JP3073161B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
し、特に真空中でCVD(Chemical Vapour Deposit
ion ),エッチング等の半導体製造工程を行う真空処理
装置に関する。
すものが知られている。図中の符番1は、2つの部屋1
a,1bを持つ真空容器である。一方の部屋1aには、
ウェハ2が載置される環状の支持体3、この支持体3と
嵌合して支持体3とともに開口部を形成する回転体4が
配置されている。前記支持体3の内側面には、前記ウェ
ハ2を係止する環状の縁部3aが設けられている。前記
回転体4の上部は前記支持体3と嵌合するように環状に
なっており、下部は筒状部になっていて部屋1bの下方
に延びている。
る開口部及び回転体4の下部の筒状部には、前記ウェハ
2を上下方向に移動させる搬送機構5、ウェハ2を加熱
処理するヒータ6が配置されている。前記回転体4の筒
状部には、回転導入機構7,モータ8が順次接続されて
いる。前記ヒータ6には電流導入端子9が接続されてい
る。前記部屋1aには排気口10が接続され、前記部屋1
bにはN2 ガス導入口11が接続されている。
処理装置においては、ウェハ2を真空容器1の部屋1a
内へ搬送するために搬送ロボットを使用する関係で、図
1に示すようにヒータ6の上部が開放され、この開放さ
れた部分周辺で搬送機構5によりウェハ2の上下方向の
移動を行なっている。
の縁部3a上にウェハ2が載置されるものの、支持体
3,回転体4及びウェハ2で形成される空間部は完全に
密閉されていないため、熱処理時に処理に要する反応性
の高い気体やパーティクル発生源となる固体物等の汚染
物質が熱処理時にその空間部内に侵入し、支持体3や回
転体4の内壁及びヒータ6等を汚染する。従って、回転
体4やヒータ6を定期的に洗浄、交換する必要がある。
たもので、支持体と回転体により密閉型の空洞部を形成
するように両者を一体的に構成することにより、熱処理
時に汚染物質が空洞部に侵入するのを抑制し、回転体や
ヒータに対するメンテナンスを軽減しえる真空処理装置
を提供することを目的とする。
処理物を加熱処理する真空処理装置において、真空容器
と、この真空容器内に配置され、被処理物を配置する支
持体と、この支持体の上部周縁で被処理物が載置される
部分に相当する位置に設けられた複数の第1の突起と、
これら第1の突起の外側に位置する前記支持体上に該支
持体と一体的に設けられ、前記被処理物の位置ずれを防
止するための少なくとも3つの第2の突起と、前記真空
容器内に配置され、前記支持体と一体に嵌合され、該支
持体とともに空洞部を形成する回転体と、この回転体を
駆動する駆動源と、前記支持体と回転体で形成される空
洞部に配置され、前記支持体上の被処理物を加熱する加
熱源とを具備することを特徴とする真空処理装置であ
る。
る部分に相当する前記支持体上に、被処理物を保持する
第1の突起が設けることが好ましい。この第1の突起
は、被処理物の裏面が支持体表面に直接接しないように
保持する働きをもつ。この第1の突起の数は、ウェハを
真空容器内に搬入する搬送ロボットが入り易くかつウェ
ハを水平に保持する目的を考慮して通常3本位が好まし
い。
は、例えば支持体の同一半径をもつ円周上に120度間
隔で配置され、かつ高さが被処理物を支持体上に載置し
た時の被処理物の表面の高さより高い3本の突起が挙げ
られる。この第2の突起は被処理物の位置ずれを防止す
る働きをする。この第2の突起の数は、被処理物の位置
ずれを防止する目的を考慮して最低3本必要である。
真空処理装置を図2及び図3を参照して説明する。ここ
で、図2は同真空処理装置の断面図、図3は図2の支持
体の平面図を示す。
持つ真空容器である。一方の部屋21aには、ウェハ22が
載置される支持体23、この支持体23と嵌合して支持体23
とともに密閉型の空洞部24を形成する回転体25が配置さ
れている。前記支持体23の円周上部には、ウェハ22の位
置ずれを防止するために同一半径をもつ円周に沿って1
20度間隔で3本の第2の突起26a,26b,26cが配置
されている。これらの第2の突起26a〜26cの高さは、
ウェハ22を支持体23上に載置した時のウェハ22の表面の
高さより高く設定されている。
23上には、突起26a〜26cに対応してウェハ22を保持す
る3本の第1の突起27a〜27cが設けられている。前記
回転体25の上部開口端は前記支持体23と噛合するように
環状になっており、下部は筒状部になっていて真空容器
21の部屋21bまで延びている。
部24及び回転体25の筒状部には、熱処理するヒータ28が
部屋21bの下方まで延出するように配置されている。前
記回転体25の筒状部には、回転導入機構40,モータ29が
順次接続されている。前記ヒータ28には電流導入端子30
が接続されている。前記部屋21aには図示しない排気ポ
ンプに接続した排気口31が設けられ、排気ポンプにより
真空容器21の部屋21a内の気体が排気される。前記部屋
21bにはN2 ガス導入口32が接続されている。
持体23の下部と回転体25の上部が噛み合わせにより、ウ
ェハ22の処理中の温度制御を目的としたヒータ28と処理
を行なわれる空間とを隔絶している。また、真空容器21
内に設けられたウェハ搬入出口(図示せず)を隔離バル
ブを介して搬送ロボット(図示せず)によってウェハ22
が該ウェハ22の下部にできる隙間を使用して搬入され
る。回転体25は真空容器21内の回転導入機構40を介して
導入され、モータ29が設置される部屋21bは大気である
が、大気中の水分の結露を防ぐ為に窒素ガスを導入口32
から導入できるようになっている。ウェハ22は加熱され
ながら回転し、処理が行なわれるようになっている。
支持体23及び該支持体23と嵌合して支持体23とともに密
閉型の空洞部24を形成する回転体25が配置された構成と
なっているため、ウェハ22を処理する部屋21aと空洞部
24とが隔離することになる。従って、反応性の気体や処
理中に発生する固形物が空洞部24内のヒータ28や回転体
25の内壁を汚染することなく、長期の使用に対し清浄な
状態が保たれる為、メンテナンスの頻度が減少し、ヒー
タ28の劣化も抑制され、コスト低減を図ることができ
る。
持体と回転体により密閉型の空洞部を形成するように両
者を一体的に構成することにより、熱処理時に汚染物質
が空洞部に侵入するのを抑制し、回転体やヒータに対す
るメンテナンスを軽減しえる低コストの真空処理装置を
提供できる。
図。
面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 真空中で被処理物を加熱処理する真空処
理装置において、真空容器と、この真空容器内に配置さ
れ、被処理物を配置する支持体と、この支持体の上部周
縁で被処理物が載置される部分に相当する位置に設けら
れた複数の第1の突起と、これら第1の突起の外側に位
置する前記支持体上に該支持体と一体的に設けられ、前
記被処理物の位置ずれを防止するための少なくとも3つ
の第2の突起と、前記真空容器内に配置され、前記支持
体と一体に嵌合され、該支持体とともに空洞部を形成す
る回転体と、この回転体を駆動する駆動源と、前記支持
体と回転体で形成される空洞部に配置され、前記支持体
上の被処理物を加熱する加熱源とを具備することを特徴
とする真空処理装置。 - 【請求項2】 前記第2の突起は支持体の同一半径をも
つ円周上に120度間隔で配置された3本の突起であ
り、これらの突起の高さは被処理物を支持体上に載置し
た時の被処理物の表面の高さより高いことを特徴とする
請求項1記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17917696A JP3073161B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17917696A JP3073161B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1027757A JPH1027757A (ja) | 1998-01-27 |
JP3073161B2 true JP3073161B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16061274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17917696A Expired - Fee Related JP3073161B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3073161B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4260307B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2009-04-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 気相成長装置 |
JP3958572B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP17917696A patent/JP3073161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1027757A (ja) | 1998-01-27 |
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