JPH0238728U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0238728U JPH0238728U JP11742388U JP11742388U JPH0238728U JP H0238728 U JPH0238728 U JP H0238728U JP 11742388 U JP11742388 U JP 11742388U JP 11742388 U JP11742388 U JP 11742388U JP H0238728 U JPH0238728 U JP H0238728U
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- JP
- Japan
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- wafer
- susceptor
- counterbore
- reactor
- ring
- Prior art date
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- Pending
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- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
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Description
第1図および第2図はそれぞれ本考案の一実施
例を示す断面図、第3図は有機金属気相成長装置
を示す側断面図、第4図は従来のウエーハ取付け
状態を示すサセプタ断面図、第5図イ,ロは従来
のウエーハ取付け状態の他の一例を示すものでイ
はサセプタの斜視図、ロはイのX,X′線断面図
、第6図はウエーハ周縁部の表面欠陥の集合体の
発生状況を示す表面欠陥検査装置での実測図、第
7図はウエーハの周辺部のサセプタ上に化合物半
導体の多結晶が堆積した状況を示す断面図である
。 1……ウエーハ、2……リング、3……サセプ
タ、4……ザグリ部、5……円板、6……ピン、
7……回転軸、8……反応管、9……RFコイル
、10……冷却ジヤケツト、11……原料ガス、
12……ガス導入口、13……排気口、14……
多結晶。
例を示す断面図、第3図は有機金属気相成長装置
を示す側断面図、第4図は従来のウエーハ取付け
状態を示すサセプタ断面図、第5図イ,ロは従来
のウエーハ取付け状態の他の一例を示すものでイ
はサセプタの斜視図、ロはイのX,X′線断面図
、第6図はウエーハ周縁部の表面欠陥の集合体の
発生状況を示す表面欠陥検査装置での実測図、第
7図はウエーハの周辺部のサセプタ上に化合物半
導体の多結晶が堆積した状況を示す断面図である
。 1……ウエーハ、2……リング、3……サセプ
タ、4……ザグリ部、5……円板、6……ピン、
7……回転軸、8……反応管、9……RFコイル
、10……冷却ジヤケツト、11……原料ガス、
12……ガス導入口、13……排気口、14……
多結晶。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応炉内の側面にザグリ部を形成した角柱
又は角錐又は角錐台形状のサセプタを設け、該ザ
グリ部にウエーハを着脱自在に取付け、反応炉内
を排気してウエーハを加熱し、原料ガスを流して
ウエーハ表面に化合物半導体を成長させる装置に
おいて、サセプタの側面のザグリ部に内径がウエ
ーハの直径より0.2〜1mm大きく、外径がウエ
ーハの直径より6〜16mm大きいリングを着脱自
在に取り付けて、該リング上面とサセプタ側面と
を略同一平面に形成し、そのリング内にウエーハ
を取付けたことを特徴とする有機金属気相成長装
置。 (2) リングの材質が石英ガラス、熱分解型窒化
硼素P―BNまたはSiCをコーテイングしたカ
ーボンである請求項(1)記載の有機金属気相成長
装置。 (3) 反応炉内の側面にザグリ部を形成した角柱
又は角錐又は角錐台形状のサセプタを設け、該ザ
グリ部にウエーハを着脱自在に取付け、反応炉内
を排気してウエーハを加熱し、原料ガスを流して
ウエーハ表面に化合物半導体を成長させる装置に
おいて、サセプタの側面のザグリ部に外径がウエ
ーハの直径より6〜16mm大きく、さらに表面に
ピンを立設した円板を着脱自在に取り付けて、該
円板上面とサセプタの側面とを略同一平面に形成
し、その円板上にピンにより保持されたウエーハ
を取付けたことを特徴とする有機金属気相成長装
置。 (4) 円板の材質が石英ガラス、熱分解型窒化硼
素P―BNまたはSiCをコーテイングしたカー
ボンである請求項(3)記載の有機金属気相成長装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11742388U JPH0238728U (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11742388U JPH0238728U (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0238728U true JPH0238728U (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=31360871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11742388U Pending JPH0238728U (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0238728U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231645A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Ngk Insulators Ltd | 窒化物半導体膜の製造方法 |
JP2009252969A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サセプタおよび気相成長装置 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP11742388U patent/JPH0238728U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231645A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Ngk Insulators Ltd | 窒化物半導体膜の製造方法 |
JP2009252969A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サセプタおよび気相成長装置 |
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