JP2009252969A - サセプタおよび気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サセプタ1aは、本体部2と、第1および第2のコーティング部5、6とを備えている。本体部2は、基板100を載置する載置面3と、基板100の側面100aを支持する支持部4とを含んでいる。本体部2の表面2aは、支持部4において載置面3の延在方向に沿った方向に伸びる領域を含み、かつ載置面3の外周を囲む第1の領域2a1と、第1の領域2a1の外周を囲む第2の領域2a2とを有している。第1のコーティング部5は、第1の領域2a1上に位置し、Siを含まない材料よりなる。第2のコーティング部6は、第2の領域2a2上に位置し、SiCよりなる。
【選択図】図3
Description
図1は、本実施の形態におけるサセプタを示す概略斜視図である。図2は、図1の線分II−II線に沿った断面図である。図3は、本実施の形態のサセプタに基板を保持した状態を示す断面図である。図1〜図3を参照して、本実施の形態におけるサセプタについて説明する。図1〜3に示すように、本実施の形態におけるサセプタ1aは、表面100b上に膜(たとえば後述するGaN膜110)を成長させるための基板100を保持する。
まず、載置面3および支持部4が形成された本体部2を準備する。このとき、本体部2の表面2aにおいて、第1の領域2a1および第2の領域2a2は、第1のコーティング部5および第2のコーティング部6との密着性が高い材料でそれぞれ構成することが好ましい。次に、この本体部2の表面2aの第1の領域2a1上にマスクを形成する。本体部2の表面2aの第2の領域2a2上に、SiCよりなる第2のコーティング部6をたとえばCVD(Chemical Vapor Deposition:化学蒸着)法により形成する。その後、第1の領域2a1上のマスクを除去する。次に、第2のコーティング部6上にマスクを形成する。第1の領域2a1上に、Siを含まない材料よりなる第1のコーティング部5をたとえばCVD法により形成する。その後、第2のコーティング部6上のマスクを除去する。なお、第1のコーティング部5を第2のコーティング部6より先に形成してもよい。
図9は、本実施の形態における気相成長装置を示す概略断面図である。図9を参照して、本実施の形態における気相成長装置を説明する。本実施の形態における気相成長装置は、たとえばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相堆積)装置である。
Claims (6)
- 表面上に膜を成長させるための基板を保持するためのサセプタであって、
前記基板を載置する載置面と、前記基板を載置した状態で前記基板の側面を支持する支持部とを含む本体部と、
前記本体部において前記載置面および前記支持部が形成された表面を覆う第1および第2のコーティング部とを備え、
前記本体部の前記表面は、前記支持部において前記載置面の延在方向に沿った方向に伸びる領域を含み、かつ前記載置面の外周を囲む第1の領域と、前記第1の領域の外周を囲む第2の領域とを有し、
前記第1のコーティング部は、前記第1の領域上に位置し、かつSiを含まない材料よりなり、
前記第2のコーティング部は、前記第2の領域上に位置し、かつSiCよりなる、サセプタ。 - 前記第1の領域と前記第2の領域との境界は、前記第1の領域の内周側から11mm以上離れた位置である、請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第1のコーティング部は、pBN、TaC、熱分解炭素、ガラス状炭素およびGaN、AlN、AlxInyGa(1-x-y)N(0≦x≦1、x+y≦1)からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなる、請求項1または2に記載のサセプタ。
- 前記第1のコーティング部は、前記本体部に対して着脱可能な部材である、請求項1〜3のいずれかに記載のサセプタ。
- 前記膜は、窒化物半導体である、請求項1〜4のいずれかに記載のサセプタ。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のサセプタと、
前記サセプタを内部に配置した成長容器とを備えた、気相成長装置。
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