以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状のシリコン半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
熱処理装置1は、半導体ウェハーWを収容するチャンバー6と、複数のフラッシュランプFLを内蔵するフラッシュ加熱部5と、複数のハロゲンランプHLを内蔵するハロゲン加熱部4と、シャッター機構2と、を備える。チャンバー6の上側にフラッシュ加熱部5が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部4が設けられている。また、熱処理装置1は、チャンバー6の内部に、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持する保持部7と、保持部7と装置外部との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う移載機構10と、を備える。さらに、熱処理装置1は、シャッター機構2、ハロゲン加熱部4、フラッシュ加熱部5およびチャンバー6に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーWの熱処理を実行させる制御部3を備える。
チャンバー6は、筒状のチャンバー側部61の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部61は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓63が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓64が装着されて閉塞されている。チャンバー6の天井部を構成する上側チャンバー窓63は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部5から出射されたフラッシュ光をチャンバー6内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー6の床部を構成する下側チャンバー窓64も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部4からの光をチャンバー6内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー側部61の内側の壁面の上部には反射リング68が装着され、下部には反射リング69が装着されている。反射リング68,69は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング68は、チャンバー側部61の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング69は、チャンバー側部61の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング68,69は、ともに着脱自在にチャンバー側部61に装着されるものである。チャンバー6の内側空間、すなわち上側チャンバー窓63、下側チャンバー窓64、チャンバー側部61および反射リング68,69によって囲まれる空間が熱処理空間65として規定される。
チャンバー側部61に反射リング68,69が装着されることによって、チャンバー6の内壁面に凹部62が形成される。すなわち、チャンバー側部61の内壁面のうち反射リング68,69が装着されていない中央部分と、反射リング68の下端面と、反射リング69の上端面とで囲まれた凹部62が形成される。凹部62は、チャンバー6の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーWを保持する保持部7を囲繞する。
チャンバー側部61および反射リング68,69は、強度と耐熱性に優れた金属材料(例えば、ステンレススチール)にて形成されている。また、反射リング68,69の内周面は電解ニッケルメッキによって鏡面とされている。
また、チャンバー側部61には、チャンバー6に対して半導体ウェハーWの搬入および搬出を行うための搬送開口部(炉口)66が形設されている。搬送開口部66は、ゲートバルブ185によって開閉可能とされている。搬送開口部66は凹部62の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ185が搬送開口部66を開放しているときには、搬送開口部66から凹部62を通過して熱処理空間65への半導体ウェハーWの搬入および熱処理空間65からの半導体ウェハーWの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ185が搬送開口部66を閉鎖するとチャンバー6内の熱処理空間65が密閉空間とされる。
また、チャンバー6の内壁上部には熱処理空間65に不活性ガス(本実施形態では窒素ガス(N2))を供給するガス供給孔81が形設されている。ガス供給孔81は、凹部62よりも上側位置に形設されており、反射リング68に設けられていても良い。ガス供給孔81はチャンバー6の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間82を介してガス供給管83に連通接続されている。ガス供給管83は窒素ガス供給源85に接続されている。また、ガス供給管83の経路途中にはバルブ84が介挿されている。バルブ84が開放されると、窒素ガス供給源85から緩衝空間82に窒素ガスが送給される。緩衝空間82に流入した窒素ガスは、ガス供給孔81よりも流体抵抗の小さい緩衝空間82内を拡がるように流れてガス供給孔81から熱処理空間65内へと供給される。
一方、チャンバー6の内壁下部には熱処理空間65内の気体を排気するガス排気孔86が形設されている。ガス排気孔86は、凹部62よりも下側位置に形設されており、反射リング69に設けられていても良い。ガス排気孔86はチャンバー6の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間87を介してガス排気管88に連通接続されている。ガス排気管88は排気部190に接続されている。また、ガス排気管88の経路途中にはバルブ89が介挿されている。バルブ89が開放されると、熱処理空間65の気体がガス排気孔86から緩衝空間87を経てガス排気管88へと排出される。なお、ガス供給孔81およびガス排気孔86は、チャンバー6の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、窒素ガス供給源85および排気部190は、熱処理装置1に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置1が設置される工場のユーティリティであっても良い。
また、搬送開口部66の先端にも熱処理空間65内の気体を排出するガス排気管191が接続されている。ガス排気管191はバルブ192を介して排気部190に接続されている。バルブ192を開放することによって、搬送開口部66を介してチャンバー6内の気体が排気される。
保持部7は、均熱リング71および支持リング75を備える。図2は、均熱リング71の斜視図である。また、図3は、半導体ウェハーWを保持した保持部7の側面図である。均熱リング71は、φ300mmの円板形状の半導体ウェハーWの端縁部を取り囲む円環形状の部材であり、環状部72および補強部73を備える。第1実施形態の均熱リング71は、炭化ケイ素(SiC)にて形成される。
環状部72は、円環形状の平板状部材である。第1実施形態では、環状部72の内周端に鍔部72aが設けられており、その鍔部72aが半導体ウェハーWの端縁部の下面を支持する。すなわち、環状部72は内周端にて半導体ウェハーWの端縁部に当接し、その半導体ウェハーWを支持する。また、円環形状の環状部72の外径は半導体ウェハーWの直径よりも大きい。よって、環状部72は、半導体ウェハーWの端縁部に当接して当該端縁部を囲繞する。また、環状部72は、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。
補強部73は、環状部72の外周端に連設された円筒状部材である。第1実施形態では、環状部72と補強部73とのなす角度は90°である。すなわち、補強部73は環状部72の外周端から垂直に下向きに曲がるように設けられる。よって、図3に示すように、均熱リング71の断面形状はL字となる。このような形状の均熱リング71は、例えば焼結SiCを用いて環状部72および補強部73を一体成形することにより作製することができる。
支持リング75は、透明な石英にて形成された円環形状の部材である。支持リング75は、凹部62の底面に固定して取り付けられることによって、チャンバー6の内壁面に固設される(図1参照)。支持リング75をチャンバー6に固設する手法としては、例えばピンによって支持リング75を凹部62の底面に固定すれば良い。
第1実施形態においては、石英の支持リング75も断面形状がL字となるように形成される。そして、支持リング75のL字と均熱リング71のL字とが互いに噛み合うように、チャンバー6の内壁に固設された支持リング75に均熱リング71が嵌装される。これにより、均熱リング71を含む保持部7の全体がチャンバー6に固定設置されることとなる。
チャンバー6の内壁に固設された保持部7の均熱リング71によって半導体ウェハーWは水平姿勢(法線が鉛直方向と一致する姿勢)に支持される。均熱リング71の環状部72は半導体ウェハーWの主面と平行であるため、環状部72も水平姿勢である。また、環状部72に垂直に設けられた補強部73は鉛直方向に沿って設けられることとなる。
また、チャンバー6には図示を省略する放射温度計が設けられている。放射温度計は、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの下面から放射される放射光(赤外光)を受光してウェハー温度を測定することができる。半導体ウェハーWは環状部72によって端縁部が支持され、当該端縁部を除く半導体ウェハーWの下面は開放されているため、放射温度計は半導体ウェハーWの下面から放射される放射光を確実に受光することができる。
図4は、移載機構10の平面図である。また、図5は、移載機構10の側面図である。移載機構10は、2本の移載アーム11を備える。移載アーム11は、概ね円環状の凹部62に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム11には2本のリフトピン12が立設されている。各移載アーム11は水平移動機構13によって回動可能とされている。水平移動機構13は、一対の移載アーム11を保持部7に対して半導体ウェハーWの移載を行う移載動作位置(図5の実線位置)と保持部7に保持された半導体ウェハーWと平面視で重ならない退避位置(図5の二点鎖線位置)との間で水平移動させる。水平移動機構13としては、個別のモータによって各移載アーム11をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて1個のモータによって一対の移載アーム11を連動させて回動させるものであっても良い。
また、一対の移載アーム11は、昇降機構14によって水平移動機構13とともに昇降移動される。昇降機構14が一対の移載アーム11を移載動作位置にて上昇させると、計4本のリフトピン12が均熱リング71の内側空間を通過し、リフトピン12の上端が環状部72の上面よりも上方に到達する。一方、昇降機構14が一対の移載アーム11を移載動作位置にて下降させてリフトピン12を保持部7よりも下方に移動させ、水平移動機構13が一対の移載アーム11を開くように移動させると各移載アーム11が退避位置に移動する。なお、移載機構10の駆動部(水平移動機構13および昇降機構14)が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構10の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー6の外部に排出されるように構成されている。
図1に戻り、チャンバー6の上方に設けられたフラッシュ加熱部5は、筐体51の内側に、複数本(本実施形態では30本)のキセノンフラッシュランプFLからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ52と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部5の筐体51の底部にはランプ光放射窓53が装着されている。フラッシュ加熱部5の床部を構成するランプ光放射窓53は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部5がチャンバー6の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓53が上側チャンバー窓63と相対向することとなる。フラッシュランプFLはチャンバー6の上方からランプ光放射窓53および上側チャンバー窓63を介して熱処理空間65にフラッシュ光を照射する。
複数のフラッシュランプFLは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部7に保持される半導体ウェハーWの主面に沿って(つまり水平方向に沿って)互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプFLの配列によって形成される平面も水平面である。
キセノンフラッシュランプFLは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管(放電管)と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプFLにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリセカンドないし100ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプHLの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
また、リフレクタ52は、複数のフラッシュランプFLの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ52の基本的な機能は、複数のフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を熱処理空間65の側に反射するというものである。リフレクタ52はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面(フラッシュランプFLに臨む側の面)はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
チャンバー6の下方に設けられたハロゲン加熱部4の内部には複数本(本実施形態では40本)のハロゲンランプHLが内蔵されている。複数のハロゲンランプHLはチャンバー6の下方から下側チャンバー窓64を介して熱処理空間65への光照射を行う。図6は、複数のハロゲンランプHLの配置を示す平面図である。本実施形態では、上下2段に各20本ずつのハロゲンランプHLが配設されている。各ハロゲンランプHLは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに20本のハロゲンランプHLは、それぞれの長手方向が保持部7に保持される半導体ウェハーWの主面に沿って(つまり水平方向に沿って)互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプHLの配列によって形成される平面は水平面である。
また、図6に示すように、上段、下段ともに保持部7に保持される半導体ウェハーWの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプHLの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも端部側の方がハロゲンランプHLの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部4からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
また、上段のハロゲンランプHLからなるランプ群と下段のハロゲンランプHLからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段の各ハロゲンランプHLの長手方向と下段の各ハロゲンランプHLの長手方向とが直交するように計40本のハロゲンランプHLが配設されている。
ハロゲンランプHLは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素(ヨウ素、臭素等)を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプHLは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。また、ハロゲンランプHLは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプHLを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーWへの放射効率が優れたものとなる。
また、図1に示すように、熱処理装置1は、ハロゲン加熱部4およびチャンバー6の側方にシャッター機構2を備える。シャッター機構2は、シャッター板21およびスライド駆動機構22を備える。シャッター板21は、ハロゲン光に対して不透明な板であり、例えばチタン(Ti)にて形成されている。スライド駆動機構22は、シャッター板21を水平方向に沿ってスライド移動させ、ハロゲン加熱部4と熱処理空間65との間の遮光位置にシャッター板21を挿脱する。スライド駆動機構22がシャッター板21を前進させると、チャンバー6とハロゲン加熱部4との間の遮光位置(図1の二点鎖線位置)にシャッター板21が挿入され、下側チャンバー窓64と複数のハロゲンランプHLとが遮断される。これによって、複数のハロゲンランプHLから熱処理空間65へと向かう光は遮光される。逆に、スライド駆動機構22がシャッター板21を後退させると、チャンバー6とハロゲン加熱部4との間の遮光位置からシャッター板21が退出して下側チャンバー窓64の下方が開放される。
また、制御部3は、熱処理装置1に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部3のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部3は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部3のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置1における処理が進行する。
上記の構成以外にも熱処理装置1は、半導体ウェハーWの熱処理時にハロゲンランプHLおよびフラッシュランプFLから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部4、フラッシュ加熱部5およびチャンバー6の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー6の壁体には水冷管(図示省略)が設けられている。また、ハロゲン加熱部4およびフラッシュ加熱部5は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓63とランプ光放射窓53との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部5および上側チャンバー窓63を冷却する。
次に、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーWはイオン注入法により不純物(イオン)が添加されたシリコンの半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置1によるフラッシュ光照射加熱処理(アニール)により実行される。図7は、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順を示すフローチャートである。以下に示す半導体ウェハーWの処理手順は、制御部3が熱処理装置1の各動作機構を制御することによって進行する。
まず、給気のためのバルブ84が開放されるとともに、排気用のバルブ89,192が開放されてチャンバー6内に対する給排気が開始される(ステップS1)。バルブ84が開放されると、ガス供給孔81から熱処理空間65に窒素ガスが供給される。また、バルブ89が開放されると、ガス排気孔86からチャンバー6内の気体が排気される。これにより、チャンバー6内の熱処理空間65の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間65の下部から排気される。
また、バルブ192が開放されることによって、搬送開口部66からもチャンバー6内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構10の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置1における半導体ウェハーWの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間65に継続的に供給されており、その供給量は図7の処理ステップに応じて適宜変更される。
続いて、ゲートバルブ185が開いて搬送開口部66が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部66を介して不純物注入後の半導体ウェハーWがチャンバー6内の熱処理空間65に搬入される(ステップS2)。搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーWは保持部7の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構10の一対の移載アーム11が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン12が均熱リング71の内側空間を通過して半導体ウェハーWを受け取る。
半導体ウェハーWがリフトピン12に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間65から退出し、ゲートバルブ185によって搬送開口部66が閉鎖される。そして、一対の移載アーム11が下降することにより、半導体ウェハーWは移載機構10から保持部7の均熱リング71に渡される。図3に示すように、均熱リング71は、環状部72の内周端によって半導体ウェハーWの端縁部を全周にわたって支持する。半導体ウェハーWは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として水平姿勢にて均熱リング71に支持される。保持部7の下方にまで下降した一対の移載アーム11は水平移動機構13によって退避位置に退避する。
半導体ウェハーWが保持部7の均熱リング71に支持された後、ハロゲン加熱部4の40本のハロゲンランプHLが一斉に点灯して予備加熱(アシスト加熱)が開始される(ステップS3)。ハロゲンランプHLから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓64を透過して半導体ウェハーWの裏面(表面とは反対側のパターン形成がなされていない主面)から照射される。ハロゲンランプHLからの光照射を受けることによって半導体ウェハーWが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構10の移載アーム11は退避位置に退避され、さらに移載アーム11およびリフトピン12も透明な石英にて形成されているため、それらがハロゲンランプHLによる加熱の障害となることは無い。
ハロゲンランプHLによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーWの温度が温度センサによって測定されている。この温度センサとしては、例えば放射温度計を用いることができる。本実施形態においては、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの下方が広く開放されているため、放射温度計は半導体ウェハーWの下面から放射される放射光を確実に受光して正確な温度測定を行うことができる。また、温度センサとしては、熱電対を使用した接触式温度計を用いるようにしても良い。温度センサによって測定された半導体ウェハーWの温度は制御部3に伝達される。
制御部3は、ハロゲンランプHLからの光照射によって昇温する半導体ウェハーWの温度が所定の予備加熱温度T1に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプHLの出力を制御する。すなわち、制御部3は、温度センサによる測定値に基づいて、半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1となるようにハロゲンランプHLの出力をフィードバック制御している。予備加熱温度T1は、半導体ウェハーWに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、200℃ないし800℃程度、好ましくは350℃ないし600℃程度とされる(本実施の形態では600℃)。
半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達した後、制御部3は半導体ウェハーWをその予備加熱温度T1に暫時維持する。具体的には、温度センサによって測定される半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達した時点にて制御部3がハロゲンランプHLの出力を制御して半導体ウェハーWの温度をほぼ予備加熱温度T1に維持している。
次に、半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達して所定時間が経過した時点で、フラッシュ加熱部5のフラッシュランプFLから半導体ウェハーWの表面にフラッシュ光が照射される(ステップS4)。このとき、フラッシュランプFLから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー6内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ52により反射されてからチャンバー6内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーWのフラッシュ加熱が行われる。第1実施形態においては、保持部7の均熱リング71によって半導体ウェハーWを端縁部にて支持した状態にてフラッシュランプFLからフラッシュ光が照射される。
フラッシュ加熱は、フラッシュランプFLからのフラッシュ光(閃光)照射により行われるため、半導体ウェハーWの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプFLから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーWの表面温度は、瞬間的に1000℃以上の処理温度T2まで上昇し、半導体ウェハーWに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置1では、半導体ウェハーWの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーWに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、0.1ミリセカンドないし100ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプHLが消灯する(ステップS5)。また、ハロゲンランプHLが消灯するのと同時に、シャッター機構2がシャッター板21をハロゲン加熱部4とチャンバー6との間の遮光位置に挿入する(ステップS6)。ハロゲンランプHLが消灯しても、すぐにフィラメントや管壁の温度が低下するものではなく、暫時高温のフィラメントおよび管壁から輻射熱が放射され続け、これが半導体ウェハーWの降温を妨げる。シャッター板21が挿入されることによって、消灯直後のハロゲンランプHLから熱処理空間65に放射される輻射熱が遮断されることとなり、半導体ウェハーWの降温速度を高めることができる。なお、降温中の半導体ウェハーWの温度も温度センサによって測定され、その測定結果は制御部3に伝達される。
制御部3は、温度センサによって測定される半導体ウェハーWの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーWの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構10の一対の移載アーム11が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン12が均熱リング71の内側空間を通過して熱処理後の半導体ウェハーWを均熱リング71から受け取る。続いて、ゲートバルブ185により閉鎖されていた搬送開口部66が開放され、リフトピン12上に載置された半導体ウェハーWが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置1における半導体ウェハーWの加熱処理が完了する(ステップS7)。
第1実施形態においては、円環形状の平板状部材である環状部72の外周端に円筒状の補強部73を垂直に設け、均熱リング71を断面L字形状としている。炭化ケイ素にて形成された均熱リング71はフラッシュ光を吸収する。特に、半導体ウェハーWの主面と平行な環状部72の上面は、フラッシュランプFLから照射されたフラッシュ光を直接に受光して吸収することとなるため、瞬間的に急激に昇温する。その結果、均熱リング71のうち環状部72の上面のみが急激に熱膨張し、環状部72に変形応力が作用することとなるが、環状部72と垂直に補強部73が設けられているため、環状部72の熱膨張に起因した変形は抑制される。このため、フラッシュ光照射時における均熱リング71の振動および跳躍は大幅に抑制されることとなり、そのような均熱リング71の挙動に起因したパーティクルの発生を防止することができる。また、均熱リング71の振動を抑制することによって、均熱リング71の位置ずれも防止することができ、半導体ウェハーWを確実に支持することができる。
また、炭化ケイ素にて形成された均熱リング71はハロゲンランプHLから照射されたハロゲン光も吸収する。従って、ハロゲンランプHLによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーWとともに均熱リング71もハロゲン光を吸収して昇温することとなる。このような均熱リング71によって半導体ウェハーWの端縁部を取り囲むことにより、予備加熱段階で温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部の温度低下を防止して面内温度分布の均一性を向上させることができる。
また、第1実施形態においては、支持リング75のL字と均熱リング71のL字とが互いに噛み合うように、チャンバー6の内壁に固設された支持リング75に均熱リング71が嵌装されている。このため、フラッシュ光照射時に均熱リング71が若干振動したとしても、均熱リング71の位置ずれを確実に防止することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と同様である。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、保持部7の構造である。
図8は、第2実施形態の保持部7の側面図である。図8において、第1実施形態と同一の要素については図3と同様の符号を付している。保持部7は、均熱リング71および支持リング175を備える。均熱リング71は第1実施形態と同様のものである。すなわち、均熱リング71は、内周端が半導体ウェハーWの端縁部に当接して当該端縁部を囲繞する円環形状の環状部72と、環状部72の外周端から垂直に連設された円筒形状の補強部73と、を備える。環状部72は、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。また、均熱リング71は、炭化ケイ素にて形成される。
支持リング175は、透明な石英にて形成された円環形状の部材である。第1実施形態と同様に、支持リング175は、凹部62の底面に固定して取り付けられることによって、チャンバー6の内壁面に固設される。第2実施形態の支持リング175においては、第1実施形態の支持リング75の断面のL字の先端からさらに垂直に内側に曲がるように平面部176が設けられている。平面部176は、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。よって、平面部176は、平坦な円環形状を有することとなる。
平面部176の上面には複数の突起177が立設されている。突起177も石英にて形成される。平面部176の上面から突起177の先端までの高さは2mm以下である。そして、第2実施形態においては、複数の突起177によって均熱リング71が支持される。より具体的には、支持リング175の平面部176に立設された複数の突起177によって、均熱リング71の環状部72が支持される。これにより、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行な環状部72は、同じく当該半導体ウェハーWの主面と平行な平面部176から2mm以下の間隔を隔てて相対向するように支持されることとなる。
また、均熱リング71の環状部72のうち支持リング175の平面部176と対向する面積は、環状部72の面積の3分の1以上である。すなわち、均熱リング71の環状部72は、その面積の3分の1以上において平面部176と2mm以下の間隔を隔てて相対向している。
第2実施形態においては、支持リング175に突起177を介して支持された均熱リング71によって半導体ウェハーWが水平姿勢に支持される。そして、このように均熱リング71に支持された半導体ウェハーWに対して、第1実施形態と同様にハロゲンランプHLを用いた予備加熱およびフラッシュランプFLからのフラッシュ光照射が行われる。
第2実施形態においても、円環形状の平板状部材である環状部72の外周端に円筒状の補強部73を垂直に設け、均熱リング71を断面L字形状としている。このため、フラッシュ光照射時に環状部72に表面熱膨張に起因した変形応力が作用したとしても、環状部72と垂直に設けられた補強部73によって変形は抑制される。その結果、フラッシュ光照射時における均熱リング71の振動および跳躍は大幅に抑制されることとなり、そのような均熱リング71の挙動に起因したパーティクルの発生を防止することができる。また、均熱リング71の振動を抑制することによって、均熱リング71の位置ずれも防止することができ、半導体ウェハーWを確実に支持することができる。
また、炭化ケイ素にて形成された均熱リング71によって半導体ウェハーWの端縁部を取り囲むことにより、予備加熱段階で温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部の温度低下を防止して面内温度分布の均一性を向上させることができる。
さらに、第2実施形態においては、均熱リング71の環状部72が支持リング175の平面部176から2mm以下の間隔を隔てて相対向するように支持される。このため、フラッシュ光照射時に、張り付き効果によって均熱リング71の振動および跳躍がより確実に抑制されることとなる。張り付き効果とは、フラッシュ光照射時に均熱リング71が振動または跳躍しようとしても、環状部72と平面部176との間の2mm以下の狭い間隔には気体が入り込みにくいため、当該間隔が負圧となって環状部72に平面部176に張り付くような力が作用する効果である。このような張り付き効果を得るためには、環状部72のうち平面部176と対向する面積が環状部72の面積の3分の1以上であることが望ましい。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と同様である。また、第3実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第3実施形態が第1実施形態と相違するのは、保持部7の構造である。
図9は、第3実施形態の保持部7の側面図である。図9において、第1実施形態と同一の要素については図3と同様の符号を付している。保持部7は、均熱リング171および支持リング275を備える。第2実施形態では支持リングのL字の先端から平面部を延設していたが、第3実施形態では均熱リングのL字の先端から平面部を延設している。第3実施形態の均熱リング171は、円板形状の半導体ウェハーWの端縁部を取り囲む円環形状の部材であり、環状部72、補強部73および平面部74を備える。第1実施形態と同様に、均熱リング171は、炭化ケイ素にて形成される。
環状部72は、内周端にて半導体ウェハーWの端縁部に当接し、その半導体ウェハーWを支持するとともに、当該端縁部を囲繞する円環形状の部材である。また、環状部72は、均熱リング71によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。補強部73は、環状部72の外周端から垂直に連設された円筒形状の部材である。
第3実施形態の均熱リング171においては、環状部72と補強部73とで形成される断面のL字の先端からさらに垂直に外側に曲がるように平面部74が設けられている。すなわち、平面部74は、補強部73の下端から環状部72とは反対側に延設されている。平面部74は、環状部72と平行、つまり均熱リング171によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。よって、平面部74は、平坦な円環形状を有することとなる。
支持リング275は、透明な石英にて形成された円環形状の部材である。第1実施形態と同様に、支持リング275は、凹部62の底面に固定して取り付けられることによって、チャンバー6の内壁面に固設される。第3実施形態の支持リング275は、平坦な円環形状を有する平面部276を備える。平面部276は、均熱リング171によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。
円環形状の平面部276の上面には複数の突起277が立設されている。突起277も石英にて形成される。平面部276の上面から突起277の先端までの高さは2mm以下である。そして、第3実施形態においては、複数の突起277によって均熱リング171が支持される。より具体的には、支持リング275の平面部276に立設された複数の突起277によって、均熱リング171の平面部74が支持される。これにより、均熱リング171によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行な均熱リング171の平面部74は、同じく当該半導体ウェハーWの主面と平行な支持リング275の平面部276から2mm以下の間隔を隔てて相対向するように支持されることとなる。
また、均熱リング171の平面部74のうち支持リング275の平面部276と対向する面積は、平面部74の面積の3分の1以上である。すなわち、均熱リング171の平面部74は、その面積の3分の1以上において平面部276と2mm以下の間隔を隔てて相対向している。
第3実施形態においては、支持リング275に突起277を介して支持された均熱リング171によって半導体ウェハーWが水平姿勢に支持される。そして、このように均熱リング171に支持された半導体ウェハーWに対して、第1実施形態と同様にハロゲンランプHLを用いた予備加熱およびフラッシュランプFLからのフラッシュ光照射が行われる。
第3実施形態においても、円環形状の平板状部材である環状部72の外周端に円筒状の補強部73を垂直に設けている。このため、フラッシュ光照射時に環状部72に表面熱膨張に起因した変形応力が作用したとしても、環状部72と垂直に設けられた補強部73によって変形は抑制される。その結果、フラッシュ光照射時における均熱リング171の振動および跳躍は大幅に抑制されることとなり、そのような均熱リング171の挙動に起因したパーティクルの発生を防止することができる。また、均熱リング171の振動を抑制することによって、均熱リング171の位置ずれも防止することができ、半導体ウェハーWを確実に支持することができる。
また、炭化ケイ素にて形成された均熱リング171によって半導体ウェハーWの端縁部を取り囲むことにより、予備加熱段階で温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部の温度低下を防止して面内温度分布の均一性を向上させることができる。
さらに、第3実施形態においては、均熱リング171の平面部74が支持リング275の平面部276から2mm以下の間隔を隔てて相対向するように支持される。このため、フラッシュ光照射時に、第2実施形態と同様の張り付き効果によって均熱リング171に平面部276に張り付くような力が作用し、均熱リング171の振動および跳躍がより確実に抑制されることとなる。
特に、第3実施形態では、均熱リング171のL字の先端から平面部74を延設しているため、均熱リング171に支持される半導体ウェハーWと支持リング275との距離を第2実施形態よりも長くすることができる。これにより、予備加熱時に昇温しにくい石英の支持リング275が半導体ウェハーWの端縁部の温度に与える影響をより少なくすることができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図10は、第4実施形態の熱処理装置の構成を示す縦断面図である。図10において、第1実施形態と同一の要素については図1と同様の符号を付している。第4実施形態の熱処理装置が第1実施形態と相違するのは、均熱リング71の上方に遮光リング79を備えている点である。
遮光リング79は、断面が三角形の円環形状の部材である。遮光リング79は、フラッシュランプFLからのフラッシュ光に対して不透明な金属材料(例えば、ステンレススチール)にて形成される。円環形状の遮光リング79の内径は、半導体ウェハーWの直径よりも大きく、均熱リング71の外径よりも小さい。また、遮光リング79の外径は、均熱リング71の外径と同程度である。
第4実施形態では、このような遮光リング79が均熱リング71の上方であって環状部72の上面から所定の間隔を隔てた高さ位置に設置される。遮光リング79は、チャンバー6の内壁に固定設置される。遮光リング79を除く第4実施形態の残余の構成については、第1実施形態と同様である。
第4実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第4実施形態においては、第1実施形態と同様に、支持リング75に嵌装された均熱リング71によって水平姿勢で支持された半導体ウェハーWに対して、ハロゲンランプHLを用いた予備加熱およびフラッシュランプFLからのフラッシュ光照射が行われる。
このようにしても第1実施形態と同様の効果を得ることができる。それに加えて、第4実施形態においては、フラッシュ光に対して不透明な(つまり、フラッシュ光を透過しない)遮光リング79を均熱リング71の上方に設けているため、均熱リング71の上面の少なくとも一部は遮光リング79によってフラッシュ光から遮光されることとなる。このため、フラッシュ光照射時における環状部72の表面熱膨張自体を少なくすることができ、均熱リングの振動および跳躍をより確実に抑制することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態について説明する。第5実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と同様である。また、第5実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。第5実施形態が第1実施形態と相違するのは、保持部7の構造およびそれによる半導体ウェハーWの支持手法である。
図11は、第5実施形態の保持部7の側面図である。図11において、第1実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。保持部7は、均熱リング271および支持リング75を備える。均熱リング271は、第1実施形態の均熱リング71と概ね同様のものであるが、その内径が半導体ウェハーWの直径よりも若干大きい。すなわち、第5実施形態の均熱リング271も円板形状の半導体ウェハーWの端縁部を取り囲む円環形状の部材であり、環状部272および補強部73を備える。第1実施形態と同様に、均熱リング271は、炭化ケイ素にて形成される。
第5実施形態の環状部272も円環形状の平板状部材であるが、その内径は半導体ウェハーWの直径よりも若干大きい。よって、円環形状の環状部272の内周端は半導体ウェハーWの端縁部に非接触で近接する。また、環状部272の外径は半導体ウェハーWの直径よりも大きい。よって、環状部272は、半導体ウェハーWの端縁部に近接して当該端縁部を囲繞することとなる。一方、補強部73は、第1実施形態と同様に、環状部272の外周端から垂直に連設された円筒形状の部材である。
第5実施形態では、環状部272の内径が半導体ウェハーWの直径よりも大きいため、均熱リング271の環状部272によって半導体ウェハーWを支持することはできない。そこで、第5実施形態では、移載機構10の計4本のリフトピン12によって半導体ウェハーWを下面より支持している。均熱リング271の環状部272は、移載機構10のリフトピン12によって支持される半導体ウェハーWの端縁部に近接して当該端縁部を囲繞する。また、環状部272は、移載機構10によって支持される半導体ウェハーWの主面と平行である。
第5実施形態においては、装置外部の搬送ロボットから半導体ウェハーWを受け取った移載機構10のリフトピン12がその半導体ウェハーWを均熱リング271の環状部272とほぼ同じ高さ位置に支持する。そして、リフトピン12によって環状部272の内側に水平姿勢で支持された半導体ウェハーWに対して、ハロゲンランプHLを用いた予備加熱およびフラッシュランプFLからのフラッシュ光照射が行われる。なお、移載機構10の移載アーム11およびリフトピン12も透明な石英にて形成されているため、それらがハロゲンランプHLによる加熱の障害となることは無い。
このようにしても、炭化ケイ素にて形成された均熱リング271によって半導体ウェハーWの端縁部を取り囲むこととなるため、第1実施形態と同様に、予備加熱段階で温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部の温度低下を防止して面内温度分布の均一性を向上させることができる。
また、第5実施形態においても、円環形状の平板状部材である環状部272の外周端に円筒状の補強部73を垂直に設け、均熱リング271を断面L字形状としている。このため、フラッシュ光照射時に環状部272に表面熱膨張に起因した変形応力が作用したとしても、環状部272と垂直に設けられた補強部73によって変形は抑制される。その結果、フラッシュ光照射時における均熱リング271の振動および跳躍は大幅に抑制されることとなり、そのような均熱リング271の挙動に起因したパーティクルの発生を防止することができる。また、均熱リング271の振動を抑制することによって、均熱リング271の位置ずれも防止することができ、半導体ウェハーWを確実に支持することができる。
<変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、環状部72と補強部73とのなす角度を90°としていたが、これに限定されるものではなく、0°より大きく180°より小さければ良い。すなわち、補強部73は環状部72と平行でなければ良い。もっとも、フラッシュ光照射時における環状部72の変形を抑制する効果を得るためには、環状部72と補強部73とのなす角度を30°以上150°以下程度とするのが好ましい。
また、上記各実施形態の均熱リング71は炭化ケイ素にて形成されていたが、材質はこれに限定されるものではなく、窒化アルミニウム(AlN)または窒化ホウ素(BN)などの不透明なセラミックにて形成されていても良い。不透明なセラミックであればハロゲン光を吸収して昇温するため、予備加熱段階での半導体ウェハーWの周縁部の温度低下を防止することができるが、フラッシュ光照射に対する耐久性を考慮すると、均熱リング71は炭化ケイ素、窒化アルミニウム、または、窒化ホウ素にて形成するのが好ましい。
また、支持リング75も石英に限定されるものではなく、ハロゲン光を透過するサファイア(Al2O3)などの透明な材質にて形成すれば良い。或いは、支持リング75を均熱リング71と同様の炭化ケイ素などの不透明セラミックにて形成するようにしても良い。ただし、支持リング75が不透明であると、予備加熱時に均熱リング71に照射されるハロゲン光の一部が支持リング75によって遮光されることとなるため、均熱リング71が十分に昇温しなくなるおそれがある。このため、支持リング75は、石英またはサファイアなどの透明な材質にて形成するのが好ましい。特に、フラッシュ光照射に対する耐久性およびコストの観点からは、均熱リング71を炭化ケイ素にて形成し、支持リング75を石英にて形成するのが好ましい。
また、第3実施形態においては、補強部73の上端に環状部72が設けられ、下端に平面部74が設けられていたが(図9)、この上下関係を逆にしても良い。すなわち、環状部72によって支持される半導体ウェハーWよりも上側に平面部74が設けられていても良い。
また、第2実施形態および第3実施形態においては、支持リングの平面部に突起を立設するようにしていたが、均熱リングの下側に突起を設けるようにしても良い。
また、第4実施形態と同様の遮光リング79を第1実施形態から第3実施形態または第5実施形態に適用するようにしても良い。また、第1実施形態から第4実施形態において、第5実施形態と同様に、移載機構10のリフトピン12によって支持する半導体ウェハーWに均熱リングを非接触で近接させるようにしても良い。
また、上記各実施形態においては、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として半導体ウェハーWを保持していたが、これを逆向き、つまり表面を下面として半導体ウェハーWを保持部7に保持するようにしても良い。この場合、パターン形成のなされていない半導体ウェハーWの裏面にフラッシュ光が照射されることとなる(バックサイドアニール)。
また、上記各実施形態においては、フラッシュ加熱部5に30本のフラッシュランプFLを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプFLの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプFLはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部4に備えるハロゲンランプHLの本数も40本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。