JPH0616922Y2 - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0616922Y2 JPH0616922Y2 JP1988022912U JP2291288U JPH0616922Y2 JP H0616922 Y2 JPH0616922 Y2 JP H0616922Y2 JP 1988022912 U JP1988022912 U JP 1988022912U JP 2291288 U JP2291288 U JP 2291288U JP H0616922 Y2 JPH0616922 Y2 JP H0616922Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- work coil
- gold
- heat dissipation
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はSi等半導体デバイスの製造プロセスにおいて使
用されるＣＶＤ装置に関する。
用されるＣＶＤ装置に関する。
Si等半導体デバイスの製造プロセスにおいては、エピタ
キシャル成長を行ったり、Poly.Si膜，Si3N4膜，SiO2膜
等を生成するために、第２図のような高周波加熱方式に
よるＣＶＤ装置が広く用いられている。
キシャル成長を行ったり、Poly.Si膜，Si3N4膜，SiO2膜
等を生成するために、第２図のような高周波加熱方式に
よるＣＶＤ装置が広く用いられている。
この装置では、ワークコイル１に高周波電流を流すこと
により、サセプタ（SiCコート・カーボン）２が誘導加
熱される。そして、サセプタ２の上に置かれたウェーハ
３は、サセプタ２からの熱伝達により加熱される。この
ような状態でノズル４のガス導入口８から原料ガスをキ
ャリアガスと共に流し、排気口９より排気することによ
り、ウェーハ３上にＣＶＤ膜が生成される。
により、サセプタ（SiCコート・カーボン）２が誘導加
熱される。そして、サセプタ２の上に置かれたウェーハ
３は、サセプタ２からの熱伝達により加熱される。この
ような状態でノズル４のガス導入口８から原料ガスをキ
ャリアガスと共に流し、排気口９より排気することによ
り、ウェーハ３上にＣＶＤ膜が生成される。
この場合、膜生成を行うために必要な温度は600〜1200
℃程度と高温であり、従って、ワークコイル１に流す電
力も非常に大きく、ＣＶＤ膜生成に要する経費のうちで
大きな割合を占めている。
℃程度と高温であり、従って、ワークコイル１に流す電
力も非常に大きく、ＣＶＤ膜生成に要する経費のうちで
大きな割合を占めている。
さて、サセプタ２からの熱の放散は、サセプタ表面から
の輻射によるものと、ガス流による冷却の２つに分けら
れる。そして、これらはさらに、サセプタ２の上面から
の熱放散と、サセプタ２の下面（ワークコイル１側）か
らの熱放散とに分けることができる。
の輻射によるものと、ガス流による冷却の２つに分けら
れる。そして、これらはさらに、サセプタ２の上面から
の熱放散と、サセプタ２の下面（ワークコイル１側）か
らの熱放散とに分けることができる。
サセプタ２の上面からの熱放散に関しては、従来より、
ベルジャ５の内面に金メッキを施して、反射効率を上げ
たり、ガス流量を少なくすることにより対策がなされて
きた。
ベルジャ５の内面に金メッキを施して、反射効率を上げ
たり、ガス流量を少なくすることにより対策がなされて
きた。
しかしながら、サセプタ２の下面からの熱放散に関して
は、特別な対策はほとんどなされていなかった。
は、特別な対策はほとんどなされていなかった。
本考案は、従来装置の課題であったサセプタ下面からの
熱放散を少なくすることにより、消費電力を小さくし、
ＣＶＤ膜生成のコストを低減しようとするものである。
熱放散を少なくすることにより、消費電力を小さくし、
ＣＶＤ膜生成のコストを低減しようとするものである。
即ち、本考案装置はワークコイル１に高周波電流を流す
ことによりサセプタ２及びその上に載置されたウェーハ
３を加熱する高周波加熱方式のＣＶＤ装置において、ワ
ークコイル１の少なくともサセプタ２に対向する面が鏡
面研磨され、その表面に金がコーティングされている構
成としたものである。
ことによりサセプタ２及びその上に載置されたウェーハ
３を加熱する高周波加熱方式のＣＶＤ装置において、ワ
ークコイル１の少なくともサセプタ２に対向する面が鏡
面研磨され、その表面に金がコーティングされている構
成としたものである。
このようにワークコイル１のサセプタ２側の面に金がコ
ーティングされているので、サセプタ２の下面からの熱
放散が金コーティング層７により低減されることにな
る。
ーティングされているので、サセプタ２の下面からの熱
放散が金コーティング層７により低減されることにな
る。
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明する。
第１図は本考案装置の一実施例の主要部の構成を示す断
面図で、装置の基本的な構造は、従来の第２図と全く同
様であり、第１図には、ワークコイル１，サセプタ２及
びその間に挟まれた透明石英製のワークコイルカバー６
の一部が示されている。ワークコイル１の上面（サセプ
タ２側の面）は鏡面研磨され、その上に金コーティング
層７が設けられている。金コーティング層７の厚みは0.
05μｍ以上であればよい。
面図で、装置の基本的な構造は、従来の第２図と全く同
様であり、第１図には、ワークコイル１，サセプタ２及
びその間に挟まれた透明石英製のワークコイルカバー６
の一部が示されている。ワークコイル１の上面（サセプ
タ２側の面）は鏡面研磨され、その上に金コーティング
層７が設けられている。金コーティング層７の厚みは0.
05μｍ以上であればよい。
第１図において、ワークコイル１に高周波電流を流すこ
とにより、サセプタ２が誘導加熱される。サセプタ２の
温度が上昇し、600℃以上になったとき、サセプタ２の
下面からの熱輻射（可視光及び赤外線）のうち、ワーク
コイル１が反応性ガス雰囲気にさらされるのを避けるた
めに設けられた石英製ワークコイルカバー６により、そ
の一部（約４μｍ以上の波長の赤外線）が吸収される
が、残りの大部分は透過しワークコイル１に達する。
とにより、サセプタ２が誘導加熱される。サセプタ２の
温度が上昇し、600℃以上になったとき、サセプタ２の
下面からの熱輻射（可視光及び赤外線）のうち、ワーク
コイル１が反応性ガス雰囲気にさらされるのを避けるた
めに設けられた石英製ワークコイルカバー６により、そ
の一部（約４μｍ以上の波長の赤外線）が吸収される
が、残りの大部分は透過しワークコイル１に達する。
ワークコイル１の上面（サセプタ２側の面）は鏡面研磨
され、かつその表面には金コーティング層７が存在する
ので、従来の銅にニッケルメッキを行った面等にくら
べ、反射率が極めて大きくなっているから、サセプタ２
の下面からの熱輻射は高い効率で反射され、サセプタ２
に戻される。
され、かつその表面には金コーティング層７が存在する
ので、従来の銅にニッケルメッキを行った面等にくら
べ、反射率が極めて大きくなっているから、サセプタ２
の下面からの熱輻射は高い効率で反射され、サセプタ２
に戻される。
ワークコイル１はノズル４（第２図参照）を中心として
渦巻状になっており、各ターンの間には隙間が存在し、
その部分では反射されないが、その隙間の占める面積
は、ワークコイル１の面積にくらべて20％程度にすぎ
ず、大きな影響はない。
渦巻状になっており、各ターンの間には隙間が存在し、
その部分では反射されないが、その隙間の占める面積
は、ワークコイル１の面積にくらべて20％程度にすぎ
ず、大きな影響はない。
上述のように本考案によれば、ワークコイル１の少なく
ともサセプタ２側の面に金がコーティングされているの
で、サセプタ２の下面からの熱放散を金コーティング層
７により低減することができ、サセプタ２を一定温度に
加熱するための高周波電力を従来よりも少なくできる
（実験では従来例に比して10〜20％低減できる）から、
ＣＶＤ膜生成に要するコストを安くできるばかりでな
く、高周波発振器も小型のものでよいことになり、装置
のコストも低減することができる。
ともサセプタ２側の面に金がコーティングされているの
で、サセプタ２の下面からの熱放散を金コーティング層
７により低減することができ、サセプタ２を一定温度に
加熱するための高周波電力を従来よりも少なくできる
（実験では従来例に比して10〜20％低減できる）から、
ＣＶＤ膜生成に要するコストを安くできるばかりでな
く、高周波発振器も小型のものでよいことになり、装置
のコストも低減することができる。
第１図は本考案装置の一実施例の主要部の構成を示す断
面図、第２図は本考案に係る従来のＣＶＤ装置の一例を
示す断面図である。 １……ワークコイル、２……サセプタ、３……ウェー
ハ、６……ワークコイルカバー、７……金コーティング
層。
面図、第２図は本考案に係る従来のＣＶＤ装置の一例を
示す断面図である。 １……ワークコイル、２……サセプタ、３……ウェー
ハ、６……ワークコイルカバー、７……金コーティング
層。
Claims (1)
- 【請求項１】ワークコイル１に高周波電流を流すことに
よりサセプタ２及びその上に載置されたウェーハ３を加
熱する高周波加熱方式のＣＶＤ装置において、ワークコ
イル１の少なくともサセプタ２に対向する面が鏡面研磨
され、その表面に金がコーティングされている構成とし
たＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988022912U JPH0616922Y2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988022912U JPH0616922Y2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129260U JPH01129260U (ja) | 1989-09-04 |
| JPH0616922Y2 true JPH0616922Y2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=31241450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988022912U Expired - Lifetime JPH0616922Y2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616922Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145859A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-07-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636725A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Toshiba Corp | ジヤイロトロン |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP1988022912U patent/JPH0616922Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636725A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Toshiba Corp | ジヤイロトロン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01129260U (ja) | 1989-09-04 |
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