KR890016220A - 다이야몬드와 다이야몬드를 접합시키는 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 두개의 다이야몬드 판이 상호 접해 있는 것을 개략적으로 도시한 것임. 제 2 도는 본 발명의 방법을 수행하기에 적합한 장치를 개략적으로 도시한 것임.
Claims (21)
- 일정 간격 떨어진 적어도 2개의 다이야몬드 표면을 준비하는 공정 및 화학 증착법에 의해 다이야몬드 표면 사이에 다이야몬드 또는 다이야몬드성 다리(diamond-like bridge)를 성장시키는 공정을 포함하는 다이야몬드와 다이야몬드를 접합시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 다이야몬드 표면이 접합된 다결정질 다이야몬드의 일부를 형성하는 다이야몬드 입자들의 표면인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 다이야몬드 표면이 접합시 접합된 다결정질 다이야몬드를 형성하는 분리된 다이야몬드 입자들의 표면인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 다이야몬드 표면이 두 다이야몬드 판의 단부 상에서 서로 인접한 표면인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항에 있어서, 다이야몬드 표면이 각각 면 (100), (110) 또는 (111)중의 하나이거나, 또는 이들면 중의 어느 하나의 3° 이내인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 다이야몬드 표면 사이의 간격이 150미크론 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 화학 증착법이, 다이야몬드 표면을 적당한 질화물 표면상에 두는 공정, 표면 주위에 가스상 탄소 화합물 분위기를 형성하는 공정, 질화물 표면과 다이야몬드 표면의 온도를 600℃ 이상으로 승온시키는 공정, 및 가스상 화합물에 이 화합물을 분해시키기에 적합한 마이크로파 에너지를 가하여 표면상에 증착될 탄소를 생성시킴으로써 표면에 결정질 다이야몬드를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 질화물이 질화규소, 질화알루미늄, 질화 티타늄, 질화 탄탈륨 등에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 8 항에 있어서, 질화물이 질화규소인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항 내지 제 9항중 어느 한 항에 있어서, 질화물 표면이 지지체를 완전히 감싸는 것을 특징로 하는 방법.
- 제 10 항에 있어서, 지지체가 마이크로파 에너지 싱크(sink)인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있엇, 지지체가 흑연 지지체인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 있어서, 질화물 표면과 다이야몬드 표면을 탄소 화함물이 분해되어 다이야몬드 본체상에 탄소가 증착되는 시간 동안 600-1000℃의 온도로 유지시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항 내지 제 13 항중 어느 한 항에 있어서, 다이야몬드 표면을 질화물 표면보다 더 높은 온도로 유지시키는 것을 특지으로 하는 방법.
- 제 7 항 내지 제 14 항중 어느 한 항에 있어서, 마이크로파 에너지의 주파수가 200MHz 내지 90GHz 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항 내지 제 15 항중 어느 한 항에 있어서, 마이크로파 에너지를 적어도 수시간 동안 유지시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항 내지 제 16 항중 어느 한 항에 있어서, 마이크로파 에너지를 2-10시간 동안 유지시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항 내지 제 17 항중 어느 한 항에 있어서, 탄소 화합물이 탄화수소인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 18 항에 있어서, 탄화수소가 메탄인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항 내지 제 19 항중 어느 한 항에 있어서, 탄소 화합물이 환원 가스와 함께 그의 혼합물의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 환원가스가 수소인 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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