JP6077807B2 - 加熱装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
図1及び図2に、本実施形態に係る半導体製造装置などの基板処理装置10の概要を示す。基板処理装置10は、例えば搬送室12と、搬送室12を中心として配置されるロードロック室14a,ロードロック室14b及び2つの処理室16a,処理室16bと、を備えている。ロードロック室14a,ロードロック室14bの上流側には、カセットなどのフープ(キャリア)とロードロック室14a,ロードロック室14bとの間で基板を搬送する大気搬送室(EFEM:Equipment Front End Module)20が配置されている。大気搬送室20には、例えば25枚の基板22を縦方向に一定間隔を隔てて収容可能なフープ(図示せず)が3台配置されている。また、大気搬送室20内には、大気搬送室20とロードロック室14a,ロードロック室14bとの間で基板22を例えば5枚ずつ搬送する図示しない大気ロボットが配置されている。搬送室12、ロードロック室14a,ロードロック室14b及び処理室16a,処理室16bは、例えばアルミニウム(A5052)等の材料により一体形成された容器(装置本体とも呼ぶ)の内部に構成されている。
なお、第1のガス供給部として、ガス供給機構51aに供給されるガスのガス供給源を含めても良い。同様に、第2のガス供給部として、ガス供給機構51bに供給されるガスのガス供給源を含めても良い。
主に、第1の排気口58、第2の排気口60、第3の排気口62、流量制御バルブ、APCバルブをまとめて排気部と呼ぶ。尚、排気部として真空ポンプを含めても良い。
続いて、本実施形態に係る加熱装置としてのランプハウス52a,ランプハウス52bの構成について図6、図7及び図8を用いて説明する。
図6は、ランプハウス52および基板載置部44を側面から見た図である。図7はランプハウス52を上面から見た図である。図8は、加熱源としてのランプを加熱するランプ加熱機構の構成図である。
ランプハウス52a、ランプハウス52bは同一の構成であるため、ここではランプハウス52として説明する。
尚、n個のサイリスタを使ってn個(nは整数)のゾーンに割り振って管理する場合、サイリスタ900(n)を第nのランプ制御部とする。ここでは、第1のランプ制御部と第2のランプ制御部と第3のランプ制御部と第nのランプ制御部とをまとめてランプ制御部と呼ぶ。
すなわち、第1のゾーンとして、第1のサイリスタ900Aには、ランプ801A−1,801A−2、801A−3,801A−4が接続される。
また、第2のゾーンとして、第2のサイリスタ900Bには、ランプ801B−1、801B−2、801B−3、801B−4が接続される。
また、第3のゾーンとして、第3のサイリスタ900Cには、ランプ801C−1,801C−2,801C−3,801C−4が接続される。
変圧器908は、例えば、交流電圧480Vの電圧を120Vに変圧して第1のサイリスタ900A,第2のサイリスタ900B及び第3のサイリスタ900Cを介して各ランプ801へ供給する。このような構成とすることで、1台当たりのサイリスタの消費電力が低くなり、1つのランプ当たりの消費電力も低くなるため、ランプの寿命を延ばすことができる。
具体的には、第1のサイリスタ900Aに接続されたランプ801A−1の隣りには第2のサイリスタ900Bに接続されたランプ801B−1を、さらにランプ801B−1の隣りには第3のサイリスタ900Cに接続されたランプ801C−1を、さらに801C−1の隣りには第1のサイリスタ900Aに接続されたランプ801A−2を接続する。すなわち、第1のゾーンのランプ→第2のゾーンのランプ→第3のゾーンのランプ→第1のゾーンのランプ→第2のゾーンのランプ→・・・・といったように、同じゾーンに属するランプが隣り合わないように、かつ規則的に配設する。言い換えれば、各ゾーンのランプが円周状に且つ均等に配設されている。
次に、図9を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置10を制御する制御手段としての制御部96を説明する。図9は、図1の基板処理装置10を制御する制御部96の概略構成の一例を示すブロック図である。
操作部コントローラ104は、操作員とのインタフェースであり、ディスプレイなどの表示装置110及びキーボードなどの入力装置(不図示)などを備える。
プロセスチャンバコントローラ98、搬送コントローラ100及びランプ電源コントローラ902には、デジタル信号回線112を通じて、シーケンサ114を介し、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するバルブデジタルI/O116や、各種スイッチ(SW)等のオン/オフを制御するSWデジタルI/O118などが接続される。
なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ121に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
なお、図10の各ステップは、制御部96に設けられた各コントローラによって実行される。
真空ロボット36に搭載された2枚の基板22が処理室16a内に搬入され(ステップS101)、基板載置部44a、基板載置部44bの上面に設けられた基板支持面55a、基板支持面55b上にそれぞれ載置される(ステップS102)。
電源から各サイリスタ900を介して、ランプ801に電力が供給され、ランプ照射が開始される。具体的には、ランプ801が起動され、起動されたランプ801から基板に輻射熱が照射され、基板が加熱される。
ガス供給部は、ガス供給機構51a、ガス供給機構51bから、不活性ガス(例えば窒素(N2)ガス)が処理空間50内に供給される。ガス供給部による供給と併行して、排気部は、排気口62から、処理室内の雰囲気を処理室16a外へ排気する。
この間、ランプ801の故障を検知すると、この故障したランプ801を有するサイリスタ900が断線アラームをシーケンサ114に発する。そして、シーケンサ114がランプ電源コントローラ902に対して信号を送ることにより、故障したランプ801を有するサイリスタ900への電力供給が停止される。故障を検知しなかった場合、ランプ照射を継続する。
ガス供給部によりガスの供給が開始されてから所定の時間が経過したか否か判断される。所定の時間が経過したと判断された場合は、次のステップS106へ進む。経過していないと判断された場合は、ステップS103へ戻り、照射が継続される。
ステップS105にて所定の時間が経過したと判断されたら、すなわち、所定の基板処理が終了したら、ガス供給部は不活性ガス(N2ガス)の供給を停止する。
続いて、ランプ801への電力供給を停止し、基板への輻射熱の照射を停止する。
ランプ801への電力供給を停止したら、ステップS101と逆の手順により、基板22を処理室16aから搬出する。
図11は、比較例に係る基板処理装置に用いられる加熱装置としてのランプハウス910の上面図である。
比較例に係るランプハウス910は、本発明の実施形態に係るランプハウス52と比較して、ランプ801の配置が異なる。すなわち、比較例に係るランプハウス910では、各ゾーンのサイリスタ900に接続されたランプ801がランプベース802に円周上に纏まって隣り合うように配設されている。
具体的には、第1のサイリスタ900Aに接続されたランプ801A−1、801A−2、801A−3、801A−4を隣接して配置し、第2のサイリスタ900Bに接続されたランプ801B−1,801B−2、801B−3、801B−4を隣接して配置し、第3のサイリスタ900Cに接続されたランプ801C−1、801C−2,801C−3,801C−4を隣接して配置する。
すなわち、第1のサイリスタ900Aに接続されたランプ801Aに隣接して、第2のサイリスタBに接続されたランプ801Bが配置され、第2のサイリスタ900Bに接続されたランプ801Bに隣接して、第3のサイリスタ900Cに接続されたランプ801Cが配置されている。
図7の本実施形態に係るランプハウス52を用いて、圧力133Pa(約1Torr)、ランプ電力57%、ヒータ設定温度300℃の条件下で面内均一性0.59%の面内均一性を実現した。さらに、サイリスタの1つに他の2つのサイリスタと比べて性能機差があった場合でも面内均一性に及ぼす影響が少ないことが分かっている。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記1)複数のランプ制御部と、前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群と、前記ランプ制御部を介して、前記ランプ群に電力を供給する電源と、前記ランプ群の各ランプを異なる前記ランプ制御部のランプに隣接するよう配置するランプ配置部と、を有する加熱装置。
(付記2)前記ランプ配置部は、前記ランプを円周状に配置する前記付記1記載の加熱装置。
(付記3)複数のランプ制御部と、前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群と、前記ランプ制御部を介して、前記ランプ群に電力を供給する電源と、前記ランプ群の各ランプを異なる前記ランプ制御部のランプに隣接するよう配置するランプ配置部と、を有する加熱装置と、前記ランプの照射面と対向する位置に設けられた基板載置部を内包する基板処理室と、前記各構成を制御する制御部と、を有する基板処理装置。
(付記4)複数のランプ制御部と、前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群と、前記ランプ制御部を介して、前記ランプ群に電力を供給する電源と、前記ランプ群の各ランプを異なる前記ランプ制御部のランプに隣接するよう配置するランプ配置部と、を有する加熱装置と、前記ランプの照射面と対向する位置に設けられた基板載置部を内包する基板処理室と、前記各構成を制御する制御部と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記基板載置部に基板を載置する工程と、前記電源が前記ランプに電力を供給し、ランプ照射を開始する工程と、前記基板処理室に処理ガスを供給し、前記基板を処理する工程と、前記基板を処理する工程の後、前記ランプ照射を停止する工程と、前記ランプ照射を停止する工程の後、前記基板を前記基板処理室から搬出する工程と、を有する基板処理方法。
(付記5)複数のランプ制御部と、前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群と、前記ランプ制御部を介して、前記ランプ群に電力を供給する電源と、前記ランプ群の各ランプを異なる前記ランプ制御部のランプに隣接するよう配置するランプ配置部と、を有する加熱装置と、前記ランプの照射面と対向する位置に設けられた基板載置部を内包する基板処理室と、前記各構成を制御する制御部と、を有する基板処理装置を用いた半導体製造方法であって、前記基板載置部に基板を載置する工程と、前記電源が前記ランプに電力を供給し、ランプ照射を開始する工程と、前記基板処理室に処理ガスを供給し、前記基板を処理する工程と、前記基板を処理する工程の後、前記ランプ照射を停止する工程と、前記ランプ照射を停止する工程の後、前記基板を前記基板処理室から搬出する工程と、を有する半導体製造方法。
(付記6)前記基板処理工程において、前記制御部が、少なくとも前記ランプの一つが故障したと検知した場合、前記制御部は他のランプの照射を継続するよう制御する前記付記5記載の半導体製造方法。
(付記7)処理室に内包された基板載置部に基板を載置する工程と、電源が、前記基板載置部と対向した位置に配置され、複数のランプ制御部それぞれに接続されているランプ群に電力を供給し、前記基板にランプ照射を開始する工程と、前記処理室に処理ガスを供給し、基板を処理する工程と、前記基板を処理する工程の後、前記ランプ照射を停止する工程と、前記ランプ照射を停止する工程の後、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有し、前記基板を処理する工程の間、前記ランプの故障を検知したら、故障したランプを制御するランプ制御部への電力供給を停止するよう制御する半導体装置の製造方法。
12 搬送室
14a,14b ロードロック室
16a,16b 処理室
20 大気搬送室
22 基板
44a,44b 基板載置部
50 処理空間
52a,52b ランプハウス(加熱装置)
96 制御部
801 ランプ(加熱源)
802 ランプベース(ランプ配置部)
900 サイリスタ(ランプ制御部)
902 ランプ電源コントローラ(電源)
908 変圧器
Claims (6)
- 基板を処理する基板処理装置に設けられる加熱装置であって、
複数のランプ制御部と、
前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群と、
前記ランプ制御部を介して、前記ランプ群に電力を供給する電源と、
前記ランプ群を配置するランプ配置部と、
前記ランプ配置部を支持する側壁と、
前記側壁に固定され、前記ランプ群が配置される空間と前記基板が載置される基板載置部を内包する基板処理室とを隔てる窓と、を有し、
前記ランプ配置部は、前記複数のランプ制御部の一つに接続されている前記ランプ群の各ランプを、前記複数のランプ制御部の一つとは異なる他の前記ランプ制御部に接続されているランプ群のランプに隣接するよう配置し、且つ前記複数のランプ制御部の一つに接続されている前記ランプ群の各ランプを互いに隣り合わないように配置し、且つ前記複数のランプ制御部のそれぞれに接続されている各前記ランプ群を、前記ランプ群それぞれによる前記基板への光の照射範囲が重なり合うように配置する加熱装置。 - 前記ランプ配置部は、前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群を円周状に、且つ規則的に配置する、請求項1記載の加熱装置。
- 前記ランプ制御部は、接続されているランプ群のランプの故障を検知すると信号を発するよう構成され、
前記電源は、前記信号に基づいて、前記信号を発した前記ランプ制御部への電力の供給を停止するよう構成されている、請求項1記載の加熱装置。 - 基板を載置する基板載置部を内包する基板処理室と、前記基板を加熱する加熱装置とを有する基板処理装置であって、
前記加熱装置は、
複数のランプ制御部と、
前記ランプ制御部それぞれに接続されているランプ群と、
前記ランプ制御部を介して、前記ランプ群に電力を供給する電源と、
前記ランプ群を配置するランプ配置部と、
前記ランプ配置部を支持する側壁と、
前記側壁に固定され、前記ランプ群が配置される空間と前記基板処理室とを隔てる窓と、を有し、
前記ランプ配置部は、前記複数のランプ制御部の一つに接続されている前記ランプ群の各ランプを、前記複数のランプ制御部の一つとは異なる他の前記ランプ制御部に接続されているランプ群のランプに隣接するよう配置し、且つ前記複数のランプ制御部の一つに接続されている前記ランプ群の各ランプを互いに隣り合わないように配置し、且つ前記複数のランプ制御部のそれぞれに接続されている各前記ランプ群を、前記ランプ群それぞれによる前記基板への光の照射範囲が重なり合うように配置する基板処理装置。 - 処理室に内包された基板載置部に基板を載置する工程と、
複数のランプ制御部それぞれに接続され、ランプ配置部によって前記基板載置部と対向した位置に配置されるランプ群に、電源からそれぞれの前記ランプ制御部を介して電力を供給し、前記基板にランプ照射を開始する工程と、
前記処理室に処理ガスを供給し、基板を処理する工程と、
前記基板を処理する工程の後、前記ランプ照射を停止する工程と、
前記ランプ照射を停止する工程の後、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有し、
前記複数のランプ制御部の一つに接続されている前記ランプ群の各ランプは、前記複数のランプ制御部の一つとは異なる他の前記ランプ制御部に接続されているランプ群のランプに隣接するよう配置され、且つ前記複数のランプ制御部の一つに接続されている前記ランプ群の各ランプは互いに隣り合わないように配置され、且つ前記複数のランプ制御部のそれぞれに接続されている各前記ランプ群は、前記ランプ群それぞれによる前記基板への光の照射範囲が重なり合うように配置され、
前記ランプ群が配置される空間と前記基板を処理する空間とは、前記ランプ配置部を支持する側壁に固定された窓により隔てられている、
半導体装置の製造方法。 - 前記基板を処理する工程の間、前記ランプ制御部において前記ランプの故障を検知したら、故障したランプを制御する前記ランプ制御部への電力供給を停止する、請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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