TWI476144B - 週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法及其用途 - Google Patents

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週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法及其用途
本發明關於一種週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法及其製得之抗反射層及光電元件，其中該製造方法係採用參數最佳化之奈米球微影術和活性離子蝕刻來進行。
提升太陽能電池轉換效率的其中一種方式是減少光由空氣進入元件表面反射所導致的光損失，其解決之道是在元件表面設有抗反射層。傳統抗反射的方式通常在元件表面鍍膜，其厚度為四分之一的入射光波長。此方法可使兩道反射的電磁波產生完全破壞性干涉，對單一的入射波長與角度非常有效，然而太陽光為整個可見光的波段，若入射波長偏離其作用之特定波長，反射率即大幅上升。
又，一般的發光二極體出光效率不佳，乃因元件與空氣的折射率差異導致光易在其介面處形成全反射，成為在元件內橫向傳播的模態，無法增加出光效率。又能量累積在元件內亦會轉換成過多的熱能，若超過一定的電流值，就算繼續加大電流，亮度也無法再提升。
因此，現階段常使用週期性奈米結構來有效的增加發光二極體之出光效率，然而常會因為蝕刻的需要導致電性變差的問題，產生嚴重的漏電流。故有研究(Yun-Wei Cheng,Szu-Chieh Wang,Yu-Feng Yin,Liang-Yu Su,and JianJang Huang,"GaN-based LEDs surrounded with a two-dimensional nanohole photonic crystal structure for effective laterally guided mode coupling,"Opt.Lett.36,1611-1613(2011))利用電子束微影將二維光子晶體做在發光二極體發光區的周圍，並蝕刻到多層量子井形成奈米洞陣列。這樣的結構有 效的將材料內部往側向的低階模態與光子晶體作用，因而被耦合到空氣中增加萃取效率。隨著奈米洞陣列越大，傳導模態與光子晶體作用的越好，萃取效率越佳，直到40 μm的奈米洞陣列讓萃取效率發生飽和。藉由光子晶體的參數設計(不同週期與直徑)還可以達到不同的萃取效率以及發光場型的變化。週期/直徑為400/320 nm的元件在垂直於元件表面(90度)的方向中有很高的指向性可以達到31.5%的光強度增加；而在週期/直徑為400/280 nm的元件中在75度的方向上有很高的指向性可以達到21.7%的光強度增加。
另外，亦有研究(S.E.Han and G.Chen,Nano Lett.10,1012(2010)；K.Q.Peng,X.Wang,L.Li,X.L.Wu,and S.T.Lee,J.Am.Chem.Soc.132,6872(2010)對奈米孔洞狀結構與奈米柱狀結構的效能進行比對，證實奈米洞狀結構可以容納更多的模態在其中傳播，在增長光路徑的效果與對於可見光的耦合上優於柱狀結構，而且，在幾何觀點上，洞狀結構亦比柱狀結構堅固。
然而，在製作上，週期性奈米結構陣列可用電子束微影術、奈米壓印術、陽極氧化鋁陣列膜板製作技術來加以製造，這些方法雖可精確的製作奈米等級的光罩，然而卻有設備成本昂貴、製作耗時或是有效面積太小等問題，難以達到量產的需求。
有鑒於習知技術的不足，有必要加以研發改良。因此，本發明之一目的在於：提供一種週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法，係將奈米球微影術和活性離子蝕刻的參數最佳化，俾使製程簡化且成本低廉。
本發明之另一目的在於：提供一種用於光電元件之抗反 射層，其中該抗反射層係包含以前述之方法所製造之一週期性奈米孔洞狀結構陣列，藉此可以更有效抑制廣波段以及各種入射角度的光反射率。
本發明之又一目的在於：提供一種光電元件，其包含前述之抗反射層，俾能減少空氣與元件之折射率差異，能夠使原本橫向傳播之模態射出，增加其出光效率，亦可同時解決元件內產生過多熱能之問題且具有更佳的電性。
為達上述目的，本發明提供一種週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法，包括：對應claim修改，但有些claim刪除的附屬項仍可保留在內容中於一基材上形成一氧化物薄膜；將該氧化物薄膜進行一親水性處理；於該氧化物薄膜上形成一奈米球陣列；在一第一蝕刻條件中，對該奈米球陣列進行一第一蝕刻，其中該第一蝕刻條件係指：蝕刻氣體為40-100 sccm之氧氣，功率為35-70 W且環境壓力為3-10 Pa；以及在一第二蝕刻條件中，以該奈米球陣列作為光罩，對該氧化物薄膜進行一第二蝕刻，其中該第二蝕刻條件係指：蝕刻氣體為20-40 sccm，功率為70-100 W且環境壓力為1-3Pa。
於一較佳實施樣態中，週期性奈米孔洞狀結構陣列可為奈米蜂窩狀結構陣列。所謂的「蜂窩狀」係指六邊形、鐘形或類似形狀所堆疊而成的陣列形狀。
於另一較佳實施樣態中，氧化物薄膜可為導電氧化物薄膜。導電氧化物之例子包含但不限於：二氧化鈦、氧化矽、二氧化矽、氧化鋅、氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、氟摻雜氧化 錫、錫酸鎘(氧化錫)和錫酸鋅(氧化錫)、含銦氧化物(如：氧化銦錫(ITO)、Ga-In-Sn-O、Zn-In-Sn-O、Ga-In-O、Zn-In-O及其組合)等。於一具體實施樣態中，氧化物薄膜較佳可為二氧化矽。
於又一較佳實施樣態中，親水性處理係指將該氧化物薄膜以一氧氣電漿進行表面處理。例如，以紫外光臭氧清潔機對氧化物薄膜進行表面處理。
於一較佳實施樣態中，奈米球陣列可藉由將奈米尺寸之介電質球體溶液塗佈於該氧化物薄膜而形成。於另一較佳實施樣態中，可進一步包括一乾燥步驟，係於溫度為50-70℃及相對濕度為60-95%之條件下將塗佈於氧化物薄膜上之介電質球體溶液乾燥。於一具體實施樣態中，介電質球體溶液較佳可為聚苯乙烯奈米球溶液。
於一較佳實施樣態中，奈米球陣列可為一單層奈米球陣列。
於另一較佳實施樣態中，第一蝕刻條件中之蝕刻氣體可為一含氧氣體。於一具體實施例中，含氧氣體可為O2 、O3 或其他可蝕刻奈米球的含氧氣體。
於一較佳實施樣態中，第二蝕刻條件中之蝕刻氣體可包括但不限於：CF4 、SF6 及CHF3 或其組合。於一具體實施樣態中，第二蝕刻條件中之蝕刻氣體可為CHF3 。
本發明亦提供一種用於光電元件之抗反射層，其中該抗反射層係包含前述之方法所製造之一週期性奈米孔洞狀結構陣列。
於一較佳實施樣態中，該週期性奈米孔洞狀結構陣列可為一奈米蜂窩狀結構陣列。
本發明又提供一種光電元件，其包括： 一基材；至少一光電作用層，其係設於該基材上；以及一種前述之抗反射層，係設於該至少一光電作用層上。
於一較佳實施樣態中，該週期性奈米孔洞狀結構陣列可為一奈米蜂窩狀結構陣列。
於一較佳實施樣態中，光電元件是指產生光或在其操作中使用光的元件。光電元件是電-光或光-電元件、或是在其操作中使用這類器件的儀器。通常，光電作用層是光電器件的組成部分，舉例來說可為一半導體接面，包括但不限於p-n接面、n-p接面、p-i-n接面或n-i-p接面等。又如本領域技術人員所瞭解，p-n接面能夠在存在太陽光的情況下生成電能，這是光伏組件或太陽能電池的一般操作的基礎。另外，光電元件還包括用於將所生成的電能引導向外部電路的傳導通路。
於一較佳實施樣態中，光電元件可包括但不限於光電二極體、發光二極體、光伏組件或雷射二極體。舉例來說，光伏組件可為光伏電池或光伏電池模組，例如，可選自於由量子井太陽能電池、非晶矽電池、晶體矽電池、混合/異質接面非晶和晶體矽電池、CdTe薄膜電池、微晶疊層(micromorph tandem)矽薄膜電池、Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜電池、GaAs電池、III-V族為主的多接面太陽能電池、染料敏化太陽能電池及固態有機/聚合物太陽能電池所組成之群。
接著，本發明之實施例依下列例子詳細描述，但不限於此。本發明之上述及其他目的、特徵及優點將因以下敘 述及後附圖式而變得更加清楚。
實施例1：製作二氧化矽奈米蜂窩狀陣列 製備例1
以電子束蒸鍍法，在光電元件，如MQW太陽能電池或發光二極體上沈積450-nm厚之SiO2 薄膜。為了獲得單層PS(polystyrene)奈米球，在氧氣電漿處理5分鐘，使SiO2 薄膜表面具親水性。在去離子水中將PS奈米球稀釋，接著將其塗佈於SiO2 表面，作為活性離子蝕刻的蝕刻光罩。接著將元件置於一恆溫箱中，並維持50℃的溫度及87.5%的濕度2小時。當恆溫箱中之溶液乾燥時，形成單層緊密堆積之奈米球。接著，以下述RIE蝕刻方式來製造次波長週期性奈米蜂窩結構。為製造更多蝕刻空間，在線圈功率為50W和反應室壓力為5 Pa的條件下，使用50 sccm之氧氣，來使奈米球縮小。接著，使30 sccm之CHF3 流入該反應室，以在線圈功率為90W和反應室壓力為1.3 Pa的條件下，進行SiO2 蝕刻。製造SiO2 奈米蜂窩狀結構後，使高濃度的氧氣電漿流入以移除殘留的奈米球。
第一圖(a)顯示浸塗(dip-coated)在SiO2 薄膜/MQW光電元件上的直徑為450 nm的單層PS奈米球之掃描電子顯微鏡(scanning electron microscopy,SEM)俯視圖。為了維持最低的表面能量，PS奈米球會自我組裝為六方緊密堆積結構。在RIE製程中使用CHF3 氣體，由於PS的蝕刻速率遠小於SiO2 ，故將PS奈米球處理作為蝕刻光罩，以防止位於其下的SiO2 薄膜被蝕刻。在RIE蝕刻期間，縮小奈米球的形狀和分布在蜂窩狀奈米洞陣列中扮演了極其重要的角色。第一圖(b)顯示蜂窩狀類SiO2 的奈米結構與縮小的PS奈米球呈酢漿草(wood sorrels)狀。第一圖(c)-(e)顯示 移除PS奈米球後的SiO2 奈米蜂窩狀結構。奈米蜂窩狀結構之高為350 nm且週期性為450 nm。
製備例2
第二圖為另一種SiO2 奈米蜂窩狀結構，其製備方式大致與製備例1相同，於此不再贅述，惟其蝕刻參數中氧氣流率調整為55 sccm，導致形狀與製備例1有所不同。
實施例2：二氧化矽奈米蜂窩狀陣列在氮化銦鎵多重量子井(InGaN MQW)太陽能電池之應用
多重量子井太陽能電池係藉由有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD,metal-organic chemical vapor deposition)在c面藍寶石基板(c-plane sapphire substrates)上生長。該層狀結構由九種週期之未摻雜In0.3 Ga0.7 N(3 nm)/GaN(17 nm)MQWs組成，此結構係置於在2.5-μm n型及0.2-μm p型之GaN間形成三明治狀結構。在元件製程中，係以電子束蒸鍍將ITO沈積在p-GaN上，來形成透明歐姆接觸。接著以氯基電漿蝕刻(chlorine-based plasma etching)定義出1×1 mm2 之二極體台面(diode mesas)。金屬接觸結構係由沈積在ITO及n-GaN上的交叉狀Ti/Al/Ni/Au柵狀電極(grids)組成。以前述製備例1的製程在MQW太陽能電池上製備奈米蜂窩狀結構，以進行下述測試。
實施例3：前述元件在太陽能電池應用之測試 1.反射率比較
第三圖(a)顯示有(虛線部分)或無(實線部分，即圖式上所述之裸露元件)SiO2 奈米蜂窩狀結構之GaN MQW類太陽能電池的反射光譜，以進行反射率之比較。此次測量係 以入射角5°之標準UV-VIS光譜儀(JASCO ARN-733)進行。由於干涉發生於層介面，可觀察到振盪現象。此結果明確地證實：週期性奈米蜂窩狀結構可有效抑制多種波長範圍中不需要的菲涅耳反射(Fresnel reflection)。由於數種影響，可明顯抑制表面反射。在λ為500 nm的SiO2 折射率約為1.46，適合作為介於空氣與ITO(λ=500 nm的n為2.04)介面的抗反射(AR)塗層。抗反射奈米蜂窩狀結構係可避免因劇烈的折射率變換(abrupt index transition而造成表面反射所生的嚴重能量損失。由圖中可證實，入射光非但沒有反射回空氣中，反而將其捕獲於奈米蜂窩狀結構中，接著併入元件，在MQWs中促成光捕獲的增加。
2.外部量子效率之比較
第三圖(b)顯示有(虛線部分)或無(實線部分)SiO2 奈米蜂窩狀結構之GaN MQW類太陽能電池的外部量子效率之比較。外部量子效率(external quantum efficiencies,EQEs)的測量在鹵素燈和單光儀一起產生的單色照明下進行。在第三圖(b)中，可觀察到在各種波長範圍中，具奈米蜂窩狀結構的EQEs會增加。由圖中亦可注意到：當應用SiO2 奈米蜂窩狀結構時，MQW太陽能電池的EQE峰值不會偏移，顯示MQW元件的吸收行為不會受SiO2 奈米蜂窩狀結構影響。由於In0.3 Ga0.7 N/GaN MQWs的吸收作用，所以EQEs值係大部分在低於500 nm的波長下獲得。
3.光電轉換效率之比較
第三圖(c)顯示氮化銦鎵太陽能電池有(虛線)與無(實線)奈米蜂窩電壓-電流特性曲線之比較。其係在AM 1.5G日光模擬光源之照射下以Keithley 4200電源電錶加以測 量。將測得之光伏特性整理於下表I。與無奈米蜂窩狀結構之裸露元件相較，奈米蜂窩狀結構造成短路電流密度(Jsc)的增加，證實由MQWs會造成太陽能吸收的增加。增加的Jsc因而提高η值達0.51%，應用奈米蜂窩狀結構之η值改善約為24.4%。基於米氏散射(Mie scattering)理論，散射效率隨著入射波長的降低而增加，此與FDTD模擬結果相符。而且，大部分的EQE增加會在短波長區域獲得。因此，η值增加主要可歸因於短波長散射。就物理觀點而言，藉由SiO2 奈米蜂窩狀結構，正常具短波長的入射光會傾向散射為高階繞射，造成在作用區中有增加的傳播長度(propagation length)。
與在J-V測量中獲得的Jsc 相較，Jsc可由下列方程式估算：
此處S(λ)為AM 1.5G光譜，η(λ)為測得的EQE光譜，其可由第三圖(b)中獲得，e為基本帶電量，λ為穿透單色光(transmitted monochromatic light)之波長，h為普朗克常數，而c為真空中的光速。對不具SiO2 奈米蜂窩狀結構與具SiO2 奈米蜂窩狀結構的MQW太陽能電池而言，Jsc的積分值分別為0.903及0.966。另一方面，對不具SiO2 奈米蜂窩狀結構與具SiO2 奈米蜂窩狀結構的太陽能電池而言，J-V測量所得的Jsc分別為0.842及0.899。由兩種不同方式所得結果顯示出略微不同的值，但仍在具奈米蜂窩狀結構與不具奈米蜂窩狀結構的太陽能電池間維持相同比例。這種值的差異可歸因於理論上和實驗設計上AM 1.5G光譜的強度分布略有不同，而相同比例則顯示EQE及J-V測量間的相關性得到了良好的驗證。
4.使用有限時域分析法模擬前述太陽能電池之光場分布情況
為了揭示光傳播越過介面之行為，係以FDTD分析模擬元件結構內的光場分布。依照所有材料的n及k之考量，計算穩態分布。空間區域中的網格(grid)大小為△x×△y=0.01×0.02 μm2 ，每次計算的時階(time step)為0.027fs。以0.5 μm的完美匹配層環繞x及y方向的邊界，來吸收電磁波。將具相同寬度(10 μm)作為模擬元件結構的激發光源(y=0)置於離250-nm-厚ITO層之上邊界1 μm處。
所有模擬之波長擇定為380 nm，其係處於EQE光譜之峰值。在太陽能電池內的時量平均TE-極化光場強度分布(time-averaged TE-polarized electric field intensity distributions)(|Ez|))如第四圖(a)及(b)所示，其中第四圖(a)顯示不具SiO2 奈米蜂窩狀結構時之情形，而第四圖(b)則顯示具SiO2 奈米蜂窩狀結構時之情形。將所有計算值常態化為激發源之一。本案可觀察到具SiO2 奈米蜂窩狀結構者，其MQW區域中的光場強度增加。作為抗反射用的SiO2 奈米蜂窩狀結構不僅藉由避免由空氣至ITO層的劇烈的折射率變換來協助越過介面之光傳播，而且亦藉由增加表面光散射來擴大元件內的光場分布。如第四圖3(b)右上角之插圖所示，此處將SiO2 奈米蜂窩狀結構的部分加以放大，由於有建設性波干涉存在，所以在奈米蜂窩狀結構間可觀察到極強的電場強度，足見奈米蜂窩狀結構可作為有效的散射中心，引起光捕獲效應。與無奈米蜂窩狀結構之元件相較，在激發源後方的區域(即y<0的區域)，具奈米蜂窩狀結構之電場強度是弱的，證實其能有效消除反射。第四圖(c)表示歸一化之光功率，該光功率係由InGaN MQW區域功率通量加以積分而獲得，為時間之函數。不具SiO2 奈米蜂窩狀結構與具SiO2 奈米蜂窩狀結構的元件穩態功率值分別為0.68及0.81。此結果顯示可將入射光捕獲於奈米蜂窩狀結構間，接著併入主動層(active region)，在主動層中促成光吸收的增加，此結果亦證實了前述η的增加。
5.小結
使用PS奈米球微影術及RIE技術可在InGaN MQW太陽能電池上製造SiO2 奈米蜂窩狀結構。將奈米蜂窩狀結構作為光捕獲層可改善InGaN類MQW太陽能電池的光吸收，產生η值有24.4%的增加。
實施例4：二氧化矽奈米蜂窩狀陣列在氮化銦鎵發光二極體之應用
多重量子井發光二極體係藉由有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD,metal-organic chemical vapor deposition)在c面藍寶石基板(c-plane sapphire substrates)上生長。該層狀結構由九種週期之未摻雜In0.3 Ga0.7 N(3nm)/GaN(17nm)MQWs組成，此結構係置於在2.5-μm n型及0.2-μm p型之GaN間形成三明治狀結構。在元件製程中，係以電子束蒸鍍將ITO沈積在p-GaN上，來形成透明歐姆接觸。接著以氯基電漿蝕刻(chlorine-based plasma etching)定義出1×1mm2 之二極體台面(diode mesas)。金屬接觸結構係由沈積在ITO及n-GaN上的交叉狀Ti/Al/Ni/Au柵狀電極(grids)組成。以前述製備例1的製程在MQW發光二極體上製備奈米蜂窩狀結構，以進行下述測試。
實施例5：前述元件在發光二極體應用之測試
電壓-電流-亮度之比較：
此量測在前述元件正負極加5伏特之偏壓，並注入電流由10毫安培至400毫安培，在電流變化之下測量前述元件發光亮度，此結果可見於第五圖，圖中顯示氮化銦鎵發光二極體有(圓點虛線)與無(交叉點虛線)奈米蜂窩狀結構陣列之(a)電流-亮度(b)電壓-電流圖，加了奈米蜂窩狀結構的元件亮度有明顯的增強，且漏電流極低，為10-7 安培以下。
輻射光場之比較：
發光二極體之輻射場型係由一機械手臂控制進行變角度之光強量測，其注入電流為100mA，此結果可見於第六圖，圖中顯示氮化銦鎵發光二極體有(虛線)與無(實線)奈米蜂窩狀結構陣列之光場輻射剖面圖，電流為100mA，以觀察各角度之光型分布，發現在各個方向光強度皆有增加。
所屬領域之技術人員當可了解，在不違背本發明精神下，依據本案實施態樣所能進行的各種變化。因此，顯見所列之實施態樣並非用以限制本發明，而是企圖在所附申請專利範圍的定義下，涵蓋於本發明的精神與範疇中所做的修改。
第一圖(a)顯示浸塗(dip-coated)在SiO2 薄膜/MQW光電元件上的直徑為450nm的單層PS奈米球之掃描電子顯微鏡(scanning electron microscopy,SEM)俯視圖。圖(b)顯示蜂窩狀類SiO2 的奈米結構與縮小的PS奈米球呈酢漿草(wood sorrels)狀。圖(c)-(e)顯示移除PS奈米球後的SiO2 奈米蜂窩狀結構。
第二圖為SiO2 奈米蜂窩狀結構之另一實施樣態。
第三圖(a)顯示有(虛線部分)或無(實線部分)SiO2 奈米蜂窩狀結構之氮化銦鎵太陽能電池的反射光譜。圖(b)顯示有(虛線部分)或無(實線部分)SiO2 奈米蜂窩狀結構之氮化銦鎵太陽能電池的外部量子效率之比較。圖(c)顯示氮化銦鎵太陽能電池有(虛線)與無(實線)奈米蜂窩狀結構電壓-電流特性曲線之比較。
第四圖(a)氮化銦鎵太陽能電池奈米蜂窩狀結構之光場圖。圖(b)有奈米蜂窩狀結構之光場圖，其中右上角之放大部分為奈米蜂窩狀結構。圖(c)流經主動層有(虛線)與無(實線)奈米蜂窩狀結構之光通量計算。
第五圖顯示氮化銦鎵發光二極體有(圓點虛線)與無(交叉點虛線)奈米蜂窩狀結構陣列之(a)電流-亮度(b)電壓-電流圖。
第六圖顯示氮化銦鎵發光二極體有(虛線)與無(實線)奈米蜂窩狀結構陣列之輻射剖面圖，電流為100mA。

Claims (17)

  1. 一種週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法，包括：於一基材上形成一氧化物薄膜；將該氧化物薄膜進行一親水性處理；於該氧化物薄膜上形成一奈米球陣列；在一第一蝕刻條件中，對該奈米球陣列進行第一蝕刻，其中該第一蝕刻條件係指：蝕刻氣體之流量為40-100sccm，功率為35-70W且環境壓力為3-10Pa；以及在一第二蝕刻條件中，以該奈米球陣列作為光罩，對該氧化物薄膜進行一第二蝕刻，其中該第二蝕刻條件係指：蝕刻氣體之流量為20-40sccm，功率為70-100W且環境壓力為1-3Pa。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該週期性奈米孔洞狀結構陣列係為一奈米蜂窩狀結構陣列。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該氧化物薄膜係為導電氧化物薄膜。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之製造方法，其中該氧化物薄膜係為二氧化鈦、氧化矽、二氧化矽、氧化鋅、氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、氟摻雜氧化錫、錫酸鎘(氧化錫)、錫酸鋅(氧化錫)、或含銦氧化物之一或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該親水性處理係指將該氧化物薄膜以一氧氣電漿進行表面處理。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該奈米球陣列係藉由將奈米尺寸之一介電質球體溶液塗佈於該氧化物薄膜而形成。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之製造方法，其中該介電質球體溶液係為聚苯乙烯奈米球溶液
  8. 如申請專利範圍第6項所述之製造方法，係進一步包括一乾燥步驟，係於溫度為50-70℃及濕度為60-95%之條件下將塗佈於該氧化物薄膜上之介電質球體溶液乾燥。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該奈米球陣列係為一單層奈米球陣列。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該第一蝕刻條件中之蝕刻氣體係為一含氧氣體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該含氧氣體係為O2 或O3 。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該第二蝕刻條件中之蝕刻氣體係為CF4 、SF6 或CHF3 之一或其組合。
  13. 一種用於光電元件之抗反射層，其中該抗反射層係包含以如申請專利範圍第1至12項中任一項所述之方法製造之一週期性奈米孔洞狀結構陣列。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之抗反射層，其中該週期性奈米孔洞狀結構陣列係為一奈米蜂窩狀結構陣列。
  15. 一種光電元件，其包括：一基材；至少一光電作用層，其係設於該基材上；以及一種如申請專利範圍第13至14項中任一項之抗反射層，係設於該至少一光電作用層上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之光電元件，其中該週期性奈米孔洞狀結構陣列係為一奈米蜂窩狀結構陣列。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之光電元件，其中該光電元件係為光電二極體、發光二極體、光伏組件或雷射二極體之一或其組合。
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