JPH03274271A - ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法Info
- Publication number
- JPH03274271A JPH03274271A JP2076308A JP7630890A JPH03274271A JP H03274271 A JPH03274271 A JP H03274271A JP 2076308 A JP2076308 A JP 2076308A JP 7630890 A JP7630890 A JP 7630890A JP H03274271 A JPH03274271 A JP H03274271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diamond film
- film
- thin film
- diamond thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150101918 TSC22D3 gene Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FOZHTJJTSSSURD-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);dicarbonate Chemical compound [Ti+4].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O FOZHTJJTSSSURD-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/277—Diamond only using other elements in the gas phase besides carbon and hydrogen; using other elements besides carbon, hydrogen and oxygen in case of use of combustion torches; using other elements besides carbon, hydrogen and inert gas in case of use of plasma jets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は工業製品の外装又は摩耗の激しい部分にダイ
ヤモンド薄膜をろう付け、または接着することによって
工業製品の寿命を向上させることに関するものである。
ヤモンド薄膜をろう付け、または接着することによって
工業製品の寿命を向上させることに関するものである。
〔従来の技術］
従来、切削工具および耐摩耗工具のような超硬工具およ
び摩耗部品などを製造するにあたって、基体表面に直接
に、ダイヤモンド、炭化チタン、窒化チタン、炭窒化チ
タン、炭酸化チタン、酸化アルもニウム等の硬質被膜を
形成することによって工具等の寿命を延ばすことが行わ
れてきた。
び摩耗部品などを製造するにあたって、基体表面に直接
に、ダイヤモンド、炭化チタン、窒化チタン、炭窒化チ
タン、炭酸化チタン、酸化アルもニウム等の硬質被膜を
形成することによって工具等の寿命を延ばすことが行わ
れてきた。
特にダイヤモンド膜の硬質被膜形成は非鉄金属やセラＳ
’７クスに対してはかなり効果があると言われている
。
’７クスに対してはかなり効果があると言われている
。
このようなダイヤモンド膜を工具等の外装上に被覆する
方法としては熱ＣＶＤ （化学的気相成長）法が最もよ
く利用されている。この熱ＣＶＤ法とは例えば第３図に
示すように反応容Ｈ（３１）に反応性気体を導入口（３
２）より流入し金属タングステン製フィラメント（３３
）に電流を流し、このフィラメントを１５００″Ｃ〜３
０００″Ｃに加熱し熱電子を放出させることによって、
４００’Ｃ〜１３００″Ｃに加熱された基体（３４）上
に、化学反応によりダイヤモンド膜を台底する方法であ
る。この時、反応容器内の圧力は１〜３５０Ｔｏｒｒ程
度の減圧状態に維持されている。
方法としては熱ＣＶＤ （化学的気相成長）法が最もよ
く利用されている。この熱ＣＶＤ法とは例えば第３図に
示すように反応容Ｈ（３１）に反応性気体を導入口（３
２）より流入し金属タングステン製フィラメント（３３
）に電流を流し、このフィラメントを１５００″Ｃ〜３
０００″Ｃに加熱し熱電子を放出させることによって、
４００’Ｃ〜１３００″Ｃに加熱された基体（３４）上
に、化学反応によりダイヤモンド膜を台底する方法であ
る。この時、反応容器内の圧力は１〜３５０Ｔｏｒｒ程
度の減圧状態に維持されている。
前述のような方法で摩耗部品にダイヤモンド膜を被覆す
るとき、基体とダイヤモンド膜との密着強度が大きな問
題となるが、現在のところ充分な密着強度は得られてい
ない。そのため、ダイヤモンド薄膜が基体との間ではが
れ充分に硬質保護膜としての効果が得られていない。
るとき、基体とダイヤモンド膜との密着強度が大きな問
題となるが、現在のところ充分な密着強度は得られてい
ない。そのため、ダイヤモンド薄膜が基体との間ではが
れ充分に硬質保護膜としての効果が得られていない。
また、基体の種類による熱膨張係数の違いも基板とダイ
ヤモンド薄膜との剥離の原因の一つと考えられている。
ヤモンド薄膜との剥離の原因の一つと考えられている。
一方、熱ＣＶＤ法ではダイヤモンド膜を台底できる面積
がφ２ｃｍ程度と非常に小さいためにかなりのコスト高
にならざるを得ないという問題があった。
がφ２ｃｍ程度と非常に小さいためにかなりのコスト高
にならざるを得ないという問題があった。
さらに、ダイヤモンド膜の膜質が同一基板上の場所によ
りかなり違っているため、大面積の底膜ができる反応容
器を用意しても、実用的でないという問題を有していた
。
りかなり違っているため、大面積の底膜ができる反応容
器を用意しても、実用的でないという問題を有していた
。
本発明では、基体の種類による熱膨張係数の違いによっ
て発生するダイヤモンド膜の剥離の問題を解決するため
に、直接、基体上に人工ダイヤモンドを台底しない方法
を採用した。
て発生するダイヤモンド膜の剥離の問題を解決するため
に、直接、基体上に人工ダイヤモンドを台底しない方法
を採用した。
また、基板とダイヤモンド膜との間の密着強度を上げる
ためには密着性のよい接着層をダイヤモンド膜と基体と
の間に設ける方法を採用した。
ためには密着性のよい接着層をダイヤモンド膜と基体と
の間に設ける方法を採用した。
すなわち、ダイヤモンド薄膜を工具等の被覆対象物とは
別の基板上に戊辰させて、そのダイヤモンド膜上に接着
層を設け、この接着層と基体とを接着したのち基板部分
を溶解もしくは剥がす等の作業により除去する。
別の基板上に戊辰させて、そのダイヤモンド膜上に接着
層を設け、この接着層と基体とを接着したのち基板部分
を溶解もしくは剥がす等の作業により除去する。
こうすることにより、基体へのダイヤモンド膜の密着性
は接着層により決定されるところとなり殆ど剥離しない
ものが得られるようになった。
は接着層により決定されるところとなり殆ど剥離しない
ものが得られるようになった。
また、作製工程中の熱処理による温度変化によって発生
する剥離も同時に防止することができる。
する剥離も同時に防止することができる。
コスト高になるという問題は有磁場マイクロ波ＣＶＤ装
置を使うことによって解決できる。
置を使うことによって解決できる。
ここでいう有磁場マイクロ波ＣＶＤ装置とは第１図に示
しであるようなＣＶＤ装置のことを示している。
しであるようなＣＶＤ装置のことを示している。
この装置は導波管（６）から導入されるマイクロ波のエ
ネルギーと電磁石等の磁場印加手段（３）により導入さ
れる磁場との相互作用により反応性気体を高エネルギー
状態にし、この高エネルギー状態のプラズマによりダイ
ヤモンド膜を形成するものであります。同装置を使えば
、成膜可能な面積がφ１０ｃｍ以上となり従来の装置の
２０倍以上となり、少ない作製工程で、作製することが
可能であるので、コスト高は抑えられるようになった。
ネルギーと電磁石等の磁場印加手段（３）により導入さ
れる磁場との相互作用により反応性気体を高エネルギー
状態にし、この高エネルギー状態のプラズマによりダイ
ヤモンド膜を形成するものであります。同装置を使えば
、成膜可能な面積がφ１０ｃｍ以上となり従来の装置の
２０倍以上となり、少ない作製工程で、作製することが
可能であるので、コスト高は抑えられるようになった。
以下に実施例を示し、本発明を説明する。
まず、第１図に示しである有磁場マイクロ波ＣＶＤ装置
によりダイヤモンド膜を４インチのシリコン基板（１）
の上に台底する。
によりダイヤモンド膜を４インチのシリコン基板（１）
の上に台底する。
この膜の成膜条件を以下に示す。
反応ガスはメタノール５０ｃｃｍ 水素１０１００ｃ
反応圧力０．２５Ｔｏｒｒ 基板温度８００°Ｃ 処理時間４ｈｒ マイクロ波（２，４５ＧＩｌｚ）出力４ｋＷ磁場強度
８７５ｇａｕｓｓ以上。
反応圧力０．２５Ｔｏｒｒ 基板温度８００°Ｃ 処理時間４ｈｒ マイクロ波（２，４５ＧＩｌｚ）出力４ｋＷ磁場強度
８７５ｇａｕｓｓ以上。
また、基板表面には粒径１０〜２００μｍ程度のダイヤ
モンド粒子を含む溶液中で約１０分間超音波処理を施し
、微小な傷を付けである。この傷を核として、ダイヤモ
ンド膜は結晶成長していく。
モンド粒子を含む溶液中で約１０分間超音波処理を施し
、微小な傷を付けである。この傷を核として、ダイヤモ
ンド膜は結晶成長していく。
第２図（Ａ）にダイヤモンド成膜後のサンプルを断面か
らみた様子を模式的に示しである。
らみた様子を模式的に示しである。
ダイヤモンド膜（１０）は多結晶を状態であり、個々の
結晶は逆三角柱状に基板より戊辰している。
結晶は逆三角柱状に基板より戊辰している。
シリコン基板（１）との境界付近では、ダイヤモンド膜
は充分な接触面積をとることができないため密着強度が
弱く剥がれやすい。
は充分な接触面積をとることができないため密着強度が
弱く剥がれやすい。
次に、第２図（Ｂ）に示しであるようにダイヤモンド膜
（１０）上に接着層として金ロウ（１１）を使用し、基
体（２０） （本実施例ではタングステンカーバイド
）を取りつける。
（１０）上に接着層として金ロウ（１１）を使用し、基
体（２０） （本実施例ではタングステンカーバイド
）を取りつける。
この接着層としては、ろう材料以外に、耐熱性のある構
造用接着材、例えばエポキシ／フェノリック或いはニト
リル／フェノリック等の強力な接着材でも使用可能であ
った。
造用接着材、例えばエポキシ／フェノリック或いはニト
リル／フェノリック等の強力な接着材でも使用可能であ
った。
また、接着層を設ける際に、ダイヤモンド膜の表面をプ
ラズマ処理又はサンドブラスト処理等を施して、接着層
とダイヤモンド膜との密着強度を更に向上させるは好ま
しかった。
ラズマ処理又はサンドブラスト処理等を施して、接着層
とダイヤモンド膜との密着強度を更に向上させるは好ま
しかった。
次に基板（１）を機械的に研磨して除去することによっ
て、最終的には第２図（Ｃ）のようにダイヤモンド膜が
コーティングされた部材（２０）が完成する。
て、最終的には第２図（Ｃ）のようにダイヤモンド膜が
コーティングされた部材（２０）が完成する。
同図よりも明らかなように、基体との密着面積が増大す
るので密着強度が上がる。
るので密着強度が上がる。
このダイヤモンドコーテイング材を使ってセラミックス
の表面を研磨を行った結果、直接基体上に被膜した従来
の製品に比べて、５倍以上の寿命を示すようになった。
の表面を研磨を行った結果、直接基体上に被膜した従来
の製品に比べて、５倍以上の寿命を示すようになった。
また、本実施例においては、最初にダイヤモンド膜を形
成する基板として、平面状のシリコン基板を使用したが
、特に平面に限定されず、最終的にダイヤモンド膜が接
着される基体を基に金型を作製し、その金型上にダイヤ
モンド膜を形成し、その後基体と接着させることも可能
である。
成する基板として、平面状のシリコン基板を使用したが
、特に平面に限定されず、最終的にダイヤモンド膜が接
着される基体を基に金型を作製し、その金型上にダイヤ
モンド膜を形成し、その後基体と接着させることも可能
である。
特に、有磁場マイクロ波ＣＶＤ装置によりダイヤモンド
膜を形成するので、複雑な形状を持つ金型でも均一な被
膜形成を行うことができた。
膜を形成するので、複雑な形状を持つ金型でも均一な被
膜形成を行うことができた。
（発明の効果）
以上のように、この発明によれば、従来は充分な密着強
度が得られなかったダイヤモンド膜を、様々な基体上に
充分な密着強度をもって安価で形成することができた。
度が得られなかったダイヤモンド膜を、様々な基体上に
充分な密着強度をもって安価で形成することができた。
第１図は有磁場マイクロ波ＣＶＤ装置を示す。
第２図は本発明の作製工程の概略を示す。
第３図は従来の熱ＣＶＤ装置を示す。
１− シリコン基板 ３−・−マグネットコイル２
．３５−−サンプルホルダー ４・・−バイアス電圧 ５．３２ −−反応性気体導入ロ ６−マイクロ波 導波管 ｌＯダイヤモンド膜 １１−接着層２０．３４−基
体 ３１ ・反応容器
．３５−−サンプルホルダー ４・・−バイアス電圧 ５．３２ −−反応性気体導入ロ ６−マイクロ波 導波管 ｌＯダイヤモンド膜 １１−接着層２０．３４−基
体 ３１ ・反応容器
Claims (3)
- １．基体の外装または基体上の摩耗部分に表面保護膜と
して、ダイヤモンド薄膜を接着層を介して設けたことを
特徴とするダイヤモンド薄膜コーティング部材。 - ２．特許請求の範囲第１項において、前記ダイヤモンド
薄膜は有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ（化学的気相成
長）法によって得られることを特徴とするダイヤモンド
薄膜コーティング部材。 - ３．有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ（化学的気相成長
）法によってダイヤモンド薄膜を基板上に成長させ、前
記ダイヤモンド薄膜と基体の外装または基体上の磨耗部
分とを接着層を介して接着した後、前記基板部分を除去
することによりダイヤモンド薄膜を保護膜として基体上
に形成することを特徴とするダイヤモンド薄膜コーティ
ング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076308A JP2651947B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 |
| US07/666,671 US5366579A (en) | 1990-03-26 | 1991-03-07 | Industrial diamond coating and method of manufacturing |
| EP91103704A EP0449025A1 (en) | 1990-03-26 | 1991-03-11 | Industrial diamond coating and method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076308A JP2651947B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274271A true JPH03274271A (ja) | 1991-12-05 |
| JP2651947B2 JP2651947B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=13601745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2076308A Expired - Fee Related JP2651947B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5366579A (ja) |
| EP (1) | EP0449025A1 (ja) |
| JP (1) | JP2651947B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289684A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Kobe Steel Ltd | 微細加工用型 |
| CN115044885A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-13 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种制备高纯度cvd钻石晶片的mpcvd装置及方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2840788B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1998-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド成分を含む表面保護膜 |
| US5260141A (en) * | 1991-11-29 | 1993-11-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Diamond coated products |
| US5472370A (en) * | 1994-07-29 | 1995-12-05 | University Of Arkansas | Method of planarizing polycrystalline diamonds, planarized polycrystalline diamonds and products made therefrom |
| US5759623A (en) * | 1995-09-14 | 1998-06-02 | Universite De Montreal | Method for producing a high adhesion thin film of diamond on a Fe-based substrate |
| US5704787A (en) * | 1995-10-20 | 1998-01-06 | San Diego Swiss Machining, Inc. | Hardened ultrasonic dental surgical tips and process |
| US6524357B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-02-25 | Saint-Gobain Abrasives Technology Company | Process for coating superabrasive with metal |
| EP1294960A2 (en) | 2000-06-30 | 2003-03-26 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Process for coating superabrasive particles with metal |
| US6659161B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-12-09 | Chien-Min Sung | Molding process for making diamond tools |
| US7132309B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-07 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and methods of forming |
| US7011134B2 (en) * | 2000-10-13 | 2006-03-14 | Chien-Min Sung | Casting method for producing surface acoustic wave devices |
| GB2379186A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-05 | Coherent Optics | Integrated diamond chalcogenide optics |
| US7147810B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-12-12 | Fraunhofer Usa, Inc. | Drapable diamond thin films and method for the preparation thereof |
| WO2007121052A2 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | 3M Innovative Properties Company | Metal-coated superabrasive material and methods of making the same |
| US7972866B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-07-05 | Nipro Diagnostics, Inc. | Biosensor and ultrasonic method of making a biosensor |
| US7846767B1 (en) | 2007-09-06 | 2010-12-07 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and associated methods |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212766A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質多結晶ダイヤモンド工具 |
| JPH01212767A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高耐摩耗性多結晶ダイヤモンド工具及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3942959A (en) * | 1967-12-22 | 1976-03-09 | Fabriksaktiebolaget Eka | Multilayered flexible abrasive containing a layer of electroconductive material |
| US4101698A (en) * | 1975-07-14 | 1978-07-18 | Avery International Corp. | Elastomeric reflective metal surfaces |
| US4179324A (en) * | 1977-11-28 | 1979-12-18 | Spire Corporation | Process for fabricating thin film and glass sheet laminate |
| JPS622133A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ミクロト−ム用ダイヤモンドコ−テイング刃およびその製造方法 |
| JPH01153228A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Asahi Daiyamondo Kogyo Kk | 気相合成ダイヤモンド工具の製造法 |
| JP2631708B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1997-07-16 | 株式会社石塚研究所 | 改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法 |
| US4919974A (en) * | 1989-01-12 | 1990-04-24 | Ford Motor Company | Making diamond composite coated cutting tools |
| ZA901817B (en) * | 1989-06-15 | 1991-04-24 | Gen Electric | Tools employing a large or irregularly shaped diamond abrasive |
| US4968326A (en) * | 1989-10-10 | 1990-11-06 | Wiand Ronald C | Method of brazing of diamond to substrate |
| US5082359A (en) * | 1989-11-28 | 1992-01-21 | Epion Corporation | Diamond films and method of growing diamond films on nondiamond substrates |
| JP2840788B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1998-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド成分を含む表面保護膜 |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP2076308A patent/JP2651947B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-07 US US07/666,671 patent/US5366579A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-11 EP EP91103704A patent/EP0449025A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212766A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質多結晶ダイヤモンド工具 |
| JPH01212767A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高耐摩耗性多結晶ダイヤモンド工具及びその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289684A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Kobe Steel Ltd | 微細加工用型 |
| JP4546315B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2010-09-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 微細加工用型の製造方法 |
| CN115044885A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-13 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种制备高纯度cvd钻石晶片的mpcvd装置及方法 |
| CN115044885B (zh) * | 2022-06-14 | 2023-02-10 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种制备高纯度cvd钻石晶片的mpcvd装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0449025A1 (en) | 1991-10-02 |
| JP2651947B2 (ja) | 1997-09-10 |
| US5366579A (en) | 1994-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03274271A (ja) | ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 | |
| JPH01153228A (ja) | 気相合成ダイヤモンド工具の製造法 | |
| EP3353340B1 (en) | Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds | |
| JP2007537127A (ja) | ダイヤモンド担持半導体デバイスおよび形成方法 | |
| KR100193546B1 (ko) | 초경질막 피복부재 및 그 제조방법 | |
| JP2840788B2 (ja) | ダイヤモンド成分を含む表面保護膜 | |
| JPS63199870A (ja) | ダイヤモンド被覆超硬工具材 | |
| JPH04157157A (ja) | 人工ダイヤモンド被覆材の製造方法 | |
| JP2590341B2 (ja) | 薄膜ダイヤモンドの被覆方法 | |
| US5423475A (en) | Diamond coatings for aluminum alloys | |
| JP2679067B2 (ja) | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 | |
| JPH02267284A (ja) | 気相合成法による多結晶質ダイヤモンド系物体およびその製法 | |
| JPH11131236A (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
| JPS6294263A (ja) | カツタ−ブレ−ドおよびその製造方法 | |
| JPH0456766B2 (ja) | ||
| JP2001192801A (ja) | 超硬材料体を含むユニット及びその製法 | |
| KR930011165B1 (ko) | 다이아몬드막의 기상증착법 및 그 장치 | |
| JPH03149140A (ja) | 気相合成ダイヤモンド工具の製造方法 | |
| JPH0766930B2 (ja) | ボンディングツール | |
| JPH06100398A (ja) | 鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法 | |
| JPH0354180A (ja) | ダイヤモンド被覆焼結体の製造法 | |
| JPH04101702A (ja) | 多結晶ダイヤモンド工具の製造方法 | |
| JPH04132688A (ja) | ダイヤモンド複合薄膜およびその作製方法 | |
| JPH0333095A (ja) | 気相合成ダイヤモンド工具の製造方法 | |
| JPH05285842A (ja) | ダイヤモンドホイールの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090523 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |