JPH0745564Y2 - サセプタ - Google Patents

サセプタ

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Publication number
JPH0745564Y2
JPH0745564Y2 JP1989097840U JP9784089U JPH0745564Y2 JP H0745564 Y2 JPH0745564 Y2 JP H0745564Y2 JP 1989097840 U JP1989097840 U JP 1989097840U JP 9784089 U JP9784089 U JP 9784089U JP H0745564 Y2 JPH0745564 Y2 JP H0745564Y2
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JP
Japan
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wafer
susceptor
ventilation groove
present
contact surface
Prior art date
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Application number
JP1989097840U
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English (en)
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JPH0338357U (ja
Inventor
孝浩 中東
徹 松浪
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、サセプタに関するものである。
〔従来の技術〕
薄膜形成技術はウエハそのものを加工したり、変化させ
ることなく表面に薄膜を形成するもので、PVD（物理気
相成長）法とCVD（化学気相成長）法とがある。
PVD法には、真空蒸着、スパッタリング等が含まれ、CVD
法は真空中でガスを供給し、このガスの化学反応によっ
てウエハ表面に薄膜を形成する方法である。
これらの薄膜形成技術に用いられる薄膜形成装置には、
真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD装置、エピタ
キシャル成長装置がある。
そしてこれらの装置において、ウエハを載置すると共に
外部より高周波誘導加熱または抵抗加熱などによって加
熱し、それによりウエハを加熱するためにサセプタが用
いられる。
このようなサセプタの従来例を第２図に基づいて説明す
る。第２図に示すようにウエハ１の直径よりもわずかに
大きめの落とし込みスペース７を設けたサセプタ６にウ
エハ１を載置していた。
〔考案が解決しようとする課題〕
しかしながら、このようにウエハ１の載置されたサセプ
タ６を真空チャンバから大気中に取り出し、このウエハ
１をサセプタ６から取り出す際、ウエハ１とサセプタ６
の接触面に空気が侵入しないため、ウエハ１とサセプタ
６が密着し、容易に取り出すことができなかった。また
ウエハ１をサセプタ６に載置し、真空チャンバに装入し
て真空状態にする際、ウエハ１とサセプタ６の接触面に
介在した空気のためにウエハ１が位置ずれを起こすとい
う問題があった。
この考案は上記問題を鑑み、ウエハの脱着を容易にし、
ウエハの位置ずれを防ぐサセプタを提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
この考案のサセプタは、ウエハ載置領域の内側から外側
まで通気溝を延設したことを特徴とする。
〔作用〕
この考案のサセプタは、ウエハ載置領域の内側から外側
まで通気溝を延設したことによって、ウエーハとサセプ
タの接触面の空気の出入りを促進することができる。
〔実施例〕
この考案の一実施例を第１図（ａ），（ｂ）に基づいて
説明する。
第１図（ａ）はウエハ１とサセプタ２を示す断面図であ
り、第１図（ｂ）はサセプタ２の平面図である。
第１図（ａ），（ｂ）に示すようにサセプタ２の外径寸
法Ｌ＝180mm、ウエハ載置領域３の寸法ｌ＝152mmで、サ
セプタ２の中心部より放射状に互いに120度の角をなす
３本の通気溝５をウエハ載置領域３の内側から外側まで
延設し、さらにこの通気溝５を半径とした円状の通気溝
４を設ける。
このサセプタ２にウエハ１を載置し、真空チャンバ（図
示せず）に装入して真空状態にしたところ、通気溝4,5
によりウエハ１とサセプタ２の接触面の空気は容易に排
出され、ウエハ１の位置ずれを防ぐことができた。また
このサセプタ２を真空チャンバから大気中に取り出しと
ころ、通気溝4,5によりウエハ１とサセプタ２の接触面
に空気が侵入し、容易にサセプタ２からウエハ１を取り
出すことができた。
なおこの脱着試験は、ウエハ１の温度400℃にておこな
った。
なおこの実施例における通気溝４および通気溝５は、幅
寸法Ａ＝1mm,深さ寸法Ｂ＝1mmである。
〔考案の効果〕
この考案のサセプタは、ウエハ載置領域の内側から外側
まで通気溝を延設したため、ウエハとサセプタの接触面
の空気の出入りが促進され、ウエハの脱着が容易にな
り、ウエハの位置ズレも防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）はウエハおよびこの考案の一実施例のサセ
プタの断面図、第１図（ｂ）はこの考案の一実施例のサ
セプタの平面図、第２図は従来のサセプタを示す断面図
である。 １……ウエハ、２……サセプタ、３……ウエハ載置領
域、4,5……通気溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】ウエハを載置するサセプタにおいて、ウエ
    ハ載置領域の内側から外側まで通気溝を延設したことを
    特徴とするサセプタ。
JP1989097840U 1989-08-21 1989-08-21 サセプタ Expired - Lifetime JPH0745564Y2 (ja)

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JPH0338357U JPH0338357U (ja) 1991-04-12
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KR100583944B1 (ko) * 1999-11-12 2006-05-26 삼성전자주식회사 상압 화학 기상 증착 공정용 서셉터
JP2018182290A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 日新イオン機器株式会社 静電チャック

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JPS5269578A (en) * 1975-12-08 1977-06-09 Hitachi Ltd Wafer suscepter
JPS5972127A (ja) * 1982-10-18 1984-04-24 Toshiba Corp 気相成長用溝切り熱板

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