JP2002231645A - 窒化物半導体膜の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体膜の製造方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】特にＡｌを含む窒化物半導体膜を作製するに際
し、上記のようなサセプタトレー上への膜堆積物に起因
した膜質変化を抑制する。 【解決手段】ＭＯＣＶＤ法によって窒化物半導体膜を形
成するに際し、板状の基部材と、この基部材に対して着
脱自在の外周部材とを具えたサセプタトレーを用いる。
基板は、前記基部材と前記外周部材とで構成される凹部
内に配置する。
し、上記のようなサセプタトレー上への膜堆積物に起因
した膜質変化を抑制する。 【解決手段】ＭＯＣＶＤ法によって窒化物半導体膜を形
成するに際し、板状の基部材と、この基部材に対して着
脱自在の外周部材とを具えたサセプタトレーを用いる。
基板は、前記基部材と前記外周部材とで構成される凹部
内に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体膜の
製造方法に関し、詳しくは、発光ダイオード素子又は高
速ＩＣチップなどを構成する半導体膜として好適に用い
ることのできる、Ａｌを含むIII族窒化物半導体膜の製
造方法に関する。
製造方法に関し、詳しくは、発光ダイオード素子又は高
速ＩＣチップなどを構成する半導体膜として好適に用い
ることのできる、Ａｌを含むIII族窒化物半導体膜の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ａｌを含むIII族窒化物半導体膜は、発
光ダイオード素子などを構成する半導体膜として用いら
れており、近年においては、携帯電話などに用いられる
高速ＩＣチップなどを構成する半導体膜としても注目を
浴びている。
光ダイオード素子などを構成する半導体膜として用いら
れており、近年においては、携帯電話などに用いられる
高速ＩＣチップなどを構成する半導体膜としても注目を
浴びている。
【０００３】従来、上記のようなIII族窒化物半導体膜
は、Ａｌ供給原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）又はトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）などを用
い、窒素供給原料としてアンモニアなどを用いて、ＭＯ
ＣＶＤ法により製造される。
は、Ａｌ供給原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）又はトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）などを用
い、窒素供給原料としてアンモニアなどを用いて、ＭＯ
ＣＶＤ法により製造される。
【０００４】この場合において、前記III族窒化物半導
体膜を形成すべき基板は、所定の反応管内に設けられた
サセプタトレー上に設置させるとともに、このサセプタ
トレー内あるいはサセプタトレー外に設置された加熱機
構に埋め込まれたヒータによって１０００℃以上にまで
加熱される。そして、前記反応管内に前記Ａｌ供給原料
及び前記窒素供給原料、並びに必要に応じてその他の元
素の供給原料を導入し、キャリアガスとともに前記基板
上に供給する。
体膜を形成すべき基板は、所定の反応管内に設けられた
サセプタトレー上に設置させるとともに、このサセプタ
トレー内あるいはサセプタトレー外に設置された加熱機
構に埋め込まれたヒータによって１０００℃以上にまで
加熱される。そして、前記反応管内に前記Ａｌ供給原料
及び前記窒素供給原料、並びに必要に応じてその他の元
素の供給原料を導入し、キャリアガスとともに前記基板
上に供給する。
【０００５】すると、前記基板上で熱化学反応が生じ
て、前記各原料は構成元素に分解されるとともに、これ
ら構成元素同士が互いに反応し、目的とするIII族窒化
物半導体膜が前記基板上に堆積されて製造されるもので
ある。
て、前記各原料は構成元素に分解されるとともに、これ
ら構成元素同士が互いに反応し、目的とするIII族窒化
物半導体膜が前記基板上に堆積されて製造されるもので
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１は、上記のような
ＭＯＣＶＤ法における、サセプタトレー上への基板の配
置状態を示す斜視図であり、図２は、同様の基板配置状
態を示す断面図である。
ＭＯＣＶＤ法における、サセプタトレー上への基板の配
置状態を示す斜視図であり、図２は、同様の基板配置状
態を示す断面図である。
【０００７】図１及び２に示すように、サセプタトレー
１０は、中央部に凹部１５を有し、基板２０はこの凹部
１５内に設置されるようになっている。このようにサセ
プタトレー１０は、基板２０に比べて十分な大きさを有
するので、基板２０を均一に加熱することができる。基
板２０は、所定の窒化物半導体膜が形成された後におい
てサセプタトレー１０から取り外され、後の工程に付さ
れる。
１０は、中央部に凹部１５を有し、基板２０はこの凹部
１５内に設置されるようになっている。このようにサセ
プタトレー１０は、基板２０に比べて十分な大きさを有
するので、基板２０を均一に加熱することができる。基
板２０は、所定の窒化物半導体膜が形成された後におい
てサセプタトレー１０から取り外され、後の工程に付さ
れる。
【０００８】しかしながら、サセプタトレー１０はＭＯ
ＣＶＤ装置内に固定されており、このサセプタトレー１
０の凹部１５内に基板２０が逐次設置されて、ＭＯＣＶ
Ｄ工程を経て取り出される。このため、複数回の膜形成
工程を経た後においては、サセプタトレー１０の外周表
面１０Ａ上に、前記窒化物半導体膜と類似の組成を有す
る膜堆積物が生成されてしまう場合があった。
ＣＶＤ装置内に固定されており、このサセプタトレー１
０の凹部１５内に基板２０が逐次設置されて、ＭＯＣＶ
Ｄ工程を経て取り出される。このため、複数回の膜形成
工程を経た後においては、サセプタトレー１０の外周表
面１０Ａ上に、前記窒化物半導体膜と類似の組成を有す
る膜堆積物が生成されてしまう場合があった。
【０００９】このような膜堆積物がある程度の厚さで生
成されると、基板２０とサセプタトレー１０との間の段
差が変化してしまい、上記原料供給ガスの流量状態が変
化してしまう。その結果、前記窒化物半導体膜の作製状
態が微妙に変化してしまうため、その膜質が変化してし
まうという問題があった。
成されると、基板２０とサセプタトレー１０との間の段
差が変化してしまい、上記原料供給ガスの流量状態が変
化してしまう。その結果、前記窒化物半導体膜の作製状
態が微妙に変化してしまうため、その膜質が変化してし
まうという問題があった。
【００１０】前記膜堆積物がＧａを主成分とする場合に
おいては、サセプタトレー１０を水素気流中に配置する
ことによってエッチング除去することができる。しかし
ながら、Ａｌを主成分とする窒化物半導体膜を形成した
結果として、Ａｌを比較的多量に含む膜堆積物が生成さ
れてしまう場合には、上述のような水素気流中のエッチ
ングによって除去することができない。
おいては、サセプタトレー１０を水素気流中に配置する
ことによってエッチング除去することができる。しかし
ながら、Ａｌを主成分とする窒化物半導体膜を形成した
結果として、Ａｌを比較的多量に含む膜堆積物が生成さ
れてしまう場合には、上述のような水素気流中のエッチ
ングによって除去することができない。
【００１１】したがって、窒化物半導体膜の膜質が変化
してしまい、目的とする窒化物半導体膜を長期に亘って
安定的に得ることができないという問題があった。
してしまい、目的とする窒化物半導体膜を長期に亘って
安定的に得ることができないという問題があった。
【００１２】また、成膜圧力が減圧雰囲気下で行われる
場合、サセプタトレー１０からの熱が有効に伝わらず、
サセプタトレー１０の外周表面１０Ａの温度が基板２０
の表面温度よりも高くなり、外周部に原料が堆積してし
まう場合があった。この結果、成膜効率の悪化並びに外
周部上方において気相中反応が激しくなることによる膜
質劣化などの問題もあった。
場合、サセプタトレー１０からの熱が有効に伝わらず、
サセプタトレー１０の外周表面１０Ａの温度が基板２０
の表面温度よりも高くなり、外周部に原料が堆積してし
まう場合があった。この結果、成膜効率の悪化並びに外
周部上方において気相中反応が激しくなることによる膜
質劣化などの問題もあった。
【００１３】本発明は、特にＡｌを含む窒化物半導体膜
を作製するに際し、上記のようなサセプタトレー上への
膜堆積物に起因した膜質変化を抑制することを目的とす
る。
を作製するに際し、上記のようなサセプタトレー上への
膜堆積物に起因した膜質変化を抑制することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明は、サセプタトレー上に基板を配置し、この基板
上において窒化物半導体膜を形成する窒化物半導体膜の
製造方法であって、前記サセプタトレーは、板状の基部
材と、この基部材に対して着脱自在の外周部材とを具
え、前記基板を、前記基板の外周部を前記サセプタトレ
ーの前記外周部材で囲むようにして、前記サセプタトレ
ーの前記基部材上に配置することを特徴とする、窒化物
半導体膜の製造方法に関する。
本発明は、サセプタトレー上に基板を配置し、この基板
上において窒化物半導体膜を形成する窒化物半導体膜の
製造方法であって、前記サセプタトレーは、板状の基部
材と、この基部材に対して着脱自在の外周部材とを具
え、前記基板を、前記基板の外周部を前記サセプタトレ
ーの前記外周部材で囲むようにして、前記サセプタトレ
ーの前記基部材上に配置することを特徴とする、窒化物
半導体膜の製造方法に関する。
【００１５】本発明の窒化物半導体膜の製造方法におい
て、基板は、その外周部を別体で設けられたサセプタト
レーの外周部材によって囲むようにして、サセプタトレ
ーの基部材上に配置される。したがって、従来と同様
に、サセプタトレー内又はサセプタトレー外に配置され
たヒータによって均一に加熱され、膜製造工程に付され
る。
て、基板は、その外周部を別体で設けられたサセプタト
レーの外周部材によって囲むようにして、サセプタトレ
ーの基部材上に配置される。したがって、従来と同様
に、サセプタトレー内又はサセプタトレー外に配置され
たヒータによって均一に加熱され、膜製造工程に付され
る。
【００１６】この場合においては、サセプタトレーを構
成する外周部材上に前述したような膜堆積物が生成され
る。しかしながら、前記外周部材は着脱自在であるの
で、膜堆積物がある程度の厚さで生成された後は、前記
外周部材のみを取り外して洗浄することにより、前記堆
積物を簡易に取り除くことができる。
成する外周部材上に前述したような膜堆積物が生成され
る。しかしながら、前記外周部材は着脱自在であるの
で、膜堆積物がある程度の厚さで生成された後は、前記
外周部材のみを取り外して洗浄することにより、前記堆
積物を簡易に取り除くことができる。
【００１７】また、前記外周部材を光吸収係数の低い、
すなわち、透過率の高い光透過性材料から構成すること
によって、外周部の輻射による加熱を抑制し、膜質を劣
化させる原因となる基板以外の場所での反応を抑制する
ことができる。
すなわち、透過率の高い光透過性材料から構成すること
によって、外周部の輻射による加熱を抑制し、膜質を劣
化させる原因となる基板以外の場所での反応を抑制する
ことができる。
【００１８】また、新規な外周部材と交換することが可
能となり、洗浄を必要とせずに、安定した膜製造が可能
となる。
能となり、洗浄を必要とせずに、安定した膜製造が可能
となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、発明の実施の形
態に基づいて詳細に説明する。図３は、本発明の窒化物
半導体膜の製造方法において用いることのできるサセプ
タトレー上に、基板を配置した状態を示す斜視図であ
り、図４は同様の状態を示す断面図である。
態に基づいて詳細に説明する。図３は、本発明の窒化物
半導体膜の製造方法において用いることのできるサセプ
タトレー上に、基板を配置した状態を示す斜視図であ
り、図４は同様の状態を示す断面図である。
【００２０】図３及び４に示すサセプタトレー３０は、
基部材３１と外周部材３２とを具えている。そして、基
板２０は、基部材３１と外周部材３２とで形成される凹
部３５内に設置される。
基部材３１と外周部材３２とを具えている。そして、基
板２０は、基部材３１と外周部材３２とで形成される凹
部３５内に設置される。
【００２１】外周部材３２は、基部材３１に対して着脱
自在に設けられている。したがって、目的とする窒化物
半導体膜を複数回に亘って作製した結果、外周部材３２
上に前記窒化物半導体膜の構成元素からなる膜堆積物が
生成された場合においても、これを取り外して洗浄する
ことにより、前記膜堆積物を簡易に取り除くことができ
る。したがって、目的とする窒化物半導体膜を得るべく
膜製造工程を安定的に行うことができる。
自在に設けられている。したがって、目的とする窒化物
半導体膜を複数回に亘って作製した結果、外周部材３２
上に前記窒化物半導体膜の構成元素からなる膜堆積物が
生成された場合においても、これを取り外して洗浄する
ことにより、前記膜堆積物を簡易に取り除くことができ
る。したがって、目的とする窒化物半導体膜を得るべく
膜製造工程を安定的に行うことができる。
【００２２】また、外周部材３２は取り外して新規なも
のと交換することができる。したがって、この場合にお
いても前記膜堆積物の影響を取り除いて、目的とする窒
化物半導体膜を安定的に製造することができる。
のと交換することができる。したがって、この場合にお
いても前記膜堆積物の影響を取り除いて、目的とする窒
化物半導体膜を安定的に製造することができる。
【００２３】外周部材３２に形状は特に限定されるもの
でなく、基板２０の形状に応じて任意に選択することが
できる。しかしながら、基板２０の形状は一般に円形で
あることから、外周部材３２の形状はリング状であるこ
とが好ましい。
でなく、基板２０の形状に応じて任意に選択することが
できる。しかしながら、基板２０の形状は一般に円形で
あることから、外周部材３２の形状はリング状であるこ
とが好ましい。
【００２４】サセプタトレー３０はヒータによって加熱
されることから、全体として耐熱性の部材から構成され
ることが必要である。
されることから、全体として耐熱性の部材から構成され
ることが必要である。
【００２５】特にＡｌを含む窒化物半導体膜を作製する
場合においては、減圧下、特には１００Ｔｏｒｒ以下、
さらに望ましくは５０Ｔｏｒｒ以下の圧力下においてＭ
ＯＣＶＤ法などによって実施することが好ましい。そし
て、約１１００℃以上、さらには１１００〜１２５０℃
にまで加熱して実施することが好ましい。これによっ
て、前記Ａｌ含有窒化物半導体膜の結晶性を向上させる
ことができ、さらに、この窒化物半導体膜上に種々の膜
を形成した場合においても、これら膜の結晶性を良好な
ものすることができる。
場合においては、減圧下、特には１００Ｔｏｒｒ以下、
さらに望ましくは５０Ｔｏｒｒ以下の圧力下においてＭ
ＯＣＶＤ法などによって実施することが好ましい。そし
て、約１１００℃以上、さらには１１００〜１２５０℃
にまで加熱して実施することが好ましい。これによっ
て、前記Ａｌ含有窒化物半導体膜の結晶性を向上させる
ことができ、さらに、この窒化物半導体膜上に種々の膜
を形成した場合においても、これら膜の結晶性を良好な
ものすることができる。
【００２６】このような場合においては、光輻射に伴う
加熱によって外周部材３２上における膜堆積物の生成が
顕著になる。したがって、外周部材３２は、室温におけ
る光の平均吸収率が、波長４００〜７００ｎｍの範囲に
おいて、０．１ｃｍ−１以下、さらには０．０１ｃｍ
−１以下の光透過性材料から構成することが好ましい。
加熱によって外周部材３２上における膜堆積物の生成が
顕著になる。したがって、外周部材３２は、室温におけ
る光の平均吸収率が、波長４００〜７００ｎｍの範囲に
おいて、０．１ｃｍ−１以下、さらには０．０１ｃｍ
−１以下の光透過性材料から構成することが好ましい。
【００２７】このような光透過性材料としては、サファ
イア、ＡｌＮ、及びＢＮを例示することができる。な
お、上記光平均吸収率は、光の進行を妨げ、散乱させる
ような結晶粒界などを含まない、単結晶状の光透過性材
料において定義したものである。
イア、ＡｌＮ、及びＢＮを例示することができる。な
お、上記光平均吸収率は、光の進行を妨げ、散乱させる
ような結晶粒界などを含まない、単結晶状の光透過性材
料において定義したものである。
【００２８】また、サセプタトレー３０の基部材３１
は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ、及びサイアロンなどの窒化
物セラミックス、並びにアルミナー炭化ケイ素複合材料
など公知のセラミックス材料から作製することができ
る。
は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ、及びサイアロンなどの窒化
物セラミックス、並びにアルミナー炭化ケイ素複合材料
など公知のセラミックス材料から作製することができ
る。
【００２９】上記のようなサセプタトレーを用いた本発
明の製造方法においては、上述したように、Ａｌを好ま
しくは５０原子％以上の割合で含む窒化物半導体膜の製
造において好適に用いることができる。そして、特には
ＡｌＮ膜の製造において好ましく用いることができる。
明の製造方法においては、上述したように、Ａｌを好ま
しくは５０原子％以上の割合で含む窒化物半導体膜の製
造において好適に用いることができる。そして、特には
ＡｌＮ膜の製造において好ましく用いることができる。
【００３０】以上、具体例を挙げながら、発明の実施の
形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の
実施に形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を
逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。
形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の
実施に形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を
逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特にＡｌを含む窒化物半導体膜を作製するに際し、サセ
プタトレーを基部材と外周部材とから構成し、膜堆積物
が生成される前記外周部材を着脱自在に取り付けてい
る。したがって、前記外周部材を取り外して洗浄する、
あるいは交換することによって、前記膜堆積物を除去す
ることができ、前記膜堆積物に起因した膜質変化を抑制
することができる。
特にＡｌを含む窒化物半導体膜を作製するに際し、サセ
プタトレーを基部材と外周部材とから構成し、膜堆積物
が生成される前記外周部材を着脱自在に取り付けてい
る。したがって、前記外周部材を取り外して洗浄する、
あるいは交換することによって、前記膜堆積物を除去す
ることができ、前記膜堆積物に起因した膜質変化を抑制
することができる。
【図１】ＭＯＣＶＤ法によって窒化物半導体膜を作製す
る場合における、従来のサセプタトレー上への基板の配
置状態を示す斜視図である。
る場合における、従来のサセプタトレー上への基板の配
置状態を示す斜視図である。
【図２】ＭＯＣＶＤ法によって窒化物半導体膜を作製す
る場合における、従来のサセプタトレー上への基板の配
置状態を示す断面図である。
る場合における、従来のサセプタトレー上への基板の配
置状態を示す断面図である。
【図３】ＭＯＣＶＤ法によって窒化物半導体膜を作製す
る場合における、本発明のサセプタトレー上への基板の
配置状態を示す斜視図である。
る場合における、本発明のサセプタトレー上への基板の
配置状態を示す斜視図である。
【図４】ＭＯＣＶＤ法によって窒化物半導体膜を作製す
る場合における、本発明のサセプタトレー上への基板の
配置状態を示す断面図である。
る場合における、本発明のサセプタトレー上への基板の
配置状態を示す断面図である。
１０ サセプタトレー、２０ 基板、３０ サセプタト
レー、３１ サセプタトレーの基部材、３２ サセプタ
トレーの外周部材
レー、３１ サセプタトレーの基部材、３２ サセプタ
トレーの外周部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 光浩 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 浅井 圭一郎 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 BA02 BA38 CA05 FA10 GA02 JA09 JA10 KA45 LA14 5F045 AA04 AB09 AC08 AC09 AC12 AD14 AD15 AD16 AE02 AE03 AE05 AE07 AE09 AE11 AE13 AE15 AE17 AE19 AE21 AE23 AE25 BB02 EM02 EM09
Claims (11)
- 【請求項１】サセプタトレー上に基板を配置し、この基
板上において窒化物半導体膜を形成する窒化物半導体膜
の製造方法であって、 前記サセプタトレーは、板状の基部材と、この基部材に
対して着脱自在の外周部材とを具え、前記基板を、前記
基板の外周部を前記サセプタトレーの前記外周部材で囲
むようにして、前記サセプタトレーの前記基部材上に配
置することを特徴とする、窒化物半導体膜の製造方法。 - 【請求項２】前記外周部材は、リング状を呈することを
特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体膜の製造方
法。 - 【請求項３】前記外周部材は、室温における波長４００
〜７００ｎｍの範囲における光の平均吸収率が０．１ｃ
ｍ−１以下の光透過性材料から作製されることを特徴と
する、請求項１又は２に記載の窒化物半導体膜の製造方
法。 - 【請求項４】前記窒化物半導体膜は、Ａｌを含むことを
特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の窒化物
半導体膜の製造方法。 - 【請求項５】前記窒化物半導体膜におけるＡｌ含有量
が、５０原子％以上であることを特徴とする、請求項４
に記載の窒化物半導体膜の製造方法。 - 【請求項６】前記窒化物半導体膜は、ＡｌＮ膜であるこ
とを特徴とする、請求項５に記載の窒化物半導体膜の製
造方法。 - 【請求項７】前記窒化物半導体膜は、１１００℃以上の
温度で形成されることを特徴とする、請求項４〜６のい
ずれか一に記載の窒化物半導体膜の製造方法。 - 【請求項８】前記窒化物半導体膜は、減圧雰囲気下にお
いて形成されることを特徴とする、請求項１〜７のいず
れか一に記載の窒化物半導体膜の製造方法。 - 【請求項９】板状の基部材と、この基部材に対して着脱
自在の外周部材とを具えたことを特徴とする、サセプタ
トレー。 - 【請求項１０】板状基部材と、この基部材に対して着脱
自在の外周部材とを具えたことを特徴とする、窒化物半
導体膜製造用サセプタトレー。 - 【請求項１１】板状の基部材と、この基部材に対して着
脱自在の外周部材とを含むサセプタトレーを具えること
を特徴とする、窒化物半導体膜製造装置。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010035409A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2010228965A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 耐蝕性部材 |
| KR20160146581A (ko) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101922042B (zh) * | 2010-08-19 | 2012-05-30 | 江苏中晟半导体设备有限公司 | 一种外延片托盘支撑旋转联接装置 |
| CN104409402B (zh) * | 2014-12-30 | 2018-06-19 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238728U (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-15 | ||
| JPH09266240A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Nippon Steel Corp | Ｃｖｄ装置のサセプタ用治具 |
| JPH10284425A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製法 |
| JP2001015443A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238728A (ja) | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Nissin Kogyo Kk | ディスクブレーキの断熱材製造方法 |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| JP2875768B2 (ja) * | 1994-11-30 | 1999-03-31 | 新日本無線株式会社 | 半導体基板の熱処理方法 |
| WO1998053484A1 (en) * | 1997-05-20 | 1998-11-26 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
| JP2001338886A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Ngk Insulators Ltd | 半導体デバイス、その製造方法、及びそれに用いる半導体デバイス用基板 |
| US6521292B1 (en) * | 2000-08-04 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge |
-
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-
2002
- 2002-01-30 US US10/060,802 patent/US6727164B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238728U (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-15 | ||
| JPH09266240A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Nippon Steel Corp | Ｃｖｄ装置のサセプタ用治具 |
| JPH10284425A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製法 |
| JP2001015443A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010035409A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2010228965A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 耐蝕性部材 |
| KR20160146581A (ko) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법 |
| KR102560633B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2023-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법 |
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