JPS63112495A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS63112495A JPS63112495A JP25792786A JP25792786A JPS63112495A JP S63112495 A JPS63112495 A JP S63112495A JP 25792786 A JP25792786 A JP 25792786A JP 25792786 A JP25792786 A JP 25792786A JP S63112495 A JPS63112495 A JP S63112495A
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- JP
- Japan
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- plate
- equalizing plate
- heat
- outer edge
- tray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は気相成長装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、この種の気相成長装置では第２図（イ）。
（ロ）に示すようにウェハース５はヒーター１によって
加熱され、ウェハース５上で均一になるように均熱板２
を介して熱せられていた。
加熱され、ウェハース５上で均一になるように均熱板２
を介して熱せられていた。
［発明が解決しようとする問題点コ
上述した従来のウェハース処理室では、均熱板の温度が
第２図（ハ）に示すように均熱板２の外縁２ｂの温度が
低く、中央部２ａの温度が高い状態となっており、これ
は均熱板２上の熱の逃げ方が外縁側と中央部側とでちが
うために生じるものであり、このために均熱板２の中央
部２ａで加熱されるウェハース５と外縁部２ｂで加熱さ
れるウェハース５とでは同じバッチ内で膜質にバラツキ
が生じるという欠点がある。
第２図（ハ）に示すように均熱板２の外縁２ｂの温度が
低く、中央部２ａの温度が高い状態となっており、これ
は均熱板２上の熱の逃げ方が外縁側と中央部側とでちが
うために生じるものであり、このために均熱板２の中央
部２ａで加熱されるウェハース５と外縁部２ｂで加熱さ
れるウェハース５とでは同じバッチ内で膜質にバラツキ
が生じるという欠点がある。
本発明の目的は均熱板の中央部と外縁部との加熱温度を
均一化した気相成長装置を提供することにある。
均一化した気相成長装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は気相成長を行なうウェハース処理室にウェハー
スを加熱するヒーターと、ヒーターの熱を均一に伝える
均熱板とを有する気相成長装置において、均熱板の中央
部と外縁部との熱放射率を調整する補正板を有すること
を特徴とする気相成長装置でおる。
スを加熱するヒーターと、ヒーターの熱を均一に伝える
均熱板とを有する気相成長装置において、均熱板の中央
部と外縁部との熱放射率を調整する補正板を有すること
を特徴とする気相成長装置でおる。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図（イ）において、ウェハースの気相成長を行なう
ウェハース処理室にガス吹き出し板６を設置し、該ガス
吹き出し板６の真上にトレー４を水平移動可能に設置し
、ざらにその上方に均熱板２を備えたヒーター１を設置
する。
ウェハース処理室にガス吹き出し板６を設置し、該ガス
吹き出し板６の真上にトレー４を水平移動可能に設置し
、ざらにその上方に均熱板２を備えたヒーター１を設置
する。
さらに、第１図（ロ）に示すように均熱板２の下面、す
なわち、トレー４と対向する面には熱を反射して均熱板
２の熱放射率を調整する補正板３ａ、 ３ｂを付設する
。均熱板２の中央部２ａに付設する補正板３ａは外縁部
２ａに付設する補正板３ｂより面積を大きく設定してあ
り、均熱板２の中央部２ａでの熱放射率を低く抑え、か
つ外縁部２ｂでの熱放射率を高め、均熱板２の温度分布
を第１図（ハ）に示すように均一化させる。
なわち、トレー４と対向する面には熱を反射して均熱板
２の熱放射率を調整する補正板３ａ、 ３ｂを付設する
。均熱板２の中央部２ａに付設する補正板３ａは外縁部
２ａに付設する補正板３ｂより面積を大きく設定してあ
り、均熱板２の中央部２ａでの熱放射率を低く抑え、か
つ外縁部２ｂでの熱放射率を高め、均熱板２の温度分布
を第１図（ハ）に示すように均一化させる。
実施例において、ヒーター１が均熱板２を加熱し、補正
板３で均熱板上の温度が補正され、トレー４中のウェハ
ース５が加熱されてガス吹き出し板６から出てくる反応
ガスにてウェハー５に膜が付着されるようになっている
。本発明によれば、第１図（ハ）に示すように均熱板２
上での温度が均一に補正されるから、均熱板２の中央部
２ａで加熱されるウェハースと外縁部２ｂで加熱される
ウェハースとで温度のバラツキが生じることがなく、膜
質を均一化できる。
板３で均熱板上の温度が補正され、トレー４中のウェハ
ース５が加熱されてガス吹き出し板６から出てくる反応
ガスにてウェハー５に膜が付着されるようになっている
。本発明によれば、第１図（ハ）に示すように均熱板２
上での温度が均一に補正されるから、均熱板２の中央部
２ａで加熱されるウェハースと外縁部２ｂで加熱される
ウェハースとで温度のバラツキが生じることがなく、膜
質を均一化できる。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明はウェハース上の全ての温度
を実測し温度の高低をみつけ、温度の高いところで温度
調整を行うようにしたので、はと ・んどのウェハース
面で均一な温度にすることができバッチ内での膜質のバ
ラツキを押えることができる効果がある。
を実測し温度の高低をみつけ、温度の高いところで温度
調整を行うようにしたので、はと ・んどのウェハース
面で均一な温度にすることができバッチ内での膜質のバ
ラツキを押えることができる効果がある。
第１図（イ）は本発明の一実施例を示す断面図、第１図
（ロ）は第１図（イ）のＡ−Ａ’線の断面図、第１図（
ハ）は本発明における均熱板上の温度分布を示す図、第
２図（イ）は従来例を示す断面図、第２図（ロ）は第２
図（イ）のＡ−Ａ’線の断面図、第２図（ハ）は従来例
の均熱板上の温度分布を示す図である。 １・・・ヒーター、２・・・均熱板、３・・・補正板、
４・・・トレー、５・・・ウェハース、６・・・ガス吹
き出し板。 （ロ） 第１図 （ハ） 第２図
（ロ）は第１図（イ）のＡ−Ａ’線の断面図、第１図（
ハ）は本発明における均熱板上の温度分布を示す図、第
２図（イ）は従来例を示す断面図、第２図（ロ）は第２
図（イ）のＡ−Ａ’線の断面図、第２図（ハ）は従来例
の均熱板上の温度分布を示す図である。 １・・・ヒーター、２・・・均熱板、３・・・補正板、
４・・・トレー、５・・・ウェハース、６・・・ガス吹
き出し板。 （ロ） 第１図 （ハ） 第２図
Claims (1)
- （１）気相成長を行なうウエハース処理室にウエハース
を加熱するヒーターと、ヒーターの熱を均一に伝える均
熱板とを有する気相成長装置において、均熱板の中央部
と外縁部との熱放射率を調整する補正板を有することを
特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25792786A JPS63112495A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25792786A JPS63112495A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63112495A true JPS63112495A (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=17313125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25792786A Pending JPS63112495A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63112495A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202814A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 間接加熱型半導体ウェーハ処理装置 |
| JPH0249571A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Gakken Co Ltd | コーヒー焙煎機 |
| US5711811A (en) * | 1994-11-28 | 1998-01-27 | Mikrokemia Oy | Method and equipment for growing thin films |
| US5855680A (en) * | 1994-11-28 | 1999-01-05 | Neste Oy | Apparatus for growing thin films |
| US7498059B2 (en) | 1994-11-28 | 2009-03-03 | Asm America, Inc. | Method for growing thin films |
| CN102769001A (zh) * | 2012-08-07 | 2012-11-07 | 华为技术有限公司 | 一种散热装置 |
| CN104250849A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室及外延生长设备 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25792786A patent/JPS63112495A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202814A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 間接加熱型半導体ウェーハ処理装置 |
| JPH0249571A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Gakken Co Ltd | コーヒー焙煎機 |
| US5711811A (en) * | 1994-11-28 | 1998-01-27 | Mikrokemia Oy | Method and equipment for growing thin films |
| US5855680A (en) * | 1994-11-28 | 1999-01-05 | Neste Oy | Apparatus for growing thin films |
| US7498059B2 (en) | 1994-11-28 | 2009-03-03 | Asm America, Inc. | Method for growing thin films |
| US8507039B2 (en) | 1994-11-28 | 2013-08-13 | Asm America, Inc. | Method for growing thin films |
| CN102769001A (zh) * | 2012-08-07 | 2012-11-07 | 华为技术有限公司 | 一种散热装置 |
| CN104250849A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室及外延生长设备 |
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