JPS5972127A - 気相成長用溝切り熱板 - Google Patents
気相成長用溝切り熱板Info
- Publication number
- JPS5972127A JPS5972127A JP18252182A JP18252182A JPS5972127A JP S5972127 A JPS5972127 A JP S5972127A JP 18252182 A JP18252182 A JP 18252182A JP 18252182 A JP18252182 A JP 18252182A JP S5972127 A JPS5972127 A JP S5972127A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- groove
- hot plate
- adhesion
- sliding
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、気相成長用溝切り熱板に関する。
従来、シリコン等からなるウニへの表面に所定の薄膜を
形成するために、例えば第１図に示す気相成長装置りが
使用されている。すなわち、気相成長装置りの移送ベル
ト２上に載置された熱板３を、熱板温度コントローラ１
ａを調節して所定温度に加熱する。次いで、所定温度に
加熱した熱８ｉ３上に、被処理体であるウエノ′−４を
載置する。次いで、熱板移動速度コントローラＪｂによ
り移送ベルト２を駆動し、熱板３を混合ガスノズル５の
下方に供給する。この状態で流量計ＩＣを見ながらガス
流量制御器１ｄを調節し、所定の流量で各種の反応ガス
を混合ガスノズル５から各々のウェハ４に吹き付けて、
気相成長により薄膜形成を行う。
形成するために、例えば第１図に示す気相成長装置りが
使用されている。すなわち、気相成長装置りの移送ベル
ト２上に載置された熱板３を、熱板温度コントローラ１
ａを調節して所定温度に加熱する。次いで、所定温度に
加熱した熱８ｉ３上に、被処理体であるウエノ′−４を
載置する。次いで、熱板移動速度コントローラＪｂによ
り移送ベルト２を駆動し、熱板３を混合ガスノズル５の
下方に供給する。この状態で流量計ＩＣを見ながらガス
流量制御器１ｄを調節し、所定の流量で各種の反応ガス
を混合ガスノズル５から各々のウェハ４に吹き付けて、
気相成長により薄膜形成を行う。
このような気相成長装置りに使用される熱板３は、第２
図に示す如く、平板状のものであるため熱板３上にウェ
ハ４を載置する際に、膨張した空気がウェハ４と熱板３
に侵入し、ウェハ４が熱＠３上を滑る。ウェハ４が滑る
と熱板３上に付着していた反応残留物質が舞い上がり、
ウェハ３の表面に付着する。また、Ｕ型の溝を切った場
合は溝部に反応残留物が多く付着するこの状態で気相成
長によりウェハ３の表面に薄膜を形成すると、結晶欠陥
のある薄膜が形成される。また、このようにウェハ３が
熱板４上を滑り易いため、−回の操作で熱板４上の所定
位置にウェハ３を載置できず、作業性を低下させる問題
があった。
図に示す如く、平板状のものであるため熱板３上にウェ
ハ４を載置する際に、膨張した空気がウェハ４と熱板３
に侵入し、ウェハ４が熱＠３上を滑る。ウェハ４が滑る
と熱板３上に付着していた反応残留物質が舞い上がり、
ウェハ３の表面に付着する。また、Ｕ型の溝を切った場
合は溝部に反応残留物が多く付着するこの状態で気相成
長によりウェハ３の表面に薄膜を形成すると、結晶欠陥
のある薄膜が形成される。また、このようにウェハ３が
熱板４上を滑り易いため、−回の操作で熱板４上の所定
位置にウェハ３を載置できず、作業性を低下させる問題
があった。
本発明は、ウェハを設置する際の滑りを防止して一回の
操作でウェハの設置を確実に行い、かつ、ウェハの表面
に汚染物質が付着するのを防止しで、冒品買の薄膜形成
を容易に達成できる気相成長用溝切り熱板を提供するこ
とをその目的とするものである。
操作でウェハの設置を確実に行い、かつ、ウェハの表面
に汚染物質が付着するのを防止しで、冒品買の薄膜形成
を容易に達成できる気相成長用溝切り熱板を提供するこ
とをその目的とするものである。
本発明は、基体の表面にテーパー状のガス逃げ溝を形成
したごとにより、ウェハを設置ｇする際の滑りを防止し
て一回の操作でウェハの設置を確実に行うと共に、ウェ
ハの表面に汚染物質が付着するのを防止して、高品質の
薄膜を容易に形成できる気相成長用溝切り熱板である。
したごとにより、ウェハを設置ｇする際の滑りを防止し
て一回の操作でウェハの設置を確実に行うと共に、ウェ
ハの表面に汚染物質が付着するのを防止して、高品質の
薄膜を容易に形成できる気相成長用溝切り熱板である。
〔発明の実施例１
以下、本発明の実施例について図面を参照してＮ（ｌ明
する。第３図は、本発明の一実施例の正面図、第４図は
、同実施例の平面図である。この気相成長用溝切り熱板
すは、平板状の基体２１の表面ζこ、略格子状にガス逃
げｍ ２２ ’Ｅ−形成したものである。ガス逃げ溝２
２は、この熱板２０上に載置されたウェハ２３と熱板す
間ζこ介在されたガスを速やかζこ逃がすように、２本
のガス逃げ溝２２をウェハ２３の直径よりも小さい間隔
Ｌ１で並列し２、これを縦・横両方向に交叉するように
形成されている。つ才り、この狭幅り、）こ並列された
ガス逃げ溝２２ （７） ４本の交叉部上にウェハ２３
を載置するようになっている。従って、ウェハ２３の直
下のガス逃げ溝２２と、そのウェハ２３に隣接するウェ
ハ２、ｖ′の直下のガス逃げ溝２２との間隔Ｌ２は、大
きく設置されている。１本のガス逃げ溝２２の溝幅り、
及び溝深さり、は、気相成長に使用するカスの種類、ウ
ェハ２３の大きさ等に応じて所定の値に設置されている
。ガス逃げ溝２２のこわらの寸法ＬＬ ｒ Ｌｔ
ＨＤＨｇ Ｄｔとしては、例えばり、＝３０襲、Ｌ２＝
５５鮪。
する。第３図は、本発明の一実施例の正面図、第４図は
、同実施例の平面図である。この気相成長用溝切り熱板
すは、平板状の基体２１の表面ζこ、略格子状にガス逃
げｍ ２２ ’Ｅ−形成したものである。ガス逃げ溝２
２は、この熱板２０上に載置されたウェハ２３と熱板す
間ζこ介在されたガスを速やかζこ逃がすように、２本
のガス逃げ溝２２をウェハ２３の直径よりも小さい間隔
Ｌ１で並列し２、これを縦・横両方向に交叉するように
形成されている。つ才り、この狭幅り、）こ並列された
ガス逃げ溝２２ （７） ４本の交叉部上にウェハ２３
を載置するようになっている。従って、ウェハ２３の直
下のガス逃げ溝２２と、そのウェハ２３に隣接するウェ
ハ２、ｖ′の直下のガス逃げ溝２２との間隔Ｌ２は、大
きく設置されている。１本のガス逃げ溝２２の溝幅り、
及び溝深さり、は、気相成長に使用するカスの種類、ウ
ェハ２３の大きさ等に応じて所定の値に設置されている
。ガス逃げ溝２２のこわらの寸法ＬＬ ｒ Ｌｔ
ＨＤＨｇ Ｄｔとしては、例えばり、＝３０襲、Ｌ２＝
５５鮪。
ｐ、＝＝２ａ 、Ｄ、＝１簡に設定するのが望ましい。
また１、ガス逃げ溝２２の断面形状としては、反応ガス
を速やかにウェハ２３の直下から逃がすと共をこ溝部（
こ反応残留物が多く付着しない様にＶ字形にする。
を速やかにウェハ２３の直下から逃がすと共をこ溝部（
こ反応残留物が多く付着しない様にＶ字形にする。
このように構成された気相成長用溝切り熱板りによれば
、ウェハ２３ 、２３’を載置する領域にガス逃げ溝２
２が形成されているので、ウェハ２３ 、２３’と熱板
が間に存在する反応ガスをガス逃げ溝２２から速やかに
逃がし、ウェハ２３ 、２ Ｊ’の滑りを防止して一回
の操作で所定位置にウェハ２３ 、２ Ｊ’を確実に載
置することができると共ζこ、溝部への反応残留の付着
を減少させる。また、ウェハ２３ 、２３’の滑りを防
止できるので作業性を向上できると共ζこ、ウェハ２
Ｊ 、 ２３’の滑りｌこ伴って熱板が上の付着物がウ
ェハ２３ 、２３’上に付着するのを防止して、欠陥の
ない高品質の薄膜を容易に形成することができる。
、ウェハ２３ 、２３’を載置する領域にガス逃げ溝２
２が形成されているので、ウェハ２３ 、２３’と熱板
が間に存在する反応ガスをガス逃げ溝２２から速やかに
逃がし、ウェハ２３ 、２ Ｊ’の滑りを防止して一回
の操作で所定位置にウェハ２３ 、２ Ｊ’を確実に載
置することができると共ζこ、溝部への反応残留の付着
を減少させる。また、ウェハ２３ 、２３’の滑りを防
止できるので作業性を向上できると共ζこ、ウェハ２
Ｊ 、 ２３’の滑りｌこ伴って熱板が上の付着物がウ
ェハ２３ 、２３’上に付着するのを防止して、欠陥の
ない高品質の薄膜を容易に形成することができる。
以上説明した如く、本発明に係る気相成長用溝切り熱板
によれば、ウェハを設置する際の滑りを防止して一回の
操作でウニ／１の設置を確実に行いと共（こ、溝部への
反応残留の付着を減少させかつ、ウェハの表面に汚染物
質が付着するのを防止して、高品質の薄膜形成を容易に
達成できる等顕著な効果を奏するものである。
によれば、ウェハを設置する際の滑りを防止して一回の
操作でウニ／１の設置を確実に行いと共（こ、溝部への
反応残留の付着を減少させかつ、ウェハの表面に汚染物
質が付着するのを防止して、高品質の薄膜形成を容易に
達成できる等顕著な効果を奏するものである。
第１図は、従来の熱板を用いて薄膜形成を行っている気
相成長装置の斜視図、第２図は、従来の熱板の正面図、
第３図は、本発明の一実施例の正面図、第４図は、同実
施例の平面図である。
相成長装置の斜視図、第２図は、従来の熱板の正面図、
第３図は、本発明の一実施例の正面図、第４図は、同実
施例の平面図である。
Claims (1)
- 平板状の基体の表面にテーパー状のガス逃げ溝を形成し
てなることを特徴とする気相成長用溝切り熱板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18252182A JPS5972127A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 気相成長用溝切り熱板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18252182A JPS5972127A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 気相成長用溝切り熱板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972127A true JPS5972127A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16119751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18252182A Pending JPS5972127A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 気相成長用溝切り熱板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338357U (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-12 | ||
| EP0551737A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-21 | AT&T Corp. | Vapor deposition process for coating articles of manufacture |
| US6506257B2 (en) | 2000-06-01 | 2003-01-14 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-processing apparatus for semiconductor process |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP18252182A patent/JPS5972127A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338357U (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-12 | ||
| EP0551737A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-21 | AT&T Corp. | Vapor deposition process for coating articles of manufacture |
| US6506257B2 (en) | 2000-06-01 | 2003-01-14 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-processing apparatus for semiconductor process |
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