JPS6390123A - 短時間アニ−ル装置 - Google Patents
短時間アニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS6390123A JPS6390123A JP23460186A JP23460186A JPS6390123A JP S6390123 A JPS6390123 A JP S6390123A JP 23460186 A JP23460186 A JP 23460186A JP 23460186 A JP23460186 A JP 23460186A JP S6390123 A JPS6390123 A JP S6390123A
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- Japan
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- electric
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- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
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- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子作製のための熱処理プロセス設備の
運用に係わり、特に短時間アニール装置を含むプロセス
装置用電力設備を最小限のものとするに好適な短時間ア
ニール装置の稼動シーケンス制御システムに関する。
運用に係わり、特に短時間アニール装置を含むプロセス
装置用電力設備を最小限のものとするに好適な短時間ア
ニール装置の稼動シーケンス制御システムに関する。
従来、短時間アニールの必要性とそのためのアニール装
置については、例えば、セミコンダクター・インタナシ
ョナル(Sa+siconductorIntemat
ional) 1985年5月号第79頁から第84頁
において論じられている。短時間アニール装置の使用電
力は一台当りピーク時で30〜150KWと電気炉と同
等もしくはそれ以上のものを必要とするが、枚葉式処理
であるためスループットは電気炉に比し低い、それ故、
従来の電気炉による熱処理を短時間アニール装置で行な
うには、複数台の装置を用いることが必要であり、電力
設備容量の増大が避けられないと見做されていた。
置については、例えば、セミコンダクター・インタナシ
ョナル(Sa+siconductorIntemat
ional) 1985年5月号第79頁から第84頁
において論じられている。短時間アニール装置の使用電
力は一台当りピーク時で30〜150KWと電気炉と同
等もしくはそれ以上のものを必要とするが、枚葉式処理
であるためスループットは電気炉に比し低い、それ故、
従来の電気炉による熱処理を短時間アニール装置で行な
うには、複数台の装置を用いることが必要であり、電力
設備容量の増大が避けられないと見做されていた。
上記短時間アニール装置を複数台用いることに関しては
、従来加熱(即ち電力使用)が断続的であるためとの理
由で、実質的な消費電力量はそれ程増大しないとされて
おり、短時間アニール装置の稼動シーケンス制御を他の
装置との関連なしに行なうことの非現実性について配慮
されておらず、各装置に最大使用電力設備を各々準備す
ることを暗黙に仮定していたので、電力設備が膨大なも
のとなってしまうとの問題があった。
、従来加熱(即ち電力使用)が断続的であるためとの理
由で、実質的な消費電力量はそれ程増大しないとされて
おり、短時間アニール装置の稼動シーケンス制御を他の
装置との関連なしに行なうことの非現実性について配慮
されておらず、各装置に最大使用電力設備を各々準備す
ることを暗黙に仮定していたので、電力設備が膨大なも
のとなってしまうとの問題があった。
本発明の目的は、複数台の短時間アニール装置を使用す
る場合にも、電力設備を最少限とするための短時間アニ
ール装置稼動シーケンス制御の方法を提供することにあ
る。
る場合にも、電力設備を最少限とするための短時間アニ
ール装置稼動シーケンス制御の方法を提供することにあ
る。
上記目的は、各短時間アニール装置の実質使用電力をア
ニールシーケンスを追って詳細にモニタし、各装置のア
ニールシーケンスを時間的にずらせて実質使用電力の合
計が電力供給設備によって決まるある値を起えぬように
制御することにより達成される。
ニールシーケンスを追って詳細にモニタし、各装置のア
ニールシーケンスを時間的にずらせて実質使用電力の合
計が電力供給設備によって決まるある値を起えぬように
制御することにより達成される。
ひとつの短時間アニール装置の実質使用電力の時間変化
は通常大略3つの時間区分(tl、tz 。
は通常大略3つの時間区分(tl、tz 。
ta)に分けられ、初期の昇温加熱時間11内では実質
的に大電力P1を使用するが、それに続くある所望の設
定温度を保つ加熱時間tz内ではPlよりもかなり小さ
な電力Pzを使用するだけでよく、降温およびウェーハ
搬送などの待時間t8内では電力を殆んど使用しない。
的に大電力P1を使用するが、それに続くある所望の設
定温度を保つ加熱時間tz内ではPlよりもかなり小さ
な電力Pzを使用するだけでよく、降温およびウェーハ
搬送などの待時間t8内では電力を殆んど使用しない。
従って、平均的な使用電力は(tzPz+txPz)/
(tx+tz+tδ)であるにも拘らず、電力設備は
Piに相当するものが必要である。複数台の短時間アニ
ール装置を時間的に相関なく稼動させるとするとPlの
装置台数倍の電力設備がいる。しかし、通常ti<lz
≦t8であるので、ある装置がtlの状態にあっても他
の装置をtzもしくはtaの状態にあるようにすれば、
実質的に使用する電力はPIの装置台数倍に較べて半分
以下となるので。
(tx+tz+tδ)であるにも拘らず、電力設備は
Piに相当するものが必要である。複数台の短時間アニ
ール装置を時間的に相関なく稼動させるとするとPlの
装置台数倍の電力設備がいる。しかし、通常ti<lz
≦t8であるので、ある装置がtlの状態にあっても他
の装置をtzもしくはtaの状態にあるようにすれば、
実質的に使用する電力はPIの装置台数倍に較べて半分
以下となるので。
電力供給設備の規模を大幅に小さくすることができる。
以下1本発明の一実施例を第1図および第2図により説
明する。本実施例においては、第1図に示すように、4
台のハロゲンランプ加熱短時間アニール装置1〜4が稼
動シーケンス制御装置5によって時間的相関を持ってシ
ーケンス制御されており、該アニール装置1〜4は共通
の電力供給膜a6より電力を供給されるシステムが用い
られた。
明する。本実施例においては、第1図に示すように、4
台のハロゲンランプ加熱短時間アニール装置1〜4が稼
動シーケンス制御装置5によって時間的相関を持ってシ
ーケンス制御されており、該アニール装置1〜4は共通
の電力供給膜a6より電力を供給されるシステムが用い
られた。
該各アニール装置1〜4は昇温加熱に5秒間を要しく前
述のtlに相当)、その間最大50KWの電力(前述の
Pzに相当)を必要とし、その後、1000℃、10秒
間(前述のtzに相当)の−定温度加熱に30KWの電
力(前述のPzに相当)を要する熱処理に用いられ、更
に、降温とウェーハ交換に要する20秒間(前述のta
に相当)は電力はIKW以下であるようなシーケンスで
繰返し稼動された。このとき、稼動シーケンス制御装置
5によってアニール装置1〜4は第2図a ” dに示
すような時間相関でもって稼動するようにされた。なお
、各アニール装置の使用電力はシーケンス制御装置で常
にモニタされるようにした。このようなシーケンス制御
によって、it!力供給設備6より各アニール装置1〜
4に供給された電力の合計は第2図eに示すようであっ
た。
述のtlに相当)、その間最大50KWの電力(前述の
Pzに相当)を必要とし、その後、1000℃、10秒
間(前述のtzに相当)の−定温度加熱に30KWの電
力(前述のPzに相当)を要する熱処理に用いられ、更
に、降温とウェーハ交換に要する20秒間(前述のta
に相当)は電力はIKW以下であるようなシーケンスで
繰返し稼動された。このとき、稼動シーケンス制御装置
5によってアニール装置1〜4は第2図a ” dに示
すような時間相関でもって稼動するようにされた。なお
、各アニール装置の使用電力はシーケンス制御装置で常
にモニタされるようにした。このようなシーケンス制御
によって、it!力供給設備6より各アニール装置1〜
4に供給された電力の合計は第2図eに示すようであっ
た。
本実施例によれば、第2図eから分るように、各アニー
ル装置1〜4の最大使用電力は50KWであるが、電力
供給設備に要求された仕様は85KWと時間相関シーケ
ンス制御をしない場合に要求される2 00 KWの約
0.43倍で済むという効果がある。
ル装置1〜4の最大使用電力は50KWであるが、電力
供給設備に要求された仕様は85KWと時間相関シーケ
ンス制御をしない場合に要求される2 00 KWの約
0.43倍で済むという効果がある。
なお、本実施例においては各アニール装置に1つの加熱
処理部がある場合について述べたが、アニール装置に複
数個の加熱処理部がある場合には。
処理部がある場合について述べたが、アニール装置に複
数個の加熱処理部がある場合には。
各加熱処理部に対して本実施例と同様の稼動シーケンス
制御を行なうことが有効であることは云うまでもない。
制御を行なうことが有効であることは云うまでもない。
本発明によれば、複数台の短時間アニール装置を使用す
る場合の実質使用電力量を、通常、各アニール装置に必
要な電力の装置台数倍の半分程度以下とすることができ
るので、電力設備に要する費用を従来に比し半減以下と
する顕著な経済的効果がある。
る場合の実質使用電力量を、通常、各アニール装置に必
要な電力の装置台数倍の半分程度以下とすることができ
るので、電力設備に要する費用を従来に比し半減以下と
する顕著な経済的効果がある。
第1図は本発明の一実施例のアニールシステム構成図、
第2図は第1図のアニールシステムの稼動シーケンス制
御の一実施例を説明する図である。 1〜4・・・ハロゲンランプ短時間アニール装置、5・
・・稼動シーケンス制御装置、6・・・電力供給設備。
第2図は第1図のアニールシステムの稼動シーケンス制
御の一実施例を説明する図である。 1〜4・・・ハロゲンランプ短時間アニール装置、5・
・・稼動シーケンス制御装置、6・・・電力供給設備。
Claims (1)
- 1、ランプ加熱装置等の数秒程度の時間内に半導体ウェ
ーハを加熱する短時間アニール装置を少なくとも2台以
上用いるアニール装置において、各装置の使用電力の合
計が所望の値以下に保たれるように各装置の稼動シーケ
ンスを制御する制御部を設けたことを特徴とする短時間
アニール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23460186A JPS6390123A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 短時間アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23460186A JPS6390123A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 短時間アニ−ル装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390123A true JPS6390123A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=16973588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23460186A Pending JPS6390123A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 短時間アニ−ル装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390123A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035984A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
WO2014046081A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP23460186A patent/JPS6390123A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035984A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
WO2014046081A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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