JPH03100177A - 化学蒸着における支持体上の背面生長を防止する方法 - Google Patents
化学蒸着における支持体上の背面生長を防止する方法Info
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- JPH03100177A JPH03100177A JP2235967A JP23596790A JPH03100177A JP H03100177 A JPH03100177 A JP H03100177A JP 2235967 A JP2235967 A JP 2235967A JP 23596790 A JP23596790 A JP 23596790A JP H03100177 A JPH03100177 A JP H03100177A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学気相蒸着装置における支持体上の背面生長
を防止する方法に関する。
を防止する方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕化学気
相蒸着装置における支持体上の背面生長は、もしそれを
防止しなければ、しばしば蒸着層の割れを生じる。また
このような背面生長は、予備成形した構造物の形状と精
度を気相蒸着装置で再現することをむずかしくする。さ
らにこの背面生長の存在は、支持体蒸着層を蒸着治具か
ら取りはずすために蒸着後機械加工が必要となる点で不
利となる。このように支持体上の背面生長は軽量高速光
学素子の製作には不利である。
相蒸着装置における支持体上の背面生長は、もしそれを
防止しなければ、しばしば蒸着層の割れを生じる。また
このような背面生長は、予備成形した構造物の形状と精
度を気相蒸着装置で再現することをむずかしくする。さ
らにこの背面生長の存在は、支持体蒸着層を蒸着治具か
ら取りはずすために蒸着後機械加工が必要となる点で不
利となる。このように支持体上の背面生長は軽量高速光
学素子の製作には不利である。
蒸着によって耐火物から軽量構造物を製作する方法が、
ジェイ、ティ、ゲーテ（Ｊ、 Ｔ、 Ｇｏｅｌｅ）他に
よる米国特許出願第０７／３８９．２４８ （１９８９
）明細書に開示されている。上記特許出願に開示されて
いる方法及びその軽量構造物は、それぞれの構造物の形
状と寸法を定めるコアを必要とする。構造物に強度と剛
性をもたせ又他の表面例えば製作すべき鏡の面板を含ん
でなる支持体の表面と結合させるために、このコアを炭
化珪素（ＳｉＣ）又はシリコン（Ｓｉ）のような適当な
蒸着層で被覆する。
ジェイ、ティ、ゲーテ（Ｊ、 Ｔ、 Ｇｏｅｌｅ）他に
よる米国特許出願第０７／３８９．２４８ （１９８９
）明細書に開示されている。上記特許出願に開示されて
いる方法及びその軽量構造物は、それぞれの構造物の形
状と寸法を定めるコアを必要とする。構造物に強度と剛
性をもたせ又他の表面例えば製作すべき鏡の面板を含ん
でなる支持体の表面と結合させるために、このコアを炭
化珪素（ＳｉＣ）又はシリコン（Ｓｉ）のような適当な
蒸着層で被覆する。
きる。マンドレルの片面を光学的に平面あるいは凸球面
形状に製作する。マンドレルの他の面を平らにラップ仕
上げする。マンドレルのこのラップ仕上げした面を支柱
及び黒鉛セメントで蒸着反応器内のじゃま板に固定する
。次いでマンドレルを溶剤中の懸濁カーボンの重ね塗り
で被覆し、マンドレルの形状をあまり変えることな（で
きるだけびかびかになるように、その表面をパフ磨きあ
るいは艶出しする。次にマンドレル表面にＳｉＣ蒸着を
おこなう。黒鉛とＳｉＣの結合を改善するために、この
露出ＳｉＣ表面を熱水酸化カリウム（ＫＯＨ）でエツチ
ングすることができる。次いで、前記特許出願明細書に
開示されているように、軽量構造物コアを平らな又は曲
った黒鉛リブから製作する。黒鉛セメントでお互いに接
着したのち、この軽量構造物コアを黒鉛セメントでマン
ドレルのエツチングしたＳｉＣ表面に接着する。次に軽
量構造物コアを包むようにＳｉＣを蒸着し、支柱をじゃ
ま板から分離する。余剰のＳｉＣ蒸着層を除去するため
に管理されたぼり取りをおこなうことができる。次いで
ＳｉＣ被覆した鏡面板を回収するために、ブレードを使
って黒鉛マンドレルとＳｉＣ面板間の接触面を開くこと
ができる。次にＳｉＣ面板を３１被覆する。鏡面の製作
においてＳｉＣ被覆面板の前面だけに３１生長を限定す
る選択蒸着はきわめて重要である。この理由は前述した
ように、ＳｉＣ面板の背面上のＳｉ生長は、もしそれを
防止しなければ、前面の蒸着層の割れがしばしばおこり
、蒸着装置での再現性を達成することがむずかしくなり
、その上支持体蒸着層を蒸着治具から分離するのに蒸着
後機械加工が必要になるという点で不利となる。
形状に製作する。マンドレルの他の面を平らにラップ仕
上げする。マンドレルのこのラップ仕上げした面を支柱
及び黒鉛セメントで蒸着反応器内のじゃま板に固定する
。次いでマンドレルを溶剤中の懸濁カーボンの重ね塗り
で被覆し、マンドレルの形状をあまり変えることな（で
きるだけびかびかになるように、その表面をパフ磨きあ
るいは艶出しする。次にマンドレル表面にＳｉＣ蒸着を
おこなう。黒鉛とＳｉＣの結合を改善するために、この
露出ＳｉＣ表面を熱水酸化カリウム（ＫＯＨ）でエツチ
ングすることができる。次いで、前記特許出願明細書に
開示されているように、軽量構造物コアを平らな又は曲
った黒鉛リブから製作する。黒鉛セメントでお互いに接
着したのち、この軽量構造物コアを黒鉛セメントでマン
ドレルのエツチングしたＳｉＣ表面に接着する。次に軽
量構造物コアを包むようにＳｉＣを蒸着し、支柱をじゃ
ま板から分離する。余剰のＳｉＣ蒸着層を除去するため
に管理されたぼり取りをおこなうことができる。次いで
ＳｉＣ被覆した鏡面板を回収するために、ブレードを使
って黒鉛マンドレルとＳｉＣ面板間の接触面を開くこと
ができる。次にＳｉＣ面板を３１被覆する。鏡面の製作
においてＳｉＣ被覆面板の前面だけに３１生長を限定す
る選択蒸着はきわめて重要である。この理由は前述した
ように、ＳｉＣ面板の背面上のＳｉ生長は、もしそれを
防止しなければ、前面の蒸着層の割れがしばしばおこり
、蒸着装置での再現性を達成することがむずかしくなり
、その上支持体蒸着層を蒸着治具から分離するのに蒸着
後機械加工が必要になるという点で不利となる。
この発明の目的は、蒸着装置における支持体上の背面生
長を防止する容易で経済的な方法を提供することである
。
長を防止する容易で経済的な方法を提供することである
。
この発明の他の目的は、過剰な材料を除去するのに機械
加工を必要としない方法を提供することである。
加工を必要としない方法を提供することである。
またこの発明の目的は、化学気相蒸着反応器において、
ＳｉＣ及びＳｉを選択的に蒸着させる方法を提供するこ
とである。
ＳｉＣ及びＳｉを選択的に蒸着させる方法を提供するこ
とである。
この発明のさらに目的とするところは、（ａ）支持体を
適当な材質でできた支柱の上に据え、この支柱を蒸着反
応器内のじゃま板でささえ、且つ適当な接着剤を用いて
支柱をできるだけ支持体の外周近くで支持体に接着し、 （ｂ）この支持体と適合でき、且つ一端面が開放で他端
面が閉じている中空体を、黒鉛セメント接着剤を用いて
フレキシブル黒鉛から製作し、（ｃ）この開放端面を支
持体の背面と向かい合わせて中空体を支柱に据え、閉じ
た端面と支柱の接触面をシールし、 （ｄ）この支持体の外周にそって中空体の開放端面を適
当な接着剤を用いて支持体に圧着してシールし、蒸着操
作の間中空体上に蒸着させることで支持体の背面上の蒸
着を防止し、そして（ｅ）蒸着操作の完了により、機械
的方法で中空体に孔をあけ及びこれを砕いて中空体を支
持体から取り除く 工程を含んでなる、蒸着反応器内で支持体上の背面生長
を防止する方法を提供することである。
適当な材質でできた支柱の上に据え、この支柱を蒸着反
応器内のじゃま板でささえ、且つ適当な接着剤を用いて
支柱をできるだけ支持体の外周近くで支持体に接着し、 （ｂ）この支持体と適合でき、且つ一端面が開放で他端
面が閉じている中空体を、黒鉛セメント接着剤を用いて
フレキシブル黒鉛から製作し、（ｃ）この開放端面を支
持体の背面と向かい合わせて中空体を支柱に据え、閉じ
た端面と支柱の接触面をシールし、 （ｄ）この支持体の外周にそって中空体の開放端面を適
当な接着剤を用いて支持体に圧着してシールし、蒸着操
作の間中空体上に蒸着させることで支持体の背面上の蒸
着を防止し、そして（ｅ）蒸着操作の完了により、機械
的方法で中空体に孔をあけ及びこれを砕いて中空体を支
持体から取り除く 工程を含んでなる、蒸着反応器内で支持体上の背面生長
を防止する方法を提供することである。
この発明のこれら及び別の目的を達成するために、多様
な形状、例えば六角形、四角形、三角形、円形等、及び
寸法にできる適当な支持体を、黒鉛あるいは別の適当な
材質でできた十分な数の支柱上に据える。この支柱を適
当な接着剤を用いてできるだけ支持体の外周近くで支持
体に接着する。
な形状、例えば六角形、四角形、三角形、円形等、及び
寸法にできる適当な支持体を、黒鉛あるいは別の適当な
材質でできた十分な数の支柱上に据える。この支柱を適
当な接着剤を用いてできるだけ支持体の外周近くで支持
体に接着する。
一方の端面が開放で他方の端面が閉じていて且つこの支
持体と適合できる適当な中空体をフレキシブル黒鉛で製
作する。このフレキシブル黒鉛はユニオンカーバイト社
（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）オールドリッジベリイロード（Ｏｌｄ Ｒｉｄｇｅ
ｂｕｒｙＲｏａｄ） 、ダンベリイ（Ｄａｎｂｕｒｙ）
、：）ネチカット州（ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ）０６
８１７、から市販されている商標名グラフオイル（ＧＲ
ＡＦＯＩＬ）で構成される黒鉛布である。次いでこの中
空体をその開放端面が支持体の背面と向かい合うように
支柱に据え、閉じた端面と支柱の接触面をシールする。
持体と適合できる適当な中空体をフレキシブル黒鉛で製
作する。このフレキシブル黒鉛はユニオンカーバイト社
（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）オールドリッジベリイロード（Ｏｌｄ Ｒｉｄｇｅ
ｂｕｒｙＲｏａｄ） 、ダンベリイ（Ｄａｎｂｕｒｙ）
、：）ネチカット州（ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ）０６
８１７、から市販されている商標名グラフオイル（ＧＲ
ＡＦＯＩＬ）で構成される黒鉛布である。次いでこの中
空体をその開放端面が支持体の背面と向かい合うように
支柱に据え、閉じた端面と支柱の接触面をシールする。
中空体の開放端面を支持体に圧着し接着剤でシールする
。この配置は支持体の背面を完全に覆いそして蒸着操作
の間支持体背面上の蒸着を防止する。しかし、中空体の
外表面上には蒸着がおこる。
。この配置は支持体の背面を完全に覆いそして蒸着操作
の間支持体背面上の蒸着を防止する。しかし、中空体の
外表面上には蒸着がおこる。
蒸着した被膜をもつ中空体は、支持体を損傷することな
く支持体から容易に取り除く。特にグラフオイルはきわ
めてフレキシブルであるから、ＳｉＣ被覆した中空体を
孔抜き工具及びプライヤー１丁を用いて容易に小片に砕
くことができる。このグラフオイルを支持体から除去し
ている間、被覆したグラフオイルに生じた割れが支持体
には波及しない。その理由は、支持体がグラフオイル体
に対して垂直であり、グラフオイルはフレキシブルであ
り、それ故物質生長及び熱膨張の不整合による応力が生
じる時は変形するからである。
く支持体から容易に取り除く。特にグラフオイルはきわ
めてフレキシブルであるから、ＳｉＣ被覆した中空体を
孔抜き工具及びプライヤー１丁を用いて容易に小片に砕
くことができる。このグラフオイルを支持体から除去し
ている間、被覆したグラフオイルに生じた割れが支持体
には波及しない。その理由は、支持体がグラフオイル体
に対して垂直であり、グラフオイルはフレキシブルであ
り、それ故物質生長及び熱膨張の不整合による応力が生
じる時は変形するからである。
この発明の特徴を表す数多くの新規の点は、この明細書
に添えた明細書の一部を成す特許請求の範囲に詳しく指
摘しである。この発明と、その作動上の利益と、実施す
ることによって達成される目的とを十分に理解するため
には、この発明の好ましい実施態様を例示しである添付
図面ならびに記事を参照すべきである。
に添えた明細書の一部を成す特許請求の範囲に詳しく指
摘しである。この発明と、その作動上の利益と、実施す
ることによって達成される目的とを十分に理解するため
には、この発明の好ましい実施態様を例示しである添付
図面ならびに記事を参照すべきである。
図面を参照して実施例を詳細に説明する。第１図は、第
４図に示す従来型の化学気相蒸着装置１２内で、円形Ｓ
ｉＣ支持体の背面上の生長を防止するために用いる方法
を示す。支持体１０は製作する鏡の面板を含んでなる。
４図に示す従来型の化学気相蒸着装置１２内で、円形Ｓ
ｉＣ支持体の背面上の生長を防止するために用いる方法
を示す。支持体１０は製作する鏡の面板を含んでなる。
第２図、第３図でよく理解できるように、好ましくはフ
レキシブル黒鉛であるグラフオイルでできており、支持
体１０と適合できる中空円筒体１４をこの発明に従って
提供する。
レキシブル黒鉛であるグラフオイルでできており、支持
体１０と適合できる中空円筒体１４をこの発明に従って
提供する。
中空体１４は実質的に支持体１０と同一径を有し、−端
面が開放で他の端面が閉じている。中空体１４を複数の
支柱１６に支持体１０と一体化した関係に据える。説明
の都合上、図面には２個の支柱しか示してない。適当な
接着剤を用いて支柱１６をできるだけ支持体の外周近く
で支持体１０に接着する。中空体１４の開放端面を支持
体１０の背面と向かい合わせて位置決めし、支持体とシ
ールする関係に支柱１６を中空体の閉じた端面を貫いて
通し、黒鉛セメントでシールする。支柱１６を順々に、
中央に開口部２０をもつじゃま板１８の上に据えてじゃ
ま板でささえる。中空体１４の開放端面を支持体１０に
圧着し、適当な接着剤でシールする（図には示してない
）。
面が開放で他の端面が閉じている。中空体１４を複数の
支柱１６に支持体１０と一体化した関係に据える。説明
の都合上、図面には２個の支柱しか示してない。適当な
接着剤を用いて支柱１６をできるだけ支持体の外周近く
で支持体１０に接着する。中空体１４の開放端面を支持
体１０の背面と向かい合わせて位置決めし、支持体とシ
ールする関係に支柱１６を中空体の閉じた端面を貫いて
通し、黒鉛セメントでシールする。支柱１６を順々に、
中央に開口部２０をもつじゃま板１８の上に据えてじゃ
ま板でささえる。中空体１４の開放端面を支持体１０に
圧着し、適当な接着剤でシールする（図には示してない
）。
第２図で、矢印は蒸着操作の間支持体１０に対する蒸着
蒸気の相対的な流れの方向を示す。
蒸気の相対的な流れの方向を示す。
この配置によって、支持体１０の背面は完全に覆われ、
Ｓ１蒸着操作の間支持体１０の背面上の蒸着が防止され
る。しかし、中空体１４の外表面上での８１蒸着はおこ
る。
Ｓ１蒸着操作の間支持体１０の背面上の蒸着が防止され
る。しかし、中空体１４の外表面上での８１蒸着はおこ
る。
第４図は、第１〜３図の支持体上にＳｉＣ及びＳｔを選
択的に蒸着するために用いることができる化学気相蒸着
装置の略図である。第４図に示すように、アルゴンは弁
２６及びライン２８によってアルゴン源（図に示してな
い）から泡箱２４に入る。泡箱２４はメチルトリクロロ
シラン（ｃＨ３ＳＩＣ１３）又はトリクロロシラン（３
ｉＨＣｆｌ ３）を含むことができる。
択的に蒸着するために用いることができる化学気相蒸着
装置の略図である。第４図に示すように、アルゴンは弁
２６及びライン２８によってアルゴン源（図に示してな
い）から泡箱２４に入る。泡箱２４はメチルトリクロロ
シラン（ｃＨ３ＳＩＣ１３）又はトリクロロシラン（３
ｉＨＣｆｌ ３）を含むことができる。
メチルトリクロロランが炭化珪素（ＳｉＣ）蒸着層を形
成するには好ましい。トリクロロシランはシリコン（Ｓ
ｉ＞蒸着層を形成するには好ましい。しかし当業者とし
て、ＳｉＣ及びＳｉ蒸着層を形成するために別の炭化水
素及びシラン源が使用できることを知っている。前記の
特許出願明細書に詳しく述べているように、蒸着温度及
び反応器圧力の広い範囲にわたってこれら両物質が形成
されている。
成するには好ましい。トリクロロシランはシリコン（Ｓ
ｉ＞蒸着層を形成するには好ましい。しかし当業者とし
て、ＳｉＣ及びＳｉ蒸着層を形成するために別の炭化水
素及びシラン源が使用できることを知っている。前記の
特許出願明細書に詳しく述べているように、蒸着温度及
び反応器圧力の広い範囲にわたってこれら両物質が形成
されている。
反応系ＣＨ３５ｉＣｌ 、又は５ｉＨＣ１ｓを運ぶアル
ゴン気泡は弁３２のコントロールでライン３０に入る。
ゴン気泡は弁３２のコントロールでライン３０に入る。
水素は弁３４のコントロールで水素源（図に示してない
）からライン３０に入る。反応系は中央インジェクター
３１を通して反応器２２に導くことができる。
）からライン３０に入る。反応系は中央インジェクター
３１を通して反応器２２に導くことができる。
反応器２２は反応域管２５内に含まれる普通のセラミッ
ク蒸着室２３を含み、適当な発熱体（図には示してない
）を用いてこの蒸着室２３を約８３０〜１３５０℃に加
熱できる。
ク蒸着室２３を含み、適当な発熱体（図には示してない
）を用いてこの蒸着室２３を約８３０〜１３５０℃に加
熱できる。
ガス状生成物をフィルター３６、真空ポンプ４０へのラ
イン３８を通して反応器２２から除去する。これらガス
を真空ポンプ４０からライン４２を通ってスクラバー４
４に運ぶ。次いでこれらガスを大気に放散する。
イン３８を通して反応器２２から除去する。これらガス
を真空ポンプ４０からライン４２を通ってスクラバー４
４に運ぶ。次いでこれらガスを大気に放散する。
第５図に、ＳｉＣ蒸着完了後の支持体ｌＯ及びグラフオ
イル体１４の斜視図を示す。グラフオイルはきわめてフ
レキシブルであるから、ＳｉＣ被覆したグラフオイルを
孔抜き工具及びプライヤー１丁を用いて容易に小片に砕
くことができる。被覆したグラフオイルを取り除く間、
割れが支持体１０に波及しないが、その理由は支持体１
０がグラフオイル体１４に対し垂直であり、グラフオイ
ルはフレキシブルでありそれ故シリコン生長及び熱膨張
の不整合による応力が生じる時は変形するからである。
イル体１４の斜視図を示す。グラフオイルはきわめてフ
レキシブルであるから、ＳｉＣ被覆したグラフオイルを
孔抜き工具及びプライヤー１丁を用いて容易に小片に砕
くことができる。被覆したグラフオイルを取り除く間、
割れが支持体１０に波及しないが、その理由は支持体１
０がグラフオイル体１４に対し垂直であり、グラフオイ
ルはフレキシブルでありそれ故シリコン生長及び熱膨張
の不整合による応力が生じる時は変形するからである。
この発明に従って、化学気相蒸着装置内で選択的にＳｉ
Ｃ及びＳｉを蒸着する方法が提供された。
Ｃ及びＳｉを蒸着する方法が提供された。
この方法は、蒸着装置内で背面生長を防止するために簡
単で経済的な方法を提供する点で特異であり、予備成形
構造物の形状及び精度の再現を容易にする。さらにこの
方法は余剰な材料を除去するのに機械加工が必要でない
ことで特徴づけられる。
単で経済的な方法を提供する点で特異であり、予備成形
構造物の形状及び精度の再現を容易にする。さらにこの
方法は余剰な材料を除去するのに機械加工が必要でない
ことで特徴づけられる。
この発明の詳細な説明をもって、この発明の精神に反す
ることなしにこの発明の変更を実施できることを当業者
は理解しよう。それ故この発明の詳細な説明した特定な
実施態様に限定するものではない。この発明は、特許請
求の範囲において限定される。
ることなしにこの発明の変更を実施できることを当業者
は理解しよう。それ故この発明の詳細な説明した特定な
実施態様に限定するものではない。この発明は、特許請
求の範囲において限定される。
第１図、第２図は蒸着装置内で支持体の背面上の生長を
防止するために、この発明に従う構造物のそれぞれ平面
図、側面図、第３図は第２図の線３−３についての断面
図、第４図は第１図の支持体上に耐火材料を蒸着するた
めに使う化学気相蒸着装置の略図、第５図はＳｉ蒸着完
了後の背面をグラフオイル体で覆ったＳｉＣ支持体を示
す図である。 １０・・・支持体、 １４・・・中空円筒体、 １８・・・じゃま板、 ２２・・・反応器、 ２４・・・泡箱、 ３１・・・インジェクター、 ４０・・・真空ポンプ、 １２・・・化学蒸着装置、 １６・・・支柱、 ２０・・・開口部、 ２３・・・蒸着室、 ２５・・・反応域管、 ３６・・・フィルター ４４・・・スクラバー
防止するために、この発明に従う構造物のそれぞれ平面
図、側面図、第３図は第２図の線３−３についての断面
図、第４図は第１図の支持体上に耐火材料を蒸着するた
めに使う化学気相蒸着装置の略図、第５図はＳｉ蒸着完
了後の背面をグラフオイル体で覆ったＳｉＣ支持体を示
す図である。 １０・・・支持体、 １４・・・中空円筒体、 １８・・・じゃま板、 ２２・・・反応器、 ２４・・・泡箱、 ３１・・・インジェクター、 ４０・・・真空ポンプ、 １２・・・化学蒸着装置、 １６・・・支柱、 ２０・・・開口部、 ２３・・・蒸着室、 ２５・・・反応域管、 ３６・・・フィルター ４４・・・スクラバー
Claims (3)
- １． （ａ） 蒸着反応器に支持体を据え、（ｂ） 該
支持体と適合でき、且つ一端面が開放で他端面が閉じて
いる中空体を、黒鉛セメント接着剤を用いてフレキシブ
ル黒鉛から製作し、（ｃ） 該中空体の開放端面を該支
持体の背面と向かい合わせて支持体と一体化する関係に
中空体を据え、 （ｄ） 該支持体の外周のきわめて近傍で該中空体の開
放端面を支持体に圧着してシールし、そして （ｅ） 蒸着操作の完了により、該中空体に孔をあけそ
して小片に砕いて中空体を該支持体から取り除く 工程からなる蒸着反応器を含む蒸着装置内で該支持体上
の背面生長を防止する方法。 - ２． 上記工程（ｂ）において、該中空体をグラフォイ
ル（ＧＲＡＦＯＩＬ：ユニオンカーバイト社製のフレキ
シブル黒鉛布の商標）で製作する請求項１記載の方法。 - ３． （ａ） 支持体を適当な材質でできた支柱の上に
据え、該支柱を蒸着反応器内のじゃま板でささえ、適当
な接着剤を用いて支柱を支持体の外周近くで支持体に接
着し、 （ｂ） 該支持体と適合でき、且つ一端面が開放で他端
面が閉じている中空体を、黒鉛セメント接着剤を用いて
フレキシブル黒鉛から製作し、（ｃ） 該中空体の開放
端面を該支持体の背面と向かい合わせて中空体を該支柱
に据え、 （ｄ） 該支持体の外周にそって該中空体の開放端面を
適当な接着剤を用いて支持体に圧着してシールし、蒸着
操作の間中空体上に蒸着させることで支持体の背面上の
蒸着を防止し、そして （ｅ） 蒸着操作の完了により、機械的方法で該中空体
に孔をあけそしてこれを砕いて中空体を該支持体から取
り除く工程を含んでなる蒸着反応器内で該支持体上の背
面生長を防止する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/403,957 US4963393A (en) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Method to prevent backside growth on substrates in a vapor deposition system |
| US403957 | 1989-09-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100177A true JPH03100177A (ja) | 1991-04-25 |
| JPH0670274B2 JPH0670274B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=23597561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2235967A Expired - Fee Related JPH0670274B2 (ja) | 1989-09-07 | 1990-09-07 | 化学蒸着における支持体上の背面生長を防止する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4963393A (ja) |
| EP (1) | EP0416813B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0670274B2 (ja) |
| CA (1) | CA2023278C (ja) |
| DE (1) | DE69009635T2 (ja) |
| IL (1) | IL95414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000087239A (ja) * | 1998-05-05 | 2000-03-28 | Cvd Inc | 支持なしに立つ炭化ケイ素物品を製造する方法及び装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2655364B1 (fr) * | 1989-12-01 | 1992-04-10 | Europ Propulsion | Procede de fabrication d'une piece en materiau composite, notamment a texture fibres de carbone ou refractaires et matrice carbone ou ceramique. |
| FR2659949B1 (fr) * | 1990-03-26 | 1992-12-04 | Europ Propulsion | Procede de conformation d'une texture fibreuse de renfort pour la fabrication d'une piece en materiau composite. |
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| KR100243784B1 (ko) * | 1990-12-05 | 2000-02-01 | 조셉 제이. 스위니 | 웨이퍼의 전방부 모서리와후방부에서의 증착을 방지하는 cvd웨이퍼 처리용 수동 실드 |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| US5665430A (en) * | 1992-09-30 | 1997-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Chemical vapor deposition method for depositing diamond using a high temperature vacuum substrate mount |
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| US5292554A (en) * | 1992-11-12 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus using a perforated pumping plate |
| US5628038A (en) * | 1993-04-16 | 1997-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Camera having a sub-mirror unit |
| US5354580A (en) * | 1993-06-08 | 1994-10-11 | Cvd Incorporated | Triangular deposition chamber for a vapor deposition system |
| US5741445A (en) * | 1996-02-06 | 1998-04-21 | Cvd, Incorporated | Method of making lightweight closed-back mirror |
| US5980638A (en) * | 1997-01-30 | 1999-11-09 | Fusion Systems Corporation | Double window exhaust arrangement for wafer plasma processor |
| US6042758A (en) * | 1998-05-05 | 2000-03-28 | Cvd, Inc. | Precision replication by chemical vapor deposition |
| US6464912B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-10-15 | Cvd, Incorporated | Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition |
| EP1388592B1 (de) * | 2002-07-31 | 2010-08-25 | Hilmar Bode | Verfahren und Vorrichtung zur Isolierung eines Oberflächenbereichs eines Werkstücks |
| US20040083976A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-05-06 | Silterra Malaysia Sdn. Bhd. | Modified deposition ring to eliminate backside and wafer edge coating |
| KR101332206B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2013-11-25 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 반도체 처리 방법 |
| US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
| US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
| US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035994B2 (ja) * | 1978-07-10 | 1985-08-17 | 日本ピラ−工業株式会社 | 複合部材の製造方法 |
| US4448797A (en) * | 1981-02-04 | 1984-05-15 | Xerox Corporation | Masking techniques in chemical vapor deposition |
| US4705659A (en) * | 1985-04-01 | 1987-11-10 | Motorola, Inc. | Carbon film oxidation for free-standing film formation |
| CA1267529A (en) * | 1986-06-13 | 1990-04-10 | Seinosuke Horiki | Masking member |
-
1989
- 1989-09-07 US US07/403,957 patent/US4963393A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-15 CA CA002023278A patent/CA2023278C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-17 IL IL9541490A patent/IL95414A/en not_active IP Right Cessation
- 1990-08-30 DE DE69009635T patent/DE69009635T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-30 EP EP90309491A patent/EP0416813B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-07 JP JP2235967A patent/JPH0670274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000087239A (ja) * | 1998-05-05 | 2000-03-28 | Cvd Inc | 支持なしに立つ炭化ケイ素物品を製造する方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670274B2 (ja) | 1994-09-07 |
| EP0416813A2 (en) | 1991-03-13 |
| EP0416813A3 (en) | 1991-04-10 |
| IL95414A (en) | 1994-07-31 |
| CA2023278C (en) | 1993-08-31 |
| DE69009635T2 (de) | 1994-09-22 |
| EP0416813B1 (en) | 1994-06-08 |
| CA2023278A1 (en) | 1991-03-08 |
| DE69009635D1 (de) | 1994-07-14 |
| IL95414A0 (en) | 1991-06-30 |
| US4963393A (en) | 1990-10-16 |
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