JPH04101702A - 多結晶ダイヤモンド工具の製造方法 - Google Patents
多結晶ダイヤモンド工具の製造方法Info
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- JPH04101702A JPH04101702A JP21406890A JP21406890A JPH04101702A JP H04101702 A JPH04101702 A JP H04101702A JP 21406890 A JP21406890 A JP 21406890A JP 21406890 A JP21406890 A JP 21406890A JP H04101702 A JPH04101702 A JP H04101702A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相合成法によるダイヤモンド膜を利用したダ
イヤモンド工具の製造方法に関する。
イヤモンド工具の製造方法に関する。
ダイヤモンドは高硬度、耐摩耗性および被削材との耐溶
着性に優れており、多結晶焼結体ダイヤモンド及び天然
もしくは合成ダイヤモンドが、工具や耐摩耗性部品とし
て用いられているが、近年比較的容易に、かつ大きな面
積の基板に、ダイヤモンドが膜状に得られる気相合成法
が開発されて、この気相合成法によるダイヤモンド薄膜
をダイヤモンド工具に使用しようとする試みが種々なさ
れている。
着性に優れており、多結晶焼結体ダイヤモンド及び天然
もしくは合成ダイヤモンドが、工具や耐摩耗性部品とし
て用いられているが、近年比較的容易に、かつ大きな面
積の基板に、ダイヤモンドが膜状に得られる気相合成法
が開発されて、この気相合成法によるダイヤモンド薄膜
をダイヤモンド工具に使用しようとする試みが種々なさ
れている。
しかしながら、気相合成法によるダイヤモンドの生成が
可能な基板は、モリブデン、タングステン、超硬合金な
どに限られ、鉄系金属上には析出し難く、どのような基
板物質にもダイヤモンドが析出するとは限らず、基板物
質の種類の選択には制約がある。また、ダイヤモンドの
核発生速度、析出速度、基板との密着強度は、基板の材
質により大きく異なる。
可能な基板は、モリブデン、タングステン、超硬合金な
どに限られ、鉄系金属上には析出し難く、どのような基
板物質にもダイヤモンドが析出するとは限らず、基板物
質の種類の選択には制約がある。また、ダイヤモンドの
核発生速度、析出速度、基板との密着強度は、基板の材
質により大きく異なる。
かかる観点から提案されたのが特開平1−21201号
公報の発明であって、気相合成法によりダイヤモンド膜
を表面に析出させた析出基板を、工具基体上にろう付け
したものである。
公報の発明であって、気相合成法によりダイヤモンド膜
を表面に析出させた析出基板を、工具基体上にろう付け
したものである。
また、ダイヤモンド膜とそれらの工具基体との接着強度
はダイヤモンドの膜厚と関連し、ダイヤモンド膜の厚さ
を厚くすればする程、それだけ基板との接着強度は低下
する傾向にある。然るに、気相合成法によるダイヤモン
ド皮膜は、結晶性の良いほどざらざらしており、膜の表
面を研磨する必要があり、膜厚としては研磨式を含めて
、10μm以上は必要である。ところが、前述の膜厚と
接着強度の関係から、膜厚が10μm以上の場合、気相
合成法によるダイヤモンド膜は、工具基体に充分な接着
力で被覆することは困難であり、例えば超硬合金上にダ
イヤモンド皮膜を被覆した切削用チップは、切削加工中
にダイヤモンド膜がすぐに剥離してしまうという問題点
がある。
はダイヤモンドの膜厚と関連し、ダイヤモンド膜の厚さ
を厚くすればする程、それだけ基板との接着強度は低下
する傾向にある。然るに、気相合成法によるダイヤモン
ド皮膜は、結晶性の良いほどざらざらしており、膜の表
面を研磨する必要があり、膜厚としては研磨式を含めて
、10μm以上は必要である。ところが、前述の膜厚と
接着強度の関係から、膜厚が10μm以上の場合、気相
合成法によるダイヤモンド膜は、工具基体に充分な接着
力で被覆することは困難であり、例えば超硬合金上にダ
イヤモンド皮膜を被覆した切削用チップは、切削加工中
にダイヤモンド膜がすぐに剥離してしまうという問題点
がある。
この問題点を解決すべく提案されたのが、特開平1−1
53228号公報の発明であって、気相合成法により、
析出基板上に10〜1000μmの厚さにダイヤモンド
膜を析出させ、析出基板を着けたままダイヤモンド膜を
工具基体上にろう付けした後、析出基板を研磨加工によ
って除去することを特徴とする気相合成ダイヤモンドの
製造方法である。
53228号公報の発明であって、気相合成法により、
析出基板上に10〜1000μmの厚さにダイヤモンド
膜を析出させ、析出基板を着けたままダイヤモンド膜を
工具基体上にろう付けした後、析出基板を研磨加工によ
って除去することを特徴とする気相合成ダイヤモンドの
製造方法である。
また、特開平1−212766号公報の発明は、Mo、
S i、S i C5AIN等からなる析出基板上に気
相合成法により、0.1〜3.0mmの多結晶ダイヤモ
ンド皮膜を析出させた後、この多結晶ダイヤモンド皮膜
から、機械的にまたは化学的に析出基板を除去してダイ
ヤモンドのみの多結晶体とし、これを金属または合金か
らなる支持部材にろう付けするものである。
S i、S i C5AIN等からなる析出基板上に気
相合成法により、0.1〜3.0mmの多結晶ダイヤモ
ンド皮膜を析出させた後、この多結晶ダイヤモンド皮膜
から、機械的にまたは化学的に析出基板を除去してダイ
ヤモンドのみの多結晶体とし、これを金属または合金か
らなる支持部材にろう付けするものである。
前記特開平1−153228号公報の発明においては、
局面あるいは角面を有する工具基体であっても、これに
型をとり、この型に合わせて析出基板を形成して、これ
に気相合成法によりダイヤモンド膜を該析出基板に成膜
させれば、局面あるいは角面を有する工具基体にもダイ
ヤモンド膜を接着することが可能である。
局面あるいは角面を有する工具基体であっても、これに
型をとり、この型に合わせて析出基板を形成して、これ
に気相合成法によりダイヤモンド膜を該析出基板に成膜
させれば、局面あるいは角面を有する工具基体にもダイ
ヤモンド膜を接着することが可能である。
しかしながら、工具基体にダイヤモンド膜を接着した後
に、析出基板を機械的手段たとえば研磨加工によって、
除去するに際して、ダイヤモンド膜が平面である場合は
極めて簡単であるが、ダイヤモンド膜が局面または角面
である場合は、析出基板の除去は非常に手間が掛かり、
析出基板の除去むらが生ずるおそれがある。また、かか
る場合に化学的手段、例えば酸処理により析出基板除去
する方法も考えられるが、酸処理によりダイヤモンド膜
や工具基体を損傷するおそれがある。
に、析出基板を機械的手段たとえば研磨加工によって、
除去するに際して、ダイヤモンド膜が平面である場合は
極めて簡単であるが、ダイヤモンド膜が局面または角面
である場合は、析出基板の除去は非常に手間が掛かり、
析出基板の除去むらが生ずるおそれがある。また、かか
る場合に化学的手段、例えば酸処理により析出基板除去
する方法も考えられるが、酸処理によりダイヤモンド膜
や工具基体を損傷するおそれがある。
また、特開平1−212766号公報の発明においては
、基板を機械的にまたは化学的処理により除去して得ら
れた多結晶ダイヤモンド膜は非常に薄いものであるため
、取扱に細心の注意を払わないと破損するおそれがあり
、さらに金属または合金からなる支持部材にろう付けす
る際に治具で固定するので、圧縮応力によりダイヤモン
ド膜が曲がったり損傷したりすることがある。
、基板を機械的にまたは化学的処理により除去して得ら
れた多結晶ダイヤモンド膜は非常に薄いものであるため
、取扱に細心の注意を払わないと破損するおそれがあり
、さらに金属または合金からなる支持部材にろう付けす
る際に治具で固定するので、圧縮応力によりダイヤモン
ド膜が曲がったり損傷したりすることがある。
本発明は気相合成法により形成される多結晶ダイヤモン
ド膜を工具基体に接着してダイヤモンド工具として利用
する場合の前記のごとき問題点を解決すべくなされたも
のであって、極めて容易に気相合成法による多結晶ダイ
ヤモンド膜を工具基体に接着することのできる多結晶ダ
イヤモンド工具の製造方法を提供することを目的とする
。
ド膜を工具基体に接着してダイヤモンド工具として利用
する場合の前記のごとき問題点を解決すべくなされたも
のであって、極めて容易に気相合成法による多結晶ダイ
ヤモンド膜を工具基体に接着することのできる多結晶ダ
イヤモンド工具の製造方法を提供することを目的とする
。
発明者等は前記の問題点を解決するため、析出基板の除
去について鋭意研究を重ねた結果、析出基板を付けたま
まの多結晶ダイヤモンドを工具基体に接着した後、析出
基板を剥離して除去することを着想した。そこで、気相
合成法によるダイヤモンド膜の析出速度が優れると共に
ダイヤモンド膜の剥離性の優れた物質について研究し、
IVa、Vaまたは■a族元素の炭化物およびSisN
n複合体がこれに適していることを新たに知見し本発明
を完成した。
去について鋭意研究を重ねた結果、析出基板を付けたま
まの多結晶ダイヤモンドを工具基体に接着した後、析出
基板を剥離して除去することを着想した。そこで、気相
合成法によるダイヤモンド膜の析出速度が優れると共に
ダイヤモンド膜の剥離性の優れた物質について研究し、
IVa、Vaまたは■a族元素の炭化物およびSisN
n複合体がこれに適していることを新たに知見し本発明
を完成した。
本発明の多結晶ダイヤモンド工具の製造方法はIVa、
VaまたはIVa族元素の炭化物またはTiN、TaN
とSisN4複合体を析出基板として気相合成法により
ダイヤモンド膜を析出させる工程と、前記析出基板を付
けたままのダイヤモンド膜を工具基体上に接合する工程
と、前記ダイヤモンド被膜から前記析出基板を剥離する
工程とからなることを要旨とする。
VaまたはIVa族元素の炭化物またはTiN、TaN
とSisN4複合体を析出基板として気相合成法により
ダイヤモンド膜を析出させる工程と、前記析出基板を付
けたままのダイヤモンド膜を工具基体上に接合する工程
と、前記ダイヤモンド被膜から前記析出基板を剥離する
工程とからなることを要旨とする。
析出基板として用いられるIVa、Vaまたは■a族元
素の炭化物としては、例えばZrC,TaC5TiC5
VCまたはCr3Czなどを用いることができる。また
、ZrC,TaC,Tic、VCまたはCrnC2から
選ばれる1種または2種以上の混合物でも良い。さらに
SiCならば50〜80mo 1%まで混合することが
できる。なお、焼結助剤等の他成分の添加剤は20mo
1%以下の範囲で添加することは差し支えない。
素の炭化物としては、例えばZrC,TaC5TiC5
VCまたはCr3Czなどを用いることができる。また
、ZrC,TaC,Tic、VCまたはCrnC2から
選ばれる1種または2種以上の混合物でも良い。さらに
SiCならば50〜80mo 1%まで混合することが
できる。なお、焼結助剤等の他成分の添加剤は20mo
1%以下の範囲で添加することは差し支えない。
析出基板として用いられる51gNa複合体には、20
〜50m01%のTiNおよび/またはTaNを含有さ
せることができる。TiNおよび/またはTaNの含有
量が20mol%未満になると析出基板の剥離が困難と
なり、50mo 1%を越えるとダイヤモンドの析出速
度が遅くなるからである。
〜50m01%のTiNおよび/またはTaNを含有さ
せることができる。TiNおよび/またはTaNの含有
量が20mol%未満になると析出基板の剥離が困難と
なり、50mo 1%を越えるとダイヤモンドの析出速
度が遅くなるからである。
析出基板の面粗度は、Rmax0.30以下とすること
が好ましい。面粗度がRmax0.30を越えると、基
板の凹凸により、ダイヤモンド膜と基板との間に物理的
強度が生ずるため、析出基板の容易な方法による除去が
難しくなる。
が好ましい。面粗度がRmax0.30を越えると、基
板の凹凸により、ダイヤモンド膜と基板との間に物理的
強度が生ずるため、析出基板の容易な方法による除去が
難しくなる。
ダイヤモンドの気相合成法は、主としてCVD法(化学
蒸着法)が用いられるが、CVD法であれば熱フイラメ
ント法、マイクロ波プラズマ法、高周波プラズマ法、直
流プラズマ法のいずれを用いても良い。
蒸着法)が用いられるが、CVD法であれば熱フイラメ
ント法、マイクロ波プラズマ法、高周波プラズマ法、直
流プラズマ法のいずれを用いても良い。
気相合成法により析出基板に析出するダイヤモンド膜の
厚さは10〜300μmとすることが望ましい。ダイヤ
モンド膜の厚さが10μm未満であると取扱が困難とな
るからであり、ダイヤモンド膜の厚さが300μmを越
えると、ダイヤモンド析出後の冷却時に、母材との熱膨
張差による応力により、ダイヤモンド膜にクラックが生
じるからである。
厚さは10〜300μmとすることが望ましい。ダイヤ
モンド膜の厚さが10μm未満であると取扱が困難とな
るからであり、ダイヤモンド膜の厚さが300μmを越
えると、ダイヤモンド析出後の冷却時に、母材との熱膨
張差による応力により、ダイヤモンド膜にクラックが生
じるからである。
本発明においては、析出基板としてIVa、Vaまたは
IVa族元素の炭化物を用いたので、気相合成法による
ダイヤモンド膜の成長速度が1.5μm/hr以上であ
って、ダイヤモンド膜の成長速度に優れ、所望の厚さの
ダイヤモンド膜を得るこ−とができる。
IVa族元素の炭化物を用いたので、気相合成法による
ダイヤモンド膜の成長速度が1.5μm/hr以上であ
って、ダイヤモンド膜の成長速度に優れ、所望の厚さの
ダイヤモンド膜を得るこ−とができる。
また、IVa、VaまたはIVa族元素は、水素脆性金
属、すなわち水素を吸収ないし反応して脆くなる金属で
あり、従来のCVD法ではプラズマ中の炭素や水素と反
応して炭化物を形成して、密着性の良いダイヤモンド膜
が形成できない。そのため、析出基板とダイヤモンド膜
との剥離性に優れ、ダイヤモンド膜を工具基体にろう付
けした後に、ダイヤモンド膜から析出基板を容易に剥離
することができる。
属、すなわち水素を吸収ないし反応して脆くなる金属で
あり、従来のCVD法ではプラズマ中の炭素や水素と反
応して炭化物を形成して、密着性の良いダイヤモンド膜
が形成できない。そのため、析出基板とダイヤモンド膜
との剥離性に優れ、ダイヤモンド膜を工具基体にろう付
けした後に、ダイヤモンド膜から析出基板を容易に剥離
することができる。
SisN4焼結体はCVDダイヤモンド膜と密着性が良
(、CVD膜上のSi3N4の除去は機械的加工によら
なければできないが、本発明の5jsN+複合体は、C
VDダイヤモンド膜と全く密着性の無いTiNおよび/
またはTaNを含有するので、CVDダイヤモンド膜か
らの析出基板の剥離が極めて容易である。
(、CVD膜上のSi3N4の除去は機械的加工によら
なければできないが、本発明の5jsN+複合体は、C
VDダイヤモンド膜と全く密着性の無いTiNおよび/
またはTaNを含有するので、CVDダイヤモンド膜か
らの析出基板の剥離が極めて容易である。
析出基板の面粗度をRmax0.30μm以下とするこ
とにより、析出基板表面の凹凸が滑らかとなり、ダイヤ
モンド族と析出基板との間の物理的強度が弱まり、剥離
性がさらに優れたものとなる。また、ダイヤモンド膜の
厚さを300μm以下とすることにより、ダイヤモンド
膜の割れを防止することができる。
とにより、析出基板表面の凹凸が滑らかとなり、ダイヤ
モンド族と析出基板との間の物理的強度が弱まり、剥離
性がさらに優れたものとなる。また、ダイヤモンド膜の
厚さを300μm以下とすることにより、ダイヤモンド
膜の割れを防止することができる。
本発明の好適な実施例を、比較例と比較しつつ説明し、
本発明の効果を明らかにする。
本発明の効果を明らかにする。
実施例1
第1表に示す材質の析出基板の表面を第1表に示す面粗
度に表面加工し、マイクロ波プラズマCVD装置の反応
管内にセットし、基板温度8500C1反応気圧40T
orr:原料ガス流量CH。
度に表面加工し、マイクロ波プラズマCVD装置の反応
管内にセットし、基板温度8500C1反応気圧40T
orr:原料ガス流量CH。
; 2. Occ/m1nS H2; 100c
c/minとするCVD条件で、ダイヤモンドの気相合
成反応を60時間行い、析出基板に120〜35μmの
ダイヤモンド膜を析出させた。ダイヤモンド膜の成長速
度を測定したところ、第1表に示すような結果を得た。
c/minとするCVD条件で、ダイヤモンドの気相合
成反応を60時間行い、析出基板に120〜35μmの
ダイヤモンド膜を析出させた。ダイヤモンド膜の成長速
度を測定したところ、第1表に示すような結果を得た。
なお、面粗度と表面加工の関係は、鏡面加工の場合、面
粗度Rmaxが0.12〜0.24am、#600研磨
加工の場合、面粗度Rmaxが0゜36〜0.88μm
である。
粗度Rmaxが0.12〜0.24am、#600研磨
加工の場合、面粗度Rmaxが0゜36〜0.88μm
である。
得られたダイヤモンド膜を析出基板の付いたままで、工
具の合金にろう付けした。続いて、ダイヤモンド膜から
析出基板を剥離し、剥離性の良否を判定した。剥離性の
良否は、析出基板をこじる等の僅かの機械的応力により
ダイヤモンド膜を損傷することなく析出基板を分離でき
たものを良、同じ機械的応力でも剥離できなかったもの
を否どして示した。得られた結果は第1表に併せて示し
た。
具の合金にろう付けした。続いて、ダイヤモンド膜から
析出基板を剥離し、剥離性の良否を判定した。剥離性の
良否は、析出基板をこじる等の僅かの機械的応力により
ダイヤモンド膜を損傷することなく析出基板を分離でき
たものを良、同じ機械的応力でも剥離できなかったもの
を否どして示した。得られた結果は第1表に併せて示し
た。
(Jll 下 余 白 )
第1表に示したように、析出基板が本発明の炭化物であ
っても、面粗度がRmax0.3μmを越える記号Bお
よびEは、ダイヤモンド膜からの析出基板の剥離が不能
であった。また、析出基板が5i2N4 またはS1単
結晶である比較例である記号IおよびJは、同様に析出
基板の剥離が不能であった。
っても、面粗度がRmax0.3μmを越える記号Bお
よびEは、ダイヤモンド膜からの析出基板の剥離が不能
であった。また、析出基板が5i2N4 またはS1単
結晶である比較例である記号IおよびJは、同様に析出
基板の剥離が不能であった。
これに対して、本発明の炭化物であるZrC1TaC,
TiC,VCおよびCr3Cxを面粗度Rmax0.3
μm以下に加工したものは、全てダイヤモンド膜からの
析出基板の剥離が良好であり、本発明の効果が確認され
た。
TiC,VCおよびCr3Cxを面粗度Rmax0.3
μm以下に加工したものは、全てダイヤモンド膜からの
析出基板の剥離が良好であり、本発明の効果が確認され
た。
実施例2
ZrCからなる析出基板の面粗度をRmaxO−15μ
mになるように表面加工し、マイクロ波プラズマCVD
装置の反応管内にセットし、実施例1と同じCVD条件
で気相合成反応を行い、第2表に示す厚みのダイヤモン
ド膜を析出させた。
mになるように表面加工し、マイクロ波プラズマCVD
装置の反応管内にセットし、実施例1と同じCVD条件
で気相合成反応を行い、第2表に示す厚みのダイヤモン
ド膜を析出させた。
得られたダイヤモンド膜の表面状態を観察したところ、
第2表に示すような結果を得た。
第2表に示すような結果を得た。
第2表に示したように、ダイヤモンドの厚みが350μ
mのものは、クラックが発生しており、250μm以下
のものは、表面状態が良好であった。その結果、ダイヤ
モンド膜の厚みは300μm以下とすると、クラックの
発生の無い健全なダイヤモンド膜が得られることが確認
された。
mのものは、クラックが発生しており、250μm以下
のものは、表面状態が良好であった。その結果、ダイヤ
モンド膜の厚みは300μm以下とすると、クラックの
発生の無い健全なダイヤモンド膜が得られることが確認
された。
実施例3
第3表に示す材質の析出基板の表面を第3表に示す面粗
度に表面加工し、マイクロ波プラズマCVD装置の反応
管内にセットし、基板温度850°C1反応気圧40T
orr:原料ガス流量CH4;2.Occ/mjn%H
2;100cc/minとするCVD条件で、ダイヤモ
ンドの気相合成反応を150時間行い、析出基板に14
0〜15μmのダイヤモンド膜を析出させた。ダイヤモ
ンド膜の成長速度を測定したところ、第3表に示すよう
な結果を得た。
度に表面加工し、マイクロ波プラズマCVD装置の反応
管内にセットし、基板温度850°C1反応気圧40T
orr:原料ガス流量CH4;2.Occ/mjn%H
2;100cc/minとするCVD条件で、ダイヤモ
ンドの気相合成反応を150時間行い、析出基板に14
0〜15μmのダイヤモンド膜を析出させた。ダイヤモ
ンド膜の成長速度を測定したところ、第3表に示すよう
な結果を得た。
得られたダイヤモンド膜を析出基板の付いたままで、工
具の合金にろう付けした。続いて、ダイヤモンド膜から
析出基板を剥離し、剥離性の良るを判定した。剥離性の
良否は、析出基板をこじる等の僅かの機械的応力により
ダイヤモンド膜を損傷することなく析出基板を分離でき
たものを良、同じ機械的応力でも剥離できなかったもの
を否として示した。得られた結果は第3表に併せて示し
た。
具の合金にろう付けした。続いて、ダイヤモンド膜から
析出基板を剥離し、剥離性の良るを判定した。剥離性の
良否は、析出基板をこじる等の僅かの機械的応力により
ダイヤモンド膜を損傷することなく析出基板を分離でき
たものを良、同じ機械的応力でも剥離できなかったもの
を否として示した。得られた結果は第3表に併せて示し
た。
(以 下 余 白 )
第3表から明らかなように、TiNを本発明の組成範囲
以下しか含有しなかった比較例である記号Rは、析出基
板の剥離に寄与するTiNが少なかったので、析出基板
の剥離が悪かった。また、TiNを本発明の組成範囲よ
りも多く含有する比較例である記号Sは、ダイヤモンド
膜の析出速度が極めて遅かった。
以下しか含有しなかった比較例である記号Rは、析出基
板の剥離に寄与するTiNが少なかったので、析出基板
の剥離が悪かった。また、TiNを本発明の組成範囲よ
りも多く含有する比較例である記号Sは、ダイヤモンド
膜の析出速度が極めて遅かった。
これに対して、本発明の実施例である記号0、Pおよび
Qは、ダイヤモンド膜の成長速度に優れ、ダイヤモンド
膜からの析出基板の剥離も良好であって、TiNおよび
/またはTaNを本発明の組成範囲で含有するSi、N
4複合体が優れた効果を有することが確認できた。
Qは、ダイヤモンド膜の成長速度に優れ、ダイヤモンド
膜からの析出基板の剥離も良好であって、TiNおよび
/またはTaNを本発明の組成範囲で含有するSi、N
4複合体が優れた効果を有することが確認できた。
本発明の多結晶ダイヤモンド工具の製造方法は以上説明
したように、IVa、VaまたはIVa族元素の炭化物
、あるいはTjN、TaNと5jsN4複合体を析出基
板として気相合成法によりダイヤモンド膜を析出させる
ものであり、ダイヤモンド膜の成長速度が高く、しかも
ダイヤモンド膜からの析出基板の剥離が極めて容易であ
るので、ダイヤモンド膜を損傷したり曲げたりすること
なく、工具基体にろう付けすることができる。また、ダ
イヤモンド膜からの析出基板の除去は単に剥離するだけ
であるので、ダイヤモンド膜が曲面である場合も角面で
ある場合も容易に対応することができる。
したように、IVa、VaまたはIVa族元素の炭化物
、あるいはTjN、TaNと5jsN4複合体を析出基
板として気相合成法によりダイヤモンド膜を析出させる
ものであり、ダイヤモンド膜の成長速度が高く、しかも
ダイヤモンド膜からの析出基板の剥離が極めて容易であ
るので、ダイヤモンド膜を損傷したり曲げたりすること
なく、工具基体にろう付けすることができる。また、ダ
イヤモンド膜からの析出基板の除去は単に剥離するだけ
であるので、ダイヤモンド膜が曲面である場合も角面で
ある場合も容易に対応することができる。
Claims (8)
- (1)IVa、VaまたはIVa族元素の炭化物を析出基板
として気相合成法によりダイヤモンド膜を析出させる工
程と、前記析出基板を付けたままのダイヤモンド膜を工
具基体上に接合する工程と、前記ダイヤモンド膜から前
記析出基板を剥離する工程とからなることを特徴とする
多結晶ダイヤモンド工具の製造方法。 - (2)IVa、VaまたはIVa族元素の炭化物がZrC、
TaC、TiC、VCまたはCr_3C_2のうちの1
種または2種以上である特許請求の範囲第1項に記載の
多結晶ダイヤモンド工具の製造方法。 - (3)ダイヤモンド膜の厚さが10〜300μmである
特許請求の範囲第1項または第2項に記載の多結晶ダイ
ヤモンド工具の製造方法。 - (4)析出基板の面粗度がRmax0.30μm以下で
ある特許請求の範囲第1項、第2項または第3項に記載
の多結晶ダイヤモンド工具の製造方法。 - (5)TiNおよび/またはTaNとSi_sN_4と
の複合体を析出基板として気相合成法によりダイヤモン
ド膜を析出させる工程と、前記析出基板を付けたままの
ダイヤモンド膜を工具基体上に接合する工程と、前記ダ
イヤモンド膜から前記析出基板を剥離する工程とからな
ることを特徴とする多結晶ダイヤモンド工具の製造方法
。 - (6)前記複合体のTiNおよび/またはTaNの含有
量が20〜50mol%である特許請求の範囲第5項に
記載の多結晶ダイヤモンド工具の製造方法。 - (7)ダイヤモンド膜の厚さが10〜300μmである
特許請求の範囲第5項または第6項に記載の多結晶ダイ
ヤモンド工具の製造方法。 - (8)析出基板の面粗度がRmax0.30μm以下で
ある特許請求の範囲第5項、第6項または第7項に記載
の多結晶ダイヤモンド工具の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21406890A JP2813243B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 多結晶ダイヤモンド工具の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21406890A JP2813243B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 多結晶ダイヤモンド工具の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04101702A true JPH04101702A (ja) | 1992-04-03 |
JP2813243B2 JP2813243B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=16649717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21406890A Expired - Lifetime JP2813243B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 多結晶ダイヤモンド工具の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2813243B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP21406890A patent/JP2813243B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2813243B2 (ja) | 1998-10-22 |
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