KR102548766B1 - 기판 처리 장치 및 발열 부재 제어 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 발열 부재 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하며 복수 개의 발열체를 포함하는 발열 부재와; 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 분사하는 처리액 공급 부재; 그리고, 발열 부재의 고장 여부를 판단하는 발열 부재 검사 유닛을 포함하고, 발열 부재 검사 유닛은, 발열 부재의 이미지를 촬영하여 저장하는 촬영부와; 촬영부로부터 전송받은 이미지를 기반으로 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 발열체의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하는 판단부를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 발열 부재 제어 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE P AND METHOD FOR CONTROLLING HEATING PART}
본 발명은 발열 부재를 포함하는 기판 처리 장치와 발열 부재를 제어하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.
각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다. 최근에는 황산이나 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼 수용액을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다.
고온의 케미칼 수용액을 이용한 기판처리장치에서는 식각률 및 유니포미티를 개선하기 위해 기판을 가열하는 기판 가열 장치가 적용되어 활용되고 있다. 기판 가열 장치에는 복수 개의 램프와 같은 발열체가 제공된다. 기존의 기판 가열 장치의 고장 판단을 위해서 발열체에 전류를 흘려보내 단선 여부를 확인하는 방법을 이용해왔다. 그러나, 이와 같은 방법은 고장난 발열체의 위치를 정확하게 판단하기 어렵고, 발열체의 고장 여부를 확인하였더라도 후속 조치를 하기 어려운 문제가 있다.
본 발명은, 복수 개의 발열체 중 이상이 있는 발열체를 검출할 수 있는 기판 처리 장치 및 발열 부재 제어 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은, 복수 개의 발열체 중 일부의 발열체에 이상이 있더라도 발열 부재가 목표한 온도에 도달할 수 있도록 하는 기판 처리 장치 및 발열 부재 제어 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하며 복수 개의 발열체를 포함하는 발열 부재와; 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 분사하는 처리액 공급 부재; 그리고, 발열 부재의 고장 여부를 판단하는 발열 부재 검사 유닛을 포함하고, 발열 부재 검사 유닛은, 발열 부재의 이미지를 촬영하여 저장하는 촬영부와; 촬영부로부터 전송받은 이미지를 기반으로 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 발열체의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하는 판단부를 포함할 수 있다.
일 예에서, 판단부는, 발열체 각각의 점등 여부 그리고 휘도를 순차적으로 판단할 수 있다.
일 예에서, 판단부는, 발열체 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 개별적으로 판단하여 불량 상태인 발열체의 위치를 검출할 수 있다.
일 예에서, 장치를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 판단부는, 불량 상태인 발열체의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는지 여부인 보상 여부를 판단하여, 보상 여부를 제어기에 전송할 수 있다.
일 예에서, 제어기는, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는 경우 주변 발열체의 휘도를 상향 조절할 수 있다.
일 예에서, 제어기는, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 장치의 인터락을 발생시킬 수 있다.
일 예에서, 발열 부재 검사 유닛은, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 알람을 발생시키는 알람 장치를 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 발열체는 램프로 제공될 수 있다.
일 예에서, 척 스테이지와 함께 회전되도록 척 스테이지에 설치되는 윈도우를 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 노즐 몸체는, 기판의 배면의 식각 처리를 위한 식각액을 기판의 배면으로 공급할 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 기판을 가열하며 복수 개의 발열체를 포함하는 발열 부재와; 발열 부재의 고장 여부를 판단하는 발열 부재 검사 유닛를 포함하고, 발열 부재 검사 유닛은, 발열 부재의 이미지를 촬영하여 저장하는 촬영부와; 촬영부로부터 전송받은 이미지를 기반으로 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 발열체의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하는 판단부를 포함할 수 있다.
일 예에서, 판단부는, 발열체 각각의 점등 여부 그리고 휘도를 순차적으로 판단할 수 있다.
일 예에서, 판단부는, 발열체 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 개별적으로 판단하여 불량 상태인 발열체의 위치를 검출할 수 있다.
일 예에서, 장치를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 판단부는, 불량 상태인 발열체의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는지 여부인 보상 여부를 판단하여, 보상 여부를 제어기에 전송할 수 있다.
일 예에서, 제어기는, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는 경우 주변 발열체의 휘도를 상향 조절할 수 있다.
일 예에서, 제어기는, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 장치의 인터락을 발생시킬 수 있다.
일 예에서, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 알람을 발생시키는 알람 장치를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 발열 부재 제어 방법을 제공한다. 일 예에서, 발열 부재 제어 방법은, 발열 부재의 이미지를 촬영하여 이미지를 기반으로 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 발열체 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하고, 불량 상태인 발열체의 위치를 검출하여 불량 상태인 발열체의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는지 여부를 판단할 수 있다.
일 예에서, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는 경우 주변 발열체의 휘도를 상향 조절할 수 있다.
일 예에서, 주변 발열체가 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 발열 부재의 인터락을 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 복수 개의 발열체 중 이상이 있는 발열체를 검출할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 복수 개의 발열체 중 일부의 발열체에 이상이 있더라도 발열 부재가 목표한 온도에 도달할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 지지 유닛의 단면도이다.
도 5는 발열 부재 제어 방법을 순차적으로 나타내는 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다.
인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. 4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.
인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다.
버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.
메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 처리 장치(1)으로 이송하거나, 각 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다.
이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.
처리 장치(1)은 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 처리 장치(1)을 구비하나, 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 처리 장치(1)은 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리 유체들을 사용하여 가열된 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로 설명한다. 아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다.
그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 기판을 세정, 건조 등과 같은 다양한 처리를 하기 위해 기판을 가열하는 다른 장치에 적용될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 하우징(800), 처리 용기(100), 공정 배기부(500), 지지 유닛(200), 발열 부재(250), 처리액 공급 부재(310), 고정 노즐(900), 발열부 검사 유닛(1000) 그리고 제어기(1500)를 포함한다.
하우징(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 하우징(800) 내부에 하강 기류를 발생시킨다. 일 예에서, 팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 장치이다. 팬필터유닛(810)은, 고습도 외기를 필터링하여 하우징(800) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 팬필터유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직 기류를 형성하게 된다. 이러한 수직 기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리 유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입 덕트들을 통해 공정 배기부(500)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(510) 이외에도 다른 구성이 제공될 수 있다. 일 예에서, 유지보수 영역(818)에는, 승강 유닛(600)의 구동부과, 처리액 공급 부재(310)의 노즐들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치할 수 있다. 유지보수 영역(818)은, 기판 처리가 이루어지는 공정 영역(816)으로부터 격리된다. 바람직하다.
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(200)이 위치된다. 처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다. 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다. 제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
일 예에서, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합될 수 있다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 척 스테이지(210)에 로딩 또는 척 스테이지(210)로부터 언로딩될 때 척 스테이지(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
선택적으로, 처리 용기(100)는 고정되고, 지지 유닛(200)을 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 가열 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수 있다.
공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부를 배기한다. 일 예에서, 공정 배기부(500)는 공정 진행 시, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공한다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 배기라인(510) 그리고 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.
지지 유닛(200)은 공정 진행 시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(200)에 관하여 이하에서 자세히 후술한다.
고정 노즐(900)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(900)은 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)으로 처리 유체를 분사한다. 일 예에서, 고정 노즐(900)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다.
처리액 공급 부재(310)는 기판으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 처리액은, 기판(W) 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 예컨대, 케미컬은 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다.
처리액 공급 부재(310)는 노즐(311), 노즐 암(313), 지지 로드(315), 노즐 구동기(317) 그리고 공급부(320)를 포함한다. 노즐(311)은 공급부(320)를 통해 인산을 공급받는다. 노즐(311)은 기판(W)의 표면으로 인산을 토출한다. 노즐 암(313)의 선단에 노즐(311)이 장착된다. 노즐 암(313)은 노즐(311)을 지지한다. 노즐 암(313)의 후단에는 지지 로드(315)가 장착된다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)의 하부에 위치하며, 노즐 암(313)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 하단에 제공된다. 일 예에서, 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(315)를 회전시킨다. 일 예에서, 지지 로드(315)의 회전으로 노즐 암(313)과 노즐(311)이 지지 로드(315)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(311)은 처리 용기(100)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(311)은 기판(W)의 중심과 가장 자리영역 사이 구간을 스윙 이동하며 인산을 토출할 수 있다.
도 4는 지지 유닛(200)의 단면도이다. 도 4를 참조하면, 지지 유닛(200)은, 척 스테이지(210), 석영 윈도우(220), 회전부(230), 백 노즐부(240), 발열 부재(250), 반사 플레이트(260)를 포함한다.
척 스테이지(210)는 원형의 상부면을 갖으며, 회전부(230)에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(210)의 가장자리에는 척킹 핀(212)들이 설치된다. 척킹 핀(212)들은 석영 윈도우(220)를 관통해서 석영 윈도우(220) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척킹 핀(212)들은 다수의 지지 핀(214)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 또한, 공정 진행시 척킹 핀(212)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 일 예에서, 회전부(230)는 중공형의 형상을 갖고, 척 스테이지(210)와 결합하여 척 스테이지(210)를 회전시킨다.
척 스테이지(210)에는 기판을 가열하기 위한 발열 부재(250)가 제공된다. 일 예에서, 발열 부재(250)는 복수 개의 발열체(252)를 갖는다. 일 예에서, 발열체(252)는 램프로 제공된다. 예컨대, 발열체(252)는 LED램프 또는 IR램프로 제공된다. 일 예에서, 발열체(252)는 링 형상으로 배열될 수 있다. 예컨대, 발열체(252)의 배열은 서로 상이한 직경을 가지고 서로 이격되는 링 형상으로 제공될 수 있다.
일 예에서, 발열 부재(250)는 동심을 가지는 다수의 구역들로 세분될 수 있다. 일 예에서, 각각의 구역에는 각각의 구역을 개별적으로 가열시킬 수 있는 발열체(252)들이 제공된다. 본 실시예에서는 6개의 발열체(252)들이 도시되어 있지만, 이는 하나의 예에 불과하며 발열체(252)들의 수는 원하는 온도 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다.
발열 부재(250)와 척 스테이지(210) 사이에는 발열체(252)들에서 발생되는 열을 상부(기판을 향하도록)로 전달되도록 반사 플레이트(260)이 제공될 수 있다. 반사 플레이트(260)는 회전부(230)의 중앙 공간에 관통하여 설치되는 노즐 몸체에 지지될 수 있다.
일 예에서, 발열 부재(250)와 기판(W) 사이에는 발열체(252)들을 보호하기 위한 석영 윈도우(220)가 설치될 수 있다. 석영 윈도우(220)는 투명할 수 있으며 척 스테이지(210)와 함께 회전될 수 있다. 석영 윈도우(220)는 지지 핀(224)들을 포함한다. 지지 핀(224)들은 석영 윈도우(220)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 석영 윈도우(220)로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(224)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 석영 윈도우(220)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다.
일 예에서, 발열 부재(250)에는 온도 센서(미도시)가 제공될 수 있다. 예컨대, 온도 센서(미도시)는 발열체(252)의 하부에 제공되어 발열체(252)의 개별 온도를 측정할 수 있다. 선택적으로, 온도 센서(미도시)는 비접촉식으로 발열체(252)의 온도를 측정하도록 제공될 수 있다.
백노즐부(240)는 기판의 배면에 약액을 분사하기 위한 것으로, 노즐 몸체(242) 및 약액 분사부(244)를 가진다. 약액 분사부(244)는 척 스테이지(210)와 석영 윈도우(220)의 중앙 상부에 위치된다. 노즐 몸체(242)는 중공형의 회전부(230) 내에 관통 축설되며, 도시하지 않았지만 노즐 몸체(242)의 내부에는 약액 이동 라인, 가스 공급라인 및 퍼지 가스 공급 라인이 제공될 수 있다. 일 예에서, 약액 이동 라인은 기판(W) 배면의 식각 처리를 위한 식각액을 약액 분사부(244)에 공급하고, 가스 공급 라인은 기판(W)의 배면에 식각 균일도 조절을 위한 질소 가스를 공급하고, 퍼지 가스 공급 라인은 석영 윈도우와 노즐 몸체 사이로 식각액이 침투되는 것을 방지하도록 질소 퍼지가스를 공급한다.
발열 부재(250) 검사 유닛(1000)은, 발열 부재(250)가 정상 상태인지 또는 불량 상태 인지 여부를 파악한다. 발열 부재(250) 검사 유닛(1000)은 촬영부(1050)와 판단부(1100)를 포함한다. 촬영부(1050)는, 발열 부재(250)의 이미지를 촬영하여 저장한다. 일 예에서, 촬영부(1050)는 하우징(800)의 내부 공간의 상부 일측에 제공될 수 있다. 선택적으로, 촬영부(1050)는 하우징(800)의 외부 공간에 제공되어 필요 시에 발열 부재(250)의 이미지를 촬영할 수 있도록 제공된다. 판단부(1100)는, 촬영부(1050)로부터 전송받은 이미지를 기반으로 발열체(252)의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 발열체(252)의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단한다. 예컨대, 판단부(1100)에는 각 발열체(252) 마다 요구되는 요구 휘도일 때의 발열체(252)의 이미지가 저장될 수 있다. 일 예에서, 요구 휘도는 각 발열체(252)가 놓인 영역마다 상이할 수 있다. 일 예에서, 지지 유닛의 중심으로부터 멀어질수록 발열체(252)의 요구 휘도는 높게 설정될 수 있다. 선택적으로, 요구 휘도는 각 발열체(252)에서 동일할 수 있다. 일 예에서, 요구 휘도는, 기판을 기 설정 온도로 가열하기 위한 발열 부재(250)의 휘도이다.
도 5는 본 발명의 발열 부재 제어 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다. 도 5의 발열 부재 제어 방법은, 지지 유닛(200) 상에 기판(W)이 제거되었을 때 수행된다.
일 예에서, 판단부(1100)는 촬영부(1050)가 촬영한 발열체(252)의 이미지를 통해 발열 체의 휘도를 인식하고 이를 기반으로 발열체(252)의 점등 여부와 휘도를 판단한다. 선택적으로, 판단부(1100)는, 발열체(252) 각각의 점등 여부 그리고 휘도를 순차적으로 판단할 수 있다. 판단부(1100)는, 발열체(252) 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 개별적으로 판단한다. 그리고 이를 기반으로, 불량 상태인 발열체(252)의 위치를 검출한다. 판단부(1100)는, 불량 상태인 발열체(252)의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체(252)가 불량 상태인 발열체(252)의 휘도를 보상할 수 있는지 여부인 보상 여부를 판단하여, 보상 여부를 제어기(1500)에 전송한다.
제어기(1500)는 판단부(1100)로부터 발열체(252)가 정상 상태인지 또는 불량 상태인지 여부에 관한 정보와 보상 여부에 관한 정보를 전달받는다. 이후, 제어기(1500)는, 주변 발열체(252)가 불량 상태인 발열체(252)의 휘도를 보상할 수 있는 경우 주변 발열체(252)의 휘도를 상향 조절한다. 주변 발열체(252)의 휘도는 불량 상태인 발열체(252)를 제외한 나머지 정상 상태인 발열체(252)가 기판을 기 설정 온도로 가열하기 위한 발열 부재(250)의 휘도로 설정된다. 예컨대, 기판을 기 설정 온도로 균일하게 가열하기 위해 발열부는 복수의 영역으로 나뉘어 각 영역 마다 발열체(252)의 휘도가 상이하게 설정될 수 있다. 정상 상태인 발열체(252)는, 각 영역이 설정된 휘도를 가지도록 불량 상태인 발열체(252)의 휘도를 보상할 수 있다.
제어기(1500)는, 주변 발열체(252)가 불량 상태인 발열체(252)의 휘도를 보상할 수 없는 경우 장치(1)의 인터락을 발생시킬 수 있다. 발열 부재(250) 검사 유닛(1000)은, 주변 발열체(252)가 불량 상태인 발열체(252)의 휘도를 보상할 수 없는 경우 알람을 발생시키는 알람 장치를 더 포함할 수 있다. 이에, 주변 발열체(252)가 불량 상태인 발열체(252)의 휘도를 보상할 수 없는 경우, 장치가 인터락되고 알람이 발생할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 가열하며 복수 개의 발열체를 포함하는 발열 부재와;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 분사하는 처리액 공급 부재;
    상기 발열 부재의 고장 여부를 판단하는 발열 부재 검사 유닛; 및
    상기 장치를 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 발열 부재 검사 유닛은,
    상기 발열 부재의 이미지를 촬영하여 저장하는 촬영부와;
    상기 촬영부로부터 전송받은 상기 이미지를 기반으로 상기 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 상기 발열체의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하는 판단부를 포함하되;
    상기 판단부는,
    상기 발열체 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 개별적으로 판단하여 상기 불량 상태인 상기 발열체의 위치를 검출하고, 상기 불량 상태인 상기 발열체의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는지 여부인 보상 여부를 판단하여, 상기 보상 여부를 상기 제어기에 전송하고,
    상기 제어기는,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는 경우 상기 주변 발열체의 휘도를 상향 조절하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 판단부는,
    상기 발열체 각각의 점등 여부 그리고 휘도를 순차적으로 판단하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 상기 장치의 인터락을 발생시키는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발열 부재 검사 유닛은,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 알람을 발생시키는 알람 장치를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발열체는 램프로 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛과 함께 회전되도록 상기 지지 유닛에 설치되는 윈도우를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 처리액 공급 부재는,
    상기 기판의 배면의 식각 처리를 위한 식각액을 상기 기판의 배면으로 공급하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 기판을 가열하며 복수 개의 발열체를 포함하는 발열 부재;
    상기 발열 부재의 고장 여부를 판단하는 발열 부재 검사 유닛; 및
    상기 장치를 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 발열 부재 검사 유닛은,
    상기 발열 부재의 이미지를 촬영하여 저장하는 촬영부와;
    상기 촬영부로부터 전송받은 상기 이미지를 기반으로 상기 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 상기 발열체의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하는 판단부를 포함하되;
    상기 판단부는,
    상기 발열체 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 개별적으로 판단하여 상기 불량 상태인 상기 발열체의 위치를 검출하고, 상기 불량 상태인 상기 발열체의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는지 여부인 보상 여부를 판단하여, 상기 보상 여부를 상기 제어기에 전송하고,
    상기 제어기는,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는 경우 상기 주변 발열체의 휘도를 상향 조절하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 판단부는,
    상기 발열체 각각의 점등 여부 그리고 휘도를 순차적으로 판단하는 기판 처리 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 상기 장치의 인터락을 발생시키는 기판 처리 장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 알람을 발생시키는 알람 장치를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 복수 개의 발열체를 포함하는 발열 부재를 제어하는 방법에 있어서,
    상기 발열 부재의 이미지를 촬영하여 상기 이미지를 기반으로 상기 발열체의 휘도를 요구 휘도와 비교하여 상기 발열체 각각의 정상 상태 여부 또는 불량 상태 여부를 판단하고,
    상기 불량 상태인 상기 발열체의 위치를 검출하여 상기 불량 상태인 상기 발열체의 주변 영역에 위치하는 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는지 여부를 판단하며,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 있는 경우 상기 주변 발열체의 휘도를 상향 조절하는 발열 부재 제어 방법.
  19. 삭제
  20. 제18항에 있어서,
    상기 주변 발열체가 상기 불량 상태인 발열체의 휘도를 보상할 수 없는 경우 상기 발열 부재의 인터락을 발생시키는 발열 부재 제어 방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014060275A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 加熱装置、基板処理装置及び半導体製造方法
WO2017204083A1 (ja) 2016-05-26 2017-11-30 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ加熱保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
KR102102371B1 (ko) * 2018-10-17 2020-04-21 세메스 주식회사 기판 가열 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 가열 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101865363B1 (ko) * 2016-05-03 2018-06-08 유원엘디에스(주) Led 모듈 검사방법 및 led 모듈 검사장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014060275A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 加熱装置、基板処理装置及び半導体製造方法
WO2017204083A1 (ja) 2016-05-26 2017-11-30 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ加熱保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
KR102102371B1 (ko) * 2018-10-17 2020-04-21 세메스 주식회사 기판 가열 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 가열 방법

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