CN102077316A - 用于高产量及稳定逐基材表现的快速周期和广泛的后期紫外臭氧清洗程序的添加 - Google Patents

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Abstract

一种清洁一基材处理室的方法，包含在界定出一或多个处理区的处理室内处理一批次基材。可在一子例程中执行该批次基材的处理，其中该子例程具有多个子步骤，包含：在该处理室内处理来自该批次的一基材；从该处理室中移出该基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟。可重复该等基材批处理子步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。在处理该批次内的最后一个基材之后，该方法包含：从该处理室中移出该最后一个基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。

Description

用于高产量及稳定逐基材表现的快速周期和广泛的后期紫外臭氧清洗程序的添加
技术领域
本发明实施例大体而言是有关于一种清洁一基材处理室的方法。更明确地说，本发明实施例是有关于在用来执行基材上的介电薄膜的硬化工艺的紫外光室内清洁表面的方法。
背景技术
具有低介电常数(低k)的材料，例如氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiCx)、及掺杂碳的氧化硅(SiOCx)，非常广泛使用在半导体组件的制造中。使用低k材料做为导电内联机之间的金属导线间及/或层间介电层可因为电容效应而减少讯号传递的延迟。介电层的介电常数越低，介电质的电容就越低，并且集成电路(IC)的RC(阻容)延迟就越低。
低介电常数介电材料一般定义为介电常数k低于二氧化硅者的材料-也就是k＜4，得到低k材料的典型方法包含以含碳或氟的多种官能基掺杂二氧化硅。氟化硅酸盐玻璃(FSG)通常拥有3.5-3.9的k值，但碳掺杂方法可进一步将k值降低至约2.5。目前致力于发展低k介电材料，通常称为超低k(ULK)介电质，具有用于最先进技术所需的低于2.5的k值。
一种在半导体基材上形成含硅薄膜的方法是通过在一腔室内的化学气相沉积(CVD)工艺。常在含硅薄膜CVD期间使用有机硅供给材料。由于此种硅供给材料内存有碳，该腔室壁及该基材上可形成含碳薄膜。
此外，可通过在一低k介电基质中并入气隙，产生一多孔介电材料来取得超低k(ULK)介电材料。制造多孔介电质的方法通常包含形成含有两种成分的“前驱薄膜”：一成孔剂(通常是一种有机材料，例如碳氢化合物)及一结构形成剂或介电材料(例如，一种含硅材料)。一旦该前体薄膜形成在该基材上，即可除去该成孔剂成分，留下一结构未受影响的多孔介电基质或网状氧化物(oxide network)。
从前体薄膜除去成孔剂的技术包含，例如，一种热工艺，其中该基材被加热至足以让该有机成孔剂分解及挥发的温度。从前体薄膜除去成孔剂的一已知热工艺包含紫外线硬化工艺，以辅助CVD氧化硅薄膜之后处理。例如，美国专利第6,566,278号及第6,614,181号，两者皆核准予应用材料公司并且在此将其全文并入本文中，描述使用紫外光来进行CVD掺杂碳的氧化硅薄膜之后处理。
但是，在用来除去成孔剂的紫外线硬化工艺之后，该紫外线处理室可能会涂覆上完整的成孔剂、成孔剂的破裂碎片、及其它成孔剂残余物，包含涂覆让紫外线可以抵达该基材的窗口。随着时间过去，该成孔剂残余物会因为降低基材可得的有效UV强度和累积在该腔室的较冷部件上而降低后续紫外线成孔剂移除工艺的效力。此外，成孔剂残余物在该窗口上的累积是不平均的，造成该基材上的薄膜不平均硬化。再者，过量残余物在该腔室内的累积会是该基材上的微粒缺陷的来源，其不适于半导体处理。据此，必须从处理室除去热性质不稳定的牺牲材料的有机碎片。
因此，也需要在一制造环境中的UV成孔剂移除工艺后适切地清洁处理室的方法及设备。所以，技艺中存有对于一种紫外线腔室的需要，其可增加产量、消耗最少能量且适于在该腔室自身内进行表面的原位清洁工艺。
发明内容
本发明实施例大体而言提供一种清洁一基材处理室的方法。在一实施例中，该方法包含在该处理室内处理一批次基材，其中处理该批次基材包含一连串步骤。首先，在该处理室内处理来自该批次的一基材。接下来，从该处理室移出该基材，然后通入臭氧至该处理室内，并将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟。重复先前的处理该批次内的一基材、从该处理室内移出该基材、通入臭氧至该处理室内、以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟等步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。就实质上低逸气基材而言，该低于一分钟的快速清洁可周期性执行，硬化每两个或每三个基材后。在处理该批次内的最后一个基材之后，从该处理室移出该最后一个基材。接下来，再次通入臭氧至该处理室内，然后将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
在另一实施例中，本发明提供一种基材处理室，其界定出一或多个处理区，并包含一控制器，其含有一计算机可读媒体。该计算机可读媒体含有多个指令，当执行该些时，其使该基材处理室在该处理室内处理一批次基材。处理该批次基材包含一连串步骤。首先，在该处理室内处理来自该批次的一基材。接下来，从该处理室移出该基材，然后通入臭氧至该处理室内，并将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟。重复先前的处理该批次内的一基材、从该处理室内移出该基材、通入臭氧至该处理室内、以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟等步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。在处理该批次内的最后一个基材之后，从该处理室移出该最后一个基材。接下来，再次通入臭氧至该处理室内，然后将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
附图说明
因此可以详细了解上述本发明的特征结构的方式，即对本发明更明确的描述，简短地在前面概述过，可通过参考实施例来得到，其中某些在附图中示出。但是应注意的是，附图仅示出本发明的一般实施例，因此不应视为是对其范围的限制，因为本发明可允许其它等效实施例。
图1是本发明实施例可在其中实施的一半导体处理系统的平面图。
图2是该半导体处理系统的一串接处理室的视图，其是经配置以进行紫外线硬化。
图3是该串接处理室的部分剖面图，其拥有一盖组件，连同分别设置在两个处理区上方的两个紫外线灯泡。
图4是本发明的一实施例的工艺流程。
图5是本发明的另一实施例的工艺流程。
图6是本发明的另一实施例的工艺流程。
图7是本发明的另一实施例的工艺流程。
为了促进了解，在可能时使用相同的组件符号来表示该等图式共有的相同组件。预期到在一实施例中揭示的组件可有利地用于其它实施例而不需特别详述。
具体实施方式
本发明实施例包含利用紫外光及臭氧清洁一基材处理室的方法，以改善基材质量并大幅降低处理室停机时间同时保持产量。可通过除去残余物累积有效清洁该处理室壁、紫外线窗口、以及底座，特别是在该处理室的冰冷区域，其通常会随着时间过去发生较多的残余物累积。虽然可用本发明来清洁任何处理室，但成孔剂的紫外线(UV)硬化形成的残余物可利用本发明实施例完全清除。
在用来进行紫外线硬化的处理室的一实施例中，一串接处理室提供两个分离且邻接的处理区在一腔室主体内，以及一上盖，拥有一或多个灯泡隔离窗口，分别对齐在每一个处理区上方。该等灯泡隔离窗口可以该串接处理室的每一侧有一个窗口的方式实施，以在一个大的共同空间中将一或多个灯泡跟基材隔离开，或是让一个灯泡数组的每一个灯泡密封在与一处理区直接接触的紫外线透明封罩内。每个处理区的一或多个紫外线灯炮可由与该上盖连结的外罩覆盖，并发射紫外光，其被导经该等窗口至设置在每一个处理区内的每一个基材上。
该等紫外线灯泡可以是一发光二极管数组，或者是使用任何尖端紫外线照明源的灯泡，包含但不限于，微波电弧、射频灯丝(电容耦合等离子)及感应耦合等离子(ICP)灯。此外，可在硬化工艺期间脉冲紫外光。强化基材照明均匀性的各种概念包含使用灯数组，其也可用来改变入射光的波长分布，基材和灯头的相对运动，包含旋转和周期性移动(扫掠)，及灯反射体形状及/或位置的实时调整。
硬化工艺期间形成的残余物可含碳，例如碳和硅两者，并且是利用基于臭氧的清洁来除去。所需臭氧的产生可利用将臭氧运输至该硬化室的方式远程执行，原位产生，或是同时执行这两种方法来完成。远程产生臭氧的方法可利用任何既存臭氧产生技术来完成，包含但不限于，介电阻障/电晕放电(例如应用材料的Ozonator)或紫外线活化反应器。也可使用用来硬化介电材料的紫外线灯泡及/或可设置在远程的其它紫外线灯泡来产生臭氧。
图1示出可使用本发明实施例的半导体处理系统100的平面图。该系统100示出可从加州圣塔克拉拉的应用材料公司购得的ProducerTM处理系统的一实施例。该处理系统100是一整装(self-contained)系统，具有支撑在一主框架结构101上的必要处理设备。该处理系统100通常包含一前端活动区102，在此支撑基材匣109并且将基材加载及载出一负载锁定室112，一移送室111，容纳一基材处理器113，一系列串接处理室106，装设在该移送室111上，以及一后端138，其容纳该系统100操作所需的支持设备，例如气体分配盘103，和功率分布盘105。
每一个串接处理室106包含两个处理区，以处理基材(见图3)。该两个处理区分享共同的气体供应、共同的压力控制、以及共同的工艺气体排气/泵系统。该系统的模块化设计使其可从任一种配置快速转变成任何其它配置。可为执行特定工艺步骤而改变处理室的设置和组合。任何串接处理室106可包含根据如下描述的本发明态样的上盖，其包含一或多个紫外线灯，以用于基材上的低介电常数材料的硬化工艺及/或用于腔室清洁工艺。在一实施例中，所有三个串接处理室106均有紫外线灯，并且是经配置为紫外线硬化腔室，以同步运转而有最大产量。
在并非所有串接处理室106均配置为紫外线硬化室的另一实施例中，该系统100可适于具备一或多个串接处理室，其拥有已知可适用于其它已知工艺的支持腔室硬件，例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻、及诸如此类。例如，可配置该系统100而使该等串接处理室的一做为CVD腔室以在基材上沉积材料，例如低介电常数(K)薄膜。此种配置可最大化研发制造用途，并且若希望，让初沉积的薄膜不会暴露在大气中。
一控制器140，含有一中央处理单元(CPU)144、一内存142、以及支持电路146，与该半导体处理系统100的各个零组件连结，以促进对本发明工艺的控制。该内存142可以是任何计算机可读媒体，例如随机存取内存(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、或任何其它形式的数字储存器，对于该半导体处理系统100或CPU 144而言近端或远程的。该等支持电路146是与该CPU 144连结，以利用习知方式支持该CPU。该等电路包含快取、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统、及诸如此类。储存在该内存142内的软件例程或一系列程序指令，由该CPU 144执行时，使该等紫外线硬化串接处理室106执行本发明工艺。
图2标出该半导体处理系统100的串接处理室106之一，其是经配置以进行紫外线硬化。该串接处理室106包含一主体200及一上盖202，其可以铰链连结至该主体200。与该上盖202连结的是两个外罩204，其每一个皆与入口206以及出口208连结，以让冷却空气通过该等外罩204的内部空间。该冷却空气可以是室温或大约22度C。一中央加压空气源210提供流速足够的空气至该等入口206，以确保任何紫外线灯泡及/或与该串接处理室106连结的灯泡的功率源214的正常运作。该等出口208从该等外罩204接收排出的空气，其是由一共同的排气系统212收集，该排气系统可包含一洗涤器以除去该等紫外线灯泡可能产生的臭氧，取决于灯泡的选择。臭氧处理问题可通过以无氧冷却气体(例如氮气、氩气或氦气)冷却该等灯来避免。
图3示出具有该上盖202、该等外罩204及该等功率源214的串接处理室106的部分剖面图。每一个外罩204覆盖两个紫外线灯泡302各自的一个，其是分别设置在界定在该主体200内的两个处理区300上。每一个处理区300包含一加热底座306，用以在该等处理区300内支撑基材308。该等底座306可由陶瓷或金属制成，例如铝。较佳地，该等底座306连接至支杆310，其延伸通过该主体200的底部，并且是由驱动系统312作动，以在该等处理区300内将该底座306朝向或远离该等紫外线灯泡302移动。该等驱动系统312也可在硬化期间旋转及/或移动该等底座306，以进一步强化基材照明的均匀性。该等底座306可调整的位置容许控制挥发性硬化副产物以及净化和清洁气体的流动图案和滞留时间，除了潜在的入射紫外线在基材308上的照度水平微调的外，取决于该光线输送系统设计考虑的本质，例如焦距。
一般而言，可使用任何紫外线源，例如汞微波弧灯、脉冲氙闪光灯或高效率紫外线发光二极管数组。该等紫外线灯泡302是填充一或多种气体的密封等离子灯泡，例如氙气(Xe)或汞(Hg)，用以被该等功率源214激发。较佳地，该等功率源214是微波产生器，其可包含一或多个磁控管(未示出)及一或多个变压器(未示出)，以提供该等磁控管的丝极能量。在具备千瓦微波(MW)功率源的实施例中，每一个外罩204皆含有毗邻该等功率源214的孔215，以从该等功率源214接收高至约6000瓦的微波功率，以在随后从每一个灯泡302产生高至约100瓦的紫外光。在另一实施例中，该等紫外线灯泡302可在其中包含电极或灯丝，而使该等功率源214代表至该电极的电路及/或电流供应，例如直流电(DC)或脉冲DC。
就某些实施例而言，该等功率源214可包含射频(RF)能量源，其能够激发该等紫外线灯泡302内的气体。灯泡内的RF激发的配置可以是电容性的或感应的。可使用感应耦合等离子(ICP)灯泡以通过产生比电容耦合放电更致密的等离子来有效增加灯泡光辉。此外，ICP灯消除了肇因于电极劣化的紫外线输出衰减，导致灯泡寿命拉长，而有强化的系统产率。该等功率源214是RF能量源的益处包含效能的增加。
较佳地，该等灯泡302发射从170纳米至400纳米的波长带广泛的光线。在本发明的一实施例中，该等灯泡302发射波长从185纳米至255纳米的光线。选用在该等灯泡302内的气体可决定所发射的波长。从该等紫外线灯泡302发射出的紫外光藉由通过设置在该上盖202中的孔内的窗口314进入该等处理区300。该等窗口314较佳地是由无氢氧根的合成石英玻璃制成，并且厚度足以维持真空而不会破裂。此外，该等窗口314较佳地是熔融石英玻璃，其传送低至约150纳米的紫外光。因为该上盖202封在该主体200上，而该等窗口314封在该上盖202上，该等处理区300提供能够维持从约1托耳至约650托耳的压力的空间。处理或清洁气体经由两个入口通道316各自的一个进入该等处理区300。该等处理或清洁气体然后通过一个共同的出口端口318离开该等处理区300。此外，供应至该等外罩204的内部空间的冷却空气循环经过该等灯泡302，但利用该等窗口314与该等处理区300隔离。
该等外罩204可包含由涂覆二向色薄膜(dichroic film)的铸造石英内衬304定义的内部空间抛物线表面。该等石英内衬304反射从该等紫外线灯泡302发射出的紫外光，并且经形塑以适于硬化工艺以及腔室清洁工艺，基于由该等石英内衬304导入该等处理区300内的紫外光的图案。可调整该等石英内衬304以更加适合每一种工艺或作业，通过移动和改变该内部空间抛物线表面的形状。此外，该等石英内衬304因为该二向色薄膜而可传输红外光并反射该等灯泡302发射的紫外光。该二向色薄膜通常构成一周期性多层薄膜，由具备交错的高及低折射率的互异介电材料组成。因为该涂层是非金属，来自该等功率源214往下入射在该等铸造石英内衬304背侧的微波辐射不会与该等调整层有显著的反应，或被其吸收，并且很容易被传输而离子化该等灯泡302内的气体。
转见图4，描述本发明的一实施例。清洁一基材处理室的方法400包含多种步骤及组合，以有效清洁基材处理室同时缩短腔室停机时间并维持基材产量。该方法400包含在界定出一或多个处理区的处理室内处理一批次基材，区块404，区块404包含多个子步骤，其可在方法400的整个清洁工艺中做为重复子循环来执行，取决于在该处理室内处理的基材数量。较佳地，该批次基材包含10-15个基材，例如13个基材。
在该处理室内处理一批次基材，区块404，可在具备多个子步骤的子例程中执行，包含在该处理室内处理来自该批次的一基材，区块406，从该处理室移出该基材，区块408，以及开始一不连续清洁工艺，包含通入臭氧至该处理室内，区块410，以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟，区块412。该快速清洁，区块412，可每两个或每三个基材即执行一次(重复区块406至408 2x或3x)，当微量紫外线窗口涂层因固化该等基材而存在时。可重复先前步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止，区块414。例如若处理五个基材，可重复四次区块404，包含该等子循环区块406、408、410、及412，直到处理完第五及最后一个基材为止。在一实施例中，处理该等基材包含从先前沉积在该基材上的聚合物除去成孔剂。
在处理该批次内的最后一个基材后，从该处理室移出该最后一个基材，区块416。开始一批次清洁工艺，包含通入臭氧至该处理室内，区块418，以及将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟，区块420。该紫外光可包含介于185纳米和255纳米之间的波长。在区块412中，该腔室可在处理每一个基材之间暴露在紫外光下15至30秒。臭氧可在该处理区远程产生，或者通入臭氧至该腔室内可包含以紫外光激发氧气以产生臭氧。
图5示出本发明的另一实施例。处理该基材，清洁一基材处理室的方法400的区块406，可更包含一组子步骤500。处理该基材可包含加压该腔室至5托耳，区块502，加热该腔室至385℃，区块504，以每分钟10标准升将氦气通入该腔室内，区块506，以每分钟10标准升将氩气通入该腔室内，区块508，以及将该腔室暴露在紫外光下165秒，区块510。
图6示出本发明的另一实施例。处理每一个基材之间进行的不连续清洁工艺，包含区块410和412，可更包含一组子步骤600。该清洁工艺可包含加压该腔室至5托耳，区块602，加热该腔室至385℃，区块604，以每分钟10标准升将臭氧通入该腔室内，区块606，将该腔室暴露在紫外光下15秒，区块608，以每分钟10标准升的氦气净化该腔室10秒，区块610，然后泵吸该腔室10秒，区块612。
图7示出本发明的又一实施例。在处理该批次基材之后进行的该批次清洁工艺，包含区块416、418、和420，可更包含一组子步骤700。该清洁工艺可包含加压该腔室至5托耳，区块702，加热该腔室至385℃，区块704，以每分钟10标准升将臭氧通入该腔室内，区块706，以及将该腔室暴露在紫外光下6分钟，区块708。
如第1-3图所示，本发明的另一实施例包含一基材处理室，其含有界定出一处理区300的处理室106。包含例如内存142的计算机可读媒体的控制器140含有指令，当执行时，其使该基材处理室在该紫外线硬化串接处理室106内处理一批次基材。该工艺包含在该处理室内处理来自该批次的一基材、从该处理室移出该基材、通入臭氧至该处理室内、将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟、以及重复先前的步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。该等指令更提供在处理该批次内的最后一个基材之后，从该处理室移出该最后一个基材，通入臭氧至该处理室内，以及将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
范例1
在应用材料公司，使用ProducerSE等离子辅助化学气相沉积室运用例如甲基二乙氧基硅烷(mDEOS)的硅前体以及例如α松油烯(ATRP)的成孔剂的混合物来沉积黑金刚II(BDIIx)介电膜(45纳米节点的k＝2.5)。该薄膜是利用如下参数沉积：每分钟1000毫克(mgm)的mDEOS流速、1000mgm的ATRP、以及每分钟1000标准立方公分的做为载气的氦气。该薄膜是在300℃5托耳压力以及500瓦的RF功率下沉积。
该成孔剂稍后利用ProducerSE紫外线腔室除去，以产生一多孔氧化物网络。型态完整的成孔剂及成孔剂的破裂碎片两者皆从碳化硅BDIIx母体除去，并且是在高温下(高于300℃)暴露于紫外线中时。该硬化配方包含将该腔室暴露在紫外光下165秒同时加压该腔室至5托耳，加热该腔室至385℃，并且将每分钟10标准升的氦气以及每分钟10标准升的氩气通入该腔室内。
硬化后，利用在所处理的每一个基材之间执行的清洁子例程(1x清洁)以及在13个基材后执行的深度清洁步骤(13x清洁)清洁该腔室，根据本发明实施例。该1x清洁包含在385℃下的15秒紫外光暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以每分钟10标准升的氦气净化该腔室10秒，接着泵吸该腔室10秒。该13x清洁包含在385℃下的6分钟紫外线暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以氦气净化该腔室20秒，并另外再泵吸20秒。
在表1中，示出使用KLA-TENCOR F5椭圆仪所得的沉积后及紫外线硬化后薄膜厚度测量结果，当根据本发明实施例清洁该处理室时。在典型的基材的紫外线腔室硬化工艺下，薄膜收缩，其是定义为薄膜厚度的缩减除以初始厚度，会因基材而异，肇因于紫外线窗口微粒累积及冷区微粒累积。收缩比例与紫外线暴露程度成线性比例，而收缩均匀性，其是定义为收缩比例的单标准差(one-sigma)，主要对应于紫外线暴露的均匀性，在其它变量之中。所示的基于KLA Tencor F5椭圆仪的收缩比例及收缩均匀性比例结果是就操作32个基材而言。
如表1所示，所有基材的收缩比例皆低于3％，并且所有操作的收缩均匀性比例维持低于3.5％。某些程度变化是来自也会影响薄膜收缩的薄膜化学气相沉积上基材与基材间的差异。使用本发明实施例，该紫外线窗口涂层几乎不存在，这可由该收缩均匀性的完全恢复轻易看出。
Figure BPA00001284434300111
表1
本发明实施例可辅助除去完整及破裂碎片的成孔剂及副产物，其涂覆该紫外线窗口并且累积在该腔室较冷的区域，例如处理室的流量阀区域。该等较冷区域特别会是残余物的来源，其可在处理期间污染基材。位于基材上方的紫外线窗口涂层尤其会使基材可得的有效紫外线强度降低。此外，因为该窗口的涂层不均匀，基材上的薄膜会在该处理室内不均匀硬化。
为了恢复紫外线强度及均匀性，可在每一个基材后或半周期性地每两个或三个基材后执行一快速腔室清洁，根据本发明实施例。可根据本发明实施例在批次基材之间使用较久的臭氧清洁处理以除去残余物在腔室冷点处的累积，这辅助最小化设备停机时间同时维持基材产量。因此，本发明提供一种快速的每一个或半周期基材清洁，以改善紫外线窗口恢复，以及一种深度的多基材清洁，以改善残余物来源的移除，因而减少基材的微粒污染。每个基材之间的快速清洁是经设计以低于基材传输期间的腔室停机时间，而可造成零产量流失。
范例2
如同范例1，利用ProducerSE紫外线腔室来除去成孔剂，以产生一多孔氧化物网络。在此范例中，该紫外线硬化及清洁是在50托耳及增加的流速下执行，除此的外的条件皆与范例1相同。该硬化配方包含将该腔室暴露在紫外光下165秒，同时加压该腔室至50托耳，加热该腔室至385℃，并以每分钟30标准升的氦气和每分钟30标准升的氩气通入该腔室内。
硬化后，利用在所处理的每一个基材之间执行的清洁子例程(1x清洁)以及在13个基材后执行的深度清洁步骤(13x清洁)清洁该腔室，根据本发明实施例。该1x清洁包含在385℃下的15秒紫外光暴露，同时加压该腔室至50托耳并以每分钟30标准升通入臭氧至该腔室。然后以每分钟10标准升的氦气净化该腔室10秒，接着泵吸该腔室10秒。该13x清洁包含在385℃下的6分钟紫外线暴露，同时加压该腔室至50托耳并以每分钟30标准升通入臭氧至该腔室。然后以氦气净化该腔室20秒，并另外再泵吸20秒。
范例3
如同范例1，利用ProducerSE紫外线腔室来除去成孔剂，以产生一多孔氧化物网络。在此范例中，沉积后薄膜厚度增至6K。为了补偿每个基材较多的成孔剂移除，每六个基材执行一次批次清洁。就6K的沉积后薄膜厚度而言，该硬化配方包含将该腔室暴露在紫外光下400秒，同时加压该腔室至5托耳，加热该腔室至385℃，并以每分钟10标准升的氦气和每分钟10标准升的氩气通入该腔室内。
硬化后，利用在所处理的每一个基材之间执行的清洁子例程(1x清洁)以及在6个基材后执行的深度清洁步骤(6x清洁)清洁该腔室，根据本发明实施例。该1x清洁包含在385℃下的15秒紫外光暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以每分钟10标准升的氦气净化该腔室10秒，接着泵吸该腔室10秒。该6x批次清洁包含在385℃下的6分钟紫外线暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以氦气净化该腔室20秒，并另外再泵吸20秒。
范例4
如同范例1，利用ProducerSE紫外线腔室来除去成孔剂，以产生一多孔氧化物网络。在此范例中，沉积后薄膜厚度减至1.2K。因为每个基材较少的成孔剂移除，每26个基材才执行一次批次清洁。就1.2K的沉积后薄膜厚度而言，该硬化配方包含将该腔室暴露在紫外光下100秒，同时加压该腔室至5托耳，加热该腔室至385℃，并以每分钟10标准升的氦气和每分钟10标准升的氩气通入该腔室内。
硬化后，利用在所处理的每一个基材之间执行的清洁子例程(1x清洁)以及在26个基材后执行的深度清洁步骤(26x清洁)清洁该腔室，根据本发明实施例。该1x清洁包含在385℃下的15秒紫外光暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以每分钟10标准升的氦气净化该腔室10秒，接着泵吸该腔室10秒。该26x批次清洁包含在385℃下的6分钟紫外线暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以氦气净化该腔室20秒，并另外再泵吸20秒。
范例5
如同范例1，利用ProducerSE紫外线腔室来除去成孔剂，以产生一多孔氧化物网络。在此范例中，沉积后薄膜厚度减至1.2K。因为每个基材较少的成孔剂移除，该快速的每一个基材清洁由每两个基材清洁取代。该批次清洁循环保持13x。就1.2K的沉积后薄膜厚度而言，该硬化配方包含将该腔室暴露在紫外光下100秒，同时加压该腔室至5托耳，加热该腔室至385℃，并以每分钟10标准升的氦气和每分钟10标准升的氩气通入该腔室内。
每硬化两个基材之后清洁该腔室，并且在13个基材后执行一次深度清洁步骤(13x清洁)，根据本发明实施例。该每两个基材清洁包含在385℃下的15秒紫外光暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以每分钟10标准升的氦气净化该腔室10秒，接着泵吸该腔室10秒。该13x批次清洁包含在385℃下的6分钟紫外线暴露，同时加压该腔室至5托耳并以每分钟10标准升通入臭氧至该腔室。然后以氦气净化该腔室20秒，并另外再泵吸20秒。
可合并或调整在此所述的任何实施例，以囊括其它实施例的态样。虽然前述是针对本发明实施例，但本发明的其它及更进一步实施例可在不背离其基本范围下设计出，而其范围是由权利要求决定。

Claims (15)

1.一种清洁一基材处理室的方法，该方法至少包含：
在界定出一或多个处理区的处理室内处理一批次基材，该处理更包含：
在该处理室内处理来自该批次的一基材；
从该处理室移出该基材；
开始一不连续清洁工艺，其至少包含：
通入臭氧至该处理室内；
将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟；以及
重复先前的处理步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止；
在处理该批次内的最后一个基材之后，从该处理室移出该最后一个基材；以及
开始一批次清洁工艺，其至少包含：
通入臭氧至该处理室内；以及
将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
2.如权利要求1所述的方法，其中上述的处理该基材包含从先前沉积在该基材上的聚合物除去成孔剂。
3.如权利要求1所述的方法，其中上述的处理该基材更包含：
加压该处理室至5托耳；
加热该处理室至385℃；
以每分钟10标准升通入氦气至该处理室；
以每分钟10标准升通入氩气至该处理室；以及
将该处理室暴露在紫外光下165秒。
4.如权利要求1所述的方法，其中在该不连续清洁工艺期间，该处理室是暴露在紫外光下15至30秒。
5.如权利要求1所述的方法，其中上述的不连续清洁工艺更包含：
加压该处理室至5托耳；
加热该处理室至385℃；
以每分钟10标准升通入臭氧至该处理室；
将该处理室暴露在紫外光下15秒；
以每分钟10标准升的氦气净化该处理室10秒；以及
泵吸该处理室10秒。
6.如权利要求1所述的方法，其中上述的批次清洁工艺更包含：
加压该处理室至5托耳；
加热该处理室至385℃；
以每分钟10标准升通入臭氧至该处理室；以及
将该处理室暴露在紫外光下6分钟。
7.如权利要求1所述的方法，其中上述的批次基材包含13个基材。
8.如权利要求1所述的方法，更包含在该处理区远程产生臭氧。
9.如权利要求1所述的方法，其中上述的通入臭氧至该处理室包含以紫外光激发氧气。
10.一种清洁一基材处理室的方法，该方法至少包含：
通入含有甲基二乙氧基硅烷(methyldiethoxysilane)及α松油烯(alpha-terpinine)的前体气体至一第一处理室内；
在该第一处理室内沉积一聚合物薄膜在一基材上；
在一界定出一或多个处理区的第二处理室内处理拥有该聚合物薄膜的一批次基材，该处理更包含；
在该第二处理室内处理来自该批次的一基材；
从该第二处理室移出该基材；
开始一不连续清洁工艺，其至少包含：
通入臭氧至该第二处理室内；
将该第二处理室暴露在紫外光下低于一分钟；以及
重复先前的处理步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止；
在处理该批次内的最后一个基材之后，从该第二处理室移出该最后一个基材；以及
开始一批次清洁工艺，其至少包含：
通入臭氧至该第二处理室内；以及
将该第二处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
11.如权利要求10所述的方法，其中上述的处理该基材包含从沉积在该基材上的聚合物薄膜除去成孔剂。
12.如权利要求10所述的方法，其中上述的处理该批次基材包含：
加压该第二处理室至5托耳；
加热该第二处理室至385℃；
以每分钟10标准升通入氦气至该第二处理室；
以每分钟10标准升通入氩气至该第二处理室；以及
将该第二处理室暴露在紫外光下165秒。
13.如权利要求10所述的方法，其中上述的不连续清洁工艺更包含：
加压该第二处理室至5托耳；
加热该第二处理室至385℃；
以每分钟10标准升通入臭氧至该第二处理室；
将该第二处理室暴露在紫外光下15秒；
以每分钟10标准升的氦气净化该第二处理室10秒；以及
泵吸该第二处理室10秒。
14.如权利要求10所述的方法，其中上述的批次清洁工艺更包含：
加压该第二处理室至5托耳；
加热该第二处理室至385℃；
以每分钟10标准升通入臭氧至该第二处理室；以及
将该第二处理室暴露在紫外光下6分钟。
15.一种基材处理室，其至少包含：
处理室，其界定出一或多个处理区；以及
控制器，其含有一计算机可读媒体，该计算机可读媒体含有多个指令，当执行该些指令时，其使该基材处理室在该处理室内处理一批次基材，该处理包含：
在该处理室内处理来自该批次的一基材；
从该处理室移出该基材；
开始一不连续清洁工艺，其至少包含：
通入臭氧至该处理室内；
将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟；
重复先前的处理步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止；
在处理该批次内的最后一个基材之后，从该处理室移出该最后一个基材；以及
开始一批次清洁工艺，其至少包含：
通入臭氧至该处理室内；以及
将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
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