JP2004047911A

JP2004047911A - 熱処理装置

Info

Publication number: JP2004047911A
Application number: JP2002206439A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Kobayashi; 小林　俊幸
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-07-16
Filing date: 2002-07-16
Publication date: 2004-02-12
Anticipated expiration: 2022-07-16
Also published as: JP4323764B2

Abstract

【課題】熱処理装置において基板の温度均一性を向上する。
【解決手段】ランプにより基板９に光を照射して基板９に加熱を伴う処理を施す熱処理装置において、基板９の外周に沿って広がる第１補助リング３１および第２補助リング３２、並びに、遮光リング３４を設け、これらのリング状の部材を第２補助リング３２、円筒部材３３および支持部３５により支持する。各リング状の部材に形成された凹部３１２，３２２，３４２内の基板９側を向く面と支持側の部材に形成された凸部３２１，３３１および支持ピン３５１の外側を向く面との間の間隙は、低温時に近接するように設計される。これにより、加熱により各リング状の部材が膨張しても降温時に各リング状の部材を所定の位置に位置させることが実現される。その結果、各リング状の部材間の重なり代を小さく設計することができ、加熱時の基板９の温度均一性を向上することができる。
【選択図】　　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に加熱を伴う処理を行う熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体等のデバイスの微細加工の要求が高まるにつれ、半導体基板（以下、「基板」という。）の加熱工程の１つとして急速加熱工程（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓ、以下、「ＲＴＰ」という。）が重要な役割を果たしている。ＲＴＰでは主にランプが加熱源として用いられ、処理室内を所定のガス雰囲気に保ちつつ秒オーダーで基板が所定の温度（例えば、１１００℃）に加熱され、一定時間（例えば、数十秒）だけその温度に維持された後、ランプを消灯することにより急速冷却が行われる。
【０００３】
ＲＴＰにより、基板に作り込まれたトランジスタの接合層における熱による不純物の再拡散防止、酸化膜等の絶縁膜の薄膜化等、従来の電気炉による長時間の熱処理では実現困難であった処理が行われる。
【０００４】
ＲＴＰを行う熱処理装置においては、基板の外縁部に当接することにより基板を支持する補助リングおよび補助リングの外側を覆う遮光リングが設けられることがある。補助リングは、基板と一体的に加熱されることにより基板の表面の温度均一性を向上するとともに、ＲＴＰ中の基板の温度を測定するために基板の裏面側に配置された温度計にランプからの光が直接入射することを防ぐために設けられる。また、遮光リングは、補助リングの外縁部において光迷路を形成しつつ補助リングの外側から温度計に光が入射することを防止するために設けられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、補助リングおよび遮光リングは、加熱時の膨張による割れを防ぐために、それぞれを支持する部材との間の係合部に間隙（いわゆる、「遊び」）が設けられる。したがって、支持側の部材との温度差または熱膨張率の差により、熱処理を繰り返すと補助リングおよび遮光リングの位置が変化する（すなわち、基板の中心に対して補助リングおよび遮光リングの中心の位置がずれる。）という現象が生じる。このような要因を考慮し、従来、位置ずれが生じた場合においても、基板と補助リングとの間、または、補助リングと遮光リングとの間に隙間が生じてランプからの光が温度計へと入射しないように（特に低温時にノイズとして入射しないように）、これらの構成の間の重なり代を十分に大きくする設計が行われてきた。
【０００６】
しかしながら、基板と補助リングとの重なり代が大きい場合、加熱の際に基板の外縁部の熱容量（補助リングの熱容量の影響を考慮した見かけ上の熱容量）が大きくなってしまうことから、基板の中央付近と外縁部との間にランプ出力の調整では補えないほどの温度のムラ（昇温時に外縁部の温度が相対的に低くなり、降温時に相対的に高くなるという不均一さ）が生じてしまう。また、基板の中心と補助リングの中心とがずれている場合も、重なり代が基板の外縁部で一定ではなくなるため、基板外縁部の熱容量が不均一となって基板外縁部の温度にムラが生じてしまう。
【０００７】
一方、補助リングと遮光リングとの重なり代が大きい場合には、加熱の際に補助リングの外縁部における温度上昇が相対的に遅くなり、内周側との温度差に起因する過大な応力により補助リングに割れが生じる可能性がある。また、補助リングの中心と遮光リングの中心とがずれている場合、補助リングの温度均一性が低下し、その結果、基板の温度均一性も低下することとなる。
【０００８】
近年、さらなる微細パターンの要求に伴い、基板の外側に設けられたリング状の各部材の影響により生じる基板の温度ムラの低減が一層求められるようになっている。そこで、本発明は基板と基板周囲の部材との間の位置ずれを低減することにより、重なり代を小さくかつ一定にして加熱時の基板の温度均一性を向上することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板に光を照射して加熱を伴う処理を行う熱処理装置であって、基板に光を照射するランプと、基板の外周に沿って広がるリング部材と、前記リング部材を支持する支持部材とを備え、前記リング部材が第１の面を有し、前記支持部材が前記第１の面と対向する第２の面を有し、温度下降時の前記リング部材または前記支持部材の収縮により前記第１の面と前記第２の面との間の間隙が減少する。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の熱処理装置であって、前記リング部材が、基板の外縁部を下方から支持する補助リングである。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の熱処理装置であって、前記支持部材が、前記リング部材と同心のリング状の部材である。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の熱処理装置であって、前記リング部材が、基板の外縁部から外側に広がる補助リングの外側を覆う遮光リングである。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記支持部材が、石英により形成される。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記第１の面が基板側を向き、加熱時に前記リング部材の温度が前記支持部材の温度よりも高い。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記第１の面が基板側を向き、前記リング部材の熱膨張率が前記支持部材の熱膨張率よりも大きい。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記第１の面または前記第２の面が円筒面である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一の実施の形態に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１では細部の断面に対する平行斜線の記載が省略されている。
【００１８】
熱処理装置１は、所定雰囲気中にて光を基板９に照射することにより、基板９に酸化、アニール、ＣＶＤ等の様々な加熱を伴う処理を行う装置である。熱処理装置１では、装置本体である本体部１１、本体部１１の上部を覆う蓋部１２、および、本体部１１の中央底面に配置された反射板１３によりチャンバが構成される。チャンバの内部空間は石英にて形成されたチャンバ窓２１により上下に仕切られ、下部の処理空間１０では基板９が補助リング群３０により支持される。なお、チャンバ窓２１と本体部１１との間は図示しないＯリングによりシールされ、本体部１１の内側面は円筒面となっている。
【００１９】
本体部１１の側壁には複数のガス導入口１１１および排気口１１２が形成されており、排気口１１２から処理空間１０内のガスが（強制）排気されたり、ガス導入口１１１を介して基板９に施される処理の種類に応じたガス（例えば、窒素、酸素等）が導入されることにより、処理空間１０のガス置換が行われる。なお、基板９とチャンバ窓２１との間には多数の穴が形成された石英のシャワープレート２２が設けられ、ガス導入口１１１から導入されたガスがシャワープレート２２を介して基板９の上面に均一に付与される。処理に用いられたガスは、処理空間１０の下方から排気口１１２へと導かれる。
【００２０】
補助リング群３０は装置の中心軸１ａを中心とする円筒状の円筒部材３３に支持され、円筒部材３３の下端にはカップリング部材３６１が取り付けられる。本体部１１の外部下方にはカップリング部材３６１と対向するカップリング部材３６２が設けられ、カップリング部材３６１およびカップリング部材３６２により磁気的なカップリング機構が構成される。カップリング部材３６２はモータ３６３により中心軸１ａを中心に回転する。これにより、本体部１１内部のカップリング部材３６１が磁気的作用により回転し、基板９および補助リング群３０が主面の向きを一定に保った状態で中心軸１ａを中心に回転する。なお、円筒部材３３は加熱時の熱膨張を抑えるために石英にて形成されている。
【００２１】
また、補助リング群３０の外側には円環状の遮光リング３４が設けられる。遮光リング３４は本体部１１に支持され、遮光リング３４により補助リング群３０の外側および円筒部材３３と本体部１１との間の間隙１０ａが覆われる。
【００２２】
熱処理装置１の蓋部１２の下面は基板９の上面に対向する反射面（以下、「リフレクタ」という。）１２１となっており、リフレクタ１２１に沿ってそれぞれがＸ方向を向くように棒状の上段ランプ群４１が配列される。上段ランプ群４１からの光のうち上方に出射されるものはリフレクタ１２１により反射され、基板９に照射される。ランプとしては、例えば、赤外線ハロゲンランプが採用される。上段ランプ群４１の下方（すなわち、上段ランプ群４１と基板９との間）には、それぞれが上段ランプ群４１とは垂直なＹ方向を向くように棒状の下段ランプ群４２が配置される。
【００２３】
上段ランプ群４１および下段ランプ群４２は、中心軸１ａからの距離に応じて小グループに分けられており、各グループは個別にランプ制御部に接続され、互いに独立して電力が供給される。
【００２４】
基板９の下方には、中心軸１ａから外側に向かって複数の放射温度計５１が取り付けられ、反射板１３に設けられた窓部材５０を介して基板９からの赤外光を受光することにより基板９の温度を測定する。補助リング群３０に載置された基板９は回転することから複数の放射温度計５１により中心軸１ａからの距離に応じた基板９の温度が測定され、測定結果に従って基板９の温度が可能な限り均一となるようにランプの制御が行われる。その際、基板９、補助リング群３０および遮光リング３４によりランプ群４１，４２からの光が放射温度計５１に入射することが阻止され、放射温度計５１により正確な温度測定が行われる。
【００２５】
図２は図１中の矢印Ａ−Ａの位置から見たときの遮光リング３４から内側を示す図であり、図３は基板９が補助リング群３０に支持される様子を示す拡大断面図である。
【００２６】
図２および図３に示すように、補助リング群３０は基板９の外周に沿って広がる第１補助リング３１および第２補助リング３２により構成され、第１補助リング３１には基板９が載置され、第２補助リング３２は第１補助リング３１を外側から支持する。第１補助リング３１および第２補助リング３２は共に基板９と比熱が近い炭化ケイ素（ＳｉＣ）にて形成され、中心軸１ａを中心とする円環状となっている。そして、第１補助リング３１および第２補助リング３２は基板９と一体的に加熱されることにより基板９の温度の面内均一性を向上させる役割を果たす。
【００２７】
第１補助リング３１は内周面３１０に中心軸１ａ側に突出する円環状の支持部３１１を有し、外部の搬送機構により処理空間１０内へと搬送された基板９は、基板９の外縁部に支持部３１１が下方から当接することにより支持される。基板９が第１補助リング３１に載置された状態では、基板９の外周面９０と第１補助リング３１の内周面３１０とが対向する。
【００２８】
図３に示すように第１補助リング３１および第２補助リング３２の下面には中心軸１ａを中心とする円環状の凹部３１２，３２２がそれぞれ形成され、さらに、第２補助リング３２の内側の端部には中心軸１ａを中心として円環状に上方に突出する凸部３２１が設けられる。そして、凸部３２１の上面が第１補助リング３１の凹部３１２の底面（すなわち、下側を向く面）に当接することにより、第１補助リング３１が第２補助リング３２に支持される。また、石英にて形成された円筒部材３３の上面にも上方に突出する凸部３３１が中心軸１ａを中心として円環状に設けられ、第２補助リング３２の凹部３２２の底面が凸部３３１の上面と当接することにより、第２補助リング３２が円筒部材３３に支持される。
【００２９】
なお、第１補助リング３１、第２補助リング３２および円筒部材３３がリング状とされ、さらに、支持部３１１、凹部３１２，３２２および凸部３２１，３３１も円環状とされることにより、処理ガスが基板９の下面側へと回り込むことが抑制される。
【００３０】
遮光リング３４は炭化ケイ素にて形成され、図２および図３に示すように第２補助リング３２の外側を覆いつつ基板９の外周に沿って広がるように設けられる。図３に示すように、遮光リング３４の下面には中心軸１ａを中心とする円環状の凹部３４２が形成され、本体部１１には石英にて形成された複数の支持部３５が中心軸１ａを中心とする周上に固定される（図２参照）。支持部３５の上面には上方に突出する支持ピン３５１が形成されており、遮光リング３４の凹部３４２の底面が支持ピン３５１の上面に当接することにより遮光リング３４が支持される。なお、本体部１１はＳＵＳにて形成され、図示省略の水冷機構により冷却される。
【００３１】
遮光リング３４の中心軸１ａ側の端部には下方に突出する円環状の突起部３４３が設けられ、第２補助リング３２の外側の端部には上方に突出する円環状の突起部３２３が形成される。突起部３２３，３４３は光迷路を構成し、本体部１１と円筒部材３３との間の間隙１０ａに光が進入することを防止する。
【００３２】
図４は補助リング群３０および遮光リング３４をさらに拡大して示す図である。図４に示すように、熱処理装置１の非加熱時において、第１補助リング３１の凹部３１２内の基板９側を向く円筒面３１２ａ（中心軸１ａを中心とする円筒面）と第２補助リング３２の凸部３２１の外側を向く円筒面３２１ａとが対向しつつ近接して位置する（いずれかの位置で当接している状態を含む。以下同様）。同様に、第２補助リング３２の凹部３２２内の基板９側を向く円筒面３２２ａと円筒部材３３の凸部３３１の外側を向く円筒面３３１ａとが対向しつつ近接して位置する。さらに、遮光リング３４の凹部３４２内の基板９側を向く円筒面３４２ａと支持部３５の支持ピン３５１の外側を向く面３５１ａ（側面の外側の部分）とが対向しつつ近接して位置する。
【００３３】
図５は基板９の加熱時における補助リング群３０および遮光リング３４を示す図である。加熱時には、第１補助リング３１および第２補助リング３２が基板９と一体的に加熱されるが、基板９から外側に向かうにつれて温度が低くなるため、第２補助リング３２と比較して第１補助リング３１の温度が高くなる。したがって、第１補助リング３１が膨張により伸びる長さ（すなわち、中心軸１ａを中心とする半径の変化量）が第２補助リング３２が膨張により伸びる長さより長くなる。これにより、第１補助リング３１の凹部３１２内の円筒面３１２ａと第２補助リング３２の凸部３２１の円筒面３２１ａとの間の間隙（すなわち、図５において符号Ｌ１が付された幅の間隙）が大きくなる。
【００３４】
また、前述のように第２補助リング３２は炭化ケイ素にて形成され、円筒部材３３は石英にて形成されており、炭化ケイ素の熱膨張率は石英の熱膨張率よりも一桁程度大きいことから、加熱時には、第２補助リング３２の凹部３２２内の円筒面３２２ａと円筒部材３３の凸部３３１の円筒面３３１ａとの間の間隙（すなわち、符号Ｌ２が付された幅の間隙）が大きくなる。さらに、支持部３５は１００℃未満に冷却されている本体部１１に取り付けられることから、遮光リング３４が加熱されると遮光リング３４の凹部３４２内の円筒面３４２ａと支持部３５の支持ピン３５１の面３５１ａとの間の間隙（すなわち、符号Ｌ３が付された幅の間隙）が大きくなる。
【００３５】
具体例としては、３００ｍｍ径の基板９に対して処理が行われる場合、図４に示す状態において凹部３１２，３２２，３４２と凸部３２１，３３１および支持ピン３５１との間の間隙が０．１ｍｍとされる。また、１１００〜１２００℃に加熱されることにより補助リング群３０や遮光リング３４の直径が１．５ｍｍ程度増加することから、各凹部の半径方向の幅は各凸部や支持ピン３５１の幅よりも１ｍｍ程度大きく設定される（すなわち、１ｍｍ程度の遊びが設けられる。）。これにより、加熱により第１補助リング３１、第２補助リング３２および遮光リング３４が膨張したとしても過大な応力による割れが防止される。
【００３６】
なお、遮光リング３４が支持ピン３５１に支持されることにより、遮光リング３４の外側において本体部１１との間の隙間にガスが溜まることが防止される。また、支持ピン３５１に代えて中心軸１ａと中心とする円環状の切り欠きのある部材が使用されてもよい。
【００３７】
熱処理装置１の加熱による処理が終了すると、ランプ群４１，４２への電力供給が停止され、処理空間１０内の温度が下降する。これに伴い第１補助リング３１、第２補助リング３２および遮光リング３４が収縮し（円筒部材３３の径および支持部３５が配列される径も僅かに減少する。）、図５における幅Ｌ１〜Ｌ３、すなわち、円筒面３２１ａと円筒面３１２ａ、円筒面３３１ａと円筒面３２２ａ、および、面３５１ａと円筒面３４２ａとの間の間隙が減少し、各構成の配置が図４に示す状態へと戻る。
【００３８】
常温における幅Ｌ１〜Ｌ３は微小な距離となるように設計されているため、仮に、加熱時に第１補助リング３１、第２補助リング３２または遮光リング３４の中心が装置の中心軸１ａからずれたとしても、降温時に凹部３１２，３２２，３４２と、凸部３２１，３３１または支持ピン３５１とがいずれかの位置で当接して各リングの位置がほぼ図４に示す状態へと戻されることとなる。その結果、熱処理を繰り返した場合であっても第１補助リング３１、第２補助リング３２および遮光リング３４の装置内の位置のずれが制限される。
【００３９】
例えば、低温時に幅Ｌ１〜Ｌ３が０．１ｍｍとなるように設計された場合、第１補助リング３１の中心の中心軸１ａに対するずれ量が最大で０．２ｍｍ程度、第２補助リング３２および遮光リング３４の中心の中心軸１ａに対するずれ量が最大で０．１ｍｍ程度に制限される。
【００４０】
その結果、熱処理装置１では基板９と第１補助リング３１との間、第１補助リング３１と第２補助リング３２との間、および、第２補助リング３２と遮光リング３４との間の重なり代をそれぞれ小さく抑えてもランプからの光が放射温度計５１に入射することを確実に防止することが実現される。その結果、重なり代が大きい場合や重なり代が周方向に一定でないことに起因して基板９、第１補助リング３１および第２補助リング３２に生じる温度のムラを抑制することができ、加熱時の基板９の温度均一性を向上することが実現される。さらに、非加熱時に第１補助リング３１の位置がほぼ一定であることから、基板９を第１補助リング３１に載置することも容易に行うことができる。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００４２】
上記実施の形態では、遮光リング３４の下面に円環状に切り欠かれた凹部３４２が設けられるが、例えば、図６に示すように、遮光リング３４に長孔３４４が形成され、支持ピン３５１と長孔３４４とにより低温時における遮光リング３４の位置決めが行われてもよい。この場合、低温時に長孔３４４の外側の面（基板９側を向く面）と、支持ピン３５１の側面のうち外側を向く面とが近接（または、当接）することにより、遮光リング３４の位置ずれが防止される。同様に、第１補助リング３１や第２補助リング３２に凹部３１２，３２２に代えて長孔（または、長孔状に形成された溝）を形成し、第２補助リング３２や円筒部材３３に凸部３２１，３３１に代えて長孔に嵌まる略ピン状の凸部が設けられてもよい。
【００４３】
また、図７に示すように、第１補助リング３１、第２補助リング３２および遮光リング３４に下方に突出する略ピン状の凸部３１０ａ，３２０ａ，３４０ａが形成され、第２補助リング３２、円筒部材３３および支持部３５に各凸部と嵌り合う凹部３２０ｂ，３３０ｂ，３５０ｂが形成されてもよい。この場合、低温時に凸部３１０ａ，３２０ａ，３４０ａの側面のうち基板９側を向く面と、凹部３２０ｂ，３３０ｂ，３５０ｂ内の外側を向く面とが近接（または、当接）することにより、第１補助リング３１，第２補助リング３２および遮光リング３４の位置ずれが防止される。
【００４４】
以上のように、補助リング群３０や遮光リング３４といった基板９の外周に沿って広がるリング状の部材の位置を低温時に限定するために様々な構造を採用することができる。加熱時にリング状の部材が温度差や熱膨張率の差により支持側の部材よりも膨張する場合、一般的には、リング状の部材の基板９側を向く面と支持側の部材の対向する面とを近接させることにより、低温時に互いに対向する面の間の間隙が減少してリング状の部材の位置ずれを制限することができるといえる。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、温度差や熱膨張率の差により加熱時にリング状の部材が支持側の部材よりも膨張するが、選択される材料によっては加熱時に支持側の部材がリング状の部材よりも膨張する場合も考えられる。この場合は、リング状の部材の外側を向く面と支持側の部材側の対向する面（基板９側を向く面）とを近接させることにより、降温時に主として支持側の部材の収縮により互いに対向する面の間の間隙が減少してリング状の部材の位置ずれを制限することができる。
【００４６】
上記実施の形態における補助リング群３０は１つの補助リングとされてもよく、また、別途設けられた支持部材により基板９が支持され、補助リング群３０が基板９の外縁部から外側に広がるようにして設けられてもよい。
【００４７】
基板９に光を照射するランプは必ずしも互いに直交する上段ランプ群４１および下段ランプ群４２として設けられる必要はなく、上段ランプ群４１または下段ランプ群４２のいずれかのみでもよい。さらに、基板９の上面および下面からランプ光が照射されてもよい。
【００４８】
熱処理装置１にて処理される基板９は、半導体基板のみならず、液晶表示装置やプラズマ表示装置等のフラットパネル表示装置用のガラス基板に対する熱処理にも利用することができる。
【００４９】
【発明の効果】
請求項１ないし８の発明では、リング部材の位置ずれを制限することができる。
【００５０】
また、請求項２および４の発明では、基板の下方に向かう光を遮ることができるとともに加熱時の基板の温度の均一性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】熱処理装置の縦断面図である。
【図２】遮光リングから内側を示す平面図である。
【図３】基板が補助リング群に支持される様子を示す拡大断面図である。
【図４】補助リング群および遮光リングを示す拡大断面図である。
【図５】加熱時における補助リング群および遮光リングを示す拡大断面図である。
【図６】遮光リングの他の例を示す図である。
【図７】補助リング群および遮光リングの他の例を示す図である。
【符号の説明】
１　熱処理装置
９　基板
３１，３２　補助リング
３３　円筒部材
３４　遮光リング
３５　支持部
４１，４２　ランプ群
３１２ａ，３２１ａ，３２２ａ，３３１ａ，３４２ａ　円筒面
３５１ａ　面
Ｌ１〜Ｌ３　幅

Claims

基板に光を照射して加熱を伴う処理を行う熱処理装置であって、
基板に光を照射するランプと、
基板の外周に沿って広がるリング部材と、
前記リング部材を支持する支持部材と、
を備え、
前記リング部材が第１の面を有し、前記支持部材が前記第１の面と対向する第２の面を有し、
温度下降時の前記リング部材または前記支持部材の収縮により前記第１の面と前記第２の面との間の間隙が減少することを特徴とする熱処理装置。
請求項１に記載の熱処理装置であって、
前記リング部材が、基板の外縁部を下方から支持する補助リングであることを特徴とする熱処理装置。
請求項１または２に記載の熱処理装置であって、
前記支持部材が、前記リング部材と同心のリング状の部材であることを特徴とする熱処理装置。
請求項１に記載の熱処理装置であって、
前記リング部材が、基板の外縁部から外側に広がる補助リングの外側を覆う遮光リングであることを特徴とする熱処理装置。
請求項１ないし４のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記支持部材が、石英により形成されることを特徴とする熱処理装置。
請求項１ないし５のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記第１の面が基板側を向き、加熱時に前記リング部材の温度が前記支持部材の温度よりも高いことを特徴とする熱処理装置。
請求項１ないし６のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記第１の面が基板側を向き、前記リング部材の熱膨張率が前記支持部材の熱膨張率よりも大きいことを特徴とする熱処理装置。
請求項１ないし７のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記第１の面または前記第２の面が円筒面であることを特徴とする熱処理装置。