升至垂直較高的基板處理位置時，收縮於第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件250B內部。鹹信，基板支撐組件240A、基板支撐組件240B中的升舉銷250A、升舉銷250B的不同長度不影響正常的基板處理操作。
第6A圖為結合藉由轉移機器人112之基板裝載 及卸載移動的安置於製程腔室106的腔室底部203的表面上的兩組升舉銷250A、250B的一個實例。如第6A圖所圖示，兩組升舉銷250A、升舉銷250B在結構上類似。每一升舉銷250A、250B可包括上端663、升舉銷主體659及下端661。 上端663可為向上的錐形(或喇叭張開形)，以使得升舉銷250A、250B經設置為當第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B提升至垂直較高的基板處理位置時得以收縮於第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B內部。
如上所述，轉移機器人112能夠在多個基板轉移 面(例如，基板轉移面「A」、「B」、「C」，如第6A圖所圖示)上轉移基板，只要該等轉移面在流量閥開口314的高度「H1」內。在一個實例中，轉移機器人112的上部基板轉移面「A」及下部基板轉移面「C」之間的距離「H2」小於「H1」。
轉移機器人112經設置為具有兩個或兩個以上機 器人葉片116，每一機器人葉片116經設置為垂直向上及向下及水平地在第一基板轉移面、第二基板轉移面及第三基板轉移面(例如，基板轉移面「A」、基板轉移面「B」及基板轉移面「C」，如第6A圖所圖示)中移動。舉例而言，每一機器人葉片116可在水平方向320A、水平方向320B、水平方向320C延伸及收縮，分別進出第一基板處理區域106A及第二基板處理區域106B。在一個實施例中，提供轉移機器人112的兩個機器人葉片116用於裝載基板至升舉銷250A、升舉銷250B上或自升舉銷250A、升舉銷250B上卸載基板及藉由升舉銷250A、升舉銷250B支撐基板，而不直接將基板置放在支撐構件220的基板支撐表面230上。
由於使用兩組升舉銷且兩組升舉銷具有不同長 度，轉移機器人112可經設置為在一單個裝載移動中選擇置放一個及/或兩個基板210至第一組升舉銷250A(位於第一處理區域106A內部，處於第一靜止彈出位置(P1)，相對於距離腔室底部203的第一長度L1)上，及/或第二組升舉銷250B(位於第二處理區域106B內部，處於第二靜止彈出位置(P2)，相對於距離腔室底部203的第二長度L2)上。
在一或更多個實施例中，轉移機器人112經設置 為在上部轉移面「A」、中間轉移面「B」及下部轉移面「C」之間垂直及水平移動，及轉移機器人112具有傳遞一個或兩個基板至升舉銷250A及/或升舉銷250B上或自升舉銷250A及/或升舉銷250B上移除一個或兩個基板之選擇。以此方式，每一基板可獨立地排列及置放於製程腔室的基板處理區域 中。
第6B圖為顯示藉由轉移機器人112利用不同基 板轉移面「A」、基板轉移面「B」、基板轉移面「C」以自第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B置放/裝載及移除/卸載一個及/或兩個基板210的表格。如第6B圖所圖示，轉移機器人112可設置為在基板轉移面「A」及基板轉移面「B」之間垂直及水平移動，用於獨立地將單個基板(例如，晶圓)置放在第一基板處理區域106A的第一基板支撐組件240A上及自第一基板處理區域106A的第一基板支撐組件240A移除單個基板(例如，晶圓)，而不將基板裝載至第二基板支撐組件240B上。另外，轉移機器人112可經設置為在基板轉移面「B」及基板轉移面「C」之間垂直及水平移動，用於獨立地將單個基板(例如，晶圓)置放在第二基板處理區域106B的第二基板支撐組件240B上及自第二基板處理區域106B的第二基板支撐組件240B移除單個基板(例如，晶圓)。
因此，為了僅轉移一個基板，配備有兩個機器人 葉片116的轉移機器人112經設置為使用兩對不同的基板轉移面以區別基板支撐組件240A、基板支撐組件240B中的何者將執行基板轉移操作。在此情況下，轉移機器人112經設置為獨立地使用一個機器人葉片轉移一個基板，留下另一機器人葉片為空而無任何基板位於該另一機器人葉片上。此外，由於可使用三個水平基板轉移面，轉移機器人可指定及區別兩個機器人葉片中的何者用於單個基板轉移操作中的兩 個基板支撐組件240A、240B中的何者。
方便地，本文所描述的轉移機器人112保持在雙 重基板轉移操作中同時轉移兩個基板進出第一基板支撐組件240A及第二基板支撐組件240B的能力。舉例而言，轉移機器人112可經設置為在基板轉移面「A」及基板轉移面「C」之間垂直及水平移動，用於將兩(2)個基板置放在兩個基板處理區域106A、106B的兩個基板支撐組件240A、240B上或自兩個基板處理區域106A、106B的兩個基板支撐組件240A、240B移除兩(2)個基板。在此情況下，轉移機器人112經設置為使用一對不同的基板轉移面用於雙重基板轉移(例如，一對轉移面「A」及「C」)，該對轉移面不同於用於單個基板轉移的該對基板轉移面(例如，一對轉移面「A」及「B」或一對轉移面「B」及「C」)。
在一或更多個實施例中，進出單個製程腔室的第 一基板處理區域106A及第二基板處理區域106B的基板裝載及卸載可經調適以進出基板處理系統中的兩個不同製程腔室的兩個基板處理區域而操作。製程腔室可為蝕刻腔室、清潔腔室、CVD腔室、PVD腔室、ALD腔室、預熱腔室、退火腔室及上述各者的組合中的任意兩者。如本文論述的機械設計可應用至用於處理任何300 mm基板的製程腔室，其中轉移機器人112的多個基板轉移面在流量閥開口314的高度及尺寸內間隔開，如第6A圖所圖示。相同的基板裝載及卸載機構亦可用於200 mm製程腔室、450 mm製程腔室或任何下一代製程腔室。
第6C圖圖示一種用於使用轉移機器人處理製程腔室(製程腔室106、製程腔室107、製程腔室108，如第2圖所圖示，或任何其他腔室)的基板支撐組件上的基板(例如，基板210)的方法600，該轉移機器人設置具有用於使用轉移機器人的延伸-收縮移動每次轉移一或更多個基板的多於一個基板轉移面之能力。舉例而言，轉移機器人可設置用於選擇使用一個、兩個、三個或三個以上基板轉移面(例如，在如下所述之方法600中使用兩個基板轉移面)來轉移基板。在一個實例中，轉移機器人可經設置具有使用兩個基板轉移面及選擇每次轉移一個或兩個基板的能力。如另一實例，轉移機器人可經設置具有使用三個基板轉移面及選擇每次轉移一個或兩個基板的能力。
如第6C圖所圖示，方法600可一般包括垂直定位基板支撐組件至較低基板轉移位置的階段610、轉移基板至製程腔室內部的階段620，及垂直提升基板支撐組件至較高的基板處理位置用於執行基板處理的階段630。處理基板之後，方法600可進一步包括將基板支撐組件自較高的基板處理位置垂直定位至較低的基板轉移位置的階段640，及將基板自製程腔室中轉移出來的階段650。
在階段610處，當基板支撐組件下降基板轉移位置時，一組升舉銷定位在靜止彈出位置，該組升舉銷設置為在製程腔室的底部腔室主體的表面上方向上延伸(例如，以等於升舉銷本身的長度)，穿過基板支撐組件，并在基板支撐組件的基板支撐表面上方垂直延伸一段距離。
在階段620處，轉移基板至製程腔室內部。在此階段，可在步驟622處使用轉移機器人以裝載基板進入製程腔室。轉移機器人經設置為在多個水平轉移面中延伸及收縮。舉例而言，轉移機器人可經設置具有一或更多個機器人葉片，且每一機器人葉片能支撐在該機器人葉片上的基板。轉移機器人可在第一水平基板轉移面中延伸轉移機器人的多個機器人葉片，以穿過製程腔室的流量閥開口直至一或更多個機器人葉片位於基板支撐組件之頂部上為止。
接著，在步驟624處，轉移機器人(例如，能夠垂直移動并設置具有多個水平基板轉移面)可向下垂直移動。因此，安置於機器人葉片上的基板亦同時垂直下降，直至將基板置放在位於靜止彈出位置的該組升舉銷上為止。
在步驟626處，在裝載基板及藉由該組升舉銷支撐基板之後，轉移機器人可在第二水平基板轉移面中自製程腔室中水平收縮出來。第二水平基板轉移面經設置為垂直低於第一水平轉移面，以及亦垂直低於在靜止彈出位置以該組升舉銷的長度向上定位的該組升舉銷的面。
接著，在階段630處，基板支撐組件經垂直提升(例如，藉由連接至基板支撐組件的軸的升舉機構)。在步驟632處，基板支撐組件內部的該組升舉銷可被動地凹入該組升舉銷各自的鑽孔(例如，位於基板支撐組件的支撐構件中的升舉銷孔)中。最後，該組升舉銷可收縮至該組升舉銷各自的鑽孔內部的收縮位置中，以使得藉由該組升舉銷支撐的基板嚙合至基板支撐組件的基板支撐表面上。當基板支撐 組件為主動可移動的(例如，使用如上所述之升舉機構)且該組升舉銷不直接連接至任何升舉機構時，在階段630期間，每一升舉銷隨後可隨著基板支撐組件被動地及向上地移動。在階段630結束時，基板支撐組件向上移動直至基板支撐組件垂直定位在基板處理位置。此時，基板的表面即將被處理。
接著，在階段640處，在處理基板之後，基板支撐組件可垂直向下移動，隨著位於基板支撐組件上的基板移動。同時，在收縮位置位於該組升舉銷各自的鑽孔內部的該組升舉銷亦隨著基板支撐組件移動及垂直下降。在階段640期間，基板支撐組件可垂直向下移動，隨後，該組升舉銷隨著基板支撐組件被動地移動。在步驟642處，該組升舉銷自該組升舉銷的收縮位置至該組升舉銷的靜止彈出位置定位。將位於每一升舉銷的靜止彈出位置(例如，在腔室底部的頂部以每一升舉銷的長度直立的位置)的每一升舉銷的相對垂直位置設計為高於位於基板轉移位置的基板支撐組件的相對垂直位置。最終，在下降基板支撐組件的階段640結束時，基板支撐組件可經定位至基板支撐組件的垂直較低基板轉移位置。同樣地，在步驟644處，位於基板支撐組件上的基板被傳遞至位於該組升舉銷的靜止彈出位置的該組升舉銷上并藉由該組升舉銷支撐。
隨後，在製程腔室中處理基板并藉由該組升舉銷支撐基板之後，在階段650處，將基板準備自製程腔室中轉移出來。在步驟652處，將轉移機器人用以在第二水平轉移面中水平延伸轉移機器人的機器人葉片至製程腔室內部。將 第二水平轉移面設計為垂直低於該組升舉銷的彈出位置。
在步驟654處，轉移機器人的機器人葉片可自第 二水平轉移面垂直向上移動至第一水平轉移面，從而將基板置放在轉移機器人的機器人葉片上。在步驟656處，其上具有基板的轉移機器人的機器人葉片在第一水平轉移面自製程腔室中收縮出來。一般而言，在第一水平轉移面中之轉移機器人的機器人葉片垂直高於該組升舉銷的彈出位置及高於第二水平轉移面。因此，在階段650結束時，基板位於轉移機器人的機器人葉片上及藉由轉移機器人的機器人葉片支撐及自製程腔室中移除。
第7A圖圖示轉移機器人112的一個實例的示意 性上視圖，轉移機器人112磁性地耦接至移送室104并定位在收縮位置用於在移送室104內部沿著中心軸「X」自由地旋轉。轉移機器人112包含雙晶圓處理葉片(例如，機器人葉片116)以將基板210自一個製程腔室轉移到另一製程腔室。 可經變更及用來有利於本發明的轉移機器人112的一個實例是於1995年11月21日公開的、標題為「Two-axis Magnetically Coupled Robot」的美國專利第5,469,035號的標的，且該實例以引用之方式併入本文。
轉移機器人112可為蛙腿型機器人組件，連接於 兩個真空側輪轂(亦稱為磁性夾)及雙機器人葉片116之間以在固定面(例如，在方向320、方向330中或在中心軸「X」周圍，如第3A圖所圖示)內提供機器人葉片116的徑向移動及旋轉移動兩者。徑向移動及旋轉移動可與垂直移動(例如， 在方向340中)配合或結合從而自基板處理系統100內部的一個位置至另一位置，諸如自一個製程腔室106至另一腔室，拾取、轉移及傳送一個及/或兩個基板210。機器人葉片116可延伸穿過移送室104的壁302上的通道310以傳送基板210進入或離開製程腔室106的處理區域106A、處理區域106B。 一般而言，轉移機器人112上的馬達旋轉移動的組合係用以提供圍繞中心軸「X」旋轉的機器人葉片116的同時延伸或收縮。
第7B圖圖示第7A圖的在延伸位置的轉移機器 人112的實例的機器人葉片116。當一組升舉銷250A、250B處於該組升舉銷250A、250B的彈出位置，在基板支撐組件240A、基板支撐組件240B內的支撐構件220的基板支撐表面230上方時，轉移機器人112的每一機器人葉片116足夠長以延伸穿過通道310及將基板210置放在該組升舉銷250A或250B上(或自該組升舉銷250A或250B移除基板210)。接著，一旦基板210被置放在升舉銷250A或升舉銷250B上，轉移機器人112的機器人葉片116下降及收縮回來，及通道310係藉由流量閥312及致動器關閉，如上所述。
第8A圖圖示用於移送室104內部的轉移機器 人112的時間最佳路徑1500、時間最佳路徑1502、時間最佳路徑1504的上視圖，該圖圖示轉移機器人移動基板210及在基板處理系統中位於相對位置的製程腔室106、製程腔室108之間旋轉。第8B圖圖示用於移送室104內部的轉移機器人112的時間最佳路徑1510、時間最佳路徑1512、時間最佳路 徑1514的上視圖，該圖圖示轉移機器人移動基板210及在相鄰的製程腔室106、製程腔室107之間旋轉。
雖然前述內容係針對本發明的實施例，但在不脫離本發明的基本範圍之情況下，可設計本發明的其他及進一步實施例，及本發明的範圍係藉由隨附申請專利範圍決定。
100‧‧‧基板處理系統
102‧‧‧前端階段區
104‧‧‧轉移腔室
106‧‧‧製程腔室
106A‧‧‧基板處理區域
106B‧‧‧基板處理區域
107‧‧‧製程腔室
107A‧‧‧基板處理區域
107B‧‧‧基板處理區域
108‧‧‧製程腔室
108A‧‧‧基板處理區域
108B‧‧‧基板處理區域
109‧‧‧基板盒
110‧‧‧階段平臺
112‧‧‧轉移機器人/負載鎖定腔室
116‧‧‧轉移機器人/機器人葉片
118‧‧‧方向
124‧‧‧前端基板處理機
202‧‧‧腔室壁
209‧‧‧氣體淨化埠
210‧‧‧基板
302‧‧‧壁
310‧‧‧通道
312‧‧‧流量閥

Claims (20)

  1. 一種基板處理系統，該基板處理系統具有兩個或兩個以上基板處理區域，該基板處理系統包含：一第一基板支撐組件，該第一基板支撐組件安置於一第一基板處理區域內部；一第一組升舉銷，該第一組升舉銷具有一第一長度(L1)及經安置為穿過該第一基板支撐組件；一第二基板支撐組件，該第二基板支撐組件安置於一第二基板處理區域內部；一第二組升舉銷，該第二組升舉銷具有一第二長度(L2)及經安置為穿過該第二基板支撐組件，其中該第二長度(L2)不同於該第一長度(L1)。
  2. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該第一組升舉銷經設置為當該第一基板支撐組件下降至一垂直較低的基板轉移位置時，在該第一處理區域內部於一第一靜止位置(P1)支撐在該第一組升舉銷上轉移的一基板。
  3. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該第二組升舉銷經設置為當該第二基板支撐組件下降至一垂直較低的基板轉移位置時，在該第二處理區域內部於一第二靜止位置(P2)支撐在該第二組升舉銷上轉移的一基板。
  4. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該第一組升舉銷及該第二組升舉銷經設置為當該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件提升至一垂直較高的基板處理位置時，收縮於該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件內部。
  5. 如請求項1所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含設置為具有兩個或兩個以上機器人葉片的一轉移機器人，每一葉片經設置為垂直向上及向下及水平地在一第一轉移面、一第二轉移面及一第三轉移面中移動，其中每一轉移面在該第一基板處理區域及該第二基板處理區域內部間隔一距離。
  6. 如請求項5所述之基板處理系統，其中該轉移機器人經設置為在該第一轉移面及該第二轉移面之間垂直及水平移動，以用於置放一基板至該第一基板處理區域的該第一基板支撐組件上或自該第一基板處理區域的該第一基板支撐組件上移除一基板。
  7. 如請求項5所述之基板處理系統，其中該轉移機器人經設置為在該第二轉移面及該第三轉移面之間垂直及水平移動，以用於置放一基板至該第二基板處理區域的該第二基板支撐組件上或自該第二基板處理區域的該第二基板支撐組件上移除一基板。
  8. 如請求項5所述之基板處理系統，其中該轉移機器人經設置為在該第一轉移面及該第三轉移面之間垂直及水平移動，以用於置放兩個基板至該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件上及自該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件上移除兩個基板，各基板支撐組件上一個基板。
  9. 一種具有兩個或兩個以上基板處理區域之製程腔室，該製程腔室包含：一第一基板支撐組件，該第一基板支撐組件安置於一第一基板處理區域內部；一第一組升舉銷，該第一組升舉銷具有一第一長度(L1)及經安置於該第一基板支撐組件中；一第二基板支撐組件，該第二基板支撐組件安置於一第二基板處理區域內部；一第二組升舉銷，該第二組升舉銷具有一第二長度(L2)及經安置於該第二基板支撐組件中，其中該第二長度(L2)不同於該第一長度(L1)。
  10. 如請求項9所述之製程腔室，其中當該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件下降至一垂直較低的基板轉移位置時，該第一組升舉銷經設置為在該第一處理區域內部於一第一位置(P1)支撐在該第一組升舉銷上轉移的一 基板，及該第二組升舉銷經設置為在該第二處理區域內部於一第二位置(P2)支撐在該第二組升舉銷上轉移的另一基板。
  11. 如請求項9所述之製程腔室，其中該第一組升舉銷及該第二組升舉銷經設置為當該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件提升至一垂直較高的基板處理位置時，收縮於該第一及該第二基板支撐組件內部。
  12. 如請求項9所述之製程腔室，該製程腔室進一步包含設置為具有兩個或兩個以上機器人葉片的一轉移機器人，每一葉片設置為在該第一基板處理區域及該第二基板處理區域內部於三個轉移面中垂直向上及向下及水平地移動。
  13. 如請求項12所述之製程腔室，其中該轉移機器人經設置為獨立地裝載一個基板至該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件中的一者上。
  14. 如請求項12所述之製程腔室，其中該轉移機器人經設置為同時轉移兩個基板進出該第一基板支撐組件及該第二基板支撐組件。
  15. 如請求項9所述之製程腔室，其中該製程腔室為選自由蝕刻腔室、清潔腔室、CVD腔室、PVD腔室、ALD腔室及上述各者的組合組成的群組中的一腔室。
  16. 一種用於處理一製程腔室中的一基板的方法，該方法包含以下步驟：定位一基板支撐組件至一垂直較低的基板轉移位置以使得一組升舉銷定位在一彈出位置，該組升舉銷設置為在該製程腔室的一底部腔室主體的一表面上方向上延伸該組升舉銷的長度，穿過該基板支撐組件，并在該基板支撐組件的一基板支撐表面上方垂直延伸一距離；在一第一水平轉移面中轉移一基板至該製程腔室內部；藉由垂直下降該基板將該基板置放在定位於該彈出位置的一組升舉銷上；以及藉由垂直提升該基板支撐組件及收縮該組升舉銷於該基板支撐組件內部進入一收縮位置將該基板嚙合至該基板支撐組件的該基板支撐表面上。
  17. 如請求項16所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：定位該基板支撐組件至一垂直較高的基板處理位置。
  18. 如請求項16所述之方法，其中一轉移機器人經設置為在該第一水平轉移面中轉移該基板至該製程腔室內部。
  19. 如請求項18所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：垂直向下移動該轉移機器人并將該基板置放在定位於該彈出位置的該組升舉銷上；以及於一第二水平轉移面自該製程腔室將該轉移機器人收縮出來，該第二水平轉移面垂直低於該第一水平轉移面。
  20. 如請求項16所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該製程腔室中處理該基板之後藉由垂直下降該基板將該基板支撐組件定位至該垂直較低基板轉移位置，并將該組升舉銷自該收縮位置定位至該彈出位置；將該基板置放在定位於該彈出位置的該組升舉銷上；在該第二水平轉移面中移動一轉移機器人至該製程腔室內部，該第二水平轉移面垂直低於該組升舉銷的該彈出位置；藉由垂直向上移動該轉移機器人將該基板置放在該轉移機器人上；以及藉由在該第一水平轉移面中收縮該轉移機器人自該移送室移除該基板，該第一水平轉移面垂直高於該組升舉銷的該彈出位置及高於該第二水平轉移面。
TW102109891A 2012-04-27 2013-03-20 獨立晶圓處理的方法及設備 TW201349377A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261639741P 2012-04-27 2012-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201349377A true TW201349377A (zh) 2013-12-01

Family

ID=49477433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102109891A TW201349377A (zh) 2012-04-27 2013-03-20 獨立晶圓處理的方法及設備

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130287529A1 (zh)
TW (1) TW201349377A (zh)
WO (1) WO2013162774A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI681492B (zh) * 2018-02-14 2020-01-01 萬潤科技股份有限公司 載台及使用載台之晶圓量測方法及裝置
CN112534343A (zh) * 2018-09-28 2021-03-19 应用材料公司 用以在平面面板工具中快速装载基板的方法
CN112652563A (zh) * 2019-10-11 2021-04-13 细美事有限公司 用于输送基板的装置和用于处理基板的装置
CN115323356A (zh) * 2021-05-10 2022-11-11 皮考逊公司 衬底处理装置及方法
TWI819597B (zh) * 2021-05-19 2023-10-21 美商應用材料股份有限公司 用以改善晶圓邊緣均勻性的方法及系統

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101212514B1 (ko) * 2010-09-15 2012-12-14 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
KR20150003803A (ko) * 2012-04-12 2015-01-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 독립적으로 회전가능한 웨이스트들을 갖는 로봇 시스템들, 장치 및 방법들
US9330951B2 (en) 2013-06-05 2016-05-03 Persimmon Technologies, Corp. Robot and adaptive placement system and method
JP6114668B2 (ja) * 2013-09-18 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN106229287B (zh) * 2016-09-30 2019-04-05 厦门市三安光电科技有限公司 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法
KR101964150B1 (ko) 2017-01-10 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 기판 세정 장치 및 그것을 이용한 기판 세정 방법
EP3468182A1 (en) * 2017-10-06 2019-04-10 InterDigital VC Holdings, Inc. A method and apparatus for encoding a point cloud representing three-dimensional objects
TWI732420B (zh) * 2020-01-10 2021-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體製程機台
US20220319896A1 (en) * 2021-04-02 2022-10-06 Applied Materials, Inc. Rotating biasable pedestal and electrostatic chuck in semiconductor process chamber
GB202208951D0 (en) * 2022-06-17 2022-08-10 Lam Res Ag System for processing wafer-shaped articles

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217020A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20060156987A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Chien-Hsing Lai Lift pin mechanism and substrate carrying device of a process chamber
JP5073230B2 (ja) * 2006-06-20 2012-11-14 東京応化工業株式会社 支持ピン
US7690881B2 (en) * 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US7988817B2 (en) * 2006-11-10 2011-08-02 Adp Engineering Co., Ltd. Lift pin driving device and a flat panel display manufacturing apparatus having same
KR100754880B1 (ko) * 2006-12-27 2007-09-04 주식회사 아토 웨이퍼 이송 장치
WO2008155932A1 (ja) * 2007-06-19 2008-12-24 Ulvac, Inc. 基板搬送方法
JP5604907B2 (ja) * 2010-02-25 2014-10-15 信越半導体株式会社 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP5101665B2 (ja) * 2010-06-30 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム
KR101212514B1 (ko) * 2010-09-15 2012-12-14 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI681492B (zh) * 2018-02-14 2020-01-01 萬潤科技股份有限公司 載台及使用載台之晶圓量測方法及裝置
CN112534343A (zh) * 2018-09-28 2021-03-19 应用材料公司 用以在平面面板工具中快速装载基板的方法
CN112534343B (zh) * 2018-09-28 2024-02-23 应用材料公司 用以在平面面板工具中快速装载基板的方法
US12061422B2 (en) 2018-09-28 2024-08-13 Applied Materials, Inc. Method for fast loading substrates in a flat panel tool
CN112652563A (zh) * 2019-10-11 2021-04-13 细美事有限公司 用于输送基板的装置和用于处理基板的装置
CN115323356A (zh) * 2021-05-10 2022-11-11 皮考逊公司 衬底处理装置及方法
CN115323356B (zh) * 2021-05-10 2024-05-14 皮考逊公司 衬底处理装置及方法
TWI819597B (zh) * 2021-05-19 2023-10-21 美商應用材料股份有限公司 用以改善晶圓邊緣均勻性的方法及系統

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013162774A1 (en) 2013-10-31
US20130287529A1 (en) 2013-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201349377A (zh) 獨立晶圓處理的方法及設備
US20210090936A1 (en) Carrier plate for use in plasma processing systems
US9355876B2 (en) Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
TWI606542B (zh) Process chamber and semiconductor processing apparatus
US9484233B2 (en) Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
TWI623055B (zh) 適用於電子元件製造中處理基材的處理系統、設備及方法
KR20220108831A (ko) 반도체 프로세싱을 위한 웨이퍼 포지셔닝 페데스탈
JP2022164770A (ja) プラズマ処理装置およびリングアセンブリ
JP2016143836A (ja) 基板処理装置
US20040047993A1 (en) Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices
WO2008005995A2 (en) Thermal wafer processor
JP2016105462A (ja) 搬送される半導体基板の熱制御のためのバッファステーションおよび半導体基板の搬送方法
TWI795570B (zh) 半導體多站處理腔體
TWI642129B (zh) 用於半導體基板處理設備之冷卻銷升降機槳
JP2015511399A (ja) 基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置
CN109478500B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP4653875B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
JP2005223142A (ja) 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置
JP4450983B2 (ja) 液晶表示体基板用プラズマ処理装置
KR20210030917A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2011018908A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2009260022A (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理装置
US11749554B2 (en) Multi-wafer deposition tool for reducing residual deposition on transfer blades and methods of operating the same
JP2006049489A (ja) 基板処理装置